JPH02307253A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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Publication number
JPH02307253A
JPH02307253A JP1129162A JP12916289A JPH02307253A JP H02307253 A JPH02307253 A JP H02307253A JP 1129162 A JP1129162 A JP 1129162A JP 12916289 A JP12916289 A JP 12916289A JP H02307253 A JPH02307253 A JP H02307253A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
island
center
semiconductor pellet
resin
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1129162A
Other languages
English (en)
Inventor
Kojiro Shibuya
渋谷 幸二郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP1129162A priority Critical patent/JPH02307253A/ja
Publication of JPH02307253A publication Critical patent/JPH02307253A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H10W72/07554Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型の半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の樹脂封止型半導体装置は、第3図(a)。
(b)に示すように、アイランド3はリードフレーム外
枠11に4本の吊りリード4で連結され、アイランド3
の周囲には、アイランド3から約1m rn Hれて内
部リード5か配置され、アイランド3上にはアイランド
3の外形とほぼ同じ寸法で中央部に孔12と、上面にプ
リント配線8を有した基板2が接着剤等で固着されてい
た。アイランド3の中央上面には半導体ペレット1が接
着剤で固着され、半導体ペレット1と外部リード6とは
、基板2上面のプリント配線8と内側ボンディング線9
と外側ボンディング線10を介して接続されていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、樹脂封止部の
面積に対する基板及びアイランドの占める割合が65〜
75%と高く、しかもアイランド及び基板は、吊りリー
ド4本でしかリードフレーム外枠に1呆持されていない
ため、樹脂封止時の溶耐樹脂の抵抗を受けやすい構造と
なっていた。そのため、樹脂封止時に溶融した樹脂か硬
化するにつれて、アイランド及び基板を押し上げあるい
は押し下げるため、基板と内部リードとを接続したボン
ディング線の変形又は断線が発生したり、ボンディング
線か樹脂表面に露出したり、あるいはアイランド下面が
樹脂下面に露出し、組立歩留りや、信頼性を低下させる
という欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の樹脂封止型半導体装置は、中央部に半導体ペレ
ットを搭載するアイラン1へと、前記アイランドの周囲
に配列して設けた内部リードと、中央部に前記半導体ペ
レットの外径より僅かに大きい孔を有して前記アイラン
ドの周縁部及び前記内部リードの先端部を接着して固定
し且つ表面に配線を有する絶縁性基板と、前記半導体ペ
レットと前記配線との間を接続す乞内側ボンディング線
と、前記配線と前記内部リードとの間を接続する外側ボ
ンディング線とを有する。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照してJ(a明
する。
第1図(a)、(b)は本発明の一実施例を示す一部切
欠平面図及び断面図である。
第1図(a)、(b)に示すように、アイランド3はア
イランド3の4つのコーナーを4本の吊りリート4でリ
ードフレーム外枠11に連結され、また、内部リード5
の延長の外部リード6はタイバー7によって接続され、
リードフレーム外枠11に連結されている。内部リード
5の先端部はアイランド3の周囲に位置し、中央部に孔
】2を持つ基板2がアイランド3上及び内部リート5の
先端から約2mmまでの先端部上に樹脂等の絶縁物で固
着されている。基板2の材質は通常カラスエポキシであ
るため、基板2の下面と内部リード5間の絶縁は保たれ
る。基板2上のプリント配線8は基板2の中央部から放
射状に基板2の外周部に向かいかつ、各々のプリント配
線8に対応する内部リード5に向かって配置されている
。つまり、基板2のプリント配線8と内部り−1・5が
外側ボンディング線10で接続しやすいようにするなめ
である。アイランド3の中央部には半導体ペレッIへ1
か搭載され、半導体ペレット1と外部リード6とは、内
側ボンディング線つとプリント配線8と外側ボンディン
グ線10とで接続されている。
第2図は本発明の第2の実施例を示す断面図である。
第3図に示すように、絶縁基板14は、基板2の外径と
ほぼ同じであり、基板2の下面にアイランド3と内部り
−1〈5の先端部を介して、樹脂等の絶縁物で固着され
ている。
この実施例では内部リード5の先端部を基板2に固着す
る接着剤の内部リード5の下面へのはみ出しに影響され
なく、基板2及び゛内部リード5のボンディング部への
熱伝導性が良くなりボンディング性を向上できるという
利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、内部リードを基板外周部
下面に固定することにより、基板の安定性が向上するた
め、樹脂封止時の溶融樹脂の外力による基板の叩きが防
止され、さらにボンディング線の変形や断線を防止てき
る効果がある。よって、ボンディング線の樹脂表面及び
アイランドの樹脂下面への露出もなくなり、組立歩留り
、及びf3 軸性を向上させるという効果を有する。
図面のfffl単な説明 第1[J (a)、(b)は本発明の第1の実施例を示
す一部切欠平面図及び断面図、第2図は本発明の第2の
実施例を示す断面図、第3図(a)。
(b)は従来の樹脂封止型半導体装置の一例な示す一部
切欠平面図及び断面図である。
1・・半導体ペレッj〜、2・・・基板、3 ・アイラ
ンド、4・・・吊りリード、5・・・内部リート、6・
・・外部リート、7・・・タイバー、8・・・プリント
配線、9・・・内(則ボンディング線、10・・・外(
則ホンディング線、11 ・リードフレーム外枠、12
・・・孔、13・樹脂封止部、14・・・絶縁基板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 中央部に半導体ペレットを搭載するアイランドと、前記
    アイランドの周囲に配列して設けた内部リードと、中央
    部に前記半導体ペレットの外形より僅かに大きい孔を有
    して前記アイランドの周縁部及び前記内部リードの先端
    部を接着して固定し且つ表面に配線を有する絶縁性基板
    と、前記半導体ペレットと前記配線との間を接続する内
    側ボンディング線と、前記配線と前記内部リードとの間
    を接続する外側ボンディング線とを有することを特徴と
    する樹脂封止型半導体装置。
JP1129162A 1989-05-22 1989-05-22 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH02307253A (ja)

Priority Applications (1)

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JP1129162A JPH02307253A (ja) 1989-05-22 1989-05-22 樹脂封止型半導体装置

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JP1129162A JPH02307253A (ja) 1989-05-22 1989-05-22 樹脂封止型半導体装置

Publications (1)

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JPH02307253A true JPH02307253A (ja) 1990-12-20

Family

ID=15002679

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1129162A Pending JPH02307253A (ja) 1989-05-22 1989-05-22 樹脂封止型半導体装置

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JP (1) JPH02307253A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04239161A (ja) * 1991-01-11 1992-08-27 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JP2009177123A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Orient Semiconductor Electronics Ltd スタック型チップパッケージ構造およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04239161A (ja) * 1991-01-11 1992-08-27 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
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