JPH04239711A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
- Publication number
- JPH04239711A JPH04239711A JP648291A JP648291A JPH04239711A JP H04239711 A JPH04239711 A JP H04239711A JP 648291 A JP648291 A JP 648291A JP 648291 A JP648291 A JP 648291A JP H04239711 A JPH04239711 A JP H04239711A
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- Japan
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- outer electrode
- external electrode
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- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は積層セラミックコンデン
サに係り、特にその外部電極の構造に関する。
サに係り、特にその外部電極の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサは、一般に平
滑な誘電体層と内部電極とを交互に積層し、この内部電
極露出側面に接合する様に外部電極が構成されてなる。 この外部電極の構造は、Ａｇ系を中心とした電極にガラ
スフリットの添加を含めて１層構造、又は２層構造等に
なっている。この外部電極の構造は、いずれも積層セラ
ミックコンデンサを基板に実装した状態で発生する熱衝
撃による破損の防止と半田付け性の改善を目的に施され
ている。しかしながら、積層セラミックコンデンサの素
子サイズの大形化に対しては熱衝撃による応力吸収が不
充分であり、素子の破損防止は極めて困難であった。
滑な誘電体層と内部電極とを交互に積層し、この内部電
極露出側面に接合する様に外部電極が構成されてなる。 この外部電極の構造は、Ａｇ系を中心とした電極にガラ
スフリットの添加を含めて１層構造、又は２層構造等に
なっている。この外部電極の構造は、いずれも積層セラ
ミックコンデンサを基板に実装した状態で発生する熱衝
撃による破損の防止と半田付け性の改善を目的に施され
ている。しかしながら、積層セラミックコンデンサの素
子サイズの大形化に対しては熱衝撃による応力吸収が不
充分であり、素子の破損防止は極めて困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、積層セラ
ミックコンデンサの基板実装における熱衝撃の応力は、
外部電極の半田融着部分の誘電体角部に集中する。この
ため、従来の積層セラミックコンデンサの外部電極構造
では、誘電体角部の熱応力集中を防止することは困難で
ある。 ［発明の構成］
ミックコンデンサの基板実装における熱衝撃の応力は、
外部電極の半田融着部分の誘電体角部に集中する。この
ため、従来の積層セラミックコンデンサの外部電極構造
では、誘電体角部の熱応力集中を防止することは困難で
ある。 ［発明の構成］
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明の積層セラミックコンデンサでは、外部電極
の下層にはガラスフリットを含有した電極とし、且つこ
の外部電極の上層にはこの下層に対応させて導電性蓋体
端子が導電性接着剤で被覆されていることを特徴とする
。
め、本発明の積層セラミックコンデンサでは、外部電極
の下層にはガラスフリットを含有した電極とし、且つこ
の外部電極の上層にはこの下層に対応させて導電性蓋体
端子が導電性接着剤で被覆されていることを特徴とする
。
【０００５】
【作用】一般に積層セラミックコンデンサの外部電極の
構造で基板実装を行なう場合、リフロ―炉等にて半田付
けするが、熱衝撃試験を実施すると基板とセラミックと
の熱膨張係数の違いにより外部電極の半田付部を基点に
破壊が発生する傾向がある。この原因は、基板とセラミ
ックスとの間に集中する熱衝撃の応力吸収が外部電極で
は吸収不充分であるために発生することにある。
構造で基板実装を行なう場合、リフロ―炉等にて半田付
けするが、熱衝撃試験を実施すると基板とセラミックと
の熱膨張係数の違いにより外部電極の半田付部を基点に
破壊が発生する傾向がある。この原因は、基板とセラミ
ックスとの間に集中する熱衝撃の応力吸収が外部電極で
は吸収不充分であるために発生することにある。
【０００６】また、単なる金属キャップ状タ―ミナル付
積層セラミックコンデンサの場合では、溶融半田に浸積
すると半田は金属キャップ状タ―ミナルと実装基板との
接合面だけに留まること無く、外部電極の表面及び金属
キャップ状タ―ミナルの内面にも半田の浸透が進行する
。かかる状態においては、外部電極と金属キャップ状タ
―ミナルとの間が半田接合し、導電性接着剤部での熱応
力吸収が不能となり、熱衝撃における破壊を誘引する。
積層セラミックコンデンサの場合では、溶融半田に浸積
すると半田は金属キャップ状タ―ミナルと実装基板との
接合面だけに留まること無く、外部電極の表面及び金属
キャップ状タ―ミナルの内面にも半田の浸透が進行する
。かかる状態においては、外部電極と金属キャップ状タ
―ミナルとの間が半田接合し、導電性接着剤部での熱応
力吸収が不能となり、熱衝撃における破壊を誘引する。
【０００７】したがって、本発明では外部電極下層にガ
ラスフリットを１０〜３０重量％比含有添加した電極ペ
―ストを誘電体層に焼付焼成することにより、半田浸積
における溶融半田の融着を防止し、金属キャップ状タ―
ミナルと外部電極下層との半田接合を防止する。かかる
構造をとることにより、熱応力は必然的に金属キャップ
状タ―ミナルと外部電極下層との間の導電性接着剤部に
集中することになる。この導電性接着剤は低硬度である
ため、熱応力の吸収が容易となり、応力回避を効果的に
行なうことができる。
ラスフリットを１０〜３０重量％比含有添加した電極ペ
―ストを誘電体層に焼付焼成することにより、半田浸積
における溶融半田の融着を防止し、金属キャップ状タ―
ミナルと外部電極下層との半田接合を防止する。かかる
構造をとることにより、熱応力は必然的に金属キャップ
状タ―ミナルと外部電極下層との間の導電性接着剤部に
集中することになる。この導電性接着剤は低硬度である
ため、熱応力の吸収が容易となり、応力回避を効果的に
行なうことができる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
【０００９】第１図において、積層セラミックコンデン
サは、誘電体部（１）と内部電極部（２）とを交互に積
層し、この個々の内部電極部（２）と電気的に接続する
様に誘電体部（１）と内部電極部（２）との端部に外部
電極下層（３）を形成し、この外部電極下層（３）の上
に外部電極上層としての金属キャップ状タ―ミナル部（
５）を誘電性接着剤部（４）を介して被着形成して構成
されている。したがって、外部電極部は、外部電極下層
（３）と導電性接着剤部（４）と金属キャップ状タ―ミ
ナル部（５）とから構成されている。この外部電極下層
（３）はＡｇを主成分とした電極材とガラスフリット１
０〜３０重量％比を混練して半田の融着性を防止した電
極ペ―ストとし、この電極ペ―ストを内部電極部（２）
の露出面に塗布し、焼付けて形成してなる。かかる外部
電極下層（３）上に金属キャップ状タ―ミナル（５）を
被着する方法は、熱硬化型導電性接着剤（４）を用いて
、外部電極下層（３）上に金属キャップ状タ―ミナル（
５）を接着し、次に熱硬化して金属キャップ状タ―ミナ
ル（５）と外部電極下層（３）とを接合する。
サは、誘電体部（１）と内部電極部（２）とを交互に積
層し、この個々の内部電極部（２）と電気的に接続する
様に誘電体部（１）と内部電極部（２）との端部に外部
電極下層（３）を形成し、この外部電極下層（３）の上
に外部電極上層としての金属キャップ状タ―ミナル部（
５）を誘電性接着剤部（４）を介して被着形成して構成
されている。したがって、外部電極部は、外部電極下層
（３）と導電性接着剤部（４）と金属キャップ状タ―ミ
ナル部（５）とから構成されている。この外部電極下層
（３）はＡｇを主成分とした電極材とガラスフリット１
０〜３０重量％比を混練して半田の融着性を防止した電
極ペ―ストとし、この電極ペ―ストを内部電極部（２）
の露出面に塗布し、焼付けて形成してなる。かかる外部
電極下層（３）上に金属キャップ状タ―ミナル（５）を
被着する方法は、熱硬化型導電性接着剤（４）を用いて
、外部電極下層（３）上に金属キャップ状タ―ミナル（
５）を接着し、次に熱硬化して金属キャップ状タ―ミナ
ル（５）と外部電極下層（３）とを接合する。
【００１０】次に第２図において、第１図に示す積層セ
ラミックコンデンサを実際に基板（７）に配置するには
、この積層セラミックコンデンサが半田（６）を介して
基板（７）に実装される。かかる半田（６）付実装する
場合、ディップ方式で積層セラミックコンデンサが全面
浸積した場合においても、金属キャップ状タ―ミナル（
５）と外部電極下層（３）とは半田接合することなく、
基板実装することができる。したがって、熱衝撃に対す
る応力吸収は熱硬化した導電性接着剤を介して行なわれ
ることとなり、外部電極に直接応力が伝わることを回避
することができる。
ラミックコンデンサを実際に基板（７）に配置するには
、この積層セラミックコンデンサが半田（６）を介して
基板（７）に実装される。かかる半田（６）付実装する
場合、ディップ方式で積層セラミックコンデンサが全面
浸積した場合においても、金属キャップ状タ―ミナル（
５）と外部電極下層（３）とは半田接合することなく、
基板実装することができる。したがって、熱衝撃に対す
る応力吸収は熱硬化した導電性接着剤を介して行なわれ
ることとなり、外部電極に直接応力が伝わることを回避
することができる。
【００１１】
【発明の効果】上述の構成をとることにより、本発明の
積層セラミックコンデンサは、外部電極下層を半田融着
性を防止した外部電極ペ―ストを用いることにより、基
板に半田付けする際に積層セラミックコンデンサ外部電
極と金属キャップ状タ―ミナルとが接合されること無く
、基板実装することができる。したがって、誘電体と実
装基板との熱膨張係数の相違による応力の影響を直接誘
電体部が受けることが無くなり、熱応力による破損を防
止することができる。
積層セラミックコンデンサは、外部電極下層を半田融着
性を防止した外部電極ペ―ストを用いることにより、基
板に半田付けする際に積層セラミックコンデンサ外部電
極と金属キャップ状タ―ミナルとが接合されること無く
、基板実装することができる。したがって、誘電体と実
装基板との熱膨張係数の相違による応力の影響を直接誘
電体部が受けることが無くなり、熱応力による破損を防
止することができる。
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサの実施例を
示す正面断面図、
示す正面断面図、
【図２】第１図に示した積層セラミックコンデンサの基
板実装の断面図である。
板実装の断面図である。
（１）…誘電体部
（２）…内部電極部
（３）…外部電極下層
（４）…導電性接着剤部
（５）…金属キャップ状タ―ミナル
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体層と内部電極層とを交互に積層
した積層体と、この積層体を構成するこの内部電極層に
電気的に接続する外部電極とを備えた積層セラミックコ
ンデンサにおいて、前記外部電極の下層にはガラスフリ
ットを含有した電極とし、且つ前記外部電極の上層には
この下層に対応させて導電性蓋体端子が導電性接着剤で
被覆されていることを特徴とする積層セラミックコンデ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP648291A JPH04239711A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP648291A JPH04239711A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239711A true JPH04239711A (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=11639696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP648291A Pending JPH04239711A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04239711A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077757A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Soshin Electric Co Ltd | チップコンデンサ、およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-01-23 JP JP648291A patent/JPH04239711A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077757A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Soshin Electric Co Ltd | チップコンデンサ、およびその製造方法 |
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