JPH04240150A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPH04240150A JPH04240150A JP3081068A JP8106891A JPH04240150A JP H04240150 A JPH04240150 A JP H04240150A JP 3081068 A JP3081068 A JP 3081068A JP 8106891 A JP8106891 A JP 8106891A JP H04240150 A JPH04240150 A JP H04240150A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁器組成物に関し、特に
誘電率および絶縁抵抗が高く、誘電損失が小さく、かつ
１０５０℃以下の温度で焼結可能な磁器組成物に関する
ものである。
誘電率および絶縁抵抗が高く、誘電損失が小さく、かつ
１０５０℃以下の温度で焼結可能な磁器組成物に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高誘電率系磁器組成物として、チ
タン酸バリウム［ＢａＴｉＯ３］系がよく知られており
、チタン酸カルシウム［ＣａＴｉＯ３］、チタン酸鉛［
ＰｂＴｉＯ３］などを添加、置換することにより、温度
特性の改善を図っている
タン酸バリウム［ＢａＴｉＯ３］系がよく知られており
、チタン酸カルシウム［ＣａＴｉＯ３］、チタン酸鉛［
ＰｂＴｉＯ３］などを添加、置換することにより、温度
特性の改善を図っている
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の材料で温度変化
率の小さい材料を実現した場合、得られる誘電率はせい
ぜい２０００程度にすぎず、コンデンサ用の材料として
は小さすぎる。近年、低温で焼結し、かつ誘電率が高く
温度変化率の小さい材料として鉛系複合ペロブスカイト
化合物が報告されている。例えばマグネシウム・ニオブ
酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］、チタン酸
鉛［ＰｂＴｉＯ３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ
（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］からなる３成分組成物
は、誘電率が２００００以上もあるが、温度変化率が十
分に小さくはなく、１１００℃以上の高温でなければ焼
結できない。また、マグネシウム・タングステン酸鉛［
Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］、チタン酸鉛［Ｐｂ
ＴｉＯ３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１
／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］から成る３成分組成物は、１０
５０℃以下の低い温度で焼結可能であるが、誘電率の温
度変化率が十分小さくないという欠点がある。以上のこ
とから、これらの磁器組成物を用いてコンデンサを製造
するときに内部電極として安価な銀・パラジウム合金を
使用できなかったり、誘電率の温度変化率の小さいコン
デンサを設計できないという問題点があった。本発明は
以上述べたような従来の課題を解決するためになされた
もので、上記の３成分系組成物の優れた特性を満足し、
かつ１０５０℃以下で焼結可能で温度変化率の小さな磁
器組成物を提供することにある。
率の小さい材料を実現した場合、得られる誘電率はせい
ぜい２０００程度にすぎず、コンデンサ用の材料として
は小さすぎる。近年、低温で焼結し、かつ誘電率が高く
温度変化率の小さい材料として鉛系複合ペロブスカイト
化合物が報告されている。例えばマグネシウム・ニオブ
酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］、チタン酸
鉛［ＰｂＴｉＯ３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ
（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］からなる３成分組成物
は、誘電率が２００００以上もあるが、温度変化率が十
分に小さくはなく、１１００℃以上の高温でなければ焼
結できない。また、マグネシウム・タングステン酸鉛［
Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］、チタン酸鉛［Ｐｂ
ＴｉＯ３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１
／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］から成る３成分組成物は、１０
５０℃以下の低い温度で焼結可能であるが、誘電率の温
度変化率が十分小さくないという欠点がある。以上のこ
とから、これらの磁器組成物を用いてコンデンサを製造
するときに内部電極として安価な銀・パラジウム合金を
使用できなかったり、誘電率の温度変化率の小さいコン
デンサを設計できないという問題点があった。本発明は
以上述べたような従来の課題を解決するためになされた
もので、上記の３成分系組成物の優れた特性を満足し、
かつ１０５０℃以下で焼結可能で温度変化率の小さな磁
器組成物を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、マグネシウム
・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］、
ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）
Ｏ３］およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ３］からなる３成
分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ［
Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｙ［ＰｂＴｉＯ３
］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、こ
の３成分組成図において、以下の組成点、（ｘ＝０．１
０，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．２０） …（ａ） （ｘ＝０．１５，ｙ＝０．６０，ｚ＝０．２５） …
（ｂ） （ｘ＝０．１５，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．１５） …
（Ｃ） （ｘ＝０．４０，ｙ＝０．３５，ｚ＝０．２５） …
（ｄ） （ｘ＝０．６０，ｙ＝０．２０，ｚ＝０．２０） …
（ｅ） （ｘ＝０．７０，ｙ＝０．２０，ｚ＝０．１０） …
（ｆ） （ｘ＝０．５０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０．１０） …
（ｇ） の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてニオブ酸銀［Ａ
ｇＮｂＯ３］を０．０１〜１０ｍｏｌ％添加含有せしめ
てなることを特徴とする磁器組成物、および、マグネシ
ウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）
Ｏ３］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ ３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ
１／２Ｗ１／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ［Ｐｂ（
Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）と表現したとき、この３成分組成図において、
以下の組成点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１
） …（ｈ） （ｘ＝０．４９５，ｙ＝０．４９５
，ｚ＝０．０１） …（ｉ） （ｘ＝０．１９５，
ｙ＝０．４５５，ｚ＝０．３５） …（ｊ） （ｘ
＝０．１０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０．５０）
…（ｋ） （ｘ＝０．０６，ｙ＝０．２４，ｚ＝０
．７０） …（ｌ）の各点を結ぶ線上、およ
びこの５点に囲まれる組成範囲内にある主成分組成物に
、副成分としてニオブ酸銀［ＡｇＮｂＯ３］を０．０１
〜１０ｍｏｌ％添加含有せしめてなることを特徴とする
磁器組成物である。
・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］、
ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）
Ｏ３］およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ３］からなる３成
分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ［
Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｙ［ＰｂＴｉＯ３
］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、こ
の３成分組成図において、以下の組成点、（ｘ＝０．１
０，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．２０） …（ａ） （ｘ＝０．１５，ｙ＝０．６０，ｚ＝０．２５） …
（ｂ） （ｘ＝０．１５，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．１５） …
（Ｃ） （ｘ＝０．４０，ｙ＝０．３５，ｚ＝０．２５） …
（ｄ） （ｘ＝０．６０，ｙ＝０．２０，ｚ＝０．２０） …
（ｅ） （ｘ＝０．７０，ｙ＝０．２０，ｚ＝０．１０） …
（ｆ） （ｘ＝０．５０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０．１０） …
（ｇ） の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてニオブ酸銀［Ａ
ｇＮｂＯ３］を０．０１〜１０ｍｏｌ％添加含有せしめ
てなることを特徴とする磁器組成物、および、マグネシ
ウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）
Ｏ３］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ ３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ
１／２Ｗ１／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ［Ｐｂ（
Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）と表現したとき、この３成分組成図において、
以下の組成点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１
） …（ｈ） （ｘ＝０．４９５，ｙ＝０．４９５
，ｚ＝０．０１） …（ｉ） （ｘ＝０．１９５，
ｙ＝０．４５５，ｚ＝０．３５） …（ｊ） （ｘ
＝０．１０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０．５０）
…（ｋ） （ｘ＝０．０６，ｙ＝０．２４，ｚ＝０
．７０） …（ｌ）の各点を結ぶ線上、およ
びこの５点に囲まれる組成範囲内にある主成分組成物に
、副成分としてニオブ酸銀［ＡｇＮｂＯ３］を０．０１
〜１０ｍｏｌ％添加含有せしめてなることを特徴とする
磁器組成物である。
【０００５】ニオブ酸銀なるペロブスカイト構造を有す
る物質の基本的物性に関する報告は、Ｍ．Ｈ．Ｆｒａｎ
ｃｏｍｂｅ，Ｂ．ＬｅｗｉｓによるＡｃｔａ Ｃｒｙ
ｓｔ．１１， １７５（１９５８）およびＡ．Ｋａｎ
ｉａ，Ｋ．ＲｏｌｅｄｅｒらによるＦｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃｓ， ５２，２６５（１９８４）等によって
なされていて、反強誘電性あるいはかなり反強誘電性に
近い弱い強誘電性を有するものと思われる。本発明は、
以上のことを考慮してなされたものであり、本発明によ
れば誘電率の温度特性を改善し、１０５０℃以下の低温
で焼結できる優れた磁器組成物が提供される。本発明に
おける主成分組成範囲を表す３成分組成図は、図１およ
び図２で示される。図中、（ａ）〜（ｇ）および（ｈ）
〜（ｌ）は各組成点を表し、本発明に含まれる組成範囲
は図の斜線で示す範囲、およびその境界線上である。
る物質の基本的物性に関する報告は、Ｍ．Ｈ．Ｆｒａｎ
ｃｏｍｂｅ，Ｂ．ＬｅｗｉｓによるＡｃｔａ Ｃｒｙ
ｓｔ．１１， １７５（１９５８）およびＡ．Ｋａｎ
ｉａ，Ｋ．ＲｏｌｅｄｅｒらによるＦｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃｓ， ５２，２６５（１９８４）等によって
なされていて、反強誘電性あるいはかなり反強誘電性に
近い弱い強誘電性を有するものと思われる。本発明は、
以上のことを考慮してなされたものであり、本発明によ
れば誘電率の温度特性を改善し、１０５０℃以下の低温
で焼結できる優れた磁器組成物が提供される。本発明に
おける主成分組成範囲を表す３成分組成図は、図１およ
び図２で示される。図中、（ａ）〜（ｇ）および（ｈ）
〜（ｌ）は各組成点を表し、本発明に含まれる組成範囲
は図の斜線で示す範囲、およびその境界線上である。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。実施例１ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム（
ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化ニッケル（
ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）および銀（Ａｇ）を
使用し、表１〜表２に示した配合比となるように各々秤
量した。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合
したのち、７５０〜８００℃で仮焼を行い、この粉末を
ボールミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入
れて整粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの
円板２枚と、直径約１６ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱を
作製した。次にこれらの組成範囲の試料を１０００〜１
１００℃の温度で１時間焼成を行った。
る。実施例１ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム（
ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化ニッケル（
ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）および銀（Ａｇ）を
使用し、表１〜表２に示した配合比となるように各々秤
量した。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合
したのち、７５０〜８００℃で仮焼を行い、この粉末を
ボールミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入
れて整粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの
円板２枚と、直径約１６ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱を
作製した。次にこれらの組成範囲の試料を１０００〜１
１００℃の温度で１時間焼成を行った。
【０００７】焼成した円柱でアルキメデス法を用いて密
度を求めた。次に、円板の上下面に６００℃で銀電極を
焼き付け、デジタルＬＣＲメータで周波数１ｋＨｚ、電
圧１Ｖｒ．ｍ．ｓ、室温で容量と誘電損失を測定し、誘
電率を求めた。次に絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間
印加して、絶縁抵抗を測定し、比抵抗を算出した。この
ようにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ
３］ｙ［ＰｂＴｉＯ３］ｚの配合比ｘ、ｙ、ｚおよび副
成分添加量と、密度、誘電率の変化率の関係をそれぞれ
表１〜２および表３〜４に示す。なお、表中、試料番号
に＊を付したものは本発明の請求範囲に含まれない。ま
た、誘電率の変化率は、２５℃の誘電率を基準にした値
である。
度を求めた。次に、円板の上下面に６００℃で銀電極を
焼き付け、デジタルＬＣＲメータで周波数１ｋＨｚ、電
圧１Ｖｒ．ｍ．ｓ、室温で容量と誘電損失を測定し、誘
電率を求めた。次に絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間
印加して、絶縁抵抗を測定し、比抵抗を算出した。この
ようにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ
３］ｙ［ＰｂＴｉＯ３］ｚの配合比ｘ、ｙ、ｚおよび副
成分添加量と、密度、誘電率の変化率の関係をそれぞれ
表１〜２および表３〜４に示す。なお、表中、試料番号
に＊を付したものは本発明の請求範囲に含まれない。ま
た、誘電率の変化率は、２５℃の誘電率を基準にした値
である。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【表２】
【００１０】
【表３】
【００１１】
【表４】
【００１２】実施例２
出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム（
ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ニオブ（
Ｎｂ２Ｏ５）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化チタン（
ＴｉＯ２）および銀（Ａｇ）を使用し、表５〜６に示し
た配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各材
料をボールミル中で湿式混合したのち７５０〜８００℃
で仮焼を行い、この粉末をボールミルで粉砕し、濾過、
乾燥後、有機バインダをいれて整粒後プレスし、直径約
１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板２枚と、直径約１６ｍｍ
、厚さ約１０ｍｍの円柱を作製した。次にこれらの組成
範囲の試料を９５０〜１０５０℃の温度で１時間焼成を
行った。
ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ニオブ（
Ｎｂ２Ｏ５）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化チタン（
ＴｉＯ２）および銀（Ａｇ）を使用し、表５〜６に示し
た配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各材
料をボールミル中で湿式混合したのち７５０〜８００℃
で仮焼を行い、この粉末をボールミルで粉砕し、濾過、
乾燥後、有機バインダをいれて整粒後プレスし、直径約
１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板２枚と、直径約１６ｍｍ
、厚さ約１０ｍｍの円柱を作製した。次にこれらの組成
範囲の試料を９５０〜１０５０℃の温度で１時間焼成を
行った。
【００１３】焼成した円柱でアルキメデス法を用いて密
度を求めた。次に、円板の上下面に６００℃で銀電極を
焼付け、デジタルＬＣＲメータで周波数１ｋＨｚ、電圧
１Ｖｒ．ｍ．ｓ、室温で容量と誘電損失を測定し、誘電
率を求めた。次に絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印
加して、絶縁抵抗を測定し、比抵抗を算出した。このよ
うにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１
／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚの配合比ｘ、ｙ、ｚおよび副成分
添加量と、密度、誘電率の変化率の関係をそれぞれ表５
〜６および表７〜８に示す。
度を求めた。次に、円板の上下面に６００℃で銀電極を
焼付け、デジタルＬＣＲメータで周波数１ｋＨｚ、電圧
１Ｖｒ．ｍ．ｓ、室温で容量と誘電損失を測定し、誘電
率を求めた。次に絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印
加して、絶縁抵抗を測定し、比抵抗を算出した。このよ
うにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１
／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚの配合比ｘ、ｙ、ｚおよび副成分
添加量と、密度、誘電率の変化率の関係をそれぞれ表５
〜６および表７〜８に示す。
【００１４】
【表５】
【００１５】
【表６】
【００１６】
【表７】
【００１７】
【表８】
【００１８】表３〜４からも明らかなように、［Ｐｂ（
Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］−［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］３成分系組成物に
、副成分であるニオブ酸銀［ＡｇＮｂＯ３］を３成分系
組成物に対して０．０１〜１０ｍｏｌ％添加した本発明
の磁器組成物は、誘電率の温度変化率を改善し、１００
０℃以下の低い温度で緻密に焼結し、積層セラミックコ
ンデンサ用磁器組成物として優れた材料を提供するもの
である。また比抵抗もすべて１０１２Ω・ｃｍを超える
値を示した。また表７〜８からも明らかなように、［Ｐ
ｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］−
［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］３成分系組成物
に、副成分であるニオブ酸銀［ＡｇＮｂＯ３］を３成分
系組成物に対して０．０１〜１０ｍｏｌ％添加した本発
明の磁器組成物は、誘電率の温度変化率を改善し、１０
００℃以下の低い温度で緻密に焼結し、積層セラミック
コンデンサ用磁器組成物として優れた材料を提供するも
のである。また比抵抗もすべて５×１０１２Ω・ｃｍを
超える値を示した。なお、本発明の主成分の範囲以外お
よび副成分添加量以外では焼結温度が高くなったり、誘
電率が低下する。特に副成分に関して請求範囲を超えて
添加すると、第２相としてのパイロクロア相の量が急増
し、焼結性、電気的特性が劣化し、実用的でないため、
前述のように限定される。
Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］−［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］３成分系組成物に
、副成分であるニオブ酸銀［ＡｇＮｂＯ３］を３成分系
組成物に対して０．０１〜１０ｍｏｌ％添加した本発明
の磁器組成物は、誘電率の温度変化率を改善し、１００
０℃以下の低い温度で緻密に焼結し、積層セラミックコ
ンデンサ用磁器組成物として優れた材料を提供するもの
である。また比抵抗もすべて１０１２Ω・ｃｍを超える
値を示した。また表７〜８からも明らかなように、［Ｐ
ｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］−
［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］３成分系組成物
に、副成分であるニオブ酸銀［ＡｇＮｂＯ３］を３成分
系組成物に対して０．０１〜１０ｍｏｌ％添加した本発
明の磁器組成物は、誘電率の温度変化率を改善し、１０
００℃以下の低い温度で緻密に焼結し、積層セラミック
コンデンサ用磁器組成物として優れた材料を提供するも
のである。また比抵抗もすべて５×１０１２Ω・ｃｍを
超える値を示した。なお、本発明の主成分の範囲以外お
よび副成分添加量以外では焼結温度が高くなったり、誘
電率が低下する。特に副成分に関して請求範囲を超えて
添加すると、第２相としてのパイロクロア相の量が急増
し、焼結性、電気的特性が劣化し、実用的でないため、
前述のように限定される。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁器組成
物は誘電率の温度変化率が小さく、かつ低い温度で焼結
が可能である。このため、本発明の磁器組成物を用いれ
ば積層セラミックコンデンサの内部電極に安価な銀−パ
ラジウムを用いることができる等の効果を有する。
物は誘電率の温度変化率が小さく、かつ低い温度で焼結
が可能である。このため、本発明の磁器組成物を用いれ
ば積層セラミックコンデンサの内部電極に安価な銀−パ
ラジウムを用いることができる等の効果を有する。
【図１】本発明の主成分組成範囲を示す［Ｐｂ（Ｍｇ１
／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］−［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／
３）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］３成分組成図である。
／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］−［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／
３）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］３成分組成図である。
【図２】本発明の主成分組成範囲を示す［Ｐｂ（Ｍｇ１
／２Ｗ１／２）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］−［Ｐｂ（Ｎ
ｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］３成分組成図である。
／２Ｗ１／２）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］−［Ｐｂ（Ｎ
ｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］３成分組成図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍ
ｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］、ニッケル・ニオブ酸鉛［
Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］およびチタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ３］からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２
／３）Ｏ３］ｙ［ＰｂＴｉＯ３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ
＝１．０）と表現したとき、この３成分組成図において
、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．２０）（ｘ＝
０．１５，ｙ＝０．６０，ｚ＝０．２５）（ｘ＝０．１
５，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．１５）（ｘ＝０．４０，ｙ
＝０．３５，ｚ＝０．２５）（ｘ＝０．６０，ｙ＝０．
２０，ｚ＝０．２０）（ｘ＝０．７０，ｙ＝０．２０，
ｚ＝０．１０）（ｘ＝０．５０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０
．１０）の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる
組成範囲内にある主成分組成物に、副成分としてニオブ
酸銀［ＡｇＮｂＯ３］を０．０１〜１０ｍｏｌ％添加含
有せしめてなることを特徴とする磁器組成物。 - 【請求項２】 マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐ
ｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３、チタン酸鉛［ＰｂＴｉ
Ｏ３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３］からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍ
ｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ［Ｐｂ
（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ
＝１．０）と表現したとき、この３成分組成図において
、以下の組成点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１）（
ｘ＝０．４９５，ｙ＝０．４９５，ｚ＝０．０１）（ｘ
＝０．１９５，ｙ＝０．４５５，ｚ＝０．３５）（ｘ＝
０．１０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０．５０）（ｘ＝０．０
６，ｙ＝０．２４，ｚ＝０．７０）の各点を結ぶ線上、
およびこの５点に囲まれる組成範囲内にある主成分組成
物に、副成分としてニオブ酸銀［ＡｇＮｂＯ３］を０．
０１〜１０ｍｏｌ％添加含有せしめてなることを特徴と
する磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3081068A JP2677037B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3081068A JP2677037B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04240150A true JPH04240150A (ja) | 1992-08-27 |
| JP2677037B2 JP2677037B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=13736077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3081068A Expired - Lifetime JP2677037B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2677037B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3904240B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2007-04-11 | 日本碍子株式会社 | セラミック素子 |
| CN109650884A (zh) * | 2018-09-09 | 2019-04-19 | 中南大学 | 一种铌酸银基陶瓷及其制备方法和应用 |
| CN119161182A (zh) * | 2024-08-29 | 2024-12-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种高储能特性钛酸钡-铌酸银弛豫铁电陶瓷及其制备方法和应用 |
-
1991
- 1991-01-22 JP JP3081068A patent/JP2677037B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3904240B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2007-04-11 | 日本碍子株式会社 | セラミック素子 |
| CN109650884A (zh) * | 2018-09-09 | 2019-04-19 | 中南大学 | 一种铌酸银基陶瓷及其制备方法和应用 |
| CN109650884B (zh) * | 2018-09-09 | 2021-10-15 | 中南大学 | 一种铌酸银基陶瓷及其制备方法和应用 |
| CN119161182A (zh) * | 2024-08-29 | 2024-12-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种高储能特性钛酸钡-铌酸银弛豫铁电陶瓷及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2677037B2 (ja) | 1997-11-17 |
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