JPH0449504B2 - - Google Patents
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- JPH0449504B2 JPH0449504B2 JP61257335A JP25733586A JPH0449504B2 JP H0449504 B2 JPH0449504 B2 JP H0449504B2 JP 61257335 A JP61257335 A JP 61257335A JP 25733586 A JP25733586 A JP 25733586A JP H0449504 B2 JPH0449504 B2 JP H0449504B2
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、磁器組成物、特に誘電率が著しく大
きく、誘電率、絶縁抵抗の温度特性および誘電損
失の良好な、磁器組成物に関するものである。 （従来技術と発明が解決しようとする問題点） 従来、高誘電率磁器組成物として、チタン酸バ
リウム（BaTiO3）が、またチタン酸バリウム
（BaTiO3）とチタン酸カルシウム（CaTiO3）、
チタン酸鉛（PbTiO3）などの固溶体組成物が広
く実用化されているのは周知のとおりである。し
かしながらこれら公知の誘導体磁器組成物で得ら
れる誘電率は高々8000程度にすぎず、特性改善の
ために常温での誘電率を大きくすると誘電率の温
度変化が大きくなり、一方誘電率の温度変化を小
さくすれば誘電率の最大値が減少するなど実用上
種々の問題点があつた。 また磁器組成物の電気的特性として、誘電損失
が小さく、絶縁抵抗が高いことが要求される。さ
らに絶縁抵抗の値に関しては、高信頼性の部品を
要求する米国防総省の規格であるミリタリースペ
シフイケイシヨン（Military Specification）の
MIL−Ｃ−55681Bにおいて、室温における値の
みならず、125℃における値も定められているよ
うに、信頼性の高い磁器コンデンサを得るために
は、室温における値のみならず、最高使用温度に
おける絶縁抵抗も高い値をとることが必要であ
る。 従来、これらの条件を備えた磁器誘導体は少な
く、その実現が望まれていた。 （問題点を解決するための手段） 本発明は、上述の要請に鑑み、誘電率が高く、
誘電損失が小さく、室温および高温における絶縁
抵抗の値が高く、さらに誘電率の温度特性の良好
な優れた電気特性を有した磁器組成物を提供しよ
うとするものであり、その要旨は、マグネシウ
ム・ニオブ酸鉛［Pb（Mg1/3Nb2/3）O3］、チタ
ン酸鉛［PbTiO3］およびニツケル・ニオブ酸鉛
［Pb（Ni1/3Nb2/3）O3］からなる３成分系組成
物を、［Pb（Mg1/3Nb2/3）O3］ｘ［Pb（Ni1/3Nb
２／３）O3］ｙ［PbTiO3］ｚと表わしたときに（た
だしｘ＋ｙ＋ｚ＝1.00）この３成分組成図におい
て以下の組成点 （ｘ＝0.10， ｙ＝0.70， ｚ＝0.20） （ｘ＝0.15， ｙ＝0.60， ｚ＝0.25） （ｘ＝0.15， ｙ＝0.70， ｚ＝0.15） （ｘ＝0.40， ｙ＝0.35， ｚ＝0.25） （ｘ＝0.60， ｙ＝0.20， ｚ＝0.20） （ｘ＝0.70， ｙ＝0.20， ｚ＝0.10） （ｘ＝0.50， ｙ＝0.40， ｚ＝0.10） を結ぶ線上、および７点に囲まれる組成範囲にあ
る主成分組成物に、副成分として、マンガン
（Mn）を主成分に対して0.01〜３原子％添加含有
せしめてなることを特徴とするものである。 すなわち、本願発明者達は既にPb（Mg1/3Nb
２／３）O3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3−（PbTiO3）か
らなる３成分系に新たに検討した範囲を加え、誘
電率と比抵抗の温度安定性改善を目的とし、副成
分として、マンガン（Mn）を添加含有せしめる
もので、誘電率と絶縁抵抗の温度安定性が良好
で、さらに誘電損失の小さい優れた電気的特性を
有する磁器組成物を提供しようとするものであ
る。 （実施例） 以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純度99.9％以上の酸化鉛（PbO）、
酸化マグネシウム（MgO）、酸化ニオブ（Nb2
O5）、酸化ニツケル（NiO）、酸化チタン（TiO2）
および炭酸マンガン（MnCO3）を使用し、表に
示した配合比となるように各々秤量する。次に秤
量した各材料をボールミル中で湿式混合した後
750〜800℃で仮焼を行い、この粉末をボールミル
で粉砕し、濾過、乾燥後、誘起バインダーを入れ
て整粒後プレスし、直径16mm、厚さ２mmの円板４
枚と、直径16mm、厚さ約10mmの円柱を作成した。
次に本発明の組成範囲の試料は空気中1000〜1080
℃の温度で１時間焼結した。焼結した円板４枚の
上下面に600℃で銀電極を焼付け、デジタルLCR
メーターで周波数1KHz、電圧1Vr.m.s.温度→−
30℃→20℃→85℃の順次で容量と誘電損失を測
定、誘電率と誘電率を求めた。 次に絶縁抵抗計で50Vの電圧を１分間印加し
て、絶縁抵抗を温度20℃と125℃で測定し、比抵
抗を算出した。このようにして得られた磁器の主
成分［Pb（Mg1/3Nb2/3）O3］ｘ［Pb（Ni1/3Nb
２／３）O3］ｙ［PbTiO3］ｚの配合比ｘ，ｙ，ｚお
よび副成分添加量と誘電率、誘電損失、85℃にお
ける誘電率の変化率、および20℃と125℃におけ
る比抵抗の関係を第１表に示す。
きく、誘電率、絶縁抵抗の温度特性および誘電損
失の良好な、磁器組成物に関するものである。 （従来技術と発明が解決しようとする問題点） 従来、高誘電率磁器組成物として、チタン酸バ
リウム（BaTiO3）が、またチタン酸バリウム
（BaTiO3）とチタン酸カルシウム（CaTiO3）、
チタン酸鉛（PbTiO3）などの固溶体組成物が広
く実用化されているのは周知のとおりである。し
かしながらこれら公知の誘導体磁器組成物で得ら
れる誘電率は高々8000程度にすぎず、特性改善の
ために常温での誘電率を大きくすると誘電率の温
度変化が大きくなり、一方誘電率の温度変化を小
さくすれば誘電率の最大値が減少するなど実用上
種々の問題点があつた。 また磁器組成物の電気的特性として、誘電損失
が小さく、絶縁抵抗が高いことが要求される。さ
らに絶縁抵抗の値に関しては、高信頼性の部品を
要求する米国防総省の規格であるミリタリースペ
シフイケイシヨン（Military Specification）の
MIL−Ｃ−55681Bにおいて、室温における値の
みならず、125℃における値も定められているよ
うに、信頼性の高い磁器コンデンサを得るために
は、室温における値のみならず、最高使用温度に
おける絶縁抵抗も高い値をとることが必要であ
る。 従来、これらの条件を備えた磁器誘導体は少な
く、その実現が望まれていた。 （問題点を解決するための手段） 本発明は、上述の要請に鑑み、誘電率が高く、
誘電損失が小さく、室温および高温における絶縁
抵抗の値が高く、さらに誘電率の温度特性の良好
な優れた電気特性を有した磁器組成物を提供しよ
うとするものであり、その要旨は、マグネシウ
ム・ニオブ酸鉛［Pb（Mg1/3Nb2/3）O3］、チタ
ン酸鉛［PbTiO3］およびニツケル・ニオブ酸鉛
［Pb（Ni1/3Nb2/3）O3］からなる３成分系組成
物を、［Pb（Mg1/3Nb2/3）O3］ｘ［Pb（Ni1/3Nb
２／３）O3］ｙ［PbTiO3］ｚと表わしたときに（た
だしｘ＋ｙ＋ｚ＝1.00）この３成分組成図におい
て以下の組成点 （ｘ＝0.10， ｙ＝0.70， ｚ＝0.20） （ｘ＝0.15， ｙ＝0.60， ｚ＝0.25） （ｘ＝0.15， ｙ＝0.70， ｚ＝0.15） （ｘ＝0.40， ｙ＝0.35， ｚ＝0.25） （ｘ＝0.60， ｙ＝0.20， ｚ＝0.20） （ｘ＝0.70， ｙ＝0.20， ｚ＝0.10） （ｘ＝0.50， ｙ＝0.40， ｚ＝0.10） を結ぶ線上、および７点に囲まれる組成範囲にあ
る主成分組成物に、副成分として、マンガン
（Mn）を主成分に対して0.01〜３原子％添加含有
せしめてなることを特徴とするものである。 すなわち、本願発明者達は既にPb（Mg1/3Nb
２／３）O3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3−（PbTiO3）か
らなる３成分系に新たに検討した範囲を加え、誘
電率と比抵抗の温度安定性改善を目的とし、副成
分として、マンガン（Mn）を添加含有せしめる
もので、誘電率と絶縁抵抗の温度安定性が良好
で、さらに誘電損失の小さい優れた電気的特性を
有する磁器組成物を提供しようとするものであ
る。 （実施例） 以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純度99.9％以上の酸化鉛（PbO）、
酸化マグネシウム（MgO）、酸化ニオブ（Nb2
O5）、酸化ニツケル（NiO）、酸化チタン（TiO2）
および炭酸マンガン（MnCO3）を使用し、表に
示した配合比となるように各々秤量する。次に秤
量した各材料をボールミル中で湿式混合した後
750〜800℃で仮焼を行い、この粉末をボールミル
で粉砕し、濾過、乾燥後、誘起バインダーを入れ
て整粒後プレスし、直径16mm、厚さ２mmの円板４
枚と、直径16mm、厚さ約10mmの円柱を作成した。
次に本発明の組成範囲の試料は空気中1000〜1080
℃の温度で１時間焼結した。焼結した円板４枚の
上下面に600℃で銀電極を焼付け、デジタルLCR
メーターで周波数1KHz、電圧1Vr.m.s.温度→−
30℃→20℃→85℃の順次で容量と誘電損失を測
定、誘電率と誘電率を求めた。 次に絶縁抵抗計で50Vの電圧を１分間印加し
て、絶縁抵抗を温度20℃と125℃で測定し、比抵
抗を算出した。このようにして得られた磁器の主
成分［Pb（Mg1/3Nb2/3）O3］ｘ［Pb（Ni1/3Nb
２／３）O3］ｙ［PbTiO3］ｚの配合比ｘ，ｙ，ｚお
よび副成分添加量と誘電率、誘電損失、85℃にお
ける誘電率の変化率、および20℃と125℃におけ
る比抵抗の関係を第１表に示す。
【表】
【表】
【表】
＊印のついているものは本発明の範囲以外
のものである。
第１表からも明らかなようにPb（Mg1/3Nb2/3）
O3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3−PbTiO3３成分組成
物に副成分であるマンガン（Mn）を主成分に対
して0.01〜３原子％添加含有せしめた本発明は高
い誘電率を保持しながら、誘電損失や誘電率及び
比抵抗の温度特性を良好かつ実用的なレベルまで
高めており、積層コンデンサ用磁器組成物として
優れた材料を提供するものである。 なお、本発明の主成分組成範囲外および、副成
分添加量範囲外では焼結温度が高くなつたり、誘
電率が低下し実用的でないため、前述のように限
定される。 なお、第１図に本発明の主成分組成範囲を示
す。図に示した番号は、表に示した主成分配合比
の番号に対応する。
のものである。
第１表からも明らかなようにPb（Mg1/3Nb2/3）
O3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3−PbTiO3３成分組成
物に副成分であるマンガン（Mn）を主成分に対
して0.01〜３原子％添加含有せしめた本発明は高
い誘電率を保持しながら、誘電損失や誘電率及び
比抵抗の温度特性を良好かつ実用的なレベルまで
高めており、積層コンデンサ用磁器組成物として
優れた材料を提供するものである。 なお、本発明の主成分組成範囲外および、副成
分添加量範囲外では焼結温度が高くなつたり、誘
電率が低下し実用的でないため、前述のように限
定される。 なお、第１図に本発明の主成分組成範囲を示
す。図に示した番号は、表に示した主成分配合比
の番号に対応する。
第１図は、本発明の主成分組成範囲と実施例に
示した組成点を示す図である。
示した組成点を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Pb（Mg1/3Nb2/3）O3−Pb（Ni1/3Nb2/3）
O3−PbTiO3の３成分系磁器組成物を［Pb（Mg1/
３Nb2/3）O3］ｘ［Pb（Ni1/3Nb2/3）O3］ｙ
［PbTiO3］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝1.0）と表現し
たとき （ｘ＝0.10， ｙ＝0.70， ｚ＝0.20） （ｘ＝0.15， ｙ＝0.60， ｚ＝0.25） （ｘ＝0.15， ｙ＝0.70， ｚ＝0.15） （ｘ＝0.40， ｙ＝0.35， ｚ＝0.25） （ｘ＝0.60， ｙ＝0.20， ｚ＝0.20） （ｘ＝0.70， ｙ＝0.20， ｚ＝0.10） （ｘ＝0.50， ｙ＝0.40， ｚ＝0.10） を結ぶ線上およびこの７点に囲まれる組成範囲に
ある主成分組成物に副成分としてマンガン
（Mn）を0.1〜３原子％添加含有せしめてなるこ
とを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61257335A JPS63112451A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61257335A JPS63112451A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63112451A JPS63112451A (ja) | 1988-05-17 |
| JPH0449504B2 true JPH0449504B2 (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=17304931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61257335A Granted JPS63112451A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63112451A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354144A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-08 | Nec Corp | 誘電体磁器組成物 |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP61257335A patent/JPS63112451A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63112451A (ja) | 1988-05-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |