JPH04242020A - Nb3Sn交流超電導線の製造方法 - Google Patents
Nb3Sn交流超電導線の製造方法Info
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- JPH04242020A JPH04242020A JP3015632A JP1563291A JPH04242020A JP H04242020 A JPH04242020 A JP H04242020A JP 3015632 A JP3015632 A JP 3015632A JP 1563291 A JP1563291 A JP 1563291A JP H04242020 A JPH04242020 A JP H04242020A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は化合物超電導線の製造方
法に関する。更に詳述すると本発明はNb3 Sn超電
導線の製造方法に関する。
法に関する。更に詳述すると本発明はNb3 Sn超電
導線の製造方法に関する。
【0002】(従来の技術)Nb3 Sn交流超電導線
では超電導フィラメントで発生するヒステリシス損失を
低減するためNb3 Snフィラメントの直径を1μm
以下にする必要がある。しかし、Nb3 Snは金属間
化合物であるため、線引きによる細径化は困難である。 これを解決する方法として、Cu母材中に多数のNbフ
ィラメントを埋め込み、所要のフィラメント径となるま
で線引きした後、外部にSnをメッキし、熱処理により
Snを内部に拡散させ、Nb3 Snを化合生成させる
製法や、CuとNbの複合線の中に最初からSnのコア
を埋め込み、Nbフィラメント直径が所要の細さとなる
まで線引きした後、熱処理によりSnを内部で拡散させ
、Nb3 Snを化合生成させる製法(内部拡散法)が
提案されている。
では超電導フィラメントで発生するヒステリシス損失を
低減するためNb3 Snフィラメントの直径を1μm
以下にする必要がある。しかし、Nb3 Snは金属間
化合物であるため、線引きによる細径化は困難である。 これを解決する方法として、Cu母材中に多数のNbフ
ィラメントを埋め込み、所要のフィラメント径となるま
で線引きした後、外部にSnをメッキし、熱処理により
Snを内部に拡散させ、Nb3 Snを化合生成させる
製法や、CuとNbの複合線の中に最初からSnのコア
を埋め込み、Nbフィラメント直径が所要の細さとなる
まで線引きした後、熱処理によりSnを内部で拡散させ
、Nb3 Snを化合生成させる製法(内部拡散法)が
提案されている。
【0003】例えば、1μm以下のフィラメント径の極
細多心線を製作する従来のNb3 Sn超電導線の製造
方法としては、ブロンズ法が一般的である。このブロン
ズ法によると、ブロンズ(CuSn合金)ロッドに穴を
あけNb棒を挿し込み、伸線し、六角形に成形した後、
これを必要本数まとめて同円筒の中に入れ、ビレットを
作り伸線する。この方法により1μm以下のフィラメン
ト径の極細多心線が制作可能である。このようにして作
られた線は650〜750℃で加熱処理されてブロンズ
中のSnをNb中に拡散、反応させてNb3 Snが生
成される。それよりも低い温度ではNb3 Snが生成
されないと考えられていた。
細多心線を製作する従来のNb3 Sn超電導線の製造
方法としては、ブロンズ法が一般的である。このブロン
ズ法によると、ブロンズ(CuSn合金)ロッドに穴を
あけNb棒を挿し込み、伸線し、六角形に成形した後、
これを必要本数まとめて同円筒の中に入れ、ビレットを
作り伸線する。この方法により1μm以下のフィラメン
ト径の極細多心線が制作可能である。このようにして作
られた線は650〜750℃で加熱処理されてブロンズ
中のSnをNb中に拡散、反応させてNb3 Snが生
成される。それよりも低い温度ではNb3 Snが生成
されないと考えられていた。
【0004】一方、Nb3 Sn線は機械的に非常に脆
く、0.5%程度のわずかなひずみでも特性が落ちてし
まう。そのため、超電導電磁石等に応用される場合のよ
うに、超電導線がコイル状に成形されるときには、コイ
ルの径が小さいと線のひずみが大きくなり過ぎる場合が
でてくる。そのため、まだNb3 Snを生成させてい
ない線をコイルにしてからコア等のコイル以外の構造物
と一緒にコイルごと加熱処理し、Nb3 Snを生成さ
せる方法[ワインド・アンド・リアクト(wind a
nd react)]が一般に用いられる。
く、0.5%程度のわずかなひずみでも特性が落ちてし
まう。そのため、超電導電磁石等に応用される場合のよ
うに、超電導線がコイル状に成形されるときには、コイ
ルの径が小さいと線のひずみが大きくなり過ぎる場合が
でてくる。そのため、まだNb3 Snを生成させてい
ない線をコイルにしてからコア等のコイル以外の構造物
と一緒にコイルごと加熱処理し、Nb3 Snを生成さ
せる方法[ワインド・アンド・リアクト(wind a
nd react)]が一般に用いられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、1μm
以下のNbフィラメントのSnとの反応活性は非常に高
いため、従来のNb3 Sn生成のために使用されてい
た熱処理温度である650〜750℃の温度では反応が
激しすぎ、臨界電流密度Jcが低下してしまう。また、
650〜750℃の熱処理は、ワインド・アンド・リア
クト法を採用する場合、超電導線以外の他の構造物の材
料にとっては焼なまし温度となってしまうため、機械的
強度が落ちてしまう問題がある。
以下のNbフィラメントのSnとの反応活性は非常に高
いため、従来のNb3 Sn生成のために使用されてい
た熱処理温度である650〜750℃の温度では反応が
激しすぎ、臨界電流密度Jcが低下してしまう。また、
650〜750℃の熱処理は、ワインド・アンド・リア
クト法を採用する場合、超電導線以外の他の構造物の材
料にとっては焼なまし温度となってしまうため、機械的
強度が落ちてしまう問題がある。
【0006】一方、Cu母材の表面にSnをめっきした
り、CuとNbの複合線の中に最初からSnのコアを埋
め込む従来のNb3 Snの製造方法では、反応前のN
bが熱処理時にSnの拡散を妨げるため、Snの拡散性
がよくない。
り、CuとNbの複合線の中に最初からSnのコアを埋
め込む従来のNb3 Snの製造方法では、反応前のN
bが熱処理時にSnの拡散を妨げるため、Snの拡散性
がよくない。
【0007】本発明は、臨界電流密度Jcが高くかつ超
電導線以外の他の構造物に熱処理の悪影響を与えること
のないNb3 Sn交流超電導線の製造方法を提供する
ことを目的とする。
電導線以外の他の構造物に熱処理の悪影響を与えること
のないNb3 Sn交流超電導線の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、本発明のNb3Sn交流超電導線の製造方法は、N
bフィラメントの直径を1μm以下とし、500℃以下
の温度で1日以上の長時間熱処理してNb3 Snを生
成するようにしている。
め、本発明のNb3Sn交流超電導線の製造方法は、N
bフィラメントの直径を1μm以下とし、500℃以下
の温度で1日以上の長時間熱処理してNb3 Snを生
成するようにしている。
【0009】また、本発明のNb3 Sn交流超電導線
の製造方法は、Nb3 Snを生成するに必要な量のS
nを分散してNbフィラメントの近くに配置すること、
例えば好ましくは各バンドルの中に埋め込んだり、バン
ドルの間に埋め込むようにしてNbフィラメントの近傍
に配置するようにしている。
の製造方法は、Nb3 Snを生成するに必要な量のS
nを分散してNbフィラメントの近くに配置すること、
例えば好ましくは各バンドルの中に埋め込んだり、バン
ドルの間に埋め込むようにしてNbフィラメントの近傍
に配置するようにしている。
【0010】
【作用】したがって、従来採用されていた650〜75
0℃の高い温度ではNbとSnの反応が激しくなり過ぎ
最適な熱処理時間を設定しても臨界電流密度Jcが低下
してしまうが、Nbフィラメント径を直径1μm以下と
し500℃以下の比較的低温度域で1日以上の長時間に
亙って熱処理をした場合、図1あるいは図2に示すよう
に臨界電流密度Jcが従来のものよりも高くなる。特に
その傾向は500℃よりも低い温度ほど顕著となり、温
度が低くなる程長い熱処理時間をかければ高い臨界電流
密度Jcがられる。最適な熱処理温度は、Nbフィラメ
ント直径、Snの拡散方法等によって異なるが、少なく
とも500℃以下であれば臨界電流密度Jcの向上効果
は得られる。
0℃の高い温度ではNbとSnの反応が激しくなり過ぎ
最適な熱処理時間を設定しても臨界電流密度Jcが低下
してしまうが、Nbフィラメント径を直径1μm以下と
し500℃以下の比較的低温度域で1日以上の長時間に
亙って熱処理をした場合、図1あるいは図2に示すよう
に臨界電流密度Jcが従来のものよりも高くなる。特に
その傾向は500℃よりも低い温度ほど顕著となり、温
度が低くなる程長い熱処理時間をかければ高い臨界電流
密度Jcがられる。最適な熱処理温度は、Nbフィラメ
ント直径、Snの拡散方法等によって異なるが、少なく
とも500℃以下であれば臨界電流密度Jcの向上効果
は得られる。
【0011】また、線材中にSnを分散させて配置する
場合、すべてのNbフィラメントが配置したSnの近く
になり、拡散距離が短くなるので拡散性が良くなり未反
応Nbが少なくなる。これによって図4に示すように、
臨界電流密度が向上する。
場合、すべてのNbフィラメントが配置したSnの近く
になり、拡散距離が短くなるので拡散性が良くなり未反
応Nbが少なくなる。これによって図4に示すように、
臨界電流密度が向上する。
【0012】
【実施例】以下、本発明の構成を図面に示す実施例に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
【0013】Nb3 Sn交流超電導線の製造において
は、まず直径1μm以下の極細Nbフィラメントを多数
束ねた多心線を得ることが必要である。この多心線の製
造方法は特に限定されるものではなく、公知の方法例え
ば前述のブロンズ法等によってあるいは新規の製法によ
って容易に得られる。ここで、Nbフィラメントの直径
は1μm以下にすることが必要であり、好ましくは細径
化することであり、本実施例の場合には数十nmに作製
されている。この直径1μm以下のNbフィラメントと
Cu母材及びSnを配合した多心線は、500℃以下の
温度で1日以上の長時間熱処理される。そしてNb3
Snが生成される。ここで、最適な熱処理時間は、従来
のNb3 Sn超電導体を得るに通常行なわれていた時
間を越える1日以上の時間であれば臨界電流密度Jcの
向上効果は得られる。例えば、後述する実施例1のNb
3 Sn交流超電導線の場合、500℃以下好ましくは
475℃〜425℃で、1日以上好ましくは40日以上
〜180日以下の長時間熱処理を加えることが好ましい
。これら熱処理温度と熱処理時間との関係は無関係では
なく、熱処理温度を低くする程長い熱処理時間を必要と
する関係にあり、例えば図3に示すように500℃で約
3〜15日、475℃で約6〜45日、450℃で15
〜110日、425℃で40〜180日の間に熱処理時
間を設定することが最適である。
は、まず直径1μm以下の極細Nbフィラメントを多数
束ねた多心線を得ることが必要である。この多心線の製
造方法は特に限定されるものではなく、公知の方法例え
ば前述のブロンズ法等によってあるいは新規の製法によ
って容易に得られる。ここで、Nbフィラメントの直径
は1μm以下にすることが必要であり、好ましくは細径
化することであり、本実施例の場合には数十nmに作製
されている。この直径1μm以下のNbフィラメントと
Cu母材及びSnを配合した多心線は、500℃以下の
温度で1日以上の長時間熱処理される。そしてNb3
Snが生成される。ここで、最適な熱処理時間は、従来
のNb3 Sn超電導体を得るに通常行なわれていた時
間を越える1日以上の時間であれば臨界電流密度Jcの
向上効果は得られる。例えば、後述する実施例1のNb
3 Sn交流超電導線の場合、500℃以下好ましくは
475℃〜425℃で、1日以上好ましくは40日以上
〜180日以下の長時間熱処理を加えることが好ましい
。これら熱処理温度と熱処理時間との関係は無関係では
なく、熱処理温度を低くする程長い熱処理時間を必要と
する関係にあり、例えば図3に示すように500℃で約
3〜15日、475℃で約6〜45日、450℃で15
〜110日、425℃で40〜180日の間に熱処理時
間を設定することが最適である。
【0014】上述の製造方法をより効果的にする拡散法
としては、Nb3 Snを生成するに必要な量のSnを
分散し、Nbフィラメントの近傍に配置することが好ま
しい。例えば、図5に示すように、数十nmの極細Nb
フィラメントを多数集めて束ねたバンドル1の間にSn
の単線2を埋設し、Nbフィラメントのバンドル1から
等距離にSn線2が位置するように設けられている。尚
、図示していないがNbフィラメントを集めたバンドル
1の中にSnを埋設するようにしても良い。尚、符号3
は母材となるCuである。
としては、Nb3 Snを生成するに必要な量のSnを
分散し、Nbフィラメントの近傍に配置することが好ま
しい。例えば、図5に示すように、数十nmの極細Nb
フィラメントを多数集めて束ねたバンドル1の間にSn
の単線2を埋設し、Nbフィラメントのバンドル1から
等距離にSn線2が位置するように設けられている。尚
、図示していないがNbフィラメントを集めたバンドル
1の中にSnを埋設するようにしても良い。尚、符号3
は母材となるCuである。
【0015】実施例1
CuとNbの比Cu/Nb=13.8/1、フィラメン
ト直径47.4nm、1バンドル当りのフィラメント数
2575本、1線当りのバンドル数702、フィラメン
ト総数1807650本、捩り3mmに1回の線を得た
。この線の外周面にはCuに対してSnが4.63wt
%となるように外部めっきした。このように構成された
外部拡散型超電導線を伸線化したものを次の条件で熱処
理しNb3 Sn超電導線を得た。そして、425℃、
450℃、475℃、500℃、525℃、550℃の
各温度で数時間〜100日の間で熱処理をした。
ト直径47.4nm、1バンドル当りのフィラメント数
2575本、1線当りのバンドル数702、フィラメン
ト総数1807650本、捩り3mmに1回の線を得た
。この線の外周面にはCuに対してSnが4.63wt
%となるように外部めっきした。このように構成された
外部拡散型超電導線を伸線化したものを次の条件で熱処
理しNb3 Sn超電導線を得た。そして、425℃、
450℃、475℃、500℃、525℃、550℃の
各温度で数時間〜100日の間で熱処理をした。
【0016】この結果を図1に示す。これより明らかな
ように、1.5テスラー(T)の外部磁場における臨界
電流密度Jcは、500℃を越える熱処理温度の場合に
は熱処理時間の最適化を図っても、500℃以下のとき
に比べて明らかに低くなっている。その反面、500℃
以下の熱処理の場合、超電導体としての優位性をはっき
り認識できる臨界電流密度Jcが得られたことが分かる
。そして、500℃で約3日〜15日、475℃で約6
日〜45日、450℃で約15日〜110日、425℃
で約40日〜180日の熱処理を実施したとき、109
A/m2 以上の電流密度を得ることができた。
ように、1.5テスラー(T)の外部磁場における臨界
電流密度Jcは、500℃を越える熱処理温度の場合に
は熱処理時間の最適化を図っても、500℃以下のとき
に比べて明らかに低くなっている。その反面、500℃
以下の熱処理の場合、超電導体としての優位性をはっき
り認識できる臨界電流密度Jcが得られたことが分かる
。そして、500℃で約3日〜15日、475℃で約6
日〜45日、450℃で約15日〜110日、425℃
で約40日〜180日の熱処理を実施したとき、109
A/m2 以上の電流密度を得ることができた。
【0017】実施例2
Cu/Nb比13.8/1、フィラメント直径55.5
nm、1バンドル当りのフィラメント数が2572本、
1線当りのバンドル数702、フィラメント総数180
5544本、捩り3mmに1回の線を得た。この線の外
周面にはCuに対してSnが5.01wt%となるよう
に外部めっきした。このように構成された外部拡散型超
電導線を伸線化したものを次の条件で熱処理しNb3
Sn超電導線を得た。そして、425℃、450℃、4
75℃、500℃、525℃、550℃の各温度で数時
間〜100日までの時間をかけて熱処理をした。この結
果を示す図2から明らかなように、3テスラー(T)の
外部磁場における臨界電流密度Jcは、500℃を越え
る熱処理の場合には熱処理時間の最適化を図っても、5
00℃以下の熱処理の場合に比べて明らかに低くなって
いる。これに対し、500℃未満の熱処理温度の場合、
いずれも電流密度が500℃以上の熱処理温度の場合に
比べて高くなりその優位性が認められた。例えば、42
5℃で90日程度熱処理をする場合、最も高い電流密度
が得られた。この電流密度は109 A/m2 の近く
まで達し実用的な超電導線として特性を十分にいかした
使い方ができるものである。この現象は処理温度を50
0℃以下にすると現れ、特に500℃よりも低くした場
合にその効果が得られた。
nm、1バンドル当りのフィラメント数が2572本、
1線当りのバンドル数702、フィラメント総数180
5544本、捩り3mmに1回の線を得た。この線の外
周面にはCuに対してSnが5.01wt%となるよう
に外部めっきした。このように構成された外部拡散型超
電導線を伸線化したものを次の条件で熱処理しNb3
Sn超電導線を得た。そして、425℃、450℃、4
75℃、500℃、525℃、550℃の各温度で数時
間〜100日までの時間をかけて熱処理をした。この結
果を示す図2から明らかなように、3テスラー(T)の
外部磁場における臨界電流密度Jcは、500℃を越え
る熱処理の場合には熱処理時間の最適化を図っても、5
00℃以下の熱処理の場合に比べて明らかに低くなって
いる。これに対し、500℃未満の熱処理温度の場合、
いずれも電流密度が500℃以上の熱処理温度の場合に
比べて高くなりその優位性が認められた。例えば、42
5℃で90日程度熱処理をする場合、最も高い電流密度
が得られた。この電流密度は109 A/m2 の近く
まで達し実用的な超電導線として特性を十分にいかした
使い方ができるものである。この現象は処理温度を50
0℃以下にすると現れ、特に500℃よりも低くした場
合にその効果が得られた。
【0018】このような実施例1(図1)及び実施例2
(図2)の結果から、500℃以下特に475℃以下〜
425℃程度の比較的低温で低温化する程長くなる最適
な処理時間例えば40日〜180日をとれば、実施例1
,2のNb3Sn交流超電導線では臨界電流密度の向上
効果が得られることが分かる。
(図2)の結果から、500℃以下特に475℃以下〜
425℃程度の比較的低温で低温化する程長くなる最適
な処理時間例えば40日〜180日をとれば、実施例1
,2のNb3Sn交流超電導線では臨界電流密度の向上
効果が得られることが分かる。
【0019】また、このような線材構造においてSnを
分散配置することによって臨界電流密度Jcを向上させ
ることができる。図4は、Nb3 Snを生成するに必
要な量のSnを13カ所に分散させて配置した場合のJ
cと、1カ所に配置した場合のJcとを比較したもので
、Snの配置を線材中心の1カ所から分散した13カ所
にすることによってJcは2倍になっている。尚、この
実験において使用したNb3 Sn線材のフィラメント
直径は51nm、フィラメント数は1637700本で
ある。
分散配置することによって臨界電流密度Jcを向上させ
ることができる。図4は、Nb3 Snを生成するに必
要な量のSnを13カ所に分散させて配置した場合のJ
cと、1カ所に配置した場合のJcとを比較したもので
、Snの配置を線材中心の1カ所から分散した13カ所
にすることによってJcは2倍になっている。尚、この
実験において使用したNb3 Sn線材のフィラメント
直径は51nm、フィラメント数は1637700本で
ある。
【0020】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように本発明の
Nb3 Sn交流超電導線の製造方法は、多心線から成
るNb3 Sn交流超電導線の製造方法において、Nb
フィラメントを直径1μm以下とし、500℃以下の温
度で1日以上の長時間熱処理してNb3 Snを生成し
たので、500℃を越える熱処理温度で熱処理時間を最
適化した場合に比べてNb3 Snを超電導線の臨界電
流密度を高くできる。したがって、Nb3 Sn超電導
線を低交流損失化、高臨界電流密度化を達成し、従来直
流にしか使用されていなかったものを交流用として使用
可能とする。しかも、500℃以下の低温での熱処理で
あるため、ワインド・アンド・リアクト法を採用する場
合においても、超電導線以外の他の構造材料にとって焼
なましとはならないので機械的強度を落とすようなこと
がない。
Nb3 Sn交流超電導線の製造方法は、多心線から成
るNb3 Sn交流超電導線の製造方法において、Nb
フィラメントを直径1μm以下とし、500℃以下の温
度で1日以上の長時間熱処理してNb3 Snを生成し
たので、500℃を越える熱処理温度で熱処理時間を最
適化した場合に比べてNb3 Snを超電導線の臨界電
流密度を高くできる。したがって、Nb3 Sn超電導
線を低交流損失化、高臨界電流密度化を達成し、従来直
流にしか使用されていなかったものを交流用として使用
可能とする。しかも、500℃以下の低温での熱処理で
あるため、ワインド・アンド・リアクト法を採用する場
合においても、超電導線以外の他の構造材料にとって焼
なましとはならないので機械的強度を落とすようなこと
がない。
【図1】実施例1の低温長時間熱処理による臨界電流密
度向上効果を示すグラフである。
度向上効果を示すグラフである。
【図2】実施例2の低温長時間熱処理による臨界電流密
度向上効果を示すグラフである。
度向上効果を示すグラフである。
【図3】実施例1の熱処理温度とその最適処理時間との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図4】Snの分散配置による臨界電流密度が向上する
ことを示すグラフである。
ことを示すグラフである。
【図5】Snの分散配置した線材構造の一例を示す概略
図である。
図である。
1 Nbフィラメントのバンドル
2 Sn線
3 Cu母材
Claims (5)
- 【請求項1】 多心線から成るNb3 Sn交流超電
導線の製造方法において、Nbフィラメントを直径1μ
m以下とし、500℃以下の温度で1日以上の長時間熱
処理してNb3 Snを生成することを特徴とするNb
3 Sn超電導線の製造方法。 - 【請求項2】 前記熱処理時間は処理温度を低くする
程長時間にすることを特徴とする請求項1記載のNb3
Sn超電導線の製造方法。 - 【請求項3】 Nb3 Snを生成するに必要な量の
Snを分散し、Nbフィラメントの近傍に配置したこと
を特徴とする請求項1記載のNb3 Sn超電導線の製
造方法。 - 【請求項4】 前記Snは各バンドルの中に配置した
ことを特徴とする請求項2記載のNb3 Sn超電導線
の製造方法。 - 【請求項5】 前記Snは各バンドルの間に配置した
ことを特徴とする請求項2記載のNb3 Sn超電導線
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03015632A JP3086487B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | Nb3Sn交流超電導線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03015632A JP3086487B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | Nb3Sn交流超電導線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04242020A true JPH04242020A (ja) | 1992-08-28 |
| JP3086487B2 JP3086487B2 (ja) | 2000-09-11 |
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ID=11894099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03015632A Expired - Fee Related JP3086487B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | Nb3Sn交流超電導線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3086487B2 (ja) |
-
1991
- 1991-01-17 JP JP03015632A patent/JP3086487B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3086487B2 (ja) | 2000-09-11 |
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