JPH04245248A - レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジスト組成物とレジストパターンの形成方法Info
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- JPH04245248A JPH04245248A JP3010465A JP1046591A JPH04245248A JP H04245248 A JPH04245248 A JP H04245248A JP 3010465 A JP3010465 A JP 3010465A JP 1046591 A JP1046591 A JP 1046591A JP H04245248 A JPH04245248 A JP H04245248A
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- JP
- Japan
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- resist
- group
- polymer
- cooh
- resist composition
- Prior art date
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- Granted
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は本発明は二層構造上層用
ポジ型レジストと、そのレジストパターンの形成方法に
関する。
ポジ型レジストと、そのレジストパターンの形成方法に
関する。
【０００２】大量の情報を迅速に処理する必要から、情
報処理装置の主体を構成する半導体装置は集積化が進ん
でＬＳＩ やＶＬＳＩが実用化されている。こゝで、集
積化は単位素子の小形化により行われており、配線パタ
ーンの最小線幅はサブミクロンに達している。
報処理装置の主体を構成する半導体装置は集積化が進ん
でＬＳＩ やＶＬＳＩが実用化されている。こゝで、集
積化は単位素子の小形化により行われており、配線パタ
ーンの最小線幅はサブミクロンに達している。
【０００３】また、多層配線が行われていることから、
集積回路を形成する半導体ウエハ上には微細な段差が数
多く存在している。さて、半導体集積回路の製造には半
導体基板上にレジストを被覆した後に選択露光を行い、
現像処理により露光部あるいは非露光部を溶解してレジ
ストを窓開けした後、ドライエッチングを行って導電膜
や絶縁膜をエッチングする写真蝕刻技術（ フォトリソ
グラフィ或いは電子線リソグラフィ） が不可欠である
。
集積回路を形成する半導体ウエハ上には微細な段差が数
多く存在している。さて、半導体集積回路の製造には半
導体基板上にレジストを被覆した後に選択露光を行い、
現像処理により露光部あるいは非露光部を溶解してレジ
ストを窓開けした後、ドライエッチングを行って導電膜
や絶縁膜をエッチングする写真蝕刻技術（ フォトリソ
グラフィ或いは電子線リソグラフィ） が不可欠である
。
【０００４】そのため、段差の影響を無くして精度よく
微細パターンを形成する方法として三層構造或いは二層
構造をとる多層レジスト法が用いられているが、中でも
工程数の少ない二層レジスト法が一般的に用いられてい
る。
微細パターンを形成する方法として三層構造或いは二層
構造をとる多層レジスト法が用いられているが、中でも
工程数の少ない二層レジスト法が一般的に用いられてい
る。
【０００５】
【従来の技術】二層構造レジスト法をとると、露光によ
り直接パターン形成するレジスト層の厚さを単層レジス
ト法に較べて格段に薄くできるため、高解像性の実現が
可能である。
り直接パターン形成するレジスト層の厚さを単層レジス
ト法に較べて格段に薄くできるため、高解像性の実現が
可能である。
【０００６】こゝで、上層レジストに適用し得るレジス
トは酸素プラズマに対し充分な耐性を備えていることが
必要であり、次のような有機硅素重合体系樹脂（以下略
してシリコーン系樹脂）や有機硅素含有樹脂（以下略し
てシリコーン含有樹脂）が用いられている。
トは酸素プラズマに対し充分な耐性を備えていることが
必要であり、次のような有機硅素重合体系樹脂（以下略
してシリコーン系樹脂）や有機硅素含有樹脂（以下略し
てシリコーン含有樹脂）が用いられている。
【０００７】ポリ−Ｐ− クロロメチルフェニルシロキ
サン， ポリアリルシルセスキオキサン， ポリビニル
シルセスキオキサンなど。然し、このような材料よりな
るシリコーンレジストの露光後の現像には有機溶媒を使
用せざるを得ないことから、レジストの膨潤が激しく、
二層構造レジスト法の利点を充分に活かすことがてきず
、解像性はさほど向上しない。
サン， ポリアリルシルセスキオキサン， ポリビニル
シルセスキオキサンなど。然し、このような材料よりな
るシリコーンレジストの露光後の現像には有機溶媒を使
用せざるを得ないことから、レジストの膨潤が激しく、
二層構造レジスト法の利点を充分に活かすことがてきず
、解像性はさほど向上しない。
【０００８】そのため、サブミクロンパターンが要求さ
れる超ＬＳＩ の製造に必要なレジストパターンを安定
して形成することができないと云う問題があった。
れる超ＬＳＩ の製造に必要なレジストパターンを安定
して形成することができないと云う問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】二層構造上層レジスト
として各種のシリコーンレジストが提案されているが、
先に記したように解像性はさほど向上していない。
として各種のシリコーンレジストが提案されているが、
先に記したように解像性はさほど向上していない。
【００１０】ところで、上記のレジスト材料は総てネガ
型のレジストである。そのため、現像に当たって膨潤に
よる解像性の低下を生じないボジ型のパターン形成材料
が必要であった。
型のレジストである。そのため、現像に当たって膨潤に
よる解像性の低下を生じないボジ型のパターン形成材料
が必要であった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題は下記一般式
（１） で示されるシリコーン化合物を加水分解し、引
き続いて脱水縮重合して得られるポリマ中に残存する水
酸基を下記一般式（２） で示されるシリコーン化合物
で置換したシリコーン重合体と、このシリコーン重合体
のアルカリ水溶液に対する溶解抑止剤と、電離放射線の
照射により酸を発生する酸発生剤と、有機溶剤とからな
るレジスト組成物を使用し、二層構造レジストの上層レ
ジストを形成することにより解決することができる。
（１） で示されるシリコーン化合物を加水分解し、引
き続いて脱水縮重合して得られるポリマ中に残存する水
酸基を下記一般式（２） で示されるシリコーン化合物
で置換したシリコーン重合体と、このシリコーン重合体
のアルカリ水溶液に対する溶解抑止剤と、電離放射線の
照射により酸を発生する酸発生剤と、有機溶剤とからな
るレジスト組成物を使用し、二層構造レジストの上層レ
ジストを形成することにより解決することができる。
【００１２】
【化３】
【００１３】こゝで、Ｒ１ は水素，トリアルコキシシ
リル基，トリクロロシリル基の何れかを表し、同一また
は異なっていてもよく、Ｒ１ のうち少なくとも２つ以
上はトリアルコキシシリル基，またはトリクロロシリル
基であること、
リル基，トリクロロシリル基の何れかを表し、同一また
は異なっていてもよく、Ｒ１ のうち少なくとも２つ以
上はトリアルコキシシリル基，またはトリクロロシリル
基であること、
【００１４】
【化４】
【００１５】こゝで、Ｒ２ は（ＣＨ２）ｍ ＣＯＯＨ
， （ＣＨ２）ｎ Ｐｈ ＣＯＯＨ，（但し、ｍ は
１〜１０の整数，ｎは０〜１０の整数），低級アルキル
基，アリール基または低級アルケニル基を示し、同一ま
たは異なっていてもよく、Ｒ２ のうち少なくとも２０
％以上が（ＣＨ２）ｍ ＣＯＯＨまたは （ＣＨ２）ｎ
Ｐｈ ＣＯＯＨであること。
， （ＣＨ２）ｎ Ｐｈ ＣＯＯＨ，（但し、ｍ は
１〜１０の整数，ｎは０〜１０の整数），低級アルキル
基，アリール基または低級アルケニル基を示し、同一ま
たは異なっていてもよく、Ｒ２ のうち少なくとも２０
％以上が（ＣＨ２）ｍ ＣＯＯＨまたは （ＣＨ２）ｎ
Ｐｈ ＣＯＯＨであること。
【００１６】
【作用】上記の一般式（１），（２） で表されるシリ
コーン重合体は単独ではテトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド（略称ＴＭＡＨ）のようなアルカリ水溶
液に可溶であるが、適当な溶解抑止剤を添加することに
より、アルカリ水溶液に溶けにくゝなる。
コーン重合体は単独ではテトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド（略称ＴＭＡＨ）のようなアルカリ水溶
液に可溶であるが、適当な溶解抑止剤を添加することに
より、アルカリ水溶液に溶けにくゝなる。
【００１７】本発明は溶解抑止剤が酸に弱く、酸の存在
により溶解抑止効果を失う現象を利用するものである。 すなわち、溶解抑止剤に酸発生剤を添加しておき、電離
放射線の照射により酸発生剤が酸を発生し、この酸によ
り溶解抑止剤が溶解抑止効果を失い、シリコーン重合体
が再びアルカリ水溶液に可溶となるのを利用するもので
、このような溶解抑止剤としては特開昭６３−２７８２
９に開示されている一般式（３） 〜（１６）で示され
る低分子量の有機化合物群が挙げられる。
により溶解抑止効果を失う現象を利用するものである。 すなわち、溶解抑止剤に酸発生剤を添加しておき、電離
放射線の照射により酸発生剤が酸を発生し、この酸によ
り溶解抑止剤が溶解抑止効果を失い、シリコーン重合体
が再びアルカリ水溶液に可溶となるのを利用するもので
、このような溶解抑止剤としては特開昭６３−２７８２
９に開示されている一般式（３） 〜（１６）で示され
る低分子量の有機化合物群が挙げられる。
【００１８】また、特開昭６３−２５０６４２ や特開
昭６３−２４１５４２ に開示されている一般式（１７
）〜（２４）で示される高分子化合物群も有効である。 また、酸発生剤としてはＰｈ２Ｉ＋ ＳｂＦ６− ，Ｐ
ｈ３Ｓ＋ ＳｂＦ６− などのオニウム塩、 （Ｐｈ２
Ｉ＋ ）２ＣＯ３２− ， （Ｐｈ２Ｓ＋ ）２
ＣＯ３２− などの炭酸イオンを含む塩、 Ｐｈ２Ｉ
＋ ＨＣＯ３− ，Ｐｈ３Ｓ＋ ＨＣＯ３− などの炭
酸水素イオンを含む塩、クロロメチル基を有するトリア
ジン化合物， オルトニトロベンジルアルコールスルホ
ン酸エステルなどのトシレート系の化合物を挙げること
ができる。
昭６３−２４１５４２ に開示されている一般式（１７
）〜（２４）で示される高分子化合物群も有効である。 また、酸発生剤としてはＰｈ２Ｉ＋ ＳｂＦ６− ，Ｐ
ｈ３Ｓ＋ ＳｂＦ６− などのオニウム塩、 （Ｐｈ２
Ｉ＋ ）２ＣＯ３２− ， （Ｐｈ２Ｓ＋ ）２
ＣＯ３２− などの炭酸イオンを含む塩、 Ｐｈ２Ｉ
＋ ＨＣＯ３− ，Ｐｈ３Ｓ＋ ＨＣＯ３− などの炭
酸水素イオンを含む塩、クロロメチル基を有するトリア
ジン化合物， オルトニトロベンジルアルコールスルホ
ン酸エステルなどのトシレート系の化合物を挙げること
ができる。
【００１９】本発明に係るレジスト組成物はこれらの酸
発生剤の存在の下で紫外線， 電子線， Ｘ線，イオン
線などの電離放射線を照射することにより溶解抑止剤が
分解し、有機シリコーン重合体がアルカリ水溶液に可溶
となるため、ポジ型のレジストとなる。
発生剤の存在の下で紫外線， 電子線， Ｘ線，イオン
線などの電離放射線を照射することにより溶解抑止剤が
分解し、有機シリコーン重合体がアルカリ水溶液に可溶
となるため、ポジ型のレジストとなる。
【００２０】なお、本発明に係るレジスト組成物を電離
放射線で露光する際には必要に応じてアセトフェノン系
感光剤たとえば２，２−ジメトキシ２，フェニルアセト
フェノンを増感剤として添加するとよい。
放射線で露光する際には必要に応じてアセトフェノン系
感光剤たとえば２，２−ジメトキシ２，フェニルアセト
フェノンを増感剤として添加するとよい。
【００２１】また、本発明に係るレジスト組成物を構成
する有機シリコーン重合体，溶解抑止剤，酸発生剤，有
機溶剤の混合比は必要とする膜厚により異なるが、有機
溶剤１０００重量部に対して、有機シリコーン重合体が
４〜２０重量部、溶解抑止剤が０．２ 〜２０重量部、
酸発生剤が０．１〜１０重量部、程度であることが好ま
しい。
する有機シリコーン重合体，溶解抑止剤，酸発生剤，有
機溶剤の混合比は必要とする膜厚により異なるが、有機
溶剤１０００重量部に対して、有機シリコーン重合体が
４〜２０重量部、溶解抑止剤が０．２ 〜２０重量部、
酸発生剤が０．１〜１０重量部、程度であることが好ま
しい。
【００２２】また、二層構造レジストを構成する場合の
下層レジストとしてはフェノールノボラック樹脂または
クレゾールノボラック樹脂からなる市販のフォトレジス
ト、例えばＯＦＰＲ（ 東京応化製） が使用できる。
下層レジストとしてはフェノールノボラック樹脂または
クレゾールノボラック樹脂からなる市販のフォトレジス
ト、例えばＯＦＰＲ（ 東京応化製） が使用できる。
【００２３】本発明に係るレジスト組成物はＳｉ含有量
の多いシリコーン重合体を用いているために酸素プラズ
マ耐性に優れている。また、ポジ型であり、現像液とし
てアルカリ水溶液を用いることゝシリコーン重合体の耐
熱性が高いために解像性が優れている。
の多いシリコーン重合体を用いているために酸素プラズ
マ耐性に優れている。また、ポジ型であり、現像液とし
てアルカリ水溶液を用いることゝシリコーン重合体の耐
熱性が高いために解像性が優れている。
【００２４】従って、二層構造用上層レジストとして不
可欠な酸素プラズマ耐性， 感度， 解像性の総てを兼
ね備えている。
可欠な酸素プラズマ耐性， 感度， 解像性の総てを兼
ね備えている。
【００２５】
【実施例】合成例１（ポリマの製造例）容量が５００ｃ
ｃ の４っ口フラスコにメチルイソブチルケトン（ＭＩ
ＢＫ） を４０ｃｃ， メタノールを２５ｃｃ， アセ
トンを２５ｃｃ， 水を５０ｃｃ， 濃塩酸を５ｃｃお
よび１，３−ジフェニル−１，１，３，３− テトラメ
チルジシロキサンを４．０５ｇ を仕込み、加熱攪拌し
て還元状態とした。
ｃ の４っ口フラスコにメチルイソブチルケトン（ＭＩ
ＢＫ） を４０ｃｃ， メタノールを２５ｃｃ， アセ
トンを２５ｃｃ， 水を５０ｃｃ， 濃塩酸を５ｃｃお
よび１，３−ジフェニル−１，１，３，３− テトラメ
チルジシロキサンを４．０５ｇ を仕込み、加熱攪拌し
て還元状態とした。
【００２６】次に、１，４ − ビス（ トリメトキシ
シリル）ベンゼン１５．９ｇ を３５ｃｃのＭＩＢＫに
溶解し、フラスコ内に２０分かけて滴下し、３０分間攪
拌した。冷却した後、ＭＩＢＫと水を５０ｃｃづつ加え
、分液漏斗を用いて上層のＭＩＢＫ層を水で数回洗浄し
た。
シリル）ベンゼン１５．９ｇ を３５ｃｃのＭＩＢＫに
溶解し、フラスコ内に２０分かけて滴下し、３０分間攪
拌した。冷却した後、ＭＩＢＫと水を５０ｃｃづつ加え
、分液漏斗を用いて上層のＭＩＢＫ層を水で数回洗浄し
た。
【００２７】次に、共沸により残存した水を取り除いた
後、反応溶液を多量の水に投入して樹脂を析出させ回収
した。そして分子量分別操作を行った後、凍結乾燥を行
って１２ｇ の白色粉末を得た。
後、反応溶液を多量の水に投入して樹脂を析出させ回収
した。そして分子量分別操作を行った後、凍結乾燥を行
って１２ｇ の白色粉末を得た。
【００２８】これをケルパーミエ−ションクロマトグラ
フ（ 略称ＧＰＣ）により測定した重量平均分子量は標
準ポリスチレン換算で３．５×１０４ また分散度は２
．１ であった。次に、得られた樹脂の４％ＭＩＢＫ溶
液１００ ｇにメチルジクロロフェニルクロロシランと
ピリジンをそれぞれ１０ｃｃ加え、８０℃で２時間攪拌
した。
フ（ 略称ＧＰＣ）により測定した重量平均分子量は標
準ポリスチレン換算で３．５×１０４ また分散度は２
．１ であった。次に、得られた樹脂の４％ＭＩＢＫ溶
液１００ ｇにメチルジクロロフェニルクロロシランと
ピリジンをそれぞれ１０ｃｃ加え、８０℃で２時間攪拌
した。
【００２９】冷却した後、これにＭＩＢＫと水を５０ｃ
ｃづつ加え、分液漏斗を用いて上層のＭＩＢＫ層を水で
数回洗浄した後、共沸により残存した水を除いた。その
後、反応溶液を多量の水に投入して樹脂を析出させて回
収し、凍結乾燥を施して４．１７ｇの白色粉末を得た。
ｃづつ加え、分液漏斗を用いて上層のＭＩＢＫ層を水で
数回洗浄した後、共沸により残存した水を除いた。その
後、反応溶液を多量の水に投入して樹脂を析出させて回
収し、凍結乾燥を施して４．１７ｇの白色粉末を得た。
【００３０】その後、エタノールとアセトニトリルを用
いて低分子量オリゴマや不純物を洗浄して除き、最終的
に２．１６ｇの白色粉末を得た。次に、ＧＰＣにより測
定した重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で３．６
×１０４，分散度は２．２ であった。
いて低分子量オリゴマや不純物を洗浄して除き、最終的
に２．１６ｇの白色粉末を得た。次に、ＧＰＣにより測
定した重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で３．６
×１０４，分散度は２．２ であった。
【００３１】このポリマを乾燥エチルエーテルに溶解し
、これを金属マグネシウム（Ｍｇ）２．４ｇの局片に注
いだ。次に、この溶液を細かく砕いたドライアイス２０
ｇの上に注いだ後、５規定の塩酸１０ ｍｌ を加える
ことにより合成ポリマにカルボン酸が付加し、アルカリ
水溶液に可溶なポリマを得ることができた。
、これを金属マグネシウム（Ｍｇ）２．４ｇの局片に注
いだ。次に、この溶液を細かく砕いたドライアイス２０
ｇの上に注いだ後、５規定の塩酸１０ ｍｌ を加える
ことにより合成ポリマにカルボン酸が付加し、アルカリ
水溶液に可溶なポリマを得ることができた。
【００３２】実施例１（電子線露光例）合成例により得
られたポリマ１ｇと溶解抑止剤としてポリｐ−トリメチ
ルシリルオキシスチレン０．１ ｇと、酸発生剤として
ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート
０．０２ｇとをメチルイソブチルケトン１５ ｍｌに溶
解し、孔径が０．１ μｍ のメンブレンフィルタで濾
過してレジスト溶液とした。
られたポリマ１ｇと溶解抑止剤としてポリｐ−トリメチ
ルシリルオキシスチレン０．１ ｇと、酸発生剤として
ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート
０．０２ｇとをメチルイソブチルケトン１５ ｍｌに溶
解し、孔径が０．１ μｍ のメンブレンフィルタで濾
過してレジスト溶液とした。
【００３３】次に、Ｓｉ基板上にノボラック系レジスト
（ＭＰ−１３００， シプレー社） を２．０ μｍ
の厚さになるように塗布し、ハードベークして平坦化層
とした。この上に、上記のレジスト溶液を０．２ μｍ
の厚さになるように塗布し、８０℃で２０分間ベーキ
ングした。
（ＭＰ−１３００， シプレー社） を２．０ μｍ
の厚さになるように塗布し、ハードベークして平坦化層
とした。この上に、上記のレジスト溶液を０．２ μｍ
の厚さになるように塗布し、８０℃で２０分間ベーキ
ングした。
【００３４】こうして得られた二層レジスト膜に加速電
圧２０ＫＶ， 露光量４０μＣ／ｃｍ２ の条件で電子
線を露光し、１１０ ℃で２分間ポストベークを行った
後、２．５ ％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液を用いて現像を行った。
圧２０ＫＶ， 露光量４０μＣ／ｃｍ２ の条件で電子
線を露光し、１１０ ℃で２分間ポストベークを行った
後、２．５ ％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液を用いて現像を行った。
【００３５】次に、試料を平行平板型のドライエッチン
グ装置に入れ、酸素プラズマ（真空度２Ｐａ， 電力０
．２２Ｗ／ｃｍ２ ） で１５分間に亙ってドライエッ
チングを行い、上層パターンを下層に転写した。
グ装置に入れ、酸素プラズマ（真空度２Ｐａ， 電力０
．２２Ｗ／ｃｍ２ ） で１５分間に亙ってドライエッ
チングを行い、上層パターンを下層に転写した。
【００３６】この結果、０．７ μｍ の抜きパターン
を解像することができた。 実施例２：（エキシマレーザ露光例）合成例により得ら
れたポリマ１ｇと溶解抑止剤としてポリｐ−トリメチル
シリルオキシスチレン０．１ ｇと、酸発生剤としてジ
フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート０
．０２ｇとをメチルイソブチルケトン１５ ｍｌに溶解
し、孔径が０．１μｍ のメンブレンフィルタで濾過し
てレジスト溶液とした。
を解像することができた。 実施例２：（エキシマレーザ露光例）合成例により得ら
れたポリマ１ｇと溶解抑止剤としてポリｐ−トリメチル
シリルオキシスチレン０．１ ｇと、酸発生剤としてジ
フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート０
．０２ｇとをメチルイソブチルケトン１５ ｍｌに溶解
し、孔径が０．１μｍ のメンブレンフィルタで濾過し
てレジスト溶液とした。
【００３７】次に、Ｓｉ基板上にノボラック系レジスト
（ＭＰ−１３００， シプレー社） を２．０ μｍ
の厚さになるように塗布し、ハードベークして平坦化層
とした。この上に、上記のレジスト溶液を０．２ μｍ
の厚さになるように塗布し、８０℃で２０分間ベーキ
ングした。
（ＭＰ−１３００， シプレー社） を２．０ μｍ
の厚さになるように塗布し、ハードベークして平坦化層
とした。この上に、上記のレジスト溶液を０．２ μｍ
の厚さになるように塗布し、８０℃で２０分間ベーキ
ングした。
【００３８】こうして得られた二層レジスト膜にＫｒＦ
エキシマレーザ装置（ 波長２４８ｎｍ）を用い、２
００ｍＪ／ｃｍ２ の露光量で露光し、１１０ ℃で２
分間ポストベークを行った後、２．５ ％のテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像を行っ
た。次に、試料を平行平板型のドライエッチング装置に
入れ、酸素プラズマ（真空度２Ｐａ， 電力０．２２Ｗ
／ｃｍ２ ） で１５分間に亙ってドライエッチングを
行い、上層パターンを下層に転写した。
エキシマレーザ装置（ 波長２４８ｎｍ）を用い、２
００ｍＪ／ｃｍ２ の露光量で露光し、１１０ ℃で２
分間ポストベークを行った後、２．５ ％のテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像を行っ
た。次に、試料を平行平板型のドライエッチング装置に
入れ、酸素プラズマ（真空度２Ｐａ， 電力０．２２Ｗ
／ｃｍ２ ） で１５分間に亙ってドライエッチングを
行い、上層パターンを下層に転写した。
【００３９】この結果、１．０ μｍ のスペースパタ
ーンを解像することができた。 実施例３：（電子線露光で溶解抑止剤を変えた例）合成
例２により得られたポリマ１ｇと溶解抑止剤としてジタ
ーシャリブチルテレフタレート０．０２ｇと、酸発生剤
としてジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート０．０２ｇとをメチルイソブチルケトン１５ ｍ
ｌに溶解し、孔径が０．１μｍ のメンブレンフィルタ
で濾過してレジスト溶液とした。
ーンを解像することができた。 実施例３：（電子線露光で溶解抑止剤を変えた例）合成
例２により得られたポリマ１ｇと溶解抑止剤としてジタ
ーシャリブチルテレフタレート０．０２ｇと、酸発生剤
としてジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート０．０２ｇとをメチルイソブチルケトン１５ ｍ
ｌに溶解し、孔径が０．１μｍ のメンブレンフィルタ
で濾過してレジスト溶液とした。
【００４０】次に、Ｓｉ基板上にノボラック系レジスト
（ＭＰ−１３００， シプレー社） を２．０ μｍ
の厚さになるように塗布し、ハードベークして平坦化層
とした。この上に、上記のレジスト溶液を０．２ μｍ
の厚さになるように塗布し、８０℃で２０分間ベーキ
ングした。
（ＭＰ−１３００， シプレー社） を２．０ μｍ
の厚さになるように塗布し、ハードベークして平坦化層
とした。この上に、上記のレジスト溶液を０．２ μｍ
の厚さになるように塗布し、８０℃で２０分間ベーキ
ングした。
【００４１】こうして得られた二層レジスト膜に加速電
圧２０ＫＶ， 露光量５２μＣ／ｃｍ２ の条件で電子
線を露光し、１１０ ℃で２分間のポストベークを行っ
た後、２．５ ％のテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液を用いて現像を行った。
圧２０ＫＶ， 露光量５２μＣ／ｃｍ２ の条件で電子
線を露光し、１１０ ℃で２分間のポストベークを行っ
た後、２．５ ％のテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液を用いて現像を行った。
【００４２】次に、試料を平行平板型のドライエッチン
グ装置に入れ、酸素プラズマ（真空度２Ｐａ， 電力０
．２２Ｗ／ｃｍ２ ） で１５分間に亙ってドライエッ
チングを行い、上層パターンを下層に転写した。
グ装置に入れ、酸素プラズマ（真空度２Ｐａ， 電力０
．２２Ｗ／ｃｍ２ ） で１５分間に亙ってドライエッ
チングを行い、上層パターンを下層に転写した。
【００４３】この結果、０．８ μｍ の抜きパターン
を解像することができた。
を解像することができた。
【００４４】
【発明の効果】本発明に係るレジストは耐プラズマエッ
チング性に優れ三次元の網目構造をもつシルフェリレン
・シロキサン樹脂を主成分とするポジ型レジストであり
、また、現像をアルカリ水溶液を用いて行なえることか
ら解像性に優れたレジストパターンを得ることができる
。
チング性に優れ三次元の網目構造をもつシルフェリレン
・シロキサン樹脂を主成分とするポジ型レジストであり
、また、現像をアルカリ水溶液を用いて行なえることか
ら解像性に優れたレジストパターンを得ることができる
。
【図１】溶解抑止剤の一般式（その１）である。
【図２】溶解抑止剤の一般式（その２）である。
【図３】溶解抑止剤の一般式（その３）である。
【図４】溶解抑止剤の一般式（その４）である。
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（１） で示される有機硅
素化合物を加水分解し、引き続いて脱水縮重合して得ら
れるポリマ中に残存する水酸基を下記一般式（２） で
示される有機硅素化合物で置換した有機硅素重合体と、
該有機硅素重合体のアルカリ水溶液に対する溶解抑止剤
と、電離放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、
有機溶剤とからなることを特徴とするレジスト組成物。 【化１】 こゝで、Ｒ１ は水素，トリアルコキシシリル基，トリ
クロロシリル基の何れかを表し、同一または異なってい
てもよく、Ｒ１ のうち少なくとも２つ以上はトリアル
コキシシリル基，またはトリクロロシリル基であること
、【化２】 こゝで、Ｒ２ は（ＣＨ２）ｍ ＣＯＯＨ， （ＣＨ
２）ｎ Ｐｈ ＣＯＯＨ，（但し、ｍ は１〜１０の整
数，ｎは０〜１０の整数，Ｐｈはフェニレン基），低級
アルキル基，アリール基または低級アルケニル基を示し
、同一または異なっていてもよく、Ｒ２ のうち少なく
とも２０％以上が（ＣＨ２）ｍ ＣＯＯＨまたは （Ｃ
Ｈ２）ｎ Ｐｈ ＣＯＯＨであること。 - 【請求項２】 被処理基板上に有機高分子化合物を下
層レジストとして塗布し、前記基板表面の段差を平坦化
した後、請求項１記載のレジスト組成物を上層レジスト
として塗布し、該上層レジストに電離放射線を選択露光
してアルカリ現像液で現像し、形成された上層レジスト
パターンをマスクとしてエッチングし、下層レジストに
転写することを特徴とするレジストパターンの形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3010465A JP2985305B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3010465A JP2985305B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245248A true JPH04245248A (ja) | 1992-09-01 |
| JP2985305B2 JP2985305B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=11750886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3010465A Expired - Fee Related JP2985305B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2985305B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017090515A (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-25 | 株式会社カネカ | ネガ型硬化性組成物、硬化物および積層体 |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP3010465A patent/JP2985305B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017090515A (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-25 | 株式会社カネカ | ネガ型硬化性組成物、硬化物および積層体 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2985305B2 (ja) | 1999-11-29 |
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