JPH04245462A - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置およびその製造方法Info
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- JPH04245462A JPH04245462A JP3009900A JP990091A JPH04245462A JP H04245462 A JPH04245462 A JP H04245462A JP 3009900 A JP3009900 A JP 3009900A JP 990091 A JP990091 A JP 990091A JP H04245462 A JPH04245462 A JP H04245462A
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- circuit device
- semiconductor chip
- semiconductor integrated
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
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- Wire Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置技
術に関し、特に、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式の半導体集積回路装置におけ
る放熱技術に関するものである。
術に関し、特に、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式の半導体集積回路装置におけ
る放熱技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢ方式は、テープ状のフィルムに繰
り返し形成された導体リードの先端部と、半導体チップ
の電極とをバンプを介して接合する技術である。
り返し形成された導体リードの先端部と、半導体チップ
の電極とをバンプを介して接合する技術である。
【０００３】ＴＡＢ方式の半導体集積回路装置における
放熱構造としては、例えばＴＡＢ方式の半導体集積回路
装置を実装する装置側基板と半導体チップとの間に弾性
体を介在させ、その弾性体の弾性力によって半導体チッ
プを別に設けられた放熱器に押し付ける構造がある。
放熱構造としては、例えばＴＡＢ方式の半導体集積回路
装置を実装する装置側基板と半導体チップとの間に弾性
体を介在させ、その弾性体の弾性力によって半導体チッ
プを別に設けられた放熱器に押し付ける構造がある。
【０００４】また、他の放熱構造としては、例えば株式
会社・工業調査会、１９９０年１月２５日発行、「ＴＡ
Ｂ技術入門」Ｐ２５９〜Ｐ２６０に記載があり、この文
献には、放熱フィンを設けたＴＡＢ方式の半導体集積回
路装置技術について説明されている。
会社・工業調査会、１９９０年１月２５日発行、「ＴＡ
Ｂ技術入門」Ｐ２５９〜Ｐ２６０に記載があり、この文
献には、放熱フィンを設けたＴＡＢ方式の半導体集積回
路装置技術について説明されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、近年は、素
子の高集積化や半導体チップの大形化並びに回路動作の
高速化等に伴って半導体チップからの発熱量も増す傾向
にあるため、ＴＡＢ方式の半導体集積回路装置において
も半導体チップで発生した熱を如何にして良好に放散す
るかが重大な課題となりつつある。
子の高集積化や半導体チップの大形化並びに回路動作の
高速化等に伴って半導体チップからの発熱量も増す傾向
にあるため、ＴＡＢ方式の半導体集積回路装置において
も半導体チップで発生した熱を如何にして良好に放散す
るかが重大な課題となりつつある。
【０００６】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、ＴＡＢ方式の半導体集積回路装置
の放熱性を向上させることのできる技術を提供すること
にある。
であり、その目的は、ＴＡＢ方式の半導体集積回路装置
の放熱性を向上させることのできる技術を提供すること
にある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【０００９】すなわち、請求項１記載の発明は、テープ
キャリヤに形成されたリードの端部にバンプを介して半
導体チップを接合してなる半導体集積回路装置であって
、前記半導体チップの主面または裏面に放熱手段を接合
した半導体集積回路装置構造とするものである。
キャリヤに形成されたリードの端部にバンプを介して半
導体チップを接合してなる半導体集積回路装置であって
、前記半導体チップの主面または裏面に放熱手段を接合
した半導体集積回路装置構造とするものである。
【００１０】
【作用】上記した請求項１記載の発明によれば、放熱手
段自体を半導体チップの裏面または主面に接合するので
、放熱経路の熱抵抗を非常に小さくすることができる。
段自体を半導体チップの裏面または主面に接合するので
、放熱経路の熱抵抗を非常に小さくすることができる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例である半導体集積回
路装置の要部断面図、図２は図１の半導体集積回路装置
の製造方法を説明するための説明図、図３および図４は
この半導体集積回路装置の製造方法の変形例を説明する
ための説明図である。
路装置の要部断面図、図２は図１の半導体集積回路装置
の製造方法を説明するための説明図、図３および図４は
この半導体集積回路装置の製造方法の変形例を説明する
ための説明図である。
【００１２】本実施例の半導体集積回路装置は、図１に
示すように、ＴＡＢ方式の半導体集積回路装置１である
。
示すように、ＴＡＢ方式の半導体集積回路装置１である
。
【００１３】テープキャリヤ２に形成されたリード３の
先端部は、半導体チップ４の主面側に形成された半導体
集積回路（図示せず）にバンプ５を介して電気的に接続
されている。
先端部は、半導体チップ４の主面側に形成された半導体
集積回路（図示せず）にバンプ５を介して電気的に接続
されている。
【００１４】テープキャリヤ２は、例えばポリイミド樹
脂、ガラスエポキシ樹脂あるいはビスマレイミドトリア
ジン（ＢＴ）樹脂からなる。リード３は、例えば銅（Ｃ
ｕ）からなり、その表面にはスズ（Ｓｎ）あるいは金（
Ａｕ）メッキ処理等が施されている。半導体チップ４は
、例えばシリコン（Ｓｉ）からなり、その主面側にはＣ
ＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｉｍｅｎｔａｒｙ ＭＯＳ）ゲート
アレイ等のような半導体集積回路が形成されている。ま
た、半導体チップ４は、所定の樹脂からなる封止部６に
よって被覆され、外部環境から保護されている。バンプ
５は、例えばＡｕからなり、半導体チップ４の主面側外
周に複数形成されている。
脂、ガラスエポキシ樹脂あるいはビスマレイミドトリア
ジン（ＢＴ）樹脂からなる。リード３は、例えば銅（Ｃ
ｕ）からなり、その表面にはスズ（Ｓｎ）あるいは金（
Ａｕ）メッキ処理等が施されている。半導体チップ４は
、例えばシリコン（Ｓｉ）からなり、その主面側にはＣ
ＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｉｍｅｎｔａｒｙ ＭＯＳ）ゲート
アレイ等のような半導体集積回路が形成されている。ま
た、半導体チップ４は、所定の樹脂からなる封止部６に
よって被覆され、外部環境から保護されている。バンプ
５は、例えばＡｕからなり、半導体チップ４の主面側外
周に複数形成されている。
【００１５】ところで、本実施例においては、半導体チ
ップ４の裏面側に放熱フィン７が、例えばシリコーンゴ
ム等からなる接着剤層８によって接合されている。放熱
フィン７は、例えばアルミニウム（Ａｌ）等のような熱
伝導性の高い材料からなる。
ップ４の裏面側に放熱フィン７が、例えばシリコーンゴ
ム等からなる接着剤層８によって接合されている。放熱
フィン７は、例えばアルミニウム（Ａｌ）等のような熱
伝導性の高い材料からなる。
【００１６】すなわち、本実施例のＴＡＢ方式の半導体
集積回路装置１においては、放熱フィン７自体が半導体
チップ４の裏面に接合されているので、放熱経路の熱抵
抗を非常に小さくでき、放熱性を向上させることが可能
な構造になっている。
集積回路装置１においては、放熱フィン７自体が半導体
チップ４の裏面に接合されているので、放熱経路の熱抵
抗を非常に小さくでき、放熱性を向上させることが可能
な構造になっている。
【００１７】また、本実施例のＴＡＢ方式の半導体集積
回路装置１においては、放熱フィン７が半導体チップ４
の裏面側の封止部分を兼ねているので、半導体集積回路
装置１の厚さを薄形化することが可能な上、半導体集積
回路装置１の製造も比較的容易な構造になっている。
回路装置１においては、放熱フィン７が半導体チップ４
の裏面側の封止部分を兼ねているので、半導体集積回路
装置１の厚さを薄形化することが可能な上、半導体集積
回路装置１の製造も比較的容易な構造になっている。
【００１８】なお、接着剤層８は、シリコーンゴムに限
定されるものではなく種々変更可能であり、例えば熱伝
導性が高い、熱膨張係数が半導体チップに近い、半導体
チップに形成された素子に悪影響を与えない等の特性を
有する材料が好ましい。
定されるものではなく種々変更可能であり、例えば熱伝
導性が高い、熱膨張係数が半導体チップに近い、半導体
チップに形成された素子に悪影響を与えない等の特性を
有する材料が好ましい。
【００１９】このようなＴＡＢ方式の半導体集積回路装
置１を製造するには、例えば次のようにする。
置１を製造するには、例えば次のようにする。
【００２０】すなわち、まず、図２に示すように、テー
プキャリヤ２に形成されたリード３の先端部と半導体チ
ップ４のバンプ５とを所定のギャングボンディング法等
によって接続した後、例えば放熱フィン７の裏面側にシ
リコーンゴム等からなる接着剤層８を形成する。なお、
リード３の先端部と半導体チップ４のバンプ５との接続
方法としては、例えばシングルボンディング法でも良い
。また、接着剤層８は、半導体チップ４の裏面に形成し
ても良い。
プキャリヤ２に形成されたリード３の先端部と半導体チ
ップ４のバンプ５とを所定のギャングボンディング法等
によって接続した後、例えば放熱フィン７の裏面側にシ
リコーンゴム等からなる接着剤層８を形成する。なお、
リード３の先端部と半導体チップ４のバンプ５との接続
方法としては、例えばシングルボンディング法でも良い
。また、接着剤層８は、半導体チップ４の裏面に形成し
ても良い。
【００２１】続いて、半導体チップ４の裏面と放熱フィ
ン７上の接着剤層８とを互いに対向させ、かつ位置合わ
せした後、半導体チップ４を図の下方に移動して半導体
チップ４の裏面と放熱フィン７の裏面とを接合する。
ン７上の接着剤層８とを互いに対向させ、かつ位置合わ
せした後、半導体チップ４を図の下方に移動して半導体
チップ４の裏面と放熱フィン７の裏面とを接合する。
【００２２】その後、半導体チップ４にポッティング樹
脂を被覆して図１に示した封止部６を形成し、ＴＡＢ方
式の半導体集積回路装置１を製造する。
脂を被覆して図１に示した封止部６を形成し、ＴＡＢ方
式の半導体集積回路装置１を製造する。
【００２３】また、本実施例のＴＡＢ方式の半導体集積
回路装置１の製造方法として、例えば次のようにしても
良い。
回路装置１の製造方法として、例えば次のようにしても
良い。
【００２４】すなわち、図３に示すように、テープキャ
リヤ２に形成されたリード３の先端部と半導体チップ４
のバンプ５とを接続した後、半導体チップ４をその裏面
と放熱フィン７の裏面との間に所定の微小間隔を開けた
状態にして保持する。
リヤ２に形成されたリード３の先端部と半導体チップ４
のバンプ５とを接続した後、半導体チップ４をその裏面
と放熱フィン７の裏面との間に所定の微小間隔を開けた
状態にして保持する。
【００２５】続いて、図４に示すように、半導体チップ
４をポッティング樹脂により被覆して封止部６を形成す
るとともに、半導体チップ４の裏面と放熱フィン７の裏
面とを接合してＴＡＢ方式の半導体集積回路装置１を製
造する。この場合、接着剤層８（図１、図２参照）の形
成工程を省くことができるので、製造時間を短縮するこ
とが可能となる。
４をポッティング樹脂により被覆して封止部６を形成す
るとともに、半導体チップ４の裏面と放熱フィン７の裏
面とを接合してＴＡＢ方式の半導体集積回路装置１を製
造する。この場合、接着剤層８（図１、図２参照）の形
成工程を省くことができるので、製造時間を短縮するこ
とが可能となる。
【００２６】このように本実施例によれば、以下の効果
を得ることが可能となる。
を得ることが可能となる。
【００２７】（１）．テープキャリヤ２に形成されたリ
ード３の先端部にバンプ５を介して接合された半導体チ
ップ４の裏面に放熱フィン７を接合したことにより、放
熱経路の熱抵抗を非常に小さくできるので、放熱性を向
上させることが可能となる。
ード３の先端部にバンプ５を介して接合された半導体チ
ップ４の裏面に放熱フィン７を接合したことにより、放
熱経路の熱抵抗を非常に小さくできるので、放熱性を向
上させることが可能となる。
【００２８】（２）．半導体チップ４の裏面に放熱フィ
ン７を接合したことにより、放熱フィン７が半導体チッ
プ４の裏面側の封止部分を兼ねるようになるので、放熱
フィン７を有するＴＡＢ方式の半導体集積回路装置１を
薄形化することが可能となる。
ン７を接合したことにより、放熱フィン７が半導体チッ
プ４の裏面側の封止部分を兼ねるようになるので、放熱
フィン７を有するＴＡＢ方式の半導体集積回路装置１を
薄形化することが可能となる。
【００２９】（３）．半導体チップ４の裏面に放熱フィ
ン７を接合したことにより、放熱フィン７が半導体チッ
プ４の裏面側の封止部分を兼ねるようになるので、封止
樹脂による半導体チップ４の被覆が容易となり、放熱フ
ィンを有するＴＡＢ方式の半導体集積回路装置１の製造
を比較的容易に行うことが可能となる。
ン７を接合したことにより、放熱フィン７が半導体チッ
プ４の裏面側の封止部分を兼ねるようになるので、封止
樹脂による半導体チップ４の被覆が容易となり、放熱フ
ィンを有するＴＡＢ方式の半導体集積回路装置１の製造
を比較的容易に行うことが可能となる。
【００３０】図５は本発明の他の実施例である半導体集
積回路装置の要部断面図、図６は図５の半導体集積回路
装置の製造方法を説明するための説明図、図７および図
８はこの半導体集積回路装置の製造方法の変形例を説明
するための説明図である。
積回路装置の要部断面図、図６は図５の半導体集積回路
装置の製造方法を説明するための説明図、図７および図
８はこの半導体集積回路装置の製造方法の変形例を説明
するための説明図である。
【００３１】本実施例においては、図５に示すように、
放熱フィン７の脚部７ａが、半導体チップ４の主面側に
、例えばシリコーンゴム等からなる接着剤層８によって
接合されている。すなわち、本実施例においては、半導
体チップ４の主面側で発生した熱をその主面側から放散
することが可能な構造になっている。したがって、前記
第一実施例の場合よりも放熱性を向上させることができ
、半導体集積回路の動作信頼性を向上させることが可能
な構造となっている。
放熱フィン７の脚部７ａが、半導体チップ４の主面側に
、例えばシリコーンゴム等からなる接着剤層８によって
接合されている。すなわち、本実施例においては、半導
体チップ４の主面側で発生した熱をその主面側から放散
することが可能な構造になっている。したがって、前記
第一実施例の場合よりも放熱性を向上させることができ
、半導体集積回路の動作信頼性を向上させることが可能
な構造となっている。
【００３２】本実施例のＴＡＢ方式の半導体集積回路装
置１を製造するには、例えば次のようにする。
置１を製造するには、例えば次のようにする。
【００３３】すなわち、まず、図６に示すように、テー
プキャリヤ２のリード３の先端部と半導体チップ４のバ
ンプ５とを接続した後、例えば半導体チップ４の主面側
にシリコーンゴム等からなる接着剤層８を形成する。な
お、接着剤層８は、放熱フィン７の脚部７ａの下面に形
成しても良い。
プキャリヤ２のリード３の先端部と半導体チップ４のバ
ンプ５とを接続した後、例えば半導体チップ４の主面側
にシリコーンゴム等からなる接着剤層８を形成する。な
お、接着剤層８は、放熱フィン７の脚部７ａの下面に形
成しても良い。
【００３４】続いて、放熱フィン７の脚部７ａ下面と半
導体チップ４の主面側の接着剤層８とを互いに対向させ
、かつ位置合わせした後、放熱フィン７を図の下方に移
動して放熱フィン７の脚部７ａと半導体チップ４の主面
とを接合する。
導体チップ４の主面側の接着剤層８とを互いに対向させ
、かつ位置合わせした後、放熱フィン７を図の下方に移
動して放熱フィン７の脚部７ａと半導体チップ４の主面
とを接合する。
【００３５】その後、図５に示したように、半導体チッ
プ４をポッティング樹脂により被覆して封止部６を形成
し、ＴＡＢ方式の半導体集積回路装置１を製造する。
プ４をポッティング樹脂により被覆して封止部６を形成
し、ＴＡＢ方式の半導体集積回路装置１を製造する。
【００３６】また、本実施例の半導体集積回路装置１の
製造方法として、例えば次のようにしても良い。
製造方法として、例えば次のようにしても良い。
【００３７】すなわち、図７に示すように、テープキャ
リヤ２に形成されたリード３の先端部と半導体チップ４
のバンプ５とを接続した後、放熱フィン７を図の下方に
移動させ、その脚部７ａ下面と半導体チップ４の主面と
の間に所定の微小間隔を開けた状態で保持しておく。
リヤ２に形成されたリード３の先端部と半導体チップ４
のバンプ５とを接続した後、放熱フィン７を図の下方に
移動させ、その脚部７ａ下面と半導体チップ４の主面と
の間に所定の微小間隔を開けた状態で保持しておく。
【００３８】続いて、図８に示すように、半導体チップ
４をポッティング樹脂により被覆して封止部６を形成す
るとともに、半導体チップ４の主面と放熱フィン７の脚
部７ａとを接合してＴＡＢ方式の半導体集積回路装置１
を製造する。この場合、接着剤層８の形成工程を省くこ
とができるので、製造時間を短縮することが可能となる
。
４をポッティング樹脂により被覆して封止部６を形成す
るとともに、半導体チップ４の主面と放熱フィン７の脚
部７ａとを接合してＴＡＢ方式の半導体集積回路装置１
を製造する。この場合、接着剤層８の形成工程を省くこ
とができるので、製造時間を短縮することが可能となる
。
【００３９】このように本実施例によれば、半導体チッ
プ４の主面側に放熱フィン７を接合したことにより、半
導体チップ４の主面側で発生した熱をその主面側から放
散することができるので、前記第一の実施例の場合より
も放熱性を向上させることが可能となる。
プ４の主面側に放熱フィン７を接合したことにより、半
導体チップ４の主面側で発生した熱をその主面側から放
散することができるので、前記第一の実施例の場合より
も放熱性を向上させることが可能となる。
【００４０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４１】例えば前記第一実施例においては、半導体
チップの裏面と放熱フィンとを接着剤層により単に接合
した場合について説明したが、これに限定されるもので
はなく、例えば図９に示すように、放熱フィン７の裏面
側に半導体チップ４が入る程度の凹状の溝９を形成し、
その溝９の中に半導体チップ４を埋め込み、半導体チッ
プ４と放熱フィン７とを接着剤層８により接合しても良
い。この場合、半導体チップ４の側面からも熱を放散で
きるので、放熱性をさらに向上させることが可能となる
。また、半導体チップ４を溝９に埋設した分、放熱フィ
ン７を有するＴＡＢ方式の半導体集積回路装置１を薄形
化することが可能となる。さらに、封止樹脂を半導体チ
ップ４の主面側のみに被着すれば良いので、封止樹脂の
形成を容易にすることが可能となる。
チップの裏面と放熱フィンとを接着剤層により単に接合
した場合について説明したが、これに限定されるもので
はなく、例えば図９に示すように、放熱フィン７の裏面
側に半導体チップ４が入る程度の凹状の溝９を形成し、
その溝９の中に半導体チップ４を埋め込み、半導体チッ
プ４と放熱フィン７とを接着剤層８により接合しても良
い。この場合、半導体チップ４の側面からも熱を放散で
きるので、放熱性をさらに向上させることが可能となる
。また、半導体チップ４を溝９に埋設した分、放熱フィ
ン７を有するＴＡＢ方式の半導体集積回路装置１を薄形
化することが可能となる。さらに、封止樹脂を半導体チ
ップ４の主面側のみに被着すれば良いので、封止樹脂の
形成を容易にすることが可能となる。
【００４２】また、前記第二実施例における放熱フィン
脚部の形状は、図５に示した形状に限定されるものでは
なく種々変更可能であり、例えば図１０に示すように、
放熱フィン７の脚部７ａと羽部７ｂとの接合軸部７ｃを
幅広としても良い。この場合、放熱経路の断面積が増大
するので、放熱性をさらに向上させることが可能となる
。
脚部の形状は、図５に示した形状に限定されるものでは
なく種々変更可能であり、例えば図１０に示すように、
放熱フィン７の脚部７ａと羽部７ｂとの接合軸部７ｃを
幅広としても良い。この場合、放熱経路の断面積が増大
するので、放熱性をさらに向上させることが可能となる
。
【００４３】また、前記各実施例においては、半導体チ
ップにＣＭＯＳが形成されたＴＡＢ方式の半導体集積回
路装置に本発明を適用した場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく種々変更可能であり、例え
ば半導体チップにバイポーラトランジスタやバイポーラ
トランジスタとＣＭＯＳとの混成回路素子が形成された
ＴＡＢ方式の半導体集積回路装置に本発明を適用するこ
とも可能である。
ップにＣＭＯＳが形成されたＴＡＢ方式の半導体集積回
路装置に本発明を適用した場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく種々変更可能であり、例え
ば半導体チップにバイポーラトランジスタやバイポーラ
トランジスタとＣＭＯＳとの混成回路素子が形成された
ＴＡＢ方式の半導体集積回路装置に本発明を適用するこ
とも可能である。
【００４４】また、前記各実施例においては、半導体チ
ップにゲートアレイが形成されたＴＡＢ方式の半導体集
積回路装置に本発明を適用した場合について説明したが
、これに限定されるものではなく種々変更可能であり、
例えば半導体チップに他の論理回路あるいはＤＲＡＭ（
Ｄｙｎａｍｉｃ ＲＡＭ）やＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ
ＲＡＭ）等の半導体メモリ回路が形成されたＴＡＢ方式
の半導体集積回路装置に本発明を適用することも可能で
ある。
ップにゲートアレイが形成されたＴＡＢ方式の半導体集
積回路装置に本発明を適用した場合について説明したが
、これに限定されるものではなく種々変更可能であり、
例えば半導体チップに他の論理回路あるいはＤＲＡＭ（
Ｄｙｎａｍｉｃ ＲＡＭ）やＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ
ＲＡＭ）等の半導体メモリ回路が形成されたＴＡＢ方式
の半導体集積回路装置に本発明を適用することも可能で
ある。
【００４５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００４６】すなわち、請求項１記載の発明によれば、
放熱手段自体を半導体チップの裏面または主面に接合す
ることにより、放熱経路の熱抵抗を非常に小さくするこ
とができるので、ＴＡＢ方式の半導体集積回路装置の放
熱性を向上させることが可能となる。
放熱手段自体を半導体チップの裏面または主面に接合す
ることにより、放熱経路の熱抵抗を非常に小さくするこ
とができるので、ＴＡＢ方式の半導体集積回路装置の放
熱性を向上させることが可能となる。
【図１】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
要部断面図である。
要部断面図である。
【図２】図１の半導体集積回路装置の製造方法を説明す
るための説明図である。
るための説明図である。
【図３】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の製造方法を説明するための説明図である。
の製造方法を説明するための説明図である。
【図４】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の製造方法を説明するための説明図である。
の製造方法を説明するための説明図である。
【図５】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の要部断面図である。
の要部断面図である。
【図６】図５の半導体集積回路装置の製造方法を説明す
るための説明図である。
るための説明図である。
【図７】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の製造方法を説明するための説明図である。
の製造方法を説明するための説明図である。
【図８】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の製造方法を説明するための説明図である。
の製造方法を説明するための説明図である。
【図９】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の要部断面図である。
の要部断面図である。
【図１０】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の要部断面図である。
置の要部断面図である。
１ 半導体集積回路装置
２ テープキャリヤ
３ リード
４ 半導体チップ
５ バンプ
６ 封止部
７ 放熱フィン
７ａ 脚部
７ｂ 羽部
７ｃ 接合軸部
８ 接着剤層
９ 溝
Claims (3)
- 【請求項１】 テープキャリヤに形成されたリードの
端部にバンプを介して半導体チップを接合してなる半導
体集積回路装置であって、前記半導体チップの主面また
は裏面に放熱手段を接合したことを特徴とする半導体集
積回路装置。 - 【請求項２】 前記放熱手段が放熱フィンであること
を特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体集積回路装置を
製造する際、テープキャリヤのリードの端部にバンプを
介して接合された半導体チップの主面または裏面と放熱
フィンとを接着剤によって接合した後、前記半導体チッ
プを封止用樹脂により封止することを特徴とする半導体
集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3009900A JPH04245462A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3009900A JPH04245462A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245462A true JPH04245462A (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=11732992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3009900A Pending JPH04245462A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04245462A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831869A (ja) * | 1994-05-09 | 1996-02-02 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法及びその実装検査方法 |
| EP0712159A3 (en) * | 1994-11-08 | 1997-03-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Structure of a resin molded semiconductor |
| US5789820A (en) * | 1996-02-28 | 1998-08-04 | Nec Corporation | Method for manufacturing heat radiating resin-molded semiconductor device |
-
1991
- 1991-01-30 JP JP3009900A patent/JPH04245462A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831869A (ja) * | 1994-05-09 | 1996-02-02 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法及びその実装検査方法 |
| EP0712159A3 (en) * | 1994-11-08 | 1997-03-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Structure of a resin molded semiconductor |
| US6002181A (en) * | 1994-11-08 | 1999-12-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Structure of resin molded type semiconductor device with embedded thermal dissipator |
| US5789820A (en) * | 1996-02-28 | 1998-08-04 | Nec Corporation | Method for manufacturing heat radiating resin-molded semiconductor device |
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