JPH04245657A - Ｔａｂテープ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ベースフィルム上に形
成されたリードが半導体素子の電極にバンプを介して接
合されるＴＡＢテープに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＴＡＢテープは他の実装方法に比べて、
たとえば半導体素子の多ピン化、電極ピッチの縮小化に
対応できる等の優れた特色を持っている。図６及び図７
は従来のＴＡＢテープについて説明するための概略部分
側面図である。ＴＡＢテープは、リード３が極めて薄い
箔状に形成されたものであるため、たとえばＩＬＢ（Ｉ
ｎｎｅｒ　Ｌｅａｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）の際に、リード
３が変形して、リード３と半導体素子１とが図６に示す
ように接触し、リード３間が短絡されることがあった。 このため、従来のＴＡＢテープでは、半導体素子１とリ
ード３とをバンプ４を介して接合するときに、同時にリ
ード３を機械的に図７に示すように成形することにより
、或いは両者が接触すると思われる半導体素子１又はリ
ード３の部分に絶縁材を塗布することにより、リード３
と半導体素子１との接触を防止していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
リード３を機械的に成形する方法では、リードを成形す
る際にリードを損傷してしまうという問題があり、また
後者の絶縁材を塗布する方法では、絶縁材を塗布するた
めに新たな工程が必要となり、コスト高になるだけでな
く、歩留りも悪くなるという問題がある。

【０００４】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、リードと半導体素子との接触によるリード間の
短絡を防止できるＴＡＢテープを提供することを目的と
するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めの本発明は、ベースフィルムと、該ベースフィルムに
形成されたリードと、該リードとバンプを介して接合さ
れる半導体素子とを備えたＴＡＢテープにおいて、前記
半導体素子と前記リードとの間に前記ベースフィルムを
介在させるように構成したことを特徴とするものである
。また、前記半導体素子と対向する前記ベースフィルム
の四隅に切り欠部を形成し、前記半導体素子の四隅が前
記ベースフィルムと対向しないように構成することが望
ましい。

【０００６】

【作用】本発明は前記の構成によって、半導体素子とリ
ードとの間にベースフィルムを介在させたことにより、
ベースフィルムが絶縁材の役割をするので、半導体素子
とリードとの接触に起因するリード間の短絡を防止する
とともに、リードの強度劣化を防止する。また、前記半
導体素子と対向する前記ベースフィルムの四隅に切り欠
部を形成し、前記半導体素子の四隅が前記ベースフィル
ムと対向しないように構成したことにより、半導体素子
の四隅がベースフィルムに接触しないので、半導体素子
とベースフィルムとの間に生ずるストレスを緩和するこ
とができる。

【０００７】

【実施例】以下に図面を参照しつつ本発明の実施例につ
いて説明する。図１は本発明の一実施例であるＴＡＢテ
ープの概略部分側面図である。図１に示すＴＡＢテープ
は、ベースフィルム２と、ベースフィルム２に形成され
たリード３と、半導体素子１とからなり半導体素子１と
リード３とはバンプ４を介して接合されている。また、
半導体素子１とリード３との間には、図１に示すように
バンプ４の際までベースフィルム２が形成されている。 すなわち、本実施例では図１において半導体素子１の四
辺の端縁部の上部に、ベースフィルム２のデバイスホー
ル５の四辺に沿った端縁部が位置するようにデバイスホ
ール５を形成する。

【０００８】本実施例は上記の構成としたことにより、
半導体素子１とリード３との間にはベースフィルム２が
介在されているので、半導体素子１とリード３との接触
を防止し、両者の接触に起因するリード３間の短絡を防
ぐことができる。また、リード３自体には何の変形も加
えられないので、リード３が損傷される心配もない。更
に、本実施例は、ベースフィルム２の形成過程において
、デバイスホース５の形状を従来のものに比べて、若干
小さく形成するだけ実現することができ、特別の工程や
装置は不要ある。このため、本実施例のＴＡＢテープは
従来のものに比べて低コストで、しかも容易に実現する
ことができる。

【０００９】図２及び図３は本実施例の変形例を示す図
である。上記の実施例では、半導体素子１とリード３と
の間隔（パンプ４の大きさ）に対して、ベースフィルム
２の厚みが同じであるか、又はベースフィルム２の厚み
の方が小さい場合には問題ないが、逆にその間隔よりも
ベースフィルム２の厚みの方が大きい場合には、そのま
まで、半導体素子１とリード３とを接合すると、リード
３に余計なストレスがかかり、リード３が断線する虞れ
がある。そこで、半導体素子１とリード３との間隔より
もベースフィルム２の厚みの方が大きい場合には、図２
に示すようにベースフィルム２のデバイスホール５側の
端縁部を傾斜して形成し、該傾斜した端縁部が半導体素
子１の端縁部上に位置するようにベースフィルム２を形
成する。或いは図３に示すようにベースフィルム２のデ
バイスホール５側の端縁部に段差を形成し、その段差を
形成した端縁部が半導体素子１の端縁部上に位置するよ
うにベースフィルム２を形成する。図２又は図３に示す
ようにリード３を形成することにより、ベースフィルム
２の厚みが半導体素子１とリード３との間隔よりも大き
い場合でも、リード３の断線やストレスを生じさせるこ
となく、半導体素子１とリード３との間にベースフィル
ム２を介在させて両者を接合することができ、したがっ
てかかる場合においても両者の接合が容易になり、また
高信頼性も向上する。

【００１０】図４は本実施例であるＴＡＢテープのデバ
イスホールの一角を示す概略部分平面図であり、図５は
その概略部分側面図である。図４及び図５に示すように
ＴＡＢテープのデバイスホール５の四隅に切り欠部６を
形成することにより、半導体素子１とベースフィルム２
との不要な接触を防止することができる。したがって、
たとえ半導体素子１とベースフィルム２とが当接する場
合でも、両者の四隅に生ずるストレスを緩和することが
できる。

【００１１】なお、上記の実施例では、ベースフィルム
２の四隅に切り欠部６を形成した場合について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素
子１の四隅に、切り欠部又は凹部を形成することにより
、半導体素子の四隅がベースフィルムと当接するのを防
止するようにしてもよい。

【００１２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体素子とリードとの間にベースフィルムを介在させた
ことにより、半導体素子とリードとの接触を防止するこ
とができるので、従来のＴＡＢテープに比べて信頼性と
作業性の向上を図ることができ、しかも廉価なＴＡＢテ
ープを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるＴＡＢテープの概略部
分側面図である。

【図２】本発明の一実施例であるＴＡＢテープの変形例
を示す図である。

【図３】本発明の一実施例であるＴＡＢテープの他の変
形例を示す図である。

【図４】本実施例であるＴＡＢテープのデバイスホール
の一角を示す概略部分平面図である。

【図５】本実施例であるＴＡＢテープのデバイスホール
の一角を示す概略部分側面図である。

【図６】従来のＴＡＢテープにおいてリードと半導体素
子との接触を示した概略部分側面図である。

【図７】従来のＴＡＢテープにおいてリードを機械的に
成形した状態を示す図である。

【符号の説明】

１　　　　半導体素子 ２　　　　ベースフィルム ３　　　　リード ４　　　　バンプ ５　　　　デバイスホール ６　　　　切り欠部

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　ベースフィルムと、該ベースフィルム
   に形成されたリードと、該リードとバンプを介して接合
   される半導体素子とを備えたＴＡＢテープにおいて、前
   記半導体素子と前記リードとの間に前記ベースフィルム
   を介在させるように構成したことを特徴とするＴＡＢテ
   ープ。
2. 【請求項２】　　前記半導体素子と対向する前記ベース
   フィルムの四隅に切り欠部を形成し、前記半導体素子の
   四隅は前記ベースフィルムと対向しないように構成した
   ことを特徴とする請求項１記載のＴＡＢテープ。