JPS6266232A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPS6266232A JPS6266232A JP60207626A JP20762685A JPS6266232A JP S6266232 A JPS6266232 A JP S6266232A JP 60207626 A JP60207626 A JP 60207626A JP 20762685 A JP20762685 A JP 20762685A JP S6266232 A JPS6266232 A JP S6266232A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F1/136268—Switch defects
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶表示装置の！遣方法に関し、もっと詳し
くは、各表示電極に非線型抵抗素子を介して電気信号が
与えられる構成を有する液晶表示装置の９１造方法に関
する 背景技術 液晶表示ｖｃｒａの高コントラスト化、および大表示容
量化の要請に応えるべ（、従来から種々の能動素子を有
する液晶表示装置が提案されており、そのうち金属−絶
縁膜−金属の構造を有する非線型抵抗素子（Ｍｅｔａｌ
−ｒ ｎ５ｕｌａｔｏｒ −Ｍｅｔａｌ素子・以下Ｍ
ＩＭ素子と略称する）を、組み込んだ液晶表示装置の製
造工程が比較的簡単であり、またパターン幅や、精度が
緩やかなことから注目を集めている。その典型的な先行
技術は、第１３図〜第１７図に示されている。この液晶
表示装置 を製造するにあたっては、がラス基板ｌ上に
タンタル（Ｔ ａ）から成る第１導電体２が蒸着あるい
はスパッタリング（二よっ゛て３０００〜５ｏｏｏ入の
膜厚で形成する。第１導電体２上にポリイミドから成る
ｍｔ電気絶縁膜３を数千λ〜１μ悄の膜厚で形成し、エ
ツチングを行なって第１３図に示されるように、第１導
電体２と第１電気絶縁膜３とを同時にバターニングする
０次にこのガラス基板１をクエン酸などの電解質水溶液
の中で陽極酸化し、第１４図に示される第２電気絶縁膜
４を形成する。
くは、各表示電極に非線型抵抗素子を介して電気信号が
与えられる構成を有する液晶表示装置の９１造方法に関
する 背景技術 液晶表示ｖｃｒａの高コントラスト化、および大表示容
量化の要請に応えるべ（、従来から種々の能動素子を有
する液晶表示装置が提案されており、そのうち金属−絶
縁膜−金属の構造を有する非線型抵抗素子（Ｍｅｔａｌ
−ｒ ｎ５ｕｌａｔｏｒ −Ｍｅｔａｌ素子・以下Ｍ
ＩＭ素子と略称する）を、組み込んだ液晶表示装置の製
造工程が比較的簡単であり、またパターン幅や、精度が
緩やかなことから注目を集めている。その典型的な先行
技術は、第１３図〜第１７図に示されている。この液晶
表示装置 を製造するにあたっては、がラス基板ｌ上に
タンタル（Ｔ ａ）から成る第１導電体２が蒸着あるい
はスパッタリング（二よっ゛て３０００〜５ｏｏｏ入の
膜厚で形成する。第１導電体２上にポリイミドから成る
ｍｔ電気絶縁膜３を数千λ〜１μ悄の膜厚で形成し、エ
ツチングを行なって第１３図に示されるように、第１導
電体２と第１電気絶縁膜３とを同時にバターニングする
０次にこのガラス基板１をクエン酸などの電解質水溶液
の中で陽極酸化し、第１４図に示される第２電気絶縁膜
４を形成する。
さらにＩ Ｔ Ｏ（Ｉ ｎｄｉｕｍ −Ｔ ｉｎ−〇ｘ
ｉｄｅ）から成る透明電極５を、第１５図に示されるよ
うに蒸着あるいはエツチングによって形成する０次にタ
ンタル、アルミニウム（Ａ ７ ）、クロム（Ｃ「）な
どから成る第２導電体６を蒸着あるいはスパッタリング
によって形成し、エツチングによって第１６図に示され
るように、第２導電体６を各電気絶縁膜３，４および透
明電極５間に亘って延びるようにパターン形成する。こ
こで第１導電体２と、第２電気絶縁！ｌＸ４と、第２導
電体６とは、ＭＩＭ素子７を構成する。
ｉｄｅ）から成る透明電極５を、第１５図に示されるよ
うに蒸着あるいはエツチングによって形成する０次にタ
ンタル、アルミニウム（Ａ ７ ）、クロム（Ｃ「）な
どから成る第２導電体６を蒸着あるいはスパッタリング
によって形成し、エツチングによって第１６図に示され
るように、第２導電体６を各電気絶縁膜３，４および透
明電極５間に亘って延びるようにパターン形成する。こ
こで第１導電体２と、第２電気絶縁！ｌＸ４と、第２導
電体６とは、ＭＩＭ素子７を構成する。
次に第１７図を参照して、ＭＩＭ素子７お上りガラス基
板１の全表面を覆う配向膜８を形成するとともに、もう
１つのプラス基板９の表面に透明電極１０と、配向膜１
１とをこの順序で形成し、これら配向膜８，１１間にシ
ール材１２を介して液晶１３を封入する。こうして透明
電極５，１０によるドツトマトリックス表示方式の液晶
表示装置を得ることができる。
板１の全表面を覆う配向膜８を形成するとともに、もう
１つのプラス基板９の表面に透明電極１０と、配向膜１
１とをこの順序で形成し、これら配向膜８，１１間にシ
ール材１２を介して液晶１３を封入する。こうして透明
電極５，１０によるドツトマトリックス表示方式の液晶
表示装置を得ることができる。
このような先行技術では、陽極酸化によって第２電気絶
縁膜４を形成する際に、第１７図の参照符１４で示され
るようなピンホールや、異物の原因によって第２絶縁膜
４のリークが発生し、このため液晶表示装置の表示品質
が低下するという問題がある。またＭＩＭ素子７を含む
液晶表示装置の実際の商品化にあたって、パネル内の数
万個にお上Ｊ：ＭＩＭ素子をリークなしで形成するのは
、非常に困難である。
縁膜４を形成する際に、第１７図の参照符１４で示され
るようなピンホールや、異物の原因によって第２絶縁膜
４のリークが発生し、このため液晶表示装置の表示品質
が低下するという問題がある。またＭＩＭ素子７を含む
液晶表示装置の実際の商品化にあたって、パネル内の数
万個にお上Ｊ：ＭＩＭ素子をリークなしで形成するのは
、非常に困難である。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目−的は、上述の技術的課題を解決し、電気絶
縁膜のリークによる表示品質の低下を可及的に防ぐよう
にした液晶表示装置の！！遣方法を提供することである
。
縁膜のリークによる表示品質の低下を可及的に防ぐよう
にした液晶表示装置の！！遣方法を提供することである
。
問題点を解決するための手段
本発明は、一基板上に第１導電体を形成し、第１導電体
の陽極酸化によって、第１導電体上に第１電気絶縁膜を
形成し、＃Ｓｌ！Ｓｌ縁膜上に第２導電体を形成し、 次に、第１導電体の陽極酸化を行ない、第１導電体と導
通状態にあるｔｌＳ２導電体上に、第２電気絶縁膜を形
成し、 その後、第２導電体上お上Ｖ第２電気絶縁膜上に、表示
電極に導通する第３導電体を形成することを特徴とする
液晶表示装置の製造方法である。
の陽極酸化によって、第１導電体上に第１電気絶縁膜を
形成し、＃Ｓｌ！Ｓｌ縁膜上に第２導電体を形成し、 次に、第１導電体の陽極酸化を行ない、第１導電体と導
通状態にあるｔｌＳ２導電体上に、第２電気絶縁膜を形
成し、 その後、第２導電体上お上Ｖ第２電気絶縁膜上に、表示
電極に導通する第３導電体を形成することを特徴とする
液晶表示装置の製造方法である。
作 用
本発明に従えば、第１導電体と、第１電気絶縁膜と、第
２導電体とを形成して１つのＭＩＭ素子を構成し、次に
、陽極酸化によって、第１導電体と電気的に導通してい
る第２導電体上にｆｊＳ２電気絶縁膜を形成し、このｔ
ｉＳ２電気絶縁膜上に、第３導電体を形成してもう１つ
のＭＩＭ素子を構成するものである。
２導電体とを形成して１つのＭＩＭ素子を構成し、次に
、陽極酸化によって、第１導電体と電気的に導通してい
る第２導電体上にｆｊＳ２電気絶縁膜を形成し、このｔ
ｉＳ２電気絶縁膜上に、第３導電体を形成してもう１つ
のＭＩＭ素子を構成するものである。
実施例
以下、第１図〜ｔＩｔＪ１２図を参照して、本発明に従
う液晶表示装置の製造方法を説明する。耐熱性のガラス
基板２０上には、タンタルから成るＰｔ５１導電体２１
が蒸着あるいはスパッタリングによって、約４０００Ａ
の膜厚で形成され、第２面および第３図で示されるよう
に、ドライエツチングによりてパターニングされる。
う液晶表示装置の製造方法を説明する。耐熱性のガラス
基板２０上には、タンタルから成るＰｔ５１導電体２１
が蒸着あるいはスパッタリングによって、約４０００Ａ
の膜厚で形成され、第２面および第３図で示されるよう
に、ドライエツチングによりてパターニングされる。
次に、がラス基板２０を０，０１ｗｔ％クエ′ン酸中で
１回目の陽極酸化を灯ない、＃Ｓ１導電体２１上に第４
図で示されるように、Ｔ ａ２０５から成る第１電気絶
縁ｌＡ２２が約５０ＯＡの膜厚で形成される。
１回目の陽極酸化を灯ない、＃Ｓ１導電体２１上に第４
図で示されるように、Ｔ ａ２０５から成る第１電気絶
縁ｌＡ２２が約５０ＯＡの膜厚で形成される。
次に、ガラス基板２０、および！＠１電気絶縁膜２２の
全表面に亘って、ボッ型ホトレシス）ｆｒ４２３を塗布
し、その後、マスク露光を行なう。このマスク露光は、
ガラス基板２０のホトレジスト層２３が形成される面と
は反対側の面に臨んでマスク材２４を配置し、このマス
ク材２４には、ホトレジスト層２３のレジスト剥離を行
なうべき領域ＷＩ：対応する透孔２５が形成されており
、矢符Ａで示す方向（第６図の下方から上方に向けて）
に、′光を照射するものである。このマスク露光によっ
て、参照符２６で示されるレジスト層部分が剥離される
。参照符２７で示す１１電気絶縁膜２２上のレジス）７
１部分２７は、第１導電体２１によるマスク効果によっ
て剥離されないまま残る。
全表面に亘って、ボッ型ホトレシス）ｆｒ４２３を塗布
し、その後、マスク露光を行なう。このマスク露光は、
ガラス基板２０のホトレジスト層２３が形成される面と
は反対側の面に臨んでマスク材２４を配置し、このマス
ク材２４には、ホトレジスト層２３のレジスト剥離を行
なうべき領域ＷＩ：対応する透孔２５が形成されており
、矢符Ａで示す方向（第６図の下方から上方に向けて）
に、′光を照射するものである。このマスク露光によっ
て、参照符２６で示されるレジスト層部分が剥離される
。参照符２７で示す１１電気絶縁膜２２上のレジス）７
１部分２７は、第１導電体２１によるマスク効果によっ
て剥離されないまま残る。
次に、ホトレノスト層２３のバターニングされた部分に
、タンタルから成る第２導電体２８をスパッタリングに
よって、約４０００Ａの膜厚で形成し、その後、ホトレ
ジスト層２３のレノスト剥離を行なう。これによって第
７図および第８図で示されるような、第１導電体２１と
、第１電気絶縁膜２２と、第２導電体２８とのＭＩＭ素
子２９゜３０が構成される。ここでＭＩＭ素子２９は、
ピンホールなどがない良好な素子であり、ＭＩＭ素子３
０は、ピンホール５０などによるｆｊｆＪ１電気絶縁膜
２２がリークしている素子であるものとする。
、タンタルから成る第２導電体２８をスパッタリングに
よって、約４０００Ａの膜厚で形成し、その後、ホトレ
ジスト層２３のレノスト剥離を行なう。これによって第
７図および第８図で示されるような、第１導電体２１と
、第１電気絶縁膜２２と、第２導電体２８とのＭＩＭ素
子２９゜３０が構成される。ここでＭＩＭ素子２９は、
ピンホールなどがない良好な素子であり、ＭＩＭ素子３
０は、ピンホール５０などによるｆｊｆＪ１電気絶縁膜
２２がリークしている素子であるものとする。
本発明はリークしているＭＩＭ素子３０を良好な素子に
するものであり、具体的には、陽極酸化を２回行なうも
のである。
するものであり、具体的には、陽極酸化を２回行なうも
のである。
ＭＩＭ素子２９．３０を形成した後、ガラス基板２０を
もう１度クエン酸などの電解質水溶液中で、２回目の陽
極酸化を行なう。この結果、良好なＭＩＭ素子２９に関
しては、第１電気絶縁＄２２によって、第１導電体２１
と第２導電体２８とが絶縁されでいるため、第２導電体
２８の表面酸化は行なわれないが、リークしているＭＩ
Ｍ素子３０に関しては、第１電気絶縁膜２２のピンホー
ル５０などによって、第１導電体２１と第２導電体２８
とが導通状態にあるため、第９図で示されるよ−うに、
第２導電体２８の表面に、Ｔａ２０５から成る第２電気
絶縁膜３２が形成される。
もう１度クエン酸などの電解質水溶液中で、２回目の陽
極酸化を行なう。この結果、良好なＭＩＭ素子２９に関
しては、第１電気絶縁＄２２によって、第１導電体２１
と第２導電体２８とが絶縁されでいるため、第２導電体
２８の表面酸化は行なわれないが、リークしているＭＩ
Ｍ素子３０に関しては、第１電気絶縁膜２２のピンホー
ル５０などによって、第１導電体２１と第２導電体２８
とが導通状態にあるため、第９図で示されるよ−うに、
第２導電体２８の表面に、Ｔａ２０５から成る第２電気
絶縁膜３２が形成される。
次に面記第６図と同様なマスク露光によって、第１０図
および第１１図に示されるように、タンタルから成る第
３導電体３３をスパッタおよびリフトオフにより形成す
る。これによってリークを有するＭＩＭ−素子３０に関
して、第２導電体２８と、第２電気絶縁膜３２と、第３
導電体３３とから成るもう１つのＭＩＭ素子３４が形成
される。
および第１１図に示されるように、タンタルから成る第
３導電体３３をスパッタおよびリフトオフにより形成す
る。これによってリークを有するＭＩＭ−素子３０に関
して、第２導電体２８と、第２電気絶縁膜３２と、第３
導電体３３とから成るもう１つのＭＩＭ素子３４が形成
される。
リークを有しないＭＩＭ素子２９については、第２電気
絶縁膜３２が形成されないため、第２導電体２８と＃＆
３導電体３３とは、導通状態にある。
絶縁膜３２が形成されないため、第２導電体２８と＃＆
３導電体３３とは、導通状態にある。
次に、ガラス基板２０上にＩ Ｔ’Ｏから成る表示用の
透明電極３５を蒸着によって形成し、第１２図のように
エツチングによって、＃Ｓ３導電体３３と電気的に接続
する。
透明電極３５を蒸着によって形成し、第１２図のように
エツチングによって、＃Ｓ３導電体３３と電気的に接続
する。
このようにガラス基板２０上に、ＭＩＭ素子２９．３０
を形成した後、再び陽極酸化を行なってリークを有する
ＭＩＭ素子３０に関して、リークのないＭＩＭ素子３４
を形成するようにしたので、リークによる画素欠陥不良
をなくし、表示品質の向上を図ることができる。また、
２回目の陽極酸化によって、第１図に示されるように、
リークのないＭＩＭ素子２９の第２導電体２８は、第３
導電体３３を介して透明電極３５に電気的に導通され、
まｒこリークを有するＭＩＭ素子３０の第２導電体２８
は、ＭＩＭ素子３４を介して透明電極３５に導通される
こととなり、これによってＭＩＭ素子３０のリークによ
る画素欠陥不良などを完全になくすことができる。
を形成した後、再び陽極酸化を行なってリークを有する
ＭＩＭ素子３０に関して、リークのないＭＩＭ素子３４
を形成するようにしたので、リークによる画素欠陥不良
をなくし、表示品質の向上を図ることができる。また、
２回目の陽極酸化によって、第１図に示されるように、
リークのないＭＩＭ素子２９の第２導電体２８は、第３
導電体３３を介して透明電極３５に電気的に導通され、
まｒこリークを有するＭＩＭ素子３０の第２導電体２８
は、ＭＩＭ素子３４を介して透明電極３５に導通される
こととなり、これによってＭＩＭ素子３０のリークによ
る画素欠陥不良などを完全になくすことができる。
効 果
以上のように本発明によれば、第１導電体と、第１電気
絶縁膜と、第２導電体とを形成して１つのＭＴＭ素子を
構成し、次に、陽極酸化によって、第１導電体と電気的
に導通している第２導電体上にＰｔ５２電気絶縁膜を形
成し、この第２電気絶縁膜上に、Ｐｔ５３導電体を形成
してらう１つのＭＩＭ素子を構成することによって、第
１電気絶縁膜のリークによる画素欠陥不良をなくすこと
ができ、これによって表示品質の向上を図ることができ
る。
絶縁膜と、第２導電体とを形成して１つのＭＴＭ素子を
構成し、次に、陽極酸化によって、第１導電体と電気的
に導通している第２導電体上にＰｔ５２電気絶縁膜を形
成し、この第２電気絶縁膜上に、Ｐｔ５３導電体を形成
してらう１つのＭＩＭ素子を構成することによって、第
１電気絶縁膜のリークによる画素欠陥不良をなくすこと
ができ、これによって表示品質の向上を図ることができ
る。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は第１導電
体２１が形成されたガラス基板２０の平面図、ＰＩＳ３
図は第２図の切断面線Ｉ［１−［Ｉ［から見た断面図、
１４図は１回目の陽極酸化による第１電気絶縁膜２２を
示す図、第５図はホトレジスト層２３が形成されたガラ
ス基板２０の平面図、第６図は第５図の切断面線■−■
から見た断面図、第７図は第２導電体２８が形成された
がラス基板２０の平面図、第８図は第７図の切断面線■
−■から見た断面図、第９図は第′１図の切断面線ＩＸ
−ＩＸから見た断面図、＠１０図は第３導電体３３が形
成されたグラス基板２０の平面図、第１１図は第１０図
の切断面線ＸＴ−ＸＩから見た断面図、第１２図は透明
電極３５が形成されたプラス基板２０の平面図、第１３
図〜第１７図は先行技術の製造工程を説明するための図
である。 １，２０・・・〃ラス基板、２０２１・・・第１導電体
、３．４，２２．３２・・・電気絶縁膜、６，２８・・
・第２導電体、？、２９，３０．３４・・・ＭＩＭ素子
、３′３・・・第３導電体 代理人 弁理士 回教 圭一部 第４図 第５図 第７図 ２１ 第１２図 ７ 第 １１ 図
体２１が形成されたガラス基板２０の平面図、ＰＩＳ３
図は第２図の切断面線Ｉ［１−［Ｉ［から見た断面図、
１４図は１回目の陽極酸化による第１電気絶縁膜２２を
示す図、第５図はホトレジスト層２３が形成されたガラ
ス基板２０の平面図、第６図は第５図の切断面線■−■
から見た断面図、第７図は第２導電体２８が形成された
がラス基板２０の平面図、第８図は第７図の切断面線■
−■から見た断面図、第９図は第′１図の切断面線ＩＸ
−ＩＸから見た断面図、＠１０図は第３導電体３３が形
成されたグラス基板２０の平面図、第１１図は第１０図
の切断面線ＸＴ−ＸＩから見た断面図、第１２図は透明
電極３５が形成されたプラス基板２０の平面図、第１３
図〜第１７図は先行技術の製造工程を説明するための図
である。 １，２０・・・〃ラス基板、２０２１・・・第１導電体
、３．４，２２．３２・・・電気絶縁膜、６，２８・・
・第２導電体、？、２９，３０．３４・・・ＭＩＭ素子
、３′３・・・第３導電体 代理人 弁理士 回教 圭一部 第４図 第５図 第７図 ２１ 第１２図 ７ 第 １１ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一基板上に第１導電体を形成し、第１導電体の陽極酸化
によって、第１導電体上に第１電気絶縁膜を形成し、第
１電気絶縁膜上に第２導電体を形成し、 次に、第１導電体の陽極酸化を行ない、第１導電体と導
通状態にある第２導電体上に、第２電気絶縁膜を形成し
、 その後、第２導電体上および第２電気絶縁膜上に、表示
電極に導通する第３導電体を形成することを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207626A JPS6266232A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207626A JPS6266232A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6266232A true JPS6266232A (ja) | 1987-03-25 |
| JPH0424686B2 JPH0424686B2 (ja) | 1992-04-27 |
Family
ID=16542910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60207626A Granted JPS6266232A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6266232A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62116919A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-28 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
-
1985
- 1985-09-18 JP JP60207626A patent/JPS6266232A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62116919A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-28 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0424686B2 (ja) | 1992-04-27 |
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