JPH04247950A - 電極製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、粉体直接駆動方式の記
録装置に用いられる、帯電したトナーを変調するための
アパチャー電極等の電極製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、アパチャー電極は次に述べるよう
な形状であった。すなわち、アパチャー電極は、極薄の
セラミックス基板と、該セラミクス絶縁基板の一方の面
に薄膜形成法によって設けられた基準電極膜と、前記セ
ラミクス基板の他方の面に薄膜形成法によって独立に設
けられた多数の制御電極膜と、該制御電極膜各々の略中
心に設けられ、且つ前記セラミクス絶縁基板を貫通して
いるアパチャーとから構成されていた。

【０００３】そして、そののアパチャー電極の製造方法
は、まず、基準電極膜形成工程において極薄のセラミク
ス絶縁基板の一方の面にスパッタリングなどの薄膜形成
法により金属膜を形成する。そして、制御電極膜パター
ン形成工程において前記セラミクス絶縁基板の他方の面
に薄膜形成法などによって独立した多数の金属膜のパタ
ーンを形成する。その後、アパチャー形成工程において
両面に金属膜の形成された前記セラミクス絶縁基板を貫
くように、前記制御電極膜パターンの独立した多数の金
属膜各々の略中心にアパチャーを設けて製造していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
なアパチャー電極の製造方法に於ては、次のような問題
が発生していた。すなわち、剛体であり且つ絶縁体であ
る薄いセラミックス基板に画素に対応する小さいアパチ
ャーを形成する工程に問題があった。この穴をあけるた
め、レーザ加工やいわゆるドリル加工を行なっていた。 しかし、精度的にも厳しく、また、元来が加工しにくい
難削材である極薄のセラミックスの穴加工であり、製造
技術的にもコスト的のも困難だった。

【０００５】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、精度が良く、品質が優れており
、且つ、製造コストも下げることが可能なアパチャー電
極の製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のアパチャー電極の製造方法は、次のような
工程で構成される。すなわち、少なくとも二つの絶縁体
の基板材料に対し、アパチャー孔を形成する溝加工を行
なうアパチャー加工工程がある。さらに、加工した二つ
の基板材料を、位置決めして一体に接合する接合工程が
ある。その後、接合された基板材料を必要な厚みまで整
える厚み加工工程を実施する。最後に、外形を整えられ
た基板材料に対し、制御電極と基準電極を形成する電極
パターン形成工程がある。

【０００７】

【作用】上記の構成を有する本発明により、加工が困難
で精度的にも高くない、セラミックスの穴明け加工を行
なわずに、アパチャー電極が作成できる。その結果、精
度的にも優れたアパチャー電極が低コストで製造できる
。

【０００８】

【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図面を
参照して説明する。

【０００９】図１は、本発明により作成するアパチャー
電極の構成を説明する斜視図である。アパチャー電極１
０は、基板材料たる絶縁体１５である第１及び第２のコ
ア１１、１２が基材となっており、その中心に、複数の
貫通したアパチャー１４が配置されている。コア１１、
１２の材質は、絶縁体で剛性のあるものであれば構わな
いが、アルミナや炭化珪素等のセラミック材が好ましい
。第１と第２のコア１１、１２は、お互いが接合されて
いて、両者の境界には微細な接合部１３が構成される。 さらに、コア１１、１２の上面及び下面には、基準電極
１６と制御電極１７が配置されている。基準電極１６と
制御電極１７は、銅薄膜で出来ている。次に、図２を参
照して、本発明のアパチャー電極製造工程について説明
を行なう。図２は、本発明のアパチャー電極形成法の工
程を示す図である。すなわち、まず、同図（ａ）に於い
て、素材２０が用意される。素材２０は、前述したよう
に、いわゆる難加工材となるセラミック材料でよい。後
述するように、本製造法では、一対となるコアを作成す
る必要があるため、素材２０は最低２つ必要となるが、
本図に於いては省略した。したがって、外形形状として
は、断面形状でアパチャー電極１０の半分の大きさで良
く、高さは、必要枚数が採取できれば良い。

【００１０】さて、次に用意された素材２０に対し、ア
パチャー加工工程を与える（図２（ｂ））。すなわち、
２つの素材２０に対し、精密スライサーやダイシングマ
シン等の微細切削加工機により、ダイヤモンド砥石によ
る溝入れ加工を行なう。本加工法は、磁気ヘッドや半導
体などを始めとする、電子部品の精密加工に通常利用さ
れており、有効に利用できる。溝入れ加工は、必要なア
パチャー径の半分の断面形状に加工を行い、溝部２１を
形成する。溝部２１は、高さ方向に縦断して形成する。

【００１１】さらに、溝２１を形成した２つの素材２０
を、対向して配置した後、接着固定する、接合工程を行
なう（図２（ｃ））。すなわち、一対の溝２１を有した
素材２０を、顕微鏡下において、対応する溝部同士がず
れないように位置ぎめした後、仮固定する。そして、有
機系接着剤や低融点ガラスにより、両素材２０の対向面
を浸透させて、接合部１３を形成する。さらに、適した
熱処理を行ない硬化を促進させ、接合を強化する。その
結果、アパチャー１４を有し、複数枚の電極１０が採取
できる接合コア２２が作成できる。

【００１２】そして、最後に、厚み加工工程を行なう（
図２（ｄ））。すなわち、前記工程で出来た接合コア２
２に対し、複数枚の電極を切り出す形で、スライス加工
を施行する。この加工は、一般的な精密スライサーによ
り加工可能である。これにより、スライサーによるスラ
イス溝２３を設けながら、スライスコア２４が多数切り
出される。スライスコア２４の厚みは、アパチャー電極
１０として必要な１００ミクロン程度でよい。また、ア
パチャー形成面が切削面では適していない場合は、さら
に、ラップ加工や研削加工により追加工を行ない、必要
とする性状に整えても良い。以上の工程により、アパチ
ャー電極１０の基材となる多数のアパチャーを有するセ
ラミック製のスライスコア２４が完成する。

【００１３】最後に、電極製造工程において、スライス
コア２４の上面及び下面に基準電極１６と制御電極１７
が作成され、アパチャー電極１０が完成する。ここで、
制御電極や基準電極の作成については、特願平２−５３
３５１号の願書に添付した明細書及び図面に於いて詳述
されているため、ここでは省略する。本発明は、以上詳
述した実施例に限定されるものでなく、その趣旨を逸脱
しない範囲において種々の変更を加えることができる。 ここで、第２の実施例について説明する。

【００１４】図３は、本発明の第２の実施例のアパチャ
ー電極の斜視図である。

【００１５】一方にスリット３０を設けた第１のコア１
１と、平板状の第２のコア１２が一体化されていて、そ
の上部に基準電極１６が設けられている。すなわち、第
２の実施例のアパチャー電極１０は、煩雑な多数のアパ
チャー孔の代わりに、一つのスリット３０により機能す
るように設計されている。この様なアパチャー電極１０
を作成する場合にも、本発明の電極形成法は適用できる
。

【００１６】図４は、第２の実施例に於けるスリット加
工を示す図である。素材２０に対し、ダイヤモンド砥石
を有した研削盤を用いて、素材２０の一部を平面加工す
ることにより、スリット部３１を形成する。この加工も
、従来実績が多く非常に容易に行なうことが可能である
。スリット加工を行なった素材２０は、無加工のもう一
つの素材と一体化させるため、前述した接合工程に送ら
れる。その後の工程は、第１の実施例と同様でよい。

【００１７】

【発明の効果】以上詳述したことから明らかなように、
本発明によれば、上記の構成を有する本発明により、加
工が困難で精度的にも高くない、セラミックスの穴明け
加工を行なわずに、アパチャー電極が作成できる。その
結果、精度的にも優れたアパチャー電極が低コストで製
造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のアパチャー電極の製造方法により作成
したアパチャー電極の斜視図である。

【図２】本発明のアパチャー電極の製造方法の工程を示
す図である。

【図３】他の実施例のアパチャー電極の製造方法により
作成したアパチャー電極の斜視図である。

【図４】同実施例に於ける、製造工程の一部を示す図で
ある。

【符号の説明】

１０　　アパチャー電極 ２０　　素材 ２１　　溝 ２２　　接合コア ２３　　スライス溝 ３１　　スリット加工部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　少なくとも二つの絶縁体の基板材料と
   、前記基板材料に対し、アパチャー孔を形成する溝を加
   工するアパチャー加工工程と、加工した二つの基板材料
   を、位置決めし一体に接合する接合工程と、接合された
   基板材料を必要な厚みまで整える厚み加工工程と、外形
   を整えられた基板材料に対し、制御電極と基準電極を形
   成する電極パターン形成工程とからなる電極製造方法。