JPH04249353A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH04249353A
JPH04249353A JP3036832A JP3683291A JPH04249353A JP H04249353 A JPH04249353 A JP H04249353A JP 3036832 A JP3036832 A JP 3036832A JP 3683291 A JP3683291 A JP 3683291A JP H04249353 A JPH04249353 A JP H04249353A
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JP
Japan
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resin
lead frame
metal plates
semiconductor device
chip
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Kenichi Kusaka
健一 日下
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の樹脂封止型半導体装置を示
す平面図、図５は図４のＡーＡ線断面図である。図にお
いて、１は半導体集積回路（以下ＩＣと称する）チップ
、２はこのＩＣチップ１を搭載するアイランド、３はア
イランド２を囲むように配置されたインナーリード、４
はアウターリード、５は金属細線、６はモールド樹脂で
ある。
【０００３】かかる半導体装置の組立てに際しては、ま
ずＩＣチップ１をフレームのアイランド２に接着剤で固
定し、ＩＣチップ１とインナーリード３の間を金属細線
５で電気的に接合し、次にモールド樹脂６で封止する。 その後、アウターリード４をメッキし、さらにリードカ
ット、ベンドを行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の樹
脂封止型半導体装置では、ＩＣチップとの膨張率をあわ
せる為、リードフレーム材料が鉄系となり、封止樹脂と
共にその熱伝導率が低く、パッケージ全体に熱が拡がら
ず、放熱性が悪かった。
【０００５】さらに放熱性を改善する為に、高熱伝導材
である銅等のヒートスプレッダーを下面に貼り付ける場
合でも、膨張率の関係から、フレーム材をヒートスプレ
ッダーにあわさねばならなかった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、パッケージの熱抵抗を小さくす
ると共に、インナーリード材とヒートスプレッダー材の
熱膨張率が違っていても不具合が生じない樹脂封止型半
導体装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る樹脂封止
型半導体装置は、信号用のリードフレーム材の上下両側
を絶縁層を介して高熱伝導性の金属板ではさむようにす
ると共に、この金属板は、パッケージ全体に拡がる様に
し、又リードフレームとは絶縁層を介して接しているが
、接着剤で固着はしておらず、上下の金属板同士が直接
接着する様にしている。
【０００８】
【作用】この発明における高熱伝導性の金属板は、パッ
ケージ全体に拡がるように配置されてあるため、熱抵抗
が小さくなり、放熱性が良好となる。更に、金属板はリ
ードフレーム材には直接に固着されていない為、ヒート
スプレッダーとフレーム材料の熱膨張率が違っていても
熱変形等を起こさずにすむ。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１は本発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
を示す平面図、図２は図１のＢーＢ線断面図、図３は図
１のＣーＣ線断面図であり、図において、１〜６は従来
装置と同一部分を示すものとする。７はパッケージ内部
全体に拡がるように設けられた高熱伝導体でできた金属
板（ヒートスプレッダー）であり、８はインナーリード
３とヒートスプレッダー７を電気的に絶縁するための絶
縁層、９はこの絶縁層８をヒートスプレッダー７に固着
する接着剤、１０は上側と下側の高熱伝導材を接続する
接着剤で、インナーリード３とは接着されないようにし
ている。
【００１０】上記のように構成された樹脂封止型半導体
装置の組立てに際しては、フレーム及び高熱伝導性の金
属板７は予め従来通りエッチングあるいはパンチング等
で形成される。次に金属板７に絶縁層８を貼り付け、更
にフレームをはさみこむ様にして、金属板７を接続し、
一体のフレームとして完成させる。
【００１１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ヒート
スプレッダーの役割を果す様に高熱伝導性の金属板がパ
ッケージ全体に拡がっている為、熱抵抗が小さく、放熱
性が良好となる。又ヒートスプレッダーはインナーリー
ドと直接に固着されていない為、ヒートスプレッダーと
インナーリード材の熱膨張率が異なっていても、フレー
ム変形等の問題が起きない。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例による樹脂封止型半導体装
置を示す平面図である。
【図２】図１のＢーＢ線断面図である。
【図３】図１のＣーＣ線断面図である。
【図４】従来の樹脂封止型半導体装置を示す平面図であ
る。
【図５】図４のＡーＡ線断面図である。
【符号の説明】
１　　ＩＣチップ ２　　アイランド ３　　インナーリード ４　　アウターリード ５　　金属細線 ６　　モールド樹脂 ７　　ヒートスブレッダー ８　　絶縁層 ９　　接着剤 １０　　接着剤

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　アイランド上にＩＣチップを搭載し、
    ＩＣチップとリードフレームを金属細線で接合すると共
    に、モールド樹脂で樹脂封止してなる樹脂封止型半導体
    装置において、リードフレームの上下両側を、パッケー
    ジ全体に拡がる高熱伝導性の金属板で、絶縁層を介し固
    着せずに挾み込んだことを特徴とする樹脂封止型半導体
    装置。
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