JPH04249809A - 高誘電率誘電体磁器組成物 - Google Patents

高誘電率誘電体磁器組成物

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JPH04249809A
JPH04249809A JP2415999A JP41599990A JPH04249809A JP H04249809 A JPH04249809 A JP H04249809A JP 2415999 A JP2415999 A JP 2415999A JP 41599990 A JP41599990 A JP 41599990A JP H04249809 A JPH04249809 A JP H04249809A
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JP
Japan
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ceramic composition
mol
change
dielectric constant
composition
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2415999A
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English (en)
Inventor
Nobuaki Kikuchi
信明 菊地
Tadashi Ogasawara
正 小笠原
Shoichi Iwatani
昭一 岩谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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  • Ceramic Capacitors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高誘電率誘電体磁器組成
物に係り、特に広い温度範囲にわたって誘電率の変化が
少なく、かつ誘電体損失の小さな、優れた高誘電率誘電
体磁器組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】誘電率が高く、その温度変化の小さな誘
電体磁器組成物として、従来チタン酸バリウム(BaT
iO3 )にビスマス化合物、例えばBi2 O3 ・
SnO2 や、Bi2 O3 ・ZrO2 とTa2 
O3 やNb2 O3 等を添加してその温度特性変化
率を小さくしたものが使用されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの成
分を含む組成物では、誘電率を高くすると静電容量の変
化率が大きくなり、誘電率を大きくするにはおのずと限
界があった。このため、これらの組成物をコンデンサに
使用した場合、小型で大容量のものを得ることは困難で
あった。
【0004】また、前記の組成物のように、ビスマス化
合物を含むものは、焼成時にビスマス成分が蒸発し、磁
器組成物素体に屈曲を生じたりする問題があった。
【0005】さらにビスマスを含有するチタン酸バリウ
ムでチタン酸バリウム積層型磁器コンデンサを作成した
場合、内部電極であるパラジウム、または銀−パラジウ
ム合金と誘電体の成分であるビスマスが反応を起こし、
電極としての機能を失うため、内部電極として高価な白
金を使用しなければならず、積層型磁器コンデンサのコ
ストアップの要因になっていた。
【0006】従って本発明の目的は、広い温度範囲にわ
たって誘電率変化が少なく、誘電体損失の小さい、優れ
た高誘電率誘電体磁器組成物を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明者等は鋭意研究の結果、主成分として、BaT
iO3 :  94.0〜99.0モル%Nb2 O5
   :   0.5〜 3.0モル%ZnO    
  :   0.5〜 3.0モル%に対して、添加物
として、SrZrO3 を0.2 〜7.0 重量%含
有すればよいことを見出した。
【0008】また必要に応じて、Nd2 O3 を0.
5 重量%以下含有させることにより、特性が優れるこ
とを見出した。これらに更にMnOを0〜0.3 重量
%含有することにより特性が一層向上するものとなる。
【0009】
【作用】本発明の組成の誘電体磁器組成物を用いること
により、常温での比誘電率が2000〜4700という
高誘電率値を有し、誘電体損失(tanδ)は1.2 
%以下という小さい値であり、誘電率の温度変化はEI
AJ(日本電子機械工業会規約)に規定するX7R特性
(−55℃〜+125℃の温度範囲で誘電率の変化が±
15%以内)、更にX8R特性(−55℃〜+150℃
の温度範囲で誘電率の変化が±15%以内)を満足する
ものもあるすぐれた特性の高誘電率誘電体磁器組成物を
得ることができた。
【0010】
【実施例】本発明の一実施例を図1〜図3を用いて説明
する。
【0011】図1は本発明の高誘電体磁器組成物の三元
組成図、図2は本発明の高誘電体磁器組成物の製造工程
図、図3は静電容量の温度特性カーブを示す。以下の(
1)〜(10)は、図2の製造工程図にもとづく。
【0012】(1)出発原料として、BaCO3 とT
iO2 を1:1のモル比で調合する。
【0013】(2)調合した出発原料に脱水乾燥処理を
行う。
【0014】(3)これらの原料を仮成形し、1000
〜1200℃で2時間安定にして化学反応を行わしめ、
BaTiO3 形成する仮焼成を行う。
【0015】(4)このBaTiO3 を例えばアトマ
イザー等で粉砕する。
【0016】(5)このようにして得られたBaTiO
3 、又は溶液法にて調整して得られたBaTiO3 
粉末を、焼成後の組成が表1のようになるように、Ba
TiO3 、Nb2 O5 、ZnO、Nd2 O3 
、SrZrO3 、MnCO3 を秤量する。
【0017】(6)前記秤量したものを湿式混合する。
【0018】(7)この湿式混合したものを脱水、乾燥
する。
【0019】(8)これに有機バインダーを適当量加え
、約3トン/平方センチメートルの成形圧力で成形し、
直径16.5ミリメートル、厚さ約0.6ミリメートル
の円板状成形物を作成する。それからこの成形物を12
20〜1340℃で2時間安定にして本焼成を行う。
【0020】(9)得られた磁器組成物素体の両端に銀
電極を焼付けてコンデンサとし、リード線を半田付けす
る。
【0021】(10)これらのコンデンサの各電気特性
を周波数1KHZ、室温20℃の条件で測定する。
【0022】各測定結果を表2に示す。
【0023】
【表1】
【0024】
【表2】
【0025】なお、表1、表2中、試料番号1,3−3
,3−4,3−8,3−12,6,8,9,11,12
は本発明の範囲には含まれない。
【0026】表1、表2から明らかな如く、本発明の誘
電体磁器組成物は、BaTiO3 :94.00 〜9
9.00 モル%、Nb2 O5 :0.50〜3.0
 モル%、ZnO:0.50〜3.0 モル%を主成分
とし、添加物としてSrZrO3 を0.2 〜7.0
 重量%含有するものであり、必要に応じて添加物とし
てNd2 O3 を0.50重量%以下含有するもので
ある。
【0027】またMnOを0〜0.3 重量%添加する
ことによって、その特性は更に向上する。
【0028】図1は上記主成分の組成からなる三元成分
図を示しており、図1中の各点の番号1は表1、表2中
の試料番号と一致する。
【0029】次に、本発明の組成範囲の限定理由を、表
1、表2を参照しつつ説明する。BaTiO3 が94
.00 モル%未満であれば比誘電率(εs)は低くな
り(試料番号6参照)、99.0モル%を越えると誘電
体損失(tanδ)と静電容量の温度特性変化率(ΔC
/C25℃)や、焼結性が悪化する(試料番号1参照)
【0030】またNb2 O5 が0.50モル%未満
であれば、tanδ、静電容量の温度特性変化率や焼結
性が悪化し(試料番号1参照)、3.0 モル%を越え
ると比誘電率が低くなったり(試料番号6参照)、静電
容量の温度特性変化率が悪化する(試料番号9参照)。
【0031】更にZnOが0.5 モル%未満であれば
、tanδや静電容量の温度特性変化率が悪化し(試料
番号1参照)、3.0 モル%を越えると比誘電率が低
くなったり(試料番号6参照)、静電容量の温度特性変
化率が大きくなったりする(試料番号11,12参照)
【0032】またNd2 O3 が上記主成分に対して
無添加でも使用上問題ないが(試料番号3参照)、0.
5 重量%までの添加で焼結性が良くなり(試料番号3
−1参照)、0.5 重量%以上では静電容量の温度特
性変化率が大きくなり、X7R特性からはずれる(試料
番号3−3参照)。
【0033】SrZrO3 が0.2 重量%未満では
、静電容量の温度特性変化率が大きくなり、X8R特性
から外れ(塗料番号3−3参照)、7.0 重量%以上
でも静電容量の温度特性変化率が大きくなる。
【0034】MnOは無添加でも使用上問題ないが(試
料番号3−9参照)、0.3 重量%までの添加で還元
防止になり、tanδが改善され、焼結性も向上する(
試料番号2参照)。そして0.3 重量%を越えると、
静電容量の温度特性変化率が大きくなり、焼結性は悪化
し緻密な磁器が得られなくなる(試料番号3−12参照
)。
【0035】また原料中に含まれるアルカリ金属酸化物
または製造工程より混入する微量の不純物としてのSi
O2 、Al2 O3は特性を悪化させることはない。
【0036】なお、図3に静電容量の温度特性カーブを
示す。図中の番号は表1、表2中の試料番号と一致する
。図3から明らかな如く、本発明の範囲の組成の磁器組
成物は、静電容量の温度特性変化率が小さく安定してい
ることがわかる。
【0037】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は、比誘電率
が2000〜4700という高い値を有し、誘電体損失
は1.2 %以下という小さい値であり、静電容量の温
度変化率はEIAJに規定するX7R特性を満足し、更
にX8R特性をも満足するものもある、優れた特性の高
誘電率誘電体磁器組成物を得ることができる。
【0038】更に、この誘電体磁器組成物中に、パラジ
ウムまたは銀パラジウム合金と反応し易いビスマスを含
まないため、この組成物を誘電体層として積層コンデン
サを製造する場合、内部電極としてパラジウム単独、ま
たは銀パラジウム合金の使用が可能となる。従って高価
な白金または白金パラジウム合金を用いる必要がなく、
製品の大幅なコストダウンが実現でき、工業上の利益は
はかりしれないものがある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の誘電体磁器組成物の三元組成図である
【図2】本発明の誘電体磁器組成物の製造工程図である
【図3】静電容量の温度特性カーブを示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  主成分として、 BaTiO3 :  94.0〜99.0モル%Nb2
     O5   :   0.5〜 3.0モル%ZnO 
         :   0.5〜 3.0モル%に対して、
    添加物として、SrZrO3 を0.2 〜7.0 重
    量%含有してなることを特徴とする高誘電率誘電体磁器
    組成物。
  2. 【請求項2】  上記組成物にNd2 O3 を0.5
    重量%以下含有することを特徴とする請求項1記載の高
    誘電率誘電体磁器組成物。
  3. 【請求項3】  上記組成物にMnOを0.3 重量%
    以下含有することを特徴とする請求項2記載の高誘電率
    誘電体磁器組成物。
JP2415999A 1990-12-28 1990-12-28 高誘電率誘電体磁器組成物 Withdrawn JPH04249809A (ja)

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