JPH0425006A - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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- JPH0425006A JPH0425006A JP2125812A JP12581290A JPH0425006A JP H0425006 A JPH0425006 A JP H0425006A JP 2125812 A JP2125812 A JP 2125812A JP 12581290 A JP12581290 A JP 12581290A JP H0425006 A JPH0425006 A JP H0425006A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、誘電体磁器層を少なくとも2以上の内部電極
で挟持してなる単層または積層構造の磁器コンデンサ及
びその製造方法に関するものである。
で挟持してなる単層または積層構造の磁器コンデンサ及
びその製造方法に関するものである。
[従来の技術]
積層磁器コンデンサは、誘電体磁器原料粉末からなる未
焼結磁器シート(グリーンシート)に導電性ペーストを
所望パターンで印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着し
、酸化性雰囲気中において1300°C〜1600℃で
焼成させて製造されている。
焼結磁器シート(グリーンシート)に導電性ペーストを
所望パターンで印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着し
、酸化性雰囲気中において1300°C〜1600℃で
焼成させて製造されている。
この焼成により、前記未焼結磁器シートは誘電体m器層
となり、前記導電性ペーストは内部電極となる。
となり、前記導電性ペーストは内部電極となる。
ところで、従来、前記導電性ペーストとしては白金また
はパラジウム等の貴金属を主成分とするものが使用され
ていた。
はパラジウム等の貴金属を主成分とするものが使用され
ていた。
これは、導電性ペーストとして白金またはパラジウム等
の貴金属を主成分とするものを使用ずれば、酸化性雰囲
気中において1300°C〜1600℃という高温で焼
成させても、導電性ペーストを酸化させることな(、所
望の内部電極に変性させることができるからである。
の貴金属を主成分とするものを使用ずれば、酸化性雰囲
気中において1300°C〜1600℃という高温で焼
成させても、導電性ペーストを酸化させることな(、所
望の内部電極に変性させることができるからである。
しかし、白金やパラジウム等の貴金属は高価であるため
、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になるという
問題があった。
、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になるという
問題があった。
この問題を解決することができるものとして、本件出願
人に係わる特公昭60−20851号公報には、((B
axCaySrz)Olk(T1r+Zr+−n102
からなる基本成分と、Li2Oと5in2とMO(但し
、MOはBad、CaO及びSrOから選択された1種
または2種以上の酸化物)からなる添加成分とを含む誘
電体磁器組成物が開示されている。
人に係わる特公昭60−20851号公報には、((B
axCaySrz)Olk(T1r+Zr+−n102
からなる基本成分と、Li2Oと5in2とMO(但し
、MOはBad、CaO及びSrOから選択された1種
または2種以上の酸化物)からなる添加成分とを含む誘
電体磁器組成物が開示されている。
また、特開昭61−147404号公報には、((Ba
t−++−ycaxsry)O1w(Tut−zZrj
Ozからなる基本成分と、B2O3とSiO2とL x
20からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開
示されている。
t−++−ycaxsry)O1w(Tut−zZrj
Ozからなる基本成分と、B2O3とSiO2とL x
20からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開
示されている。
また、特開昭61−147405号公報には、((Ba
t −x−ycaxsryl ol、 (T1. +−
zZrzl 02からなる基本成分と、B2O3とSi
O□からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示
されている。
t −x−ycaxsryl ol、 (T1. +−
zZrzl 02からなる基本成分と、B2O3とSi
O□からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示
されている。
また、特開昭61−147406号公報には、((Ba
t−x−ycaxsrylO)K(Tut−zZrzl
Lからなる基本成分゛と、B2O3とSiO□とMO(
但し、MOはBad、CaO及びSrOから選択された
1種または2種以上の酸化物)からなる添加成分とを含
む誘電体磁器組成物が開示されている。
t−x−ycaxsrylO)K(Tut−zZrzl
Lからなる基本成分゛と、B2O3とSiO□とMO(
但し、MOはBad、CaO及びSrOから選択された
1種または2種以上の酸化物)からなる添加成分とを含
む誘電体磁器組成物が開示されている。
これらの公報に開示されている誘電体磁器組成物は、還
元性雰囲気中における1200℃以下の比較的低い温度
の焼成で得ることができるものであるが、その比誘電率
εは5000以上、抵抗率pはlX106MΩ・cm以
上である。
元性雰囲気中における1200℃以下の比較的低い温度
の焼成で得ることができるものであるが、その比誘電率
εは5000以上、抵抗率pはlX106MΩ・cm以
上である。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、近年における電子回路の高密度化への進展は
著しく、積層磁器コンデンサの小型化の要求は非常に強
い。
著しく、積層磁器コンデンサの小型化の要求は非常に強
い。
このため、積層磁器コンデンサの誘電体層を構成する誘
電体磁器組成物の比誘電率εを、他の電気的特性を悪化
させることなく、上記各公報に開示されている誘電体磁
器組成物の比誘電率εよりも更に増大させることが望ま
れていた。
電体磁器組成物の比誘電率εを、他の電気的特性を悪化
させることなく、上記各公報に開示されている誘電体磁
器組成物の比誘電率εよりも更に増大させることが望ま
れていた。
そこで、本発明の目的は、非酸化性雰囲気中における1
200℃以下の温度の焼成で得られるものであるにもか
かわらず、誘電体層を構成している誘電体磁器組成物の
比誘電率εが7000以上、誘電体損失tanδが2.
5%以下、抵抗率pがlX106MΩ・Cm以上と、そ
の電気的特性が従来のものより更に優れた磁器コンデン
サ及びその製造方法を提供することにある。
200℃以下の温度の焼成で得られるものであるにもか
かわらず、誘電体層を構成している誘電体磁器組成物の
比誘電率εが7000以上、誘電体損失tanδが2.
5%以下、抵抗率pがlX106MΩ・Cm以上と、そ
の電気的特性が従来のものより更に優れた磁器コンデン
サ及びその製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明に係る磁器コンデンサは、誘電体磁器組成物から
なる誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している
少なくとも2以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサ
において、 前記誘電体磁器組成物が、100.0重量部の基本成分
と、0.2〜5,0重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、 ((Bat−xcajolh(T1.+−y−zZry
RzlOz−zz2(但し、Rは、Sc、Y、Gd、D
y、Ho。
なる誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している
少なくとも2以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサ
において、 前記誘電体磁器組成物が、100.0重量部の基本成分
と、0.2〜5,0重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、 ((Bat−xcajolh(T1.+−y−zZry
RzlOz−zz2(但し、Rは、Sc、Y、Gd、D
y、Ho。
Er、Yb、Tb、Tm及びLuから選択された1種ま
たは2種以上の元素、 x、y、z、には、 0≦X≦0.27 0.05≦y≦0.26 0.002≦Z≦0.04 1.00≦に≦1.04 を満足する数値)であり、 前記添加成分がB2O3とSiO2とMO(但し、MO
はBaO,SrO,Cab、MgO及びZnOから選択
された1種または2種以上の酸化物)からなり、 前記B2O3と前記SiO2と前記MOとの組成範囲が
、これらの組成をモル%で示す三角図において、 前記B2O3が1モル%、前記SiO□が80モル%、
前記MOが19モル%の組成を示す第1の点Aと、 前記B2O3が1モル%、前記SjO□が39モル%、
前記MOが60モル%の組成を示す第2の点Bと、 前記B2O3が30モル%、前記5jO2が0モル%、
前記MOが70モル%の組成を示す第3の点Cと、 前記B2O3が90モル%、前記SiO□が0モル%、
前記MOが10モル%の組成を示す第4の点りと、 前記百203が90モル%、前記5in2が10モル%
、前記MOが0モル%の組成を示す第5の点Eと、 前記B2O3が20モル%、前記SiO□が80モル%
、前記MOが0モル%の組成を示す第6の点Fと をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内にあるもの
である。
たは2種以上の元素、 x、y、z、には、 0≦X≦0.27 0.05≦y≦0.26 0.002≦Z≦0.04 1.00≦に≦1.04 を満足する数値)であり、 前記添加成分がB2O3とSiO2とMO(但し、MO
はBaO,SrO,Cab、MgO及びZnOから選択
された1種または2種以上の酸化物)からなり、 前記B2O3と前記SiO2と前記MOとの組成範囲が
、これらの組成をモル%で示す三角図において、 前記B2O3が1モル%、前記SiO□が80モル%、
前記MOが19モル%の組成を示す第1の点Aと、 前記B2O3が1モル%、前記SjO□が39モル%、
前記MOが60モル%の組成を示す第2の点Bと、 前記B2O3が30モル%、前記5jO2が0モル%、
前記MOが70モル%の組成を示す第3の点Cと、 前記B2O3が90モル%、前記SiO□が0モル%、
前記MOが10モル%の組成を示す第4の点りと、 前記百203が90モル%、前記5in2が10モル%
、前記MOが0モル%の組成を示す第5の点Eと、 前記B2O3が20モル%、前記SiO□が80モル%
、前記MOが0モル%の組成を示す第6の点Fと をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内にあるもの
である。
ここで、基本成分の組成式中におけるCaの原子数の割
合、すなわちXの値を0≦X≦0.27としたのは、X
の値が、O≦X≦0.27の場合には、所望の電気的特
性を有する焼結体を得ることができるが、0.27を越
えた場合には、焼成温度が1250℃と高くなり、比誘
電率ε8も7000未満となるからである。
合、すなわちXの値を0≦X≦0.27としたのは、X
の値が、O≦X≦0.27の場合には、所望の電気的特
性を有する焼結体を得ることができるが、0.27を越
えた場合には、焼成温度が1250℃と高くなり、比誘
電率ε8も7000未満となるからである。
また、基本成分の組成式中におけるZrの原子数の割合
、すなわちyの値を0.05≦y≦0.26としたのは
、yの値が、0.05≦y≦0.26の場合には、所望
の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、こ
の範囲から外れた場合には、比誘電率ε5が7000未
満となるからである。
、すなわちyの値を0.05≦y≦0.26としたのは
、yの値が、0.05≦y≦0.26の場合には、所望
の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、こ
の範囲から外れた場合には、比誘電率ε5が7000未
満となるからである。
また、基本成分の組成式中におけるRの原子数の割合、
すなわちZの値を0.002≦Z≦0.04としたのは
、Zの値が、0.002≦2≦0.04の場合には所望
の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、0
.002未満になった場合には、誘電体損失tanδが
大幅に悪化し、抵抗率ρもIX]、03MΩ・cm未満
となり、また、0.04を越えた場合には、焼成温度が
1250℃であっても緻密な焼結体を得ることができな
いからである。
すなわちZの値を0.002≦Z≦0.04としたのは
、Zの値が、0.002≦2≦0.04の場合には所望
の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、0
.002未満になった場合には、誘電体損失tanδが
大幅に悪化し、抵抗率ρもIX]、03MΩ・cm未満
となり、また、0.04を越えた場合には、焼成温度が
1250℃であっても緻密な焼結体を得ることができな
いからである。
なお、R成分のSc、Y、Gd、Dy、Ho。
Er、Yb、Tb、Tm及びLuははメ同様に働き、こ
れ等から選択された1つを使用しても、または検数を使
用しても同様な結果が得られる。
れ等から選択された1つを使用しても、または検数を使
用しても同様な結果が得られる。
基本成分の組成式中における((Bat−xCa、)0
)の割合、すなわちkの値を1.00≦に≦1.04と
したのは、kの値が、1.00≦に≦1.04の場合に
は、所望の電気的特性を有する焼結体を得ることができ
るが、1.00未満になった場合には、抵抗率ρがlX
10’MΩ・cm未満と、大幅に低くなり、1.04を
越えた場合には、緻密な焼結体を得ることができないか
らである。
)の割合、すなわちkの値を1.00≦に≦1.04と
したのは、kの値が、1.00≦に≦1.04の場合に
は、所望の電気的特性を有する焼結体を得ることができ
るが、1.00未満になった場合には、抵抗率ρがlX
10’MΩ・cm未満と、大幅に低くなり、1.04を
越えた場合には、緻密な焼結体を得ることができないか
らである。
なお、基本成分の組成式中におけるR成分のうちで、T
b、Tm及びL uは後記する第1表中に記載しなかっ
たが、これらも他のR成分と同様の作用効果を有するも
のである。
b、Tm及びL uは後記する第1表中に記載しなかっ
たが、これらも他のR成分と同様の作用効果を有するも
のである。
また、基本成分の中には、本発明の目的を阻害しない範
囲で微量のMn0z(好ましくは0.05〜0.1重量
%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させてもよい。
囲で微量のMn0z(好ましくは0.05〜0.1重量
%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させてもよい。
また、その他の物質を必要に応じて添加してもよい。
また、基本成分を得るための出発原料としては、実施例
で示した以外の酸化物を使用してもよいし、水酸化物ま
たはその他の化合物を使用してもよい。
で示した以外の酸化物を使用してもよいし、水酸化物ま
たはその他の化合物を使用してもよい。
次に、添加成分の添加量を、100重量部の基本成分に
対して0.2〜5.0重量部としたのは、添加成分の添
加量がこの範囲内にある場合は1190〜1200℃の
焼成で所望の電気的特性を何する焼結体を得ることがで
きるが、0.2重量部未満になると、焼成温度が125
0°Cであっても緻密な焼結体を得ることができないし
、また、5.0重量部を越えると、比誘電率8.、が7
000未満となるからである。
対して0.2〜5.0重量部としたのは、添加成分の添
加量がこの範囲内にある場合は1190〜1200℃の
焼成で所望の電気的特性を何する焼結体を得ることがで
きるが、0.2重量部未満になると、焼成温度が125
0°Cであっても緻密な焼結体を得ることができないし
、また、5.0重量部を越えると、比誘電率8.、が7
000未満となるからである。
添加成分の組成を、B2O3と5in2とMOとの組成
をモル%で示す三角図において、前記した点A−Fをこ
の順に結ぶ6本の直線で囲まれた範囲内としたのは、添
加成分の組成をこの範囲内のものとすれば、所望の電気
的特性を有する焼結体を得ることができるが、添加成分
の組成をこの範囲外とすれば、緻密な焼結体を得ること
ができないからである。
をモル%で示す三角図において、前記した点A−Fをこ
の順に結ぶ6本の直線で囲まれた範囲内としたのは、添
加成分の組成をこの範囲内のものとすれば、所望の電気
的特性を有する焼結体を得ることができるが、添加成分
の組成をこの範囲外とすれば、緻密な焼結体を得ること
ができないからである。
なお、MO成分は、Bad、SrO,Cab。
MgO,ZnOのいずれか1つであってもよいし、また
は適当な比率としてもよい。
は適当な比率としてもよい。
次に、本発明に係る磁器コンデンサの製造方法は、前記
の基本成分と添加成分とからなる未焼結の磁器粉末から
なる混合物を調製する工程と、前記混合物からなる未焼
結磁器シートを形成する工程と、前記未焼結磁器シート
を少な(とも2以上の導電性ペースト膜で挟持させた積
層物を形成する工程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中
において熱処理する工程と、前記熱処理を受けた積層物
を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを備えたも
のである。
の基本成分と添加成分とからなる未焼結の磁器粉末から
なる混合物を調製する工程と、前記混合物からなる未焼
結磁器シートを形成する工程と、前記未焼結磁器シート
を少な(とも2以上の導電性ペースト膜で挟持させた積
層物を形成する工程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中
において熱処理する工程と、前記熱処理を受けた積層物
を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを備えたも
のである。
ここで、非酸化性雰囲気としては、H2やCOなとの還
元性雰囲気のみならず、N2やArなどの中性雰囲気で
あってもよい。
元性雰囲気のみならず、N2やArなどの中性雰囲気で
あってもよい。
また、非酸化性雰囲気中における熱処理の温度は、電極
材料を考慮して種々変更することができる。ニッケルを
内部電極とする場合には、1050℃〜1200℃の範
囲でニッケル粒子の(疑集をほとんど生じさせることな
く熱処理することができる。
材料を考慮して種々変更することができる。ニッケルを
内部電極とする場合には、1050℃〜1200℃の範
囲でニッケル粒子の(疑集をほとんど生じさせることな
く熱処理することができる。
また、酸化性雰囲気中における熱処理の温度は、焼結温
度より低い温度であればよく、500〜1000°Cの
範囲が好ましい。どのような温度にするかは、電極材料
にッケル等)の酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して
種々変更する必要がある。後述する実施例ではこの熱処
理の温度を600℃としたが、この温度に限定されるも
のではない。
度より低い温度であればよく、500〜1000°Cの
範囲が好ましい。どのような温度にするかは、電極材料
にッケル等)の酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して
種々変更する必要がある。後述する実施例ではこの熱処
理の温度を600℃としたが、この温度に限定されるも
のではない。
なお、本発明は積層磁器コンデンサ以外の一般的な単層
の磁器コンデンサにも勿論適用可能である。
の磁器コンデンサにも勿論適用可能である。
[実施例コ
まず、第1表中の試料No、1の場合について説明する
。
。
基]ヨ虹公4」」刃
配合1の化合物を各々秤量し、これらの化合物をポット
ミルに、複数個のアルミナボール及び2.5℃の水とと
もに入れ、15時間撹拌混合して、混合物を得た。
ミルに、複数個のアルミナボール及び2.5℃の水とと
もに入れ、15時間撹拌混合して、混合物を得た。
ここで、配合1の各化合物の重量(g)は、前記基本成
分の組成式 %式% となるように計算して求めた値である。
分の組成式 %式% となるように計算して求めた値である。
次に、前記混合物をステンレスポットに入れ、熱風式乾
燥器を用い、150℃で4時間乾燥し、この乾燥した混
合物を粗粉砕し、この粗粉砕した混合物をトンネル炉を
用い、大気中において約1200℃で2時間仮焼し、前
記組成式(1)で表わされる組成の基本成分の粉末を得
た。
燥器を用い、150℃で4時間乾燥し、この乾燥した混
合物を粗粉砕し、この粗粉砕した混合物をトンネル炉を
用い、大気中において約1200℃で2時間仮焼し、前
記組成式(1)で表わされる組成の基本成分の粉末を得
た。
亀凰戊豆匁11
また、配合2の化合物を各々秤量し、これらの化合物を
ポリエチレンポットに、複数個のアルミナボール及び3
00m、Cのアルコールとともに加え、10時間撹拌混
合して、混合物を得た。
ポリエチレンポットに、複数個のアルミナボール及び3
00m、Cのアルコールとともに加え、10時間撹拌混
合して、混合物を得た。
ここで、配合2の各化合物の重量(g)は、B2O3が
1モル%、S i Oaが80モル%、MOが19モル
%1Bao(3,8モル%)+Ca0(9,5モル%)
+Mg0(5,7モル%))の組成となるように計算し
て求めた値である。
1モル%、S i Oaが80モル%、MOが19モル
%1Bao(3,8モル%)+Ca0(9,5モル%)
+Mg0(5,7モル%))の組成となるように計算し
て求めた値である。
また、MOのうちでBad、CaO及びMgOの占める
割合は、BaOが20モル%、CaOが50モル%、M
gOが30モル%である。
割合は、BaOが20モル%、CaOが50モル%、M
gOが30モル%である。
次に、前記混合物を大気中において約1000℃の温度
で2時間仮焼し、これをアルミナポットに複数個のアル
ミナボール及び300m℃の水とともに入れ、15時間
粉砕し、その後、150℃で4時間乾燥させ、前記組成
の添加成分の粉末を得た。
で2時間仮焼し、これをアルミナポットに複数個のアル
ミナボール及び300m℃の水とともに入れ、15時間
粉砕し、その後、150℃で4時間乾燥させ、前記組成
の添加成分の粉末を得た。
スラリーの調製
次に、100重量部(1000g)の前記基本成分と、
2重量部(20g)の前記添加成分とをボールミルに入
れ、更に、これらの基本成分と添加成分との合計重量に
対して15重量%の有機バインダーと50重量%の水を
入れ、これらを混合及び粉砕して誘電体磁器組成物の原
料となるスラリーを得た。
2重量部(20g)の前記添加成分とをボールミルに入
れ、更に、これらの基本成分と添加成分との合計重量に
対して15重量%の有機バインダーと50重量%の水を
入れ、これらを混合及び粉砕して誘電体磁器組成物の原
料となるスラリーを得た。
ここで、有機バインダーとしては、アクリル酸エステル
ポリマー グリセリン及び縮合リン酸塩の水溶液からな
るものを使用した。
ポリマー グリセリン及び縮合リン酸塩の水溶液からな
るものを使用した。
未1」組数lコ仁二上4す刻成
次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡処理し、
この脱泡処理したスラリーをポリエステルフィルム上に
リバースコータを用いて所定の厚さで塗布し、この塗布
されたスラリーをこのポリエステルフィルムとともに1
00 ’Cで加熱して乾燥させ、厚さ約25 g mの
長尺な未焼結m蓋シートを得た。そして、この長尺な未
焼結磁器シートを裁断して10cm角の未焼結磁器シー
トを得た。
この脱泡処理したスラリーをポリエステルフィルム上に
リバースコータを用いて所定の厚さで塗布し、この塗布
されたスラリーをこのポリエステルフィルムとともに1
00 ’Cで加熱して乾燥させ、厚さ約25 g mの
長尺な未焼結m蓋シートを得た。そして、この長尺な未
焼結磁器シートを裁断して10cm角の未焼結磁器シー
トを得た。
電 ペーストの と印
また、粒径平均1.!5umのニッケル粉末10gと、
エチルセルロース0.9gをブチルカルピトール9.1
gに溶解させたものとを撹拌機に入れて10時間撹拌し
、内部電極用の導電性ペーストを得た。
エチルセルロース0.9gをブチルカルピトール9.1
gに溶解させたものとを撹拌機に入れて10時間撹拌し
、内部電極用の導電性ペーストを得た。
そして、前記未焼結磁器シートの片面にこの導電性ペー
ストからなるパターン(長さ14mm、幅7mm)を5
0個、スクリーン印刷法によって形成させ、乾燥させた
。
ストからなるパターン(長さ14mm、幅7mm)を5
0個、スクリーン印刷法によって形成させ、乾燥させた
。
未 1士磁0シートの 層
次に、この未焼結磁器シートを、導電性ペーストからな
るパターンが形成されている側を上にして2枚積層した
。この積層の際、隣接する上下の未焼結磁器シート間に
おいて、導電性ペーストからなるパターンが長平方向に
半分程ずれるようにした。
るパターンが形成されている側を上にして2枚積層した
。この積層の際、隣接する上下の未焼結磁器シート間に
おいて、導電性ペーストからなるパターンが長平方向に
半分程ずれるようにした。
そして、更に上記のようにして積層したものの上下両面
に厚さ60μmの未焼結磁器シートを各々4枚ずつ積層
して積層物を得た。
に厚さ60μmの未焼結磁器シートを各々4枚ずつ積層
して積層物を得た。
μ物の圧 と断
次に、約50℃の温度下において、この積層物に厚さ方
向から約40トンの荷重を加えて、この積層物を構成し
ている未焼結磁器シート相互を圧着させた。そして、こ
の積層物を格子状に裁断して、50個の積層体チップを
得た。
向から約40トンの荷重を加えて、この積層物を構成し
ている未焼結磁器シート相互を圧着させた。そして、こ
の積層物を格子状に裁断して、50個の積層体チップを
得た。
層 チップの焼成
次に、この積層体チップを雰囲気焼成が可能な炉に入れ
、この炉内を大気雰囲気にし、100℃/hの速度で6
00℃まで昇温させ、未焼結磁器シート中の有機バイン
ダーを燃焼除去させた。
、この炉内を大気雰囲気にし、100℃/hの速度で6
00℃まで昇温させ、未焼結磁器シート中の有機バイン
ダーを燃焼除去させた。
その後、炉内の雰囲気を大気雰囲気から還元雰囲気(H
2(2体積%)+N2f98体積%))に変え、炉内の
温度を600℃から1160℃まで、100℃/hの速
度で昇温させ、1160℃の温度を3時間保持し、その
後、100℃/hの速度で降温させ、炉内の雰囲気を大
気雰囲気(酸化性雰囲気)に変え、600℃の温度を3
0分間保持して酸化処理を行い、その後、室温まで冷却
して積層焼結体チップを得た。
2(2体積%)+N2f98体積%))に変え、炉内の
温度を600℃から1160℃まで、100℃/hの速
度で昇温させ、1160℃の温度を3時間保持し、その
後、100℃/hの速度で降温させ、炉内の雰囲気を大
気雰囲気(酸化性雰囲気)に変え、600℃の温度を3
0分間保持して酸化処理を行い、その後、室温まで冷却
して積層焼結体チップを得た。
11!且旦形羞
次に、この積層焼結体チップの対向する側面のうちで、
内部電極の端部が露出している側面に対の外部電極を形
成し、第1図に示すような、−層の誘電体磁器層12.
’12.12と二層の内部電極14.14とからなる積
層焼結体チップ15の端部に一対の外部電極16.16
が形成された積層磁器コンデンサ10が得られた。
内部電極の端部が露出している側面に対の外部電極を形
成し、第1図に示すような、−層の誘電体磁器層12.
’12.12と二層の内部電極14.14とからなる積
層焼結体チップ15の端部に一対の外部電極16.16
が形成された積層磁器コンデンサ10が得られた。
ここで、外部電極16は、前記側面に亜鉛とガラスフリ
ット(glass frit)とビヒクル(vehic
le1とからなる導電性ペーストを塗布し、この導電性
ペーストを、乾燥後、大気中において550 ’Cの温
度で15分間焼き付けて亜鉛電極層18とし、更にこの
亜鉛電極層18の上に無電解メツキ法で銅層20を形成
し、更にこの銅層20の上に電気メツキ法でPb−3n
半田層22を設けることによって形成した。
ット(glass frit)とビヒクル(vehic
le1とからなる導電性ペーストを塗布し、この導電性
ペーストを、乾燥後、大気中において550 ’Cの温
度で15分間焼き付けて亜鉛電極層18とし、更にこの
亜鉛電極層18の上に無電解メツキ法で銅層20を形成
し、更にこの銅層20の上に電気メツキ法でPb−3n
半田層22を設けることによって形成した。
なお、この積層磁器コンデンサ10の誘電体磁器層12
の厚さは0.02mm、一対の内部電極14.14の対
向面積は5mmX5mm=25mm2である。また、焼
結後の誘電体磁器層12の組成は、焼結前の基本成分及
び添加成分の混合物の組成と実質的に同じである。
の厚さは0.02mm、一対の内部電極14.14の対
向面積は5mmX5mm=25mm2である。また、焼
結後の誘電体磁器層12の組成は、焼結前の基本成分及
び添加成分の混合物の組成と実質的に同じである。
電気的、・、の測′〜
次に、積層磁器コンデンサ10の電気的特性を測定し、
その平均値を求めたところ、第1表に示すように、比誘
電率ε、が]、 5200、tanδが1.2%、抵抗
率ρが2.78X10’MΩ・cmであった。
その平均値を求めたところ、第1表に示すように、比誘
電率ε、が]、 5200、tanδが1.2%、抵抗
率ρが2.78X10’MΩ・cmであった。
なお、電気的特性は次の要領で測定した。
FA)比誘電率ε5は、温度20°C1周波数1、 k
Hz、電圧(実効値)1.OVの条件で静電容量を測
定し、この測定値と、一対の内部電極14.14の対向
面積(25mm2)と一対の内部電極14.14間の誘
電体磁器層12の厚さ(0,02mm)から計算で求め
た。
Hz、電圧(実効値)1.OVの条件で静電容量を測
定し、この測定値と、一対の内部電極14.14の対向
面積(25mm2)と一対の内部電極14.14間の誘
電体磁器層12の厚さ(0,02mm)から計算で求め
た。
(1誘電体損失tanδ(%)は、上記した比誘電率ε
、の測定の場合と同一の条件で測定した。
、の測定の場合と同一の条件で測定した。
(C)抵抗率ρ(MO・am)は、温度20℃において
DC100Vを1分間印加した後に、一対の外部電極1
6.16間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基
づいて計算で求めた。
DC100Vを1分間印加した後に、一対の外部電極1
6.16間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基
づいて計算で求めた。
以上、試料NO31について述べたが、試料No、2〜
83についても、基本成分及び添加成分の組成を第1表
の左欄に示すように変え、還元性雰囲気中における焼成
温度を第1表の右欄に示すように変えた他は、試料No
、1と全(同一の方法で積層磁器コンデンサを作成し、
同一の方法で電気的特性を測定した。試料No、2〜8
3の電気的特性は第1表の右欄に示す通りとなった。
83についても、基本成分及び添加成分の組成を第1表
の左欄に示すように変え、還元性雰囲気中における焼成
温度を第1表の右欄に示すように変えた他は、試料No
、1と全(同一の方法で積層磁器コンデンサを作成し、
同一の方法で電気的特性を測定した。試料No、2〜8
3の電気的特性は第1表の右欄に示す通りとなった。
なお、第1表において、1−xの欄には基本成分の組成
式におけるBaの原子数の割合が、Xの欄には基本成分
の組成式におけるCaの原子数の割合が、1−y−zの
欄には基本成分の組成式におけるTiの原子数の割合が
、yの欄には基本成分の組成式におけるZrの原子数の
割合が、Zの欄には基本成分の組成式におけるRの原子
数の割合が、kの欄には基本成分の組成式における(
(Ba、 −xcaxl o)の割合が示されている。
式におけるBaの原子数の割合が、Xの欄には基本成分
の組成式におけるCaの原子数の割合が、1−y−zの
欄には基本成分の組成式におけるTiの原子数の割合が
、yの欄には基本成分の組成式におけるZrの原子数の
割合が、Zの欄には基本成分の組成式におけるRの原子
数の割合が、kの欄には基本成分の組成式における(
(Ba、 −xcaxl o)の割合が示されている。
また、Zの欄のSc、Y、Gd、Dy、Ho。
Er、Ybは基本成分の組成式中におけるRの内容を示
し、これ等の元素の各欄にはこれ等の元素の原子数の割
合が示され、合計の欄にはこれ等の元素の原子数の割合
の合計値(Z値)が示されている。
し、これ等の元素の各欄にはこれ等の元素の原子数の割
合が示され、合計の欄にはこれ等の元素の原子数の割合
の合計値(Z値)が示されている。
また、添加成分の内容の欄の添加量は基本成分100重
量部に対する重量部で示され、MOの内容の欄にはBa
d、SrO,Cab、MgO。
量部に対する重量部で示され、MOの内容の欄にはBa
d、SrO,Cab、MgO。
ZnOの割合がモル%で示されている。
第1表から明らかなように、本発明に従う試料によれば
、非酸化性雰囲気中における1200°C以下の焼成で
、比誘電率ε8が7000以上、誘電体損失tanδが
2.5%以下、抵抗率ρがlX106MΩ・cm以」二
の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を備えた磁器コ
ンデンサを得ることができるものである。
、非酸化性雰囲気中における1200°C以下の焼成で
、比誘電率ε8が7000以上、誘電体損失tanδが
2.5%以下、抵抗率ρがlX106MΩ・cm以」二
の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を備えた磁器コ
ンデンサを得ることができるものである。
これに対し、No、11〜13,20,25゜26.3
1,37,43,44,48,49゜53.63,68
,69,73,74,78゜79及び83の試料によれ
ば、所望の電気的特性を有する磁器コンデンサを得るこ
とができない。
1,37,43,44,48,49゜53.63,68
,69,73,74,78゜79及び83の試料によれ
ば、所望の電気的特性を有する磁器コンデンサを得るこ
とができない。
従って、これらのNo、の試料は本発明の範囲外のもの
であ机 次に、本発明に係る磁器コンデンサに用いられている誘
電体磁器組成物の組成範囲の限定理由について説明する
。
であ机 次に、本発明に係る磁器コンデンサに用いられている誘
電体磁器組成物の組成範囲の限定理由について説明する
。
まず、基本成分の組成式中におけるCaの原子数の割合
、すなわちXの値について説明する。
、すなわちXの値について説明する。
Xの値か、試料No、36及び42に示すように、0.
27の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
27の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
37及び43に示すように、0.30の場合には、焼成
温度が1250℃と高(なり、比誘電率ε5も7000
未満となる。従って、Xの値の上限は0.27である。
温度が1250℃と高(なり、比誘電率ε5も7000
未満となる。従って、Xの値の上限は0.27である。
また、Caは温度特性を平坦にする作用及び抵抗率pを
向上させる作用を有するが、Xの値が零であっても所望
の電気的特性の焼結体を得ることができる。従って、X
の値の下限は零である。
向上させる作用を有するが、Xの値が零であっても所望
の電気的特性の焼結体を得ることができる。従って、X
の値の下限は零である。
次に、基本成分の組成式中におけるZrの原子数の割合
、すなわちyの値について説明する。
、すなわちyの値について説明する。
yの値が、試料No、45及び50に示すように、0.
05の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
05の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
44及び49に示すように、0.03の場合には、比誘
電率ε5が7000未満となる。
電率ε5が7000未満となる。
従って、yの値の下限は0,05である。
方、yの値が、試料No、47及び52に示すように、
0.26の場合には所望の電気的特性の焼結体を得るこ
とができるが、試料No、48及び53に示すように、
0929の場合には、比誘電率8.、が7000未満と
なる。従って、yの値の上限は0.26である。
0.26の場合には所望の電気的特性の焼結体を得るこ
とができるが、試料No、48及び53に示すように、
0929の場合には、比誘電率8.、が7000未満と
なる。従って、yの値の上限は0.26である。
次に、基本成分の組成式中におけるRの原子数の割合、
すなわちZの値について説明する。
すなわちZの値について説明する。
Zの値が、試料No、64及び70に示すように、0.
002の場合には所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
002の場合には所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
63及び69に示すように、0.001の場合には、誘
電体損失tanδが大幅に悪化し、抵抗率pも]XIO
′MΩ・cm未満となる。従って、Zの値の下限は0.
002である。
電体損失tanδが大幅に悪化し、抵抗率pも]XIO
′MΩ・cm未満となる。従って、Zの値の下限は0.
002である。
一方、2の値が、試料No、67及び72に示すように
、0.04の場合には所望の電気的特性を有する焼結体
を得ることができるが、試料No、68及び73に示す
ように、0.06の場合には、焼成温度が1250℃で
あっても緻密な焼結体を得ることができない。従って、
Zの値の」1限は0.04である。
、0.04の場合には所望の電気的特性を有する焼結体
を得ることができるが、試料No、68及び73に示す
ように、0.06の場合には、焼成温度が1250℃で
あっても緻密な焼結体を得ることができない。従って、
Zの値の」1限は0.04である。
なお、R成分のSc、Y、Dy、Ho、Er。
Ybははf同様に働き、これ等から選択された1つを使
用しても、または複数を使用しても同様な結果が得られ
る。
用しても、または複数を使用しても同様な結果が得られ
る。
次に、基本成分の組成式中における
( (Bat−xcaj 01の割合、すなわちkの値
について説明する。
について説明する。
kの値が、試料No、75及び80に示すように、1.
00の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
00の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
74及び79に示すように、0.99の場合には、抵抗
率pが1X10’MΩ・cm未満と、大幅に低(なる。
率pが1X10’MΩ・cm未満と、大幅に低(なる。
従って、kの値の下限は1.00である。
一方、kの値が、試料No、77及び82に示すように
、1.04の場合には所望の電気的特性の焼結体を得る
ことができるが、試料No。
、1.04の場合には所望の電気的特性の焼結体を得る
ことができるが、試料No。
78及び83に示すように、1.05の場合には、緻密
な焼結体を得ることができない。
な焼結体を得ることができない。
従って、kの値の上限は1.04である。
次に、添加成分の添加量について説明する。
添加成分の添加量が、試料No、21及び27に示すよ
うに、100重量部の基本成分に対して0.2重量部の
場合には、1190〜1200°Cの焼成で所望の電気
的特性を有する焼結体を得ることができるが、試料No
、20及び26に示すように、添加成分の添加量が零の
場合には、焼成温度が1250℃であっても緻密な焼結
体を得ることができない。従って、添加成分の下限値は
、100重量部の基本成分に対して0.2重量部である
。
うに、100重量部の基本成分に対して0.2重量部の
場合には、1190〜1200°Cの焼成で所望の電気
的特性を有する焼結体を得ることができるが、試料No
、20及び26に示すように、添加成分の添加量が零の
場合には、焼成温度が1250℃であっても緻密な焼結
体を得ることができない。従って、添加成分の下限値は
、100重量部の基本成分に対して0.2重量部である
。
一方、添加成分の添加量が、試料No、24及び30に
示すように、100重量部の基本成分に対して5重量部
の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得るこ
とができるが、添加成分の添加量か、試料No、25及
び31に示すように、100重量部の基本成分に対して
7重量部の場合には、比誘電率ε8が7000未満とな
る。
示すように、100重量部の基本成分に対して5重量部
の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得るこ
とができるが、添加成分の添加量か、試料No、25及
び31に示すように、100重量部の基本成分に対して
7重量部の場合には、比誘電率ε8が7000未満とな
る。
従って、添加成分の添加量の上限値は、100重量部の
基本成分に対して5重量部である。
基本成分に対して5重量部である。
次に添加成分の好ましい組成範囲について説明する。
添加成分の好ましい組成範囲は、第2図の8203−3
iO□−MOの組成比を示す三角図に基づいて決定する
ことができる。
iO□−MOの組成比を示す三角図に基づいて決定する
ことができる。
二角図の第1の点Aは、試料No、1のB2O3が1モ
ル%、5i02が80モル%、MOが19モル%の組成
を示し、第2の点Bは、試料N002のB2O3が1モ
ル%、SiO□が39モル%、MOが60モル%の組成
を示し、第3の点Cは、試料N013のB2O3が30
モル%、5jO2が0モル%、MOが70モル%の組成
を示し、第4の点りは、試料No、4のB2O3が90
モル%、5in2が0モル%、MOが10モル%の組成
を示し、第5の点Eは、試料No、5のB2O3が90
モル%、5in2が10モル%、MOが0モル%の組成
を示し、第6の点Fは、試料No、6のB2O3が20
モル%、5in2が80モル%、MOが0モル%の組成
を示す。
ル%、5i02が80モル%、MOが19モル%の組成
を示し、第2の点Bは、試料N002のB2O3が1モ
ル%、SiO□が39モル%、MOが60モル%の組成
を示し、第3の点Cは、試料N013のB2O3が30
モル%、5jO2が0モル%、MOが70モル%の組成
を示し、第4の点りは、試料No、4のB2O3が90
モル%、5in2が0モル%、MOが10モル%の組成
を示し、第5の点Eは、試料No、5のB2O3が90
モル%、5in2が10モル%、MOが0モル%の組成
を示し、第6の点Fは、試料No、6のB2O3が20
モル%、5in2が80モル%、MOが0モル%の組成
を示す。
本発明の組成範囲に属する試料の添加成分は、第2図に
示す三角図の第1〜6の点A−Fをこの順に結ぶ6本の
直線で囲まれた範囲内となっている。
示す三角図の第1〜6の点A−Fをこの順に結ぶ6本の
直線で囲まれた範囲内となっている。
添加成分の組成をこの範囲内のものとすれば、所望の電
気的特性を有する焼結体を得ることができる。一方、試
料No、11〜13のように、添加成分の組成を本発明
で特定した範囲外とすれば、緻密な焼結体を得ることが
できない。
気的特性を有する焼結体を得ることができる。一方、試
料No、11〜13のように、添加成分の組成を本発明
で特定した範囲外とすれば、緻密な焼結体を得ることが
できない。
なお、MO酸成分、例えば試料No、14〜18に示す
ように、Bad、SrO,Cab。
ように、Bad、SrO,Cab。
MgO,ZnOのいずれか1つであってもよいし、また
は他の試料に示すように適当な比率としてもよい。
は他の試料に示すように適当な比率としてもよい。
[発明の効果]
本発明によれば、磁器コンデンサの誘電体層を構成して
いる誘電体磁器組成物の組成を前述したように構成した
ので、非酸化性雰囲気中における1200℃以下の焼成
であるにもかかわらず、その比誘電率ε3を7000〜
20100と飛躍的に向上させることができ、従って、
磁器コンデンサの小型大容量化を図ることが可能になっ
た。
いる誘電体磁器組成物の組成を前述したように構成した
ので、非酸化性雰囲気中における1200℃以下の焼成
であるにもかかわらず、その比誘電率ε3を7000〜
20100と飛躍的に向上させることができ、従って、
磁器コンデンサの小型大容量化を図ることが可能になっ
た。
そして、磁器コンデンサの小型大容量化を図ることがで
きるようになったので、ニッケル等の卑金属の導電性ペ
ーストを内部電極の形成に用いることと相まって、磁器
コンデンサの低コスト化を図ることが可能になった。
きるようになったので、ニッケル等の卑金属の導電性ペ
ーストを内部電極の形成に用いることと相まって、磁器
コンデンサの低コスト化を図ることが可能になった。
第1図は本発明の実施例に係る積層型磁器コンデンサの
断面図、第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図であ
る。 12・・・誘電体磁器層 14・・・内部電極15
・・・積層焼結体チップ 16・・・外部電極18・・
・亜鉛電極層 20・・・銅層22 ・P b
−S n半田層 代理人 弁理士 窪 1)法 明
断面図、第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図であ
る。 12・・・誘電体磁器層 14・・・内部電極15
・・・積層焼結体チップ 16・・・外部電極18・・
・亜鉛電極層 20・・・銅層22 ・P b
−S n半田層 代理人 弁理士 窪 1)法 明
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.誘電体磁器組成物からなる誘電体磁器層と、この誘
電体磁器層を挟持している少なくとも2以上の内部電極
とを備えた磁器コンデンサにおいて、 前記誘電体磁器組成物が、100.0重量部の基本成分
と、0.2〜5.0重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、 {(Ba_1_−_xCa_x)O}_k(Ti_1_
−_y_−_zZr_yR_z)O_2_−_z_/_
2(但し、Rは、Sc,Y,Gd,Dy,Ho,Er,
Yb,Tb,Tm及びLuから選択された1種または2
種以上の元素、 x,y,z,kは、 0≦x≦0.27 0.05≦y≦0.26 0.002≦z≦0.04 1.00≦k≦1.04 を満足する数値)であり、 前記添加成分がB_2O_3とSiO_2とMO(但し
、MOはBaO,SrO,CaO,MgO及びZnOか
ら選択された1種または2種以上の酸化物)からなり、 前記B_2O_3と前記SiO_2と前記MOとの組成
範囲が、これらの組成をモル%で示す三角図において、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が80モ
ル%、前記MOが19モル%の組成を示す第1の点Aと
、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が39モ
ル%、前記MOが60モル%の組成を示す第2の点Bと
、 前記B_2O_3が30モル%、前記SiO_2が0モ
ル%、前記MOが70モル%の組成を示す第3の点Cと
、 前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が0モ
ル%、前記MOが10モル%の組成を示す第4の点Dと
、 前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が10
モル%、前記MOが0モル%の組成を示す第5の点Eと
、 前記B_2O_3が20モル%、前記SiO_2が80
モル%、前記MOが0モル%の組成を示す第6の点Fと をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内にあること
を特徴とする磁器コンデンサ。 2.未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製する工程と
、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形成する工程
と、前記未焼結磁器シートを少なくとも2以上の導電性
ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工程と、前記
積層物を非酸化性雰囲気中において熱処理する工程と、
前記熱処理を受けた積層物を酸化性雰囲気中において熱
処理する工程とを備え、 前記未焼結の磁器粉末からなる混合物が、 100.0重量部の基本成分と、0.2〜5重量部の添
加成分とからなり、 前記基本成分が、 {(Ba_1_−_xCa_x)O}_k(Ti_1_
−_y_−_zZr_yR_z)O_2_−_z_/_
2(但し、Rは、Sc,Y,Gd,Dy,Ho,Er,
Yb,Tb,Tm及びLuから選択された1種または2
種以上の元素、 x,y,z,kは、 0≦x≦0.27 0.05≦y≦0.26 0.002≦z≦0.04 1.00≦k≦1.04 を満足する数値)であり、 前記添加成分がB_2O_3とSiO_2とMO(但し
、MOはBaO,SrO,CaO,MgO及びZnOか
ら選択された1種または2種以上の酸化物)からなり、 前記B_2O_3と前記SiO_2と前記MOとの組成
範囲が、これらの組成をモル%で示す三角図において、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が80モ
ル%、前記MOが19モル%の組成を示す第1の点Aと
、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が39モ
ル%、前記MOが60モル%の組成を示す第2の点Bと
、 前記B_2O_3が30モル%、前記SiO_2が0モ
ル%、前記MOが70モル%の組成を示す第3の点Cと
、 前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が0モ
ル%、前記MOが10モル%の組成を示す第4の点Dと
、 前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が10
モル%、前記MOが0モル%の組成を示す第5の点Eと
、 前記B_2O_3が20モル%、前記SiO_2が80
モル%、前記MOが0モル%の組成を示す第6の点Fと をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内にあること
を特徴とする磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125812A JPH0614497B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125812A JPH0614497B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425006A true JPH0425006A (ja) | 1992-01-28 |
| JPH0614497B2 JPH0614497B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=14919540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2125812A Expired - Fee Related JPH0614497B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0614497B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61101459A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-20 | 京セラ株式会社 | 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 |
| JPS61147406A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP2125812A patent/JPH0614497B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61101459A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-20 | 京セラ株式会社 | 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 |
| JPS61147406A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0614497B2 (ja) | 1994-02-23 |
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