JPH04250401A - 反射防止層を有する基板 - Google Patents

反射防止層を有する基板

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JPH04250401A
JPH04250401A JP3008354A JP835491A JPH04250401A JP H04250401 A JPH04250401 A JP H04250401A JP 3008354 A JP3008354 A JP 3008354A JP 835491 A JP835491 A JP 835491A JP H04250401 A JPH04250401 A JP H04250401A
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JP
Japan
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layer
group
substrate
antireflection layer
solution
Prior art date
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Application number
JP3008354A
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English (en)
Inventor
Yasuko Hayashi
泰子 林
Kazumi Nakamura
中村 一己
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Rayon Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は反射防止層を有する基板
に関する。反射防止層を有する有機高分子基板はディス
プレイや計器類の前面板、光学レンズ、自動車窓ガラス
等に用いられる。
【0002】
【従来の技術】上記の用途に用いられる基板に、反射防
止を目的として金属酸化物薄膜を形成させる試みがなさ
れており、そのような手法の一つとして金属アルコキシ
ドの薄膜を形成させた後、これを金属酸化物に転換させ
る方法がある。
【0003】しかし、このような方法で得られる金属酸
化物薄膜の有機高分子基板への密着性は用途によっては
不充分であり、又、金属酸化物薄膜を基板上に積層する
際、特に多層に積層させる際にクラックが発生し易いと
いう問題があり、より密着性に優れ、かつクラックの発
生し難い金属酸化物薄膜及びその製法の開発が要望され
ていた。
【0004】このような要望に応える試みとして、特開
昭61−236501号公報に、金属アルコキシドと二
官能シラン、三官能シランを併用して反射防止層中に金
属原子に結合した有機基を多量に残したものが提案され
ている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような反射防止膜
を形成させようとすると、反射防止層形成用の溶液中に
コロイダルシリカや二官能シラン、三官能シランを多量
に用いる必要があり、このため溶液が高粘度となるので
膜厚の制御が困難になると同時に塗布液形成時に気泡を
巻き込み易く、しかも巻き込んだ気泡を除去し難いとい
う問題があり、更に、反射防止層として性能の優れたも
のとするためには反射防止層を少なくとも3層以上とし
、各層の膜厚及び屈折率を充分制御されたものとし、か
つその中の少なくとも1層の屈折率を高いものとする必
要があるが、上記のように有機成分を多量に含有するも
のでは充分屈折率を高いものにすることが困難であると
いう問題があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らはこのような
状況に鑑み、鋭意検討した結果、上述の問題のない優れ
た反射防止層を得る方法を見出し、本発明に到達した。
【0007】即ち、本発明の要旨は有機高分子基板上に
平均粒径1000オングストローム以下のコロイダルシ
リカを分散状態で含有する一般式(1)で示されるシラ
ン化合物の部分加水分解物の溶液を塗布、縮合・硬化し
てなるアンダーコート層と、屈折率1.9以上である層
を一層以上含む多層からなる反射防止層を該アンダーコ
ート層の上に有することを特徴とする反射防止層を有す
る基板にある。
【0008】 SiR1mR2n(OR3 )4−m−n      
     (1)(式中、R1 、R2 は各々独立に
水素、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキ
ル基又はアルケニル基又は置換基を有していてもよい炭
素数6〜12のアリール基であって、アルキル基、アル
ケニル基又はアリール基が置換基を有するものである場
合はその置換基はビニル基、アミノ基、シアノ基、エポ
キシ基、グリシジルオキシ基、メタクリロイルオキシ基
、メルカプト基、塩素及び弗素からなる群より選ばれる
1種以上であり、R3は炭素数1〜6の炭化水素基を示
し、m及びnは各々0、1又は2であって、但しm+n
が1又は2を満足するものを示す。)
【0009】本発明において用いられる基板としてはど
のようなものも用いることができるが、光学用途に用い
る場合は透明性、分散性、屈折率等の光学特性の適切な
ものであることが好ましく、ポリメチルメタクリレート
あるいはその共重合体、ポリカーボネート、ジエチレン
グリコールビスアリルカーボネート、ポリスチレン、A
S樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレンテレフタレート
等のポリエステル樹脂等を好ましい基板の材料として例
示できる。なお、基板としては平板に限定されるもので
はなく、レンズ等の成形品もその概念に含まれるもので
ある。
【0010】本発明でいうアンダーコート層とは基板と
金属酸化物薄膜の間に設けられ、基板と金属酸化物薄膜
の熱膨張係数の差によって生じる応力を緩和する役割を
担っている。そこで、アンダーコート層の熱膨張係数は
基板の熱膨張係数と金属酸化物薄膜の熱膨張係数の中間
となるようにするのが好ましい。このアンダーコート層
の熱膨張係数のコントロールはコロイダルシルカを低熱
膨張係数成分として用い、二官能及び三官能シランの一
種以上の加水分解、縮合・硬化物を高熱膨張係数成分と
して用い、これらの混合比によって該層の熱膨張係数を
調整するのが、両成分の相溶性が良いこと、反射防止層
に悪影響を与えることが少ないこと等から好ましい。
【0011】従って、本発明においては、平均粒径10
00オングストローム以下のコロイダルシリカを分散状
態で含有する前記一般式(1)で示されるシラン化合物
の部分加水分解物の溶液をアンダーコート層形成用溶液
として用いる。コロイダルシリカの平均粒径が1000
オングストロームを超えるとアンダーコート層における
全光線透過率が低下するので好ましくない。
【0012】前記一般式(1)で示されるシラン化合物
の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチル
トリエトキシシラン、メチルジメトキシエトキシシラン
、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラ
ン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシ
ラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキ
シシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリフ
ェノキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−クロロプロピルトリエトキシシラン、3,3,
3−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、γ−メ
タクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメ
トキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシ
ラン、β−シアノエチルトリエトキシシラン、グリシジ
ルメチルトリメトキシシラン、グリシジルメチルトリエ
トキシシラン、β−グリシジルエチルトリメトキシシラ
ン、β−グリシジルエチルトリエトキシシラン、γ−グ
リシジルプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシジル
プロピルトリエトキシシラン、3,4−エポキシシクロ
ヘキシルメチルトリメトキシシラン、β−(3,4−エ
ポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ
−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピルトリメ
トキシシラン、δ−(3,4−エポキシシクロヘキシル
)ブチルトリメトキシシラン、グリシジルオキシメチル
トリメトキシシラン、グリシジルオキシメチルトリエト
キシシラン、β−グリシジルオキシエチルトリメトキシ
シラン、β−グリシジルオキシエチルトリエトキシシラ
ン、γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン
、γ−グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、
δ−グリシジルオキシブチルトリメトキシシラン、δ−
グリシジルオキシブチルトリエトキシシラン、クロロメ
チルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシ
ラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジメ
トキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルメ
チルジエトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジメ
トキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシ
ラン、γ−メタクリロイルオキシプロピルメチルジメト
キシシラン、γ−メタクリロイルオキシプロピルメチル
ジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメ
トキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジエトキ
シシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン
、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、メチル
ビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラ
ン、グリシジルオキシメチル(メチル)ジメトキシシラ
ン、グリシジルオキシメチル(エチル)ジメトキシシラ
ン、グリシジルオキシメチル(フェニル)ジメトキシシ
ラン、グリシジルオキシメチル(ビニル)ジメトキシシ
ラン、β−グリシジルオキシエチル(メチル)ジメトキ
シシラン、β−グリシジルオキシエチル(エチル)ジメ
トキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピル(メチル
)ジメトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピル(
エチル)ジメトキシシラン、δ−グリシジルオキシブチ
ル(メチル)ジメトキシシラン、δ−グリシジルオキシ
ブチル(エチル)ジメトキシシラン、ビス(グリシジル
オキシメチル)ジメトキシシラン、ビス(グリシジルオ
キシメチル)ジエトキシシラン、ビス(β−グリシジル
オキシエチル)ジメトキシシラン、ビス(γ−グリシジ
ルオキシプロピル)ジエトキシシラン等を示すことがで
き、これらの2種以上を混合して用いることもできる。
【0013】これらのシラン化合物は部分加水分解物の
溶液として用いられるが、溶剤としてはシラン化合物に
対して不活性である溶剤であれば何でも用いることがで
きるが、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノール等の低級アルコール、メチルセロソルブ、エチル
セロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類、トル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素類、酢酸エチル、酢
酸ブチル等のカルボン酸エステル類を好ましいものとし
て例示でき、これらは混合溶媒として用いることもでき
る。
【0014】又、上記シラン化合物の部分加水分解物を
得るためには上記のシラン化合物に塩酸、酢酸、硫酸等
の酸性化合物の水溶液を添加すればよい。加水分解に用
いる酸性化合物の量はシラン化合物の1.5〜10倍モ
ルであることが好ましい。酸性化合物の量が上記下限未
満であると反射防止層を形成した時にクラックが発生し
易くなり、上記上限を越えると得られる反射防止層の外
観が不良となる。
【0015】本発明において用いられるアンダーコート
層形成用溶液におけるシラン化合物部分加水分解物とコ
ロイダルシリカの比は、シラン化合物部分加水分解物1
00重量部に対しコロイダルシリカが10〜700重量
部であることが好ましい。
【0016】本発明においてアンダーコート層形成用溶
液として用いられるコロイダルシリカを含有するシラン
化合物の部分加水分解物の溶液の粘度は塗布のし易さ、
塗布された塗膜の均一性の観点から20センチポアズ以
下であることが好ましく、10センチポアズ以下である
ことがより好ましい。
【0017】本発明においては上記のアンダーコート層
形成用溶液を基板上に塗布し、溶媒が含まれている場合
は溶媒を蒸発させ、更に焼成してアンダーコート層を形
成させる。この塗布乾燥は必要に応じて複数回繰り返し
てもよく、繰り返す場合は同じ組成の溶液を繰り返し塗
布してもよく、塗布の都度組成の異なる溶液を用いても
よい。塗布の都度溶液中のシラン化合物とコロイダルシ
リカの混合比率を変えることによって、熱膨張係数が厚
み方向で勾配を持つようにすることもでき、こうするこ
とにより耐熱性を向上させることができる。アンダーコ
ート層形成のための焼成条件は基板の耐熱性によっても
左右されるが、60℃以上であって基板の熱変形温度以
下であることが好ましい。60℃以上で焼成するとアン
ダーコート層の耐摩耗性が向上する。又、活性エネルギ
ー線による加熱硬化も可能である。
【0018】アンダーコート層の厚みは0.2〜3μm
であることが好ましく、0.2μm未満であると基板と
反射防止層の熱膨張係数の違いによる応力をアンダーコ
ート層で緩和する役割を充分果たせないようになる。厚
みが3μmを越えても何のメリットもなく、むしろ加熱
硬化に時間がかかるという欠点を生ずる。
【0019】本発明において、反射防止層はその機能を
果たすために、膜厚、屈折率が一定の条件の範囲内にあ
ることが好ましい。即ち反射防止層を3層以上からなる
多層のものとし、反射防止層を形成する各層の屈折率を
基板側(アンダーコート層側)から最外層の隣の層(反
射防止層の層の数をnとし、基板側から1層、2層とし
た時第n−1層)まで順に屈折率が高くなるようにし、
最も外の層(第n層)はその隣の層(第n−1層)より
低い屈折率のものとし、少なくとも最も屈折率の高い層
の屈折率が1.9以上であるようにすることが好ましい
。又、反射防止層を形成する各層の厚みは可視周辺領域
内で選ばれる任意の基準波長(単位nm)をλとした時
、その層の屈折率と厚みの積が最も屈折率の高い層では
λ/4の整数倍に近く、それ以外の層ではλ/4の奇数
倍に近い値となるように選ばれたものであることが好ま
しい。
【0020】なお、反射防止層の層の数は多ければ多い
ほど幅広い波長範囲で反射率を下げることができるが、
層の数が多くなるとそれだけ製造に手間とコストがかか
るようになるので、反射防止層の層の数としては3〜8
であることが好ましく、3〜4であることがより好まし
い。
【0021】3層及び4層の場合、基板側から第n層の
屈折率をnn とした時、 3層では、1.55≦n1 ≦1.851.90≦n2
 ≦2.25 1.38≦n3 ≦1.50 4層では、1.38≦n1 ≦1.651.55≦n2
 ≦1.85 1.90≦n3 ≦2.40 1.38≦n4 ≦1.50とし、膜厚は上記の条件を
満足するものであるものを設計例として例示できる。
【0022】反射防止層の各層は金属アルコキシドある
いはその部分加水分解物の溶液を塗布、溶媒を蒸発、焼
成して金属酸化物とすることにより得ることができる。 ここで用いられる金属アルコキシドの種類については特
に限定されるものではなく、目的とする屈折率とするた
めに金属アルコキシドを適宜組み合わせて用いることが
できる。例えば周期律表におけるランタナイド元素を除
くIIB 〜VIB 族の元素、窒素を除くIIIA〜
VA 族の元素、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、
銅のいずれのアルコキシドをも用いることができ、これ
らを適宜組み合わせて用いることができる。
【0023】又、上記の元素のアルコキシドと組み合わ
せて用いる限りは、水素、フランシウム、ラジウムを除
くIA 、IIA の元素、ランタナイド族元素、硫黄
、セレン、テルル、トリウム、プロトアクチニウム、ウ
ラン、プルトニウム等のアルコキシドも用いることがで
きる。
【0024】上記の中、好ましい金属アルコキシドの金
属成分としてチタン、ジルコニウム、インジウム、ハフ
ニウム、イットリウム、タンタル、アンチモン、錫、亜
鉛、アルミニウム、ビスマス、モリブデン、スカンジウ
ム、タングステン、珪素或いはこれらの2種以上の組み
合わせ等を挙げることができ、これらと組み合わせて用
いる好ましい金属アルコキシドの金属成分としてセリウ
ム、プラセオジム、ネオジム、ユーロピウム、ランタン
或いはこれらの2種以上の組み合わせを挙げることがで
きる。
【0025】金属アルコキシドのアルコキシド成分の炭
素数は1〜5であることが好ましい。これが6以上であ
ると焼成後でもアルコキシドに由来する有機成分が残存
し易い傾向にある。金属アルコキシドとしては1種の金
属アルコキシド中で全てのアルコキシドが同じ炭素数の
ものであってもよく、互いに異なるものであってもよい
。又、金属アルコキシドとして異なる炭素数の金属アル
コキシドの混合物であってもよい。
【0026】金属アルコキシド或いはその部分加水分解
物の溶液に用いられる溶媒としてはアルコール、脂肪族
炭化水素、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ケト
ン系溶媒、エステル系溶媒、セロソルブ類等を用いるこ
とができ、メタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチ
ルセロソルブ、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸
ブチル、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等を好ましいも
のとして例示でき、これらの2種以上を混合して用いて
もよい。
【0027】即ち、反射防止層形成用液としては上述の
金属アルコキシドの溶液に少量の酸と水を添加したもの
を用いてもよく、この溶液をしばらく放置してある程度
加水分解と部分縮合したもの(部分加水分解物という)
を用いてもよい。
【0028】屈折率が1.9以上の反射防止層を形成す
るためにはチタン、ジルコニウム、インジウム、ハフニ
ウム、イットリウム、タンタル、アンチモン、錫、亜鉛
の1種以上、或いはこれにセリウム、プラセオジム、ネ
オジウムを組み合わせたものを金属アルコキシドの金属
成分として選び、アルコキシドとして炭素数1〜3のも
のを用い、溶剤としてメタノール、エタノール、プロパ
ノール、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン等の
低沸点のものを選ぶのが好ましい。
【0029】上述の金属の中ではチタンが安定な反射防
止層形成用液を形成できるので好ましい。チタン以外の
金属を用いる場合は該液の調製をごく乾燥した条件下で
行なうか、該液に少量のキレート剤を添加するのが好ま
しい。
【0030】反射防止層形成用液の粘度は塗布のし易さ
、塗布された塗膜の均一性等の観点から20センチポア
ズ以下であることが好ましく、10センチポアズ以下で
あることがより好ましい。
【0031】反射防止層の形成は各層毎に、所定の屈折
率になるように調製した上記反射防止層形成用液を塗布
、溶媒の蒸発、焼成を行なって所定の膜厚の金属酸化物
薄膜を形成させるという一連の操作を層の数だけ繰り返
すことにより行なわれる。
【0032】焼成条件はアンダーコート層形成の時と同
様、60℃以上、かつ、基板の熱変形温度以下で行なう
のが好ましい。
【0033】
【実施例】以下に実施例を用いて本発明を更に詳しく説
明する。なお、物性評価は下記の方法で行なった。 1)密着性:反射防止層を形成させた基板の反射防止層
をカミソリで1mm×1mmの升目を100個形成する
ようにクロスカットし、クロスカット面にセロハン粘着
テープ(ニチバン(株)製、品番405)を充分に密着
させた後該粘着テープを剥離することを3度繰り返した
後、剥離しないで残った反射防止層の升目の数を密着性
の尺度とした。
【0034】2)膜厚:エリプソメーター(溝尻光学工
業所製)で測定した。3)粘度:回転式粘度計(東京計
器製)で測定した。 4)クラック発生の有無:倍率400倍の光学顕微鏡を
用いて目視観察した。
【0035】5)耐熱衝撃性:反射防止層を有する基板
を80℃で5分間加熱した後、氷水中に投入して急冷し
た後のクラックの発生の有無を上記方法で観察した。 6)耐温水性:反射防止層を有する基板を60℃の温水
中に24時間浸漬後のクラックの発生の有無を上記方法
で観察した。 7)全光線透過率:JIS  K  7105に従って
測定した。
【0036】実施例1 γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン8.
5gに10℃で0.05N塩酸水溶液1.3gを滴下し
、更に室温で1時間撹拌を続けてシラン部分加水分解物
を得た。これにコロイダルシリカのイソプロパノール分
散液(触媒化成性、オスカル1432、固形分32%、
粒径100〜200オングストローム)30gとイソプ
ロパノール40gを添加して1時間撹拌混合してアンダ
ーコート層形成用溶液(粘度4.7センチポアズ)を得
た。
【0037】又、テトラn−ブチルオルソチタネート2
8.4gをn−ブタノール100mlに加えてなる溶液
に2N塩酸2.7mlとn−ブタノール100mlを添
加して撹拌してテトラn−ブチルオルソチタネートの部
分加水分解物からなる反射防止層第1層形成用溶液(粘
度3.7センチポアズ)を得た。
【0038】又、テトライソプロピルオルソチタネート
28.4gをエタノール100mlに溶解した溶液に2
N塩酸2.7mlとエタノール100mlを添加して撹
拌してテトライソプロピルオルソチタネートの部分加水
分解物からなる反射防止層第2層形成用溶液(粘度1.
8センチポアズ)を得た。
【0039】又、テトラエチルオルソシリケート20.
8gをイソプロパノール65mlに溶解した溶液に水9
.0gと2N塩酸1gとイソプロパノール100mlを
添加して撹拌してテトラエチルオルソシリケートの部分
加水分解物からなる反射防止層第3層形成用溶液(粘度
2.8センチポアズ)を得た。
【0040】上記で得たアンダーコート層形成用溶液を
ポリメチルメタクリレートAR板(三菱レイヨン(株)
製、屈折率1.49)に浸漬法で塗布した後、室温で5
分、更に80℃で1時間加熱乾燥し、硬化させて基板上
に膜厚1.5μmのアンダーコート層を形成した。更に
、その上に上記で得た反射防止層第1層形成用溶液を浸
漬法を用いて引き上げ速度4.1cm/minで塗布し
た後、室温で5分、更に80℃で30分間加熱硬化させ
、その上に上記で得た反射防止層第2層形成用溶液を浸
漬法を用いて引き上げ速度14.2cm/minで塗布
した後、室温で5分、更に80℃で30分間加熱硬化さ
せ、その上に上記で得た反射防止層第3層形成用溶液を
浸漬法を用いて引き上げ速度6.5cm/minで塗布
した後、室温で5分、更に80℃で1時間加熱硬化させ
て3層からなる反射防止層を形成させた。得られた反射
防止層付き基板の全光線透過率は99.3%であった。
【0041】反射防止層第1層の屈折率は1.83、膜
厚は750オングストローム、第2層の屈折率は1.9
9、膜厚は690オングストローム、第3層の屈折率は
1.44、膜厚は955オングストロームであった。反
射防止層の密着性は100%で、クラックの発生はなく
、耐熱衝撃性試験及び耐温水試験のいずれでもクラック
は発生しなかった。
【0042】実施例2 反射防止層第1層形成用溶液としてテトライソプロピル
オルソチタネート26.0g、テトラエチルオルソシリ
ケート10.5g及びエタノール150mlに水4.8
g、塩酸1.0g、エタノール125mlを添加して撹
拌して得た部分加水分解物(粘度1.9センチポアズ)
を用い、反射防止層第2層形成用溶液としてテトライソ
プロピルオルソチタネート28.4g、イソプロパノー
ル68ml、n−ブタノール32mlの混合溶液に2N
塩酸2.7ml、イソプロパノール68ml、n−ブタ
ノール32mlを添加、撹拌して得た部分加水分解物(
粘度2.9センチポアズ)を用い、反射防止層第3層及
び第4層として実施例1で反射防止層第2層及び第3層
に用いた溶液を各々用い、実施例1と同様にして得たア
ンダーコート層で被覆されたポリメチルメタクリレート
板の上にいずれも浸漬法で、引き上げ速度を第1層では
12.8cm/min、第2層では6.4cm/min
、第3層では14.2cm/min、第4層では6.5
cm/minで塗布し、いずれも塗布後室温で5分、8
0℃で30分間か熱硬化させることにより、4層からな
る反射防止層を形成させた。得られた反射防止層付き基
板の全光線透過率は99.1%であった。 又、反射防止層各層の屈折率は第1層が1.56、第2
層が1.89、第3層が1.99、第4層が1.44、
であり、これらの層の膜厚は第1層から順に各々880
、730、690及び955オングストロームであった
。反射防止層の密着性は100%で、クラックの発生は
なく、耐熱衝撃性試験及び耐温水試験のいずれでもクラ
ックは発生しなかった。
【0043】実施例3 反射防止層第1層形成用溶液としてテトライソプロピル
オルソチタネート35.2g、テトラエチルオルソシリ
ケート8.1g及びエタノール150mlに水4.8g
、塩酸1.0g、エタノール125mlを添加して撹拌
して得た部分加水分解物(粘度1.8センチポアズ)を
用い、反射防止層第2層形成用溶液としてテトライソプ
ロピルオルソチタネート28.4g、イソプロパノール
100mlの溶液に2N塩酸2.7ml、イソプロパノ
ール100mlを添加、撹拌して得た部分加水分解物(
粘度2.4センチポアズ)を用い、反射防止層第1層と
第2層の引き上げ速度を各々13.7cm/min、7
.0cm/minとした以外は実施例1と同様にして3
層からなる反射防止層を設けた基板を得た。この全光線
透過率は99.1%であり、反射防止層各層の屈折率は
第1層から順に1.77、1.93、1.44であり、
膜厚は第1層から順に770、710、955オングス
トロームであり、反射防止層の密着性は100%で、ク
ラックの発生はなく、耐熱衝撃性試験及び耐温水試験の
いずれでもクラックは発生しなかった。
【0044】実施例4〜11 アンダーコート層形成用溶液に用いるシラン部分加水分
解物として 1)γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン
8.5gの代わりにγ−メタクリロイルオキシプロピル
トリメトキシシラン8.3gを用いた以外は実施例1と
同様にして得たもの(実施例4) 2)γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン
8.5gの代わりにフェニルトリメトキシシラン8.3
gを用いた以外は実施例1と同様にして得たもの(実施
例5) 3)γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン
8.5gの代わりにビニルトリメトキシシラン8.3g
を用いた以外は実施例1と同様にして得たもの(実施例
6) 4)γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン
8.5gの代わりにジメチルジエトキシシラン8.3g
を用いた以外は実施例1と同様にして得たもの(実施例
7)
【0045】5)γ−グリシジルオキシプロピルトリメ
トキシシラン8.5gの代わりにメチルトリエトキシシ
ラン8.3gを用いた以外は実施例1と同様にして得た
もの(実施例8) 6)γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン
8.5gの代わりにγ−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン8.3gを用いた以外は実施例1と同様にして得た
もの(実施例9) 7)γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン
8.5gの代わりにγ−メルカプトプロピルトリメトキ
シシラン8.3gを用いた以外は実施例1と同様にして
得たもの(実施例10) 7)γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン
8.5gの代わりにトリフルオロエチルトリメトキシシ
ラン8.3gを用いた以外は実施例1と同様にして得た
もの(実施例11)を各々用いた以外は実施例1と同様
にして3層の反射防止層付き基板を得た。用いたアンダ
ーコート形成用溶液の粘度はいずれも4.7センチポア
ズであり、得られた反射防止層付き基板の全光線透過率
はいずれの場合も99.3%であり、いずれの場合も反
射防止層の密着性は100%で、クラックの発生はなく
、耐熱衝撃性試験及び耐温水試験のいずれでもクラック
は発生しなかった。
【0046】実施例12 基板としてポリメチルメタクリレートAR板の代わりに
ポリカーボネート板(三菱レイヨン(株)製、屈折率1
.59、全光線透過率87%)を用いた以外は実施例1
と同様にした。反射防止層付き基板の全光線透過率は8
6.7%であった。反射防止層の密着性は100%で、
クラックの発生はなく、耐熱衝撃性試験及び耐温水試験
のいずれでもクラックは発生しなかった。
【0047】実施例13、14 アンダーコート層形成用溶液に用いるシアン化合物とイ
ソプロパノール分散コロイダルシリカの量を実施例1の
8.5g、30gの代わりに33.0g、7.0g(実
施例13)、5.0g、35.0g(実施例14)とし
た以外は実施例1と同様にした。アンダーコート層用溶
液の粘度は前者が4.9センチポアズ、後者が4.5セ
ンチポアズであり、得られた反射防止層付き基板の全光
線透過率はいずれの場合も99.3%であり、いずれの
場合も反射防止層の密着性は100%で、クラックの発
生はなく、耐熱衝撃性試験及び耐温水試験のいずれでも
クラックは発生しなかった。
【0048】比較例1 基板上にアンダーコート層を設けずに直接反射防止層を
形成させた以外は実施例1と同様にした。得られた反射
防止層付き基板の全光線透過率は99.3%であり、反
射防止層の密着性は100%であったが、反射防止層第
2層を形成させるために塗布後に焼成した際にクラック
が発生した。
【0049】比較例2 反射防止層第1層形成用溶液としてテトライソプロピル
オルソチタネート23.9g、テトラエチルオルソシリ
ケート16.2g及びエタノール150mlに水4.8
g、塩酸1.0g、エタノール125mlを添加して撹
拌して得た部分加水分解物(粘度1.9センチポアズ)
を用い、反射防止層第2層形成用溶液としてテトライソ
プロピルオルソチタネート28.4g、イソプロパノー
ル50ml、n−ブタノール50mlの混合溶液に2N
塩酸2.7ml、イソプロパノール50ml、n−ブタ
ノール50mlを添加、撹拌して得た部分加水分解物(
粘度3.5センチポアズ)を用い、反射防止層第1層と
第2層の引き上げ速度を各々13.7cm/min、5
.2cm/minとした以外は実施例1と同様にして3
層からなる反射防止層を設けた基板を得た。この全光線
透過率は98.8%であり、同様の基板を用いて行なっ
た各実施例で得られたものに比べて低い値を示した。反
射防止層各層の屈折率は第1層から順に1.70、1.
85、1.44であり、膜厚は第1層から順に810、
740、955オングストロームであった。
【0050】
【発明の効果】以上述べたように本発明の反射防止層を
有する基板は全光線透過率に優れ、しかも反射防止層の
密着性に優れ、反射防止層にクラックの発生もなく、耐
熱衝撃性、耐温水性に優れるという特徴を有する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】有機高分子基板上に平均粒径1000オン
    グストローム以下のコロイダルシリカを分散状態で含有
    する一般式(1)で示されるシラン化合物の部分加水分
    解物の溶液を塗布、縮合・硬化してなるアンダーコート
    層と、屈折率1.9以上である層を一層以上含む多層か
    らなる反射防止層を該アンダーコート層の上に有するこ
    とを特徴とする反射防止層を有する基板。 SiR1mR2n(OR3 )4−m−n      
         (1)(式中、R1 、R2 は各々独立に
    水素、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキ
    ル基又はアルケニル基又は置換基を有していてもよい炭
    素数6〜12のアリール基であって、アルキル基、アル
    ケニル基又はアリール基が置換基を有するものである場
    合はその置換基はビニル基、アミノ基、シアノ基、エポ
    キシ基、グリシジルオキシ基、メタクリロイルオキシ基
    、メルカプト基、塩素及び弗素からなる群より選ばれる
    1種以上であり、R3は炭素数1〜6の炭化水素基を示
    し、m及びnは各々0、1又は2であって、但しm+n
    が1又は2を満足するものを示す。)
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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