JPH04250683A - 熱硬化性樹脂組成物並びにそれを用いたプレプリーグおよび銅張積層板 - Google Patents
熱硬化性樹脂組成物並びにそれを用いたプレプリーグおよび銅張積層板Info
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- JPH04250683A JPH04250683A JP8569591A JP8569591A JPH04250683A JP H04250683 A JPH04250683 A JP H04250683A JP 8569591 A JP8569591 A JP 8569591A JP 8569591 A JP8569591 A JP 8569591A JP H04250683 A JPH04250683 A JP H04250683A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ、計測機
器等に使用される多層プリント配線板材料としての熱硬
化性樹脂組成物並びに該樹脂組成物を用いたプリント回
路板用プレプリーグおよび銅張積層板に関するものであ
る。
器等に使用される多層プリント配線板材料としての熱硬
化性樹脂組成物並びに該樹脂組成物を用いたプリント回
路板用プレプリーグおよび銅張積層板に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、コンピュータ、計測機器等に
使用される多層プリント配線板用の樹脂材料としては、
エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられてきた。し
かしながら、近年、高度情報化社会ヘの移行により、処
理される情報量が飛躍的に増大し、多量の情報をより高
速演算処理することが要求されている。
使用される多層プリント配線板用の樹脂材料としては、
エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられてきた。し
かしながら、近年、高度情報化社会ヘの移行により、処
理される情報量が飛躍的に増大し、多量の情報をより高
速演算処理することが要求されている。
【0003】一般に信号伝播速度Vは次式で示され、
【
数1】 (C:光速,ε:誘電率,K:定数) 誘電率の小さいものほど高速演算処理が可能となる。従
って、この信号伝播速度を向上させる目的で、プリント
配線板の低誘電率化が試みられている。
数1】 (C:光速,ε:誘電率,K:定数) 誘電率の小さいものほど高速演算処理が可能となる。従
って、この信号伝播速度を向上させる目的で、プリント
配線板の低誘電率化が試みられている。
【0004】従来より、低誘電率樹脂材料としては、ポ
リテトラフルオロエチレン(PTFE)、熱硬化型ポリ
フェニレンオキサイド(PPO)、ポリオレフィン、ポ
リブタジエン等が知られている。また、上記の他に、低
誘電率樹脂材料としては、主鎖に芳香族や脂環式化合物
を含むシアネートエステル樹脂がある(特表昭61−5
00434号)。
リテトラフルオロエチレン(PTFE)、熱硬化型ポリ
フェニレンオキサイド(PPO)、ポリオレフィン、ポ
リブタジエン等が知られている。また、上記の他に、低
誘電率樹脂材料としては、主鎖に芳香族や脂環式化合物
を含むシアネートエステル樹脂がある(特表昭61−5
00434号)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、PTF
Eは、熱可塑性樹脂であるがためにZ軸方向の熱膨張係
数が大きく、これらを多層プリント配線板材料として用
いた場合、寸法安定性、スルーホール信頼性が劣るとい
う問題点があった。さらに、その溶融温度が250〜3
50℃と高いため加工性に劣ること、また、銅スルーホ
ールメッキ時においても、テトラエッチ処理という複雑
な処理プロセスを必要とするなどの問題点があった。ま
た、PPOは、塩化メチレン等に対する耐有機溶剤性、
ハンダ耐熱性に劣り、かつ耐難燃性にも劣り、UL−9
4VOグレードのものが得られにくいといった問題点が
あり、多層プリント配線板用材料としては不適であった
。さらに、ポリオレフィン、ポリブタジエンについては
、本質的に耐熱性に欠け、使用温度が120℃以下に限
定され、高速コンピュータ用としては明らかに不向きで
ある。
Eは、熱可塑性樹脂であるがためにZ軸方向の熱膨張係
数が大きく、これらを多層プリント配線板材料として用
いた場合、寸法安定性、スルーホール信頼性が劣るとい
う問題点があった。さらに、その溶融温度が250〜3
50℃と高いため加工性に劣ること、また、銅スルーホ
ールメッキ時においても、テトラエッチ処理という複雑
な処理プロセスを必要とするなどの問題点があった。ま
た、PPOは、塩化メチレン等に対する耐有機溶剤性、
ハンダ耐熱性に劣り、かつ耐難燃性にも劣り、UL−9
4VOグレードのものが得られにくいといった問題点が
あり、多層プリント配線板用材料としては不適であった
。さらに、ポリオレフィン、ポリブタジエンについては
、本質的に耐熱性に欠け、使用温度が120℃以下に限
定され、高速コンピュータ用としては明らかに不向きで
ある。
【0006】さらに、前記シアネートエステル樹脂は、
有機酸コバルトなどの触媒の存在下で加熱処理すると、
トリアジン環構造をとり、架橋密度の高い硬化物を得る
ことができ、得られる硬化物は、低吸湿性で誘電率が低
く、かつ耐熱性、寸法安定性にも優れているが、化学構
造上、可撓性に劣り、積層板のドリル加工の際にクラツ
クが生じてスルーホールの信頼性が低下すること、さら
に多層板として使用したときにZ方向の寸法安定性がポ
リイミド樹脂と較べて劣るという問題点があった。
有機酸コバルトなどの触媒の存在下で加熱処理すると、
トリアジン環構造をとり、架橋密度の高い硬化物を得る
ことができ、得られる硬化物は、低吸湿性で誘電率が低
く、かつ耐熱性、寸法安定性にも優れているが、化学構
造上、可撓性に劣り、積層板のドリル加工の際にクラツ
クが生じてスルーホールの信頼性が低下すること、さら
に多層板として使用したときにZ方向の寸法安定性がポ
リイミド樹脂と較べて劣るという問題点があった。
【0007】本発明の目的は、上記問題点を改良した熱
硬化性樹脂組成物並びにそれを用いたプレプリーグおよ
び銅張積層板を提供することにある。
硬化性樹脂組成物並びにそれを用いたプレプリーグおよ
び銅張積層板を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、前記シアネートエ
ステル樹脂に反応性のポリブタジエンを主成分とする樹
脂を加えた樹脂ワニスを用いることにより、ドリル加工
性と寸法安定性の改良できたプリント回路板用プレプリ
ーグおよび銅張積層板が得られることを見出し、本発明
に到った。
を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、前記シアネートエ
ステル樹脂に反応性のポリブタジエンを主成分とする樹
脂を加えた樹脂ワニスを用いることにより、ドリル加工
性と寸法安定性の改良できたプリント回路板用プレプリ
ーグおよび銅張積層板が得られることを見出し、本発明
に到った。
【0009】すなわち、本発明は、一般式〔1〕
【化3
】 (式中、Aは芳香環または芳香環を含む基、BはC7〜
C20の多環脂環基、Dは各々独立に活性水素基を含ま
ない置換基、p,q,rは各々独立に0〜3の整数であ
り、ただし,p,q,rの合計は2以上である。さらに
、sは各々独立に0〜4までの整数であり、xは0〜5
までの整数である。) で示されるシアネートエステル樹脂と、一般式〔2〕
】 (式中、Aは芳香環または芳香環を含む基、BはC7〜
C20の多環脂環基、Dは各々独立に活性水素基を含ま
ない置換基、p,q,rは各々独立に0〜3の整数であ
り、ただし,p,q,rの合計は2以上である。さらに
、sは各々独立に0〜4までの整数であり、xは0〜5
までの整数である。) で示されるシアネートエステル樹脂と、一般式〔2〕
【
化4】 (式中、Zはブタジエンを繰り返し単位の一つとするポ
リマーであり、Yは水酸基、アミノ基、カルボキシル基
、エポキシ基、マレイミド基、ビニル基、アクリロイル
基またはメタアクリロイル基である。)で示される変性
ポリブタジエン樹脂とを含むことを特徴とする熱硬化性
樹脂組成物、無機繊維、有機繊維の織布あるいは不織布
に、特許請求の範囲第1項記載の熱硬化性樹脂組成物を
40〜70重量%含浸させてなることを特徴とするプレ
プリーグ、無機繊維,有機繊維の織布あるいは不織布に
、特許請求の範囲第1項記載の熱硬化性樹脂組成物を4
0〜70重量%含浸させて得られたプレプリーグを積層
して、表面に銅箔を貼り合わせてなることを特徴とする
銅張積層板である。
化4】 (式中、Zはブタジエンを繰り返し単位の一つとするポ
リマーであり、Yは水酸基、アミノ基、カルボキシル基
、エポキシ基、マレイミド基、ビニル基、アクリロイル
基またはメタアクリロイル基である。)で示される変性
ポリブタジエン樹脂とを含むことを特徴とする熱硬化性
樹脂組成物、無機繊維、有機繊維の織布あるいは不織布
に、特許請求の範囲第1項記載の熱硬化性樹脂組成物を
40〜70重量%含浸させてなることを特徴とするプレ
プリーグ、無機繊維,有機繊維の織布あるいは不織布に
、特許請求の範囲第1項記載の熱硬化性樹脂組成物を4
0〜70重量%含浸させて得られたプレプリーグを積層
して、表面に銅箔を貼り合わせてなることを特徴とする
銅張積層板である。
【0010】以下、本発明について詳細に説明する。
【0011】本発明に用いられる一般式〔1〕で示され
るシアネートエステル樹脂としては、特表昭61−50
0434号によって開示されているものを用いることが
できる。すなわち、この特殊シアネートエステル樹脂は
、従来のビスフェノールA型シアネートエステル樹脂よ
り誘導されるポリトリアジンよりも吸湿性が低く、加水
分解作用に対して著しく安定で、かつ耐熱性に優れたポ
リトリアジンを与えるものである。
るシアネートエステル樹脂としては、特表昭61−50
0434号によって開示されているものを用いることが
できる。すなわち、この特殊シアネートエステル樹脂は
、従来のビスフェノールA型シアネートエステル樹脂よ
り誘導されるポリトリアジンよりも吸湿性が低く、加水
分解作用に対して著しく安定で、かつ耐熱性に優れたポ
リトリアジンを与えるものである。
【0012】式〔1〕において、Aは芳香環を含むすべ
ての基を意味するものであり、具体的には、フェニレン
基、ナフチレン基、アンスリレン基、ビフェニレン基、
ビナフチレン基、もしくはアルキレン基によって結合さ
れた2個以上の芳香環を含む基などであり、その中でも
フェニレン基、ナフチレン基が好ましく、フェニレン基
が特に好ましい。
ての基を意味するものであり、具体的には、フェニレン
基、ナフチレン基、アンスリレン基、ビフェニレン基、
ビナフチレン基、もしくはアルキレン基によって結合さ
れた2個以上の芳香環を含む基などであり、その中でも
フェニレン基、ナフチレン基が好ましく、フェニレン基
が特に好ましい。
【0013】また、式〔1〕において、BはC7〜C2
0の多環脂環基を表し、これは2個以上の環を含む脂環
基を意味するものであり、多環脂環基には1つ以上の二
重結合または三重結合が含まれていてもよい。その具体
例を列記すれば次のものがあり、中でも(a),(b)
,(c),(d),(e)が好ましく、特に(a)が好
ましい。
0の多環脂環基を表し、これは2個以上の環を含む脂環
基を意味するものであり、多環脂環基には1つ以上の二
重結合または三重結合が含まれていてもよい。その具体
例を列記すれば次のものがあり、中でも(a),(b)
,(c),(d),(e)が好ましく、特に(a)が好
ましい。
【化5】
(式中、YはCH2,S,S=O,O=S=Oであり、
D′はC1〜C5のアルキル基である。)
D′はC1〜C5のアルキル基である。)
【0014】
式〔1〕において、Dは各々独立に活性水素基を含まな
い置換基であり、活性水素原子を含む置換基は除外され
る。ここで活性水素原子とは、酸素、硫黄、窒素原子に
結合する水素原子を意味する。その具体例としては、水
素原子、C1〜C10のアルキル基、C1〜C10のア
ルケニル基、C1〜C5のアルキニル基、C1〜C5の
アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、ハロゲン原
子等であり、その中でも水素原子、C1〜C3のアルキ
ル基、ハロゲン原子が好ましく、水素原子、ブロム原子
が特に好ましい。
式〔1〕において、Dは各々独立に活性水素基を含まな
い置換基であり、活性水素原子を含む置換基は除外され
る。ここで活性水素原子とは、酸素、硫黄、窒素原子に
結合する水素原子を意味する。その具体例としては、水
素原子、C1〜C10のアルキル基、C1〜C10のア
ルケニル基、C1〜C5のアルキニル基、C1〜C5の
アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、ハロゲン原
子等であり、その中でも水素原子、C1〜C3のアルキ
ル基、ハロゲン原子が好ましく、水素原子、ブロム原子
が特に好ましい。
【0015】式〔1〕において、sは0〜4までの整数
であり、その中でも0〜1の整数が好ましく、0が特に
好ましい。また,p,q,rは各々独立に0〜3の整数
であり、その中でも1が特に好ましい。ただし、p,q
,rの合計は2以上になるように設定される。さらに、
xは0〜5までの整数であるが、式〔I〕のシアネート
エステル樹脂はxが0〜5までの化合物の混合物として
見出されるものである。
であり、その中でも0〜1の整数が好ましく、0が特に
好ましい。また,p,q,rは各々独立に0〜3の整数
であり、その中でも1が特に好ましい。ただし、p,q
,rの合計は2以上になるように設定される。さらに、
xは0〜5までの整数であるが、式〔I〕のシアネート
エステル樹脂はxが0〜5までの化合物の混合物として
見出されるものである。
【0016】式〔1〕で示されるシアネートエステル樹
脂の好ましい具体例としては、次の式で示されるもので
あり、これはQUATREX 7187(ダウケミカ
ル社製)として入手しうるものである。
脂の好ましい具体例としては、次の式で示されるもので
あり、これはQUATREX 7187(ダウケミカ
ル社製)として入手しうるものである。
【化6】
【0017】しかるに、式〔1〕のシアネートエステル
樹脂を触媒存在下で加熱して得られるポリトリアジンは
、低吸湿性(吸水率0.5%以下)、低い誘電率(ε2
.8前後)、低い誘電正接(tan δ0.003前
後)およひ高耐熱性(Tg250℃以上)を有するプリ
ント配線基板を構成する樹脂として優れた特性を有する
ものである。
樹脂を触媒存在下で加熱して得られるポリトリアジンは
、低吸湿性(吸水率0.5%以下)、低い誘電率(ε2
.8前後)、低い誘電正接(tan δ0.003前
後)およひ高耐熱性(Tg250℃以上)を有するプリ
ント配線基板を構成する樹脂として優れた特性を有する
ものである。
【0018】本発明において一般式〔2〕で示される変
性ポリブタジエン樹脂中のZはブタジエンを繰り返し単
位の一つとするポリマーであり、Yは水酸基、アミノ基
、カルボキシル基、エポキシ基、マレイミド基、ビニル
基、アクリロイル基またはメタアクリロイル基である。
性ポリブタジエン樹脂中のZはブタジエンを繰り返し単
位の一つとするポリマーであり、Yは水酸基、アミノ基
、カルボキシル基、エポキシ基、マレイミド基、ビニル
基、アクリロイル基またはメタアクリロイル基である。
【0019】式〔2〕で示される変性ポリブタジエン樹
脂としては、ポリブタジエン樹脂、スチレン−ブタジエ
ン共重合体(SB樹脂)、ブタジエン−アクリロニトリ
ル共重合体(ブナS樹脂)、アクリロニトリルーブタジ
エン−スチレン三元共重合体(ABS樹脂)などの、ブ
タジエンを繰り返し単位の一つとする樹脂の両末端を水
酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、マレイ
ミド基、ビニル基、アクリロイル基またはメタアクリロ
イル基で置換したものがあり、その具体例としては末端
水酸基を有するもの(出光石油化学社製Poly b
d R−45HT)、末端エポキシ基を有するもの(
出光石油化学社製Poly bdR−45EPT)、
末端マレイミド基を有するもの(出光石油化学社製Po
lybdR−45MA)、末端カルボキシル基を有する
もの(宇部興産社製HycarCTBN)、末端アミノ
基を有するもの(宇部興産社製Hycar ATBN
)、末端ビニル基を有するもの(日本曹達社製G−20
00、宇部興産社製Hycar VTBN))、末端
アクリロイル基を有するもの(日本曹達社製TE−20
00)などがある。
脂としては、ポリブタジエン樹脂、スチレン−ブタジエ
ン共重合体(SB樹脂)、ブタジエン−アクリロニトリ
ル共重合体(ブナS樹脂)、アクリロニトリルーブタジ
エン−スチレン三元共重合体(ABS樹脂)などの、ブ
タジエンを繰り返し単位の一つとする樹脂の両末端を水
酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、マレイ
ミド基、ビニル基、アクリロイル基またはメタアクリロ
イル基で置換したものがあり、その具体例としては末端
水酸基を有するもの(出光石油化学社製Poly b
d R−45HT)、末端エポキシ基を有するもの(
出光石油化学社製Poly bdR−45EPT)、
末端マレイミド基を有するもの(出光石油化学社製Po
lybdR−45MA)、末端カルボキシル基を有する
もの(宇部興産社製HycarCTBN)、末端アミノ
基を有するもの(宇部興産社製Hycar ATBN
)、末端ビニル基を有するもの(日本曹達社製G−20
00、宇部興産社製Hycar VTBN))、末端
アクリロイル基を有するもの(日本曹達社製TE−20
00)などがある。
【0020】上記化合物〔1〕、〔2〕の配合比は、重
量比で95:5〜50:50の範囲であることが好まし
い。この配合比が95:5より大きいと、硬化物とした
ときに可撓性に欠け、ドリル加工性、スルーホール信頼
性に劣る。また、この配合比が50:50より小さいと
、耐熱性が低下するのみならず、タック性が増大してプ
レプリーグ材料としては好ましくない。
量比で95:5〜50:50の範囲であることが好まし
い。この配合比が95:5より大きいと、硬化物とした
ときに可撓性に欠け、ドリル加工性、スルーホール信頼
性に劣る。また、この配合比が50:50より小さいと
、耐熱性が低下するのみならず、タック性が増大してプ
レプリーグ材料としては好ましくない。
【0021】次に、本発明の樹脂組成物を用いたプリン
ト回路板用のプレプリーグおよび銅張積層板の製法につ
いて説明する。
ト回路板用のプレプリーグおよび銅張積層板の製法につ
いて説明する。
【0022】プレプリーグをつくるに際しては、まずは
じめに、前記式〔1〕のシアネートエステル樹脂と式〔
2〕で示される変性ポリブタジエン樹脂、難燃剤および
反応触媒等を有機溶剤に溶解することによってワニスを
調製する。次いで、通常のプリント配線基板用の繊維基
材として用いられているE−ガラス、D−ガラスなどの
無機繊維、アラミド繊維に代表される有機繊維の織布あ
るいは不織布にこのワニスを含浸させたのち加熱乾燥す
る。この際、繊維基材へのワニスの含浸量は、乾燥後の
全重量に対する樹脂固形分(式〔1〕の樹脂と式〔2〕
の化合物と難燃剤とを合わせたもの)の比率が40〜6
0重量%になるように設定するのが好ましい。プレプリ
ーグを製造する際の加熱乾燥条件は、反応触媒の添加量
によって影響されるが、例えば、加熱温度が150℃の
場合には、加熱時間を3〜10分程度に設定することに
より、所望のプレプリーグのストロークゲルタイムを得
るようにすることができる。
じめに、前記式〔1〕のシアネートエステル樹脂と式〔
2〕で示される変性ポリブタジエン樹脂、難燃剤および
反応触媒等を有機溶剤に溶解することによってワニスを
調製する。次いで、通常のプリント配線基板用の繊維基
材として用いられているE−ガラス、D−ガラスなどの
無機繊維、アラミド繊維に代表される有機繊維の織布あ
るいは不織布にこのワニスを含浸させたのち加熱乾燥す
る。この際、繊維基材へのワニスの含浸量は、乾燥後の
全重量に対する樹脂固形分(式〔1〕の樹脂と式〔2〕
の化合物と難燃剤とを合わせたもの)の比率が40〜6
0重量%になるように設定するのが好ましい。プレプリ
ーグを製造する際の加熱乾燥条件は、反応触媒の添加量
によって影響されるが、例えば、加熱温度が150℃の
場合には、加熱時間を3〜10分程度に設定することに
より、所望のプレプリーグのストロークゲルタイムを得
るようにすることができる。
【0023】本プレプリーグを製造する際に用いられる
難燃剤としては、ハロゲンを含む化合物であれば、いず
れでもよいが、具体的には、テトラブロモビスフェノー
ルA、ハロゲン置換された芳香族ポリカーボネートオリ
ゴマー、例えば、次式で示されるフェノキシ末端テトラ
ブロモビスフェノールAカーボネートオリゴマーを用い
ることができる。
難燃剤としては、ハロゲンを含む化合物であれば、いず
れでもよいが、具体的には、テトラブロモビスフェノー
ルA、ハロゲン置換された芳香族ポリカーボネートオリ
ゴマー、例えば、次式で示されるフェノキシ末端テトラ
ブロモビスフェノールAカーボネートオリゴマーを用い
ることができる。
【化7】
(式中、nは1〜20の整数である。)
【0024】こ
れらの難燃剤は、単独あるいは混合して用いることがで
きるが、式〔1〕のシアネートエステル樹脂と式〔2〕
の化合物と難燃剤との合計量に対してBrの含有量が1
0〜15重量%になるように調整するのが好ましい。
れらの難燃剤は、単独あるいは混合して用いることがで
きるが、式〔1〕のシアネートエステル樹脂と式〔2〕
の化合物と難燃剤との合計量に対してBrの含有量が1
0〜15重量%になるように調整するのが好ましい。
【0025】また、反応触媒としては、ナフテン酸コバ
ルト、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、オクチル
酸マンガン等の有機酸金属塩類、酢酸カリウム、酢酸ナ
トリウム、シアン酸ナトリウム、イソシアン酸ナトリウ
ム、ホウ素化ナトリウム等の金属塩、ピリジン、イミダ
ゾール類、トリエチルアミン等の第三級アミン類、塩化
アルミニウム、塩化第二鉄、塩化亜鉛等のルイス酸等を
用いることができるが、特にナフテン酸コバルトやオク
チル酸コバルト、オクチル酸マンガン等の有機酸金属塩
類が好ましい。反応触媒の添加量は特に限定されるもの
ではないが、例えば、有機酸コバルトを用いる場合には
、所望するプレプリーグのゲルタイムに応じて、式〔1
〕で示されるシアネートエステル樹脂の重量に対し金属
の重量比で100〜1,000ppmの範囲で配合され
る。
ルト、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、オクチル
酸マンガン等の有機酸金属塩類、酢酸カリウム、酢酸ナ
トリウム、シアン酸ナトリウム、イソシアン酸ナトリウ
ム、ホウ素化ナトリウム等の金属塩、ピリジン、イミダ
ゾール類、トリエチルアミン等の第三級アミン類、塩化
アルミニウム、塩化第二鉄、塩化亜鉛等のルイス酸等を
用いることができるが、特にナフテン酸コバルトやオク
チル酸コバルト、オクチル酸マンガン等の有機酸金属塩
類が好ましい。反応触媒の添加量は特に限定されるもの
ではないが、例えば、有機酸コバルトを用いる場合には
、所望するプレプリーグのゲルタイムに応じて、式〔1
〕で示されるシアネートエステル樹脂の重量に対し金属
の重量比で100〜1,000ppmの範囲で配合され
る。
【0026】さらに、有機溶剤としては、式〔1〕で示
されるシアネートエステル樹脂や難燃剤を溶解し、反応
に悪影響を与えないものであれば、特に制限はないが、
例えば、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メ
チルピロリドン等の極性アミド溶媒が用いられ、これら
は単独あるいは混合して用いることができる。添加する
有機溶剤の量は、ワニス中の固形分濃度が50〜70重
量%になるように調合するのが一般的である。
されるシアネートエステル樹脂や難燃剤を溶解し、反応
に悪影響を与えないものであれば、特に制限はないが、
例えば、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メ
チルピロリドン等の極性アミド溶媒が用いられ、これら
は単独あるいは混合して用いることができる。添加する
有機溶剤の量は、ワニス中の固形分濃度が50〜70重
量%になるように調合するのが一般的である。
【0027】また、上記繊維基材としては、一般にプリ
ント回路板の積層材料として使用されているものが利用
できる。無機繊維基材としては、SiO2やAl2O3
等を主成分とするE−ガラス、D−ガラス、C−ガラス
、S−ガラス等があり、またSiO2を主成分とするシ
リカガラス等のガラス繊維の織布、不織布がある。また
、有機繊維基材としては、芳香族ポリアミドを主成分と
するアラミド繊維の織布あるいは不織布等がある。
ント回路板の積層材料として使用されているものが利用
できる。無機繊維基材としては、SiO2やAl2O3
等を主成分とするE−ガラス、D−ガラス、C−ガラス
、S−ガラス等があり、またSiO2を主成分とするシ
リカガラス等のガラス繊維の織布、不織布がある。また
、有機繊維基材としては、芳香族ポリアミドを主成分と
するアラミド繊維の織布あるいは不織布等がある。
【0028】そして、このようにして調製したプレプリ
ーグを複数枚重ね、さらに、上下の両面に銅箔を重ねて
これを加熱加圧成形することにより、プレプリーグ中の
シアネートエステル樹脂と式〔2〕の化合物が重合硬化
して構成される絶縁基板の両面に銅箔を積層接着した銅
張積層板を作製することができる。この際の成形条件は
、加熱温度を170〜230℃、圧力を25〜50kg
/cm2、時間を1〜2時間程度に設定するのが一般的
である。また、成形後に220〜230℃でアフターキ
ユアする場合には、成形温度は170〜180℃で十分
である。
ーグを複数枚重ね、さらに、上下の両面に銅箔を重ねて
これを加熱加圧成形することにより、プレプリーグ中の
シアネートエステル樹脂と式〔2〕の化合物が重合硬化
して構成される絶縁基板の両面に銅箔を積層接着した銅
張積層板を作製することができる。この際の成形条件は
、加熱温度を170〜230℃、圧力を25〜50kg
/cm2、時間を1〜2時間程度に設定するのが一般的
である。また、成形後に220〜230℃でアフターキ
ユアする場合には、成形温度は170〜180℃で十分
である。
【0029】また、多層のプリント配線板を作製するに
は、前記の方法によって作製した銅張積層板の銅箔をエ
ツチング加工等して回路形成することにより内層板を作
製し、次いで、この内層板を複数枚の上記プレプリーグ
を介して重ねるとともに、最外層に銅箔を重ね、これを
加熱成形することにより多層のプリント基板であるシー
ルド板を作製することができる。このようにして得られ
た両面銅張積層板、シールド板については、以下公知の
方法を用いてプリント配線板にすることができる。
は、前記の方法によって作製した銅張積層板の銅箔をエ
ツチング加工等して回路形成することにより内層板を作
製し、次いで、この内層板を複数枚の上記プレプリーグ
を介して重ねるとともに、最外層に銅箔を重ね、これを
加熱成形することにより多層のプリント基板であるシー
ルド板を作製することができる。このようにして得られ
た両面銅張積層板、シールド板については、以下公知の
方法を用いてプリント配線板にすることができる。
【0030】
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述する。
【0031】参考例1
シリカ繊維としてAKZO(ENKA AG)社で開
発された水ガラス由来の繊維を用いてクロスを製織した
。 用いたヤーンの単糸本数は120本、単糸径は9.0μ
m、番手は17テツクスであった。次いで、ポリビニル
アルコール系の糊剤をヤーンに付着し、乾燥後、糊剤付
ヤーンをレピア織機にて製織した。得られたクロスをバ
ツチ式焼却炉中で400℃で熱処理し、繊維表面の紡糸
バインダーや糊剤を焼却除去した後、アミノシランカツ
プリング剤(SZ−6032,東レシリコーン社製)溶
液中に浸漬し、140℃で加熱乾燥することにより、シ
ランカツプリング剤で処理したガラスクロスを得た。こ
のクロスの密度は、経62本/25mm、緯64本/2
5mm、厚さは96μmであった。
発された水ガラス由来の繊維を用いてクロスを製織した
。 用いたヤーンの単糸本数は120本、単糸径は9.0μ
m、番手は17テツクスであった。次いで、ポリビニル
アルコール系の糊剤をヤーンに付着し、乾燥後、糊剤付
ヤーンをレピア織機にて製織した。得られたクロスをバ
ツチ式焼却炉中で400℃で熱処理し、繊維表面の紡糸
バインダーや糊剤を焼却除去した後、アミノシランカツ
プリング剤(SZ−6032,東レシリコーン社製)溶
液中に浸漬し、140℃で加熱乾燥することにより、シ
ランカツプリング剤で処理したガラスクロスを得た。こ
のクロスの密度は、経62本/25mm、緯64本/2
5mm、厚さは96μmであった。
【0032】参考例2
D−ガラス繊維DCE270 1/0(日本電気硝子
社製、単糸本数160本、単糸径8.7μm、番手20
.6テツクス)を用いてクロスを製織した。以下、参考
例1と同様にしてシランカツプリング剤で処理したガラ
スクロスを得た。このクロスの密度は、経64本/25
mm、緯58本/25mm、厚さは100μmであった
。
社製、単糸本数160本、単糸径8.7μm、番手20
.6テツクス)を用いてクロスを製織した。以下、参考
例1と同様にしてシランカツプリング剤で処理したガラ
スクロスを得た。このクロスの密度は、経64本/25
mm、緯58本/25mm、厚さは100μmであった
。
【0033】参考例3
プリント配線基板用に一般に用いられているE−ガラス
繊維225 1/0(日本電気硝子社製、単糸本数2
00本、単糸径7.0μm、番手22.4テツクス)を
用いてクロスを製織した。以下、参考例1と同様にして
シランカツプリング剤で処理したガラスクロスを得た。 このクロスの密度は、経61本/25mm、緯58本/
25mm、厚さ97μmであった。
繊維225 1/0(日本電気硝子社製、単糸本数2
00本、単糸径7.0μm、番手22.4テツクス)を
用いてクロスを製織した。以下、参考例1と同様にして
シランカツプリング剤で処理したガラスクロスを得た。 このクロスの密度は、経61本/25mm、緯58本/
25mm、厚さ97μmであった。
【0034】参考例4
アラミド繊維Twaron(ENKA社製、単糸本数2
50本、単糸径20μm、単糸デニール1.5)を用い
てクロスを製織した後、低温プラズマ処理することによ
りクロスを得た。このクロスの密度は、経41本/25
mm、緯31本/25mm、厚さは180μmであった
。
50本、単糸径20μm、単糸デニール1.5)を用い
てクロスを製織した後、低温プラズマ処理することによ
りクロスを得た。このクロスの密度は、経41本/25
mm、緯31本/25mm、厚さは180μmであった
。
【0035】実施例1
一般式〔1〕で示されるシアネートエステル樹脂として
QUATREX 7187(ダウケミカル社製)85
gと式〔II〕で示される変性ポリブタジエン樹脂とし
てPoly bd R−45EPT(出光石油化学
社製、末端エポキシ基、エポキシ当量1450)15g
とを、メチルエチルケトン(MEK)とジメチルホルム
アミド(DMF)の1:1混合溶媒67gに溶解するこ
とにより、均一な樹脂組成物を得た。
QUATREX 7187(ダウケミカル社製)85
gと式〔II〕で示される変性ポリブタジエン樹脂とし
てPoly bd R−45EPT(出光石油化学
社製、末端エポキシ基、エポキシ当量1450)15g
とを、メチルエチルケトン(MEK)とジメチルホルム
アミド(DMF)の1:1混合溶媒67gに溶解するこ
とにより、均一な樹脂組成物を得た。
【0036】次に、これに難燃剤としてのテトラブロモ
ビスフェノールA25gと反応触媒としてのオクチル酸
コバルトとを、シアネートエステル樹脂に対してCoが
重量比で600ppmになるように添加して、固形分濃
度65重量%のワニスを調製した。このワニスを、参考
例1で作製したガラスクロスに固形分含有率が50重量
%になるように含浸し、150℃で4分間加熱乾燥する
ことにより、プレプリーグを調製した。
ビスフェノールA25gと反応触媒としてのオクチル酸
コバルトとを、シアネートエステル樹脂に対してCoが
重量比で600ppmになるように添加して、固形分濃
度65重量%のワニスを調製した。このワニスを、参考
例1で作製したガラスクロスに固形分含有率が50重量
%になるように含浸し、150℃で4分間加熱乾燥する
ことにより、プレプリーグを調製した。
【0037】次に、このプレプリーグを10枚重ねると
ともに、その両面に35μm厚の銅箔を重ね、成形温度
177℃、成形圧力30kg/cm2、成形時間60分
の条件で成形した後、さらに225℃で2時間アフター
キユアすることにより、両面銅張積層板を得た。
ともに、その両面に35μm厚の銅箔を重ね、成形温度
177℃、成形圧力30kg/cm2、成形時間60分
の条件で成形した後、さらに225℃で2時間アフター
キユアすることにより、両面銅張積層板を得た。
【0038】実施例2
式〔2〕で示される変性ブタジエン樹脂としてHyca
r CTBN(宇部興産社製、末端カルボキシル基、
分子量3,500)15gを用いること以外は、実施例
1と同様にして銅張積層板を得た。 実施例3
r CTBN(宇部興産社製、末端カルボキシル基、
分子量3,500)15gを用いること以外は、実施例
1と同様にして銅張積層板を得た。 実施例3
【0039】式〔2〕で示される変性ポリブタジエン樹
脂として、G−2000(日本曹達社製、末端ビニル基
、分子量3,500)15gを用いること以外は、実施
例1と同様にして銅張積層板を得た。
脂として、G−2000(日本曹達社製、末端ビニル基
、分子量3,500)15gを用いること以外は、実施
例1と同様にして銅張積層板を得た。
【0040】実施例4
一般式〔1〕で示されるシアネートエステル樹脂として
QUATREX 7187(ダウケミカル社製)85
gと式〔2〕で示される変性ポリブタジエン樹脂として
Poly bd R−45EPT(出光石油化学社
製、末端エポキシ化物、エポキシ当量1450)20g
とを、メチルエチルケトン(MEK)とジメチルホルム
アミド(DMF)の1:1混合溶媒67gに溶解するこ
とにより、均一な樹脂組成物を得た。
QUATREX 7187(ダウケミカル社製)85
gと式〔2〕で示される変性ポリブタジエン樹脂として
Poly bd R−45EPT(出光石油化学社
製、末端エポキシ化物、エポキシ当量1450)20g
とを、メチルエチルケトン(MEK)とジメチルホルム
アミド(DMF)の1:1混合溶媒67gに溶解するこ
とにより、均一な樹脂組成物を得た。
【0041】次に、これに難燃剤としてのフェノキシ末
端テトラブロモビスフェノールAカーボネートオリゴマ
ー(BC−58,グレートレイク社製)25gと反応触
媒としてのオクチル酸亜鉛とをシアネートエステル樹脂
に対してZnが重量比で100ppmになるように添加
して、固形分濃度60重量%のワニスを調製した。この
ワニスを、参考例3で作製したガラスクロスに固形分含
有率が50重量%になるように含浸し、150℃で5分
間加熱乾燥することにより、プレプリーグを調製した。
端テトラブロモビスフェノールAカーボネートオリゴマ
ー(BC−58,グレートレイク社製)25gと反応触
媒としてのオクチル酸亜鉛とをシアネートエステル樹脂
に対してZnが重量比で100ppmになるように添加
して、固形分濃度60重量%のワニスを調製した。この
ワニスを、参考例3で作製したガラスクロスに固形分含
有率が50重量%になるように含浸し、150℃で5分
間加熱乾燥することにより、プレプリーグを調製した。
【0042】次に、このプレプリーグを10枚重ねると
ともに、その両面に18μm厚の銅箔を重ね、成形温度
180℃、成形圧力35kg/cm2、成形時間60分
の条件で成形した後、さらに220℃で1.5時間アフ
ターキユアすることにより、両面銅張積層板を得た。
ともに、その両面に18μm厚の銅箔を重ね、成形温度
180℃、成形圧力35kg/cm2、成形時間60分
の条件で成形した後、さらに220℃で1.5時間アフ
ターキユアすることにより、両面銅張積層板を得た。
【0043】実施例5
式〔2〕で示される変性ポリブタジエン樹脂として、G
−2000(日本曹達社製、末端ビニル基、分子量3,
500)20gを用いること以外は、実施例4と同様に
して銅張積層板を得た。繊維基材として参考例2で作製
したガラスクロスを用いること以外は、実施例5と同様
にして銅張積層板を得た。
−2000(日本曹達社製、末端ビニル基、分子量3,
500)20gを用いること以外は、実施例4と同様に
して銅張積層板を得た。繊維基材として参考例2で作製
したガラスクロスを用いること以外は、実施例5と同様
にして銅張積層板を得た。
【0044】実施例6
式〔2〕で示される変性ポリブタジエン樹脂として、P
oly bd R−45HT(出光石油化学社製、
末端水酸基、分子量3,000))20gを用いること
以外は、実施例4と同様にして銅張積層板を得た。
oly bd R−45HT(出光石油化学社製、
末端水酸基、分子量3,000))20gを用いること
以外は、実施例4と同様にして銅張積層板を得た。
【0045】実施例7
繊維基材として参考例2で作製したガラスクロスを用い
ること以外は、実施例4と同様にして銅張積層板を得た
。
ること以外は、実施例4と同様にして銅張積層板を得た
。
【0046】実施例8
繊維基材として参考例4で作製したアラミドクロスを用
いること以外は、実施例4と同様にして銅張積層板を得
た。
いること以外は、実施例4と同様にして銅張積層板を得
た。
【0047】比較例1
式〔2〕の変性ポリブタジエン樹脂を使用しないで、Q
UATREX 7187(ダウケミカル社製)を10
0gを用いること以外は、実施例1と同様にして銅張積
層板を得た。
UATREX 7187(ダウケミカル社製)を10
0gを用いること以外は、実施例1と同様にして銅張積
層板を得た。
【0048】比較例2
式〔2〕の変性ポリブタジエン樹脂を使用しないで、Q
UATREX 7187(ダウケミカル社製)を10
0g用いること以外は、実施例4と同様にして銅張積層
板を得た。
UATREX 7187(ダウケミカル社製)を10
0g用いること以外は、実施例4と同様にして銅張積層
板を得た。
【0049】以上、得られた積層板につき、次に記述し
た方法により積層板としての評価を行った。
た方法により積層板としての評価を行った。
【0050】(1) 誘電率および誘電正接JIS
C−6481に従い、LPインピーダンスアナライザ
ー4194A(横河ヒユーレツトパツカード社製)を用
いて1MHzにおける値を測定した。
C−6481に従い、LPインピーダンスアナライザ
ー4194A(横河ヒユーレツトパツカード社製)を用
いて1MHzにおける値を測定した。
【0051】(2) 曲げ強度
JIS C−6481に従い、所定サイズの試料を作
製し,精密万能材料試験機2020型(インテスコ社製
)を用いて支点間50mmで測定した。
製し,精密万能材料試験機2020型(インテスコ社製
)を用いて支点間50mmで測定した。
【0052】(3) ピール強度
JIS C−6481に従い、所定サイズの試料を作
製し、精密万能材料試験機2020型(インテスコ社製
)を用いて測定した。
製し、精密万能材料試験機2020型(インテスコ社製
)を用いて測定した。
【0053】(4) 絶縁抵抗
IPC−B25に従い、375μm幅のくし型電極を作
製し、バイブレイティングリードエレクトロメーターT
R−84M(タケダ理研社製)を用いてDC500V印
加時の絶縁抵抗を測定した。
製し、バイブレイティングリードエレクトロメーターT
R−84M(タケダ理研社製)を用いてDC500V印
加時の絶縁抵抗を測定した。
【0054】(5) ガラス転移温度(Tg)粉末状
の試料15mgを採取し、DSC−2C(パーキンエル
マー社製)を用いて昇温速度20℃/分で測定した。
の試料15mgを採取し、DSC−2C(パーキンエル
マー社製)を用いて昇温速度20℃/分で測定した。
【0055】(6) 難燃性
UL−94規格に従い、垂直法により評価した。
【0056】(7) スルーホール面の内壁粗さとス
ルーホールの信頼性 スルーホールのドリル加工は、0.9mmφのドリルビ
ツトを用い、40,000rpmの回転数、1回転あた
りの送り速度50μm/revの条件で行い、次いで、
無電解メツキと電解メツキを行った。
ルーホールの信頼性 スルーホールのドリル加工は、0.9mmφのドリルビ
ツトを用い、40,000rpmの回転数、1回転あた
りの送り速度50μm/revの条件で行い、次いで、
無電解メツキと電解メツキを行った。
【0057】得られたスルーホールについて、その内壁
粗さは、スルーホールの断面を顕微鏡で観察することに
より測定し、スルーホールの信頼性については、スルー
ホールの断面を顕微鏡で観察して、メツキ液のしみ込み
の深さを測定することにより評価した。
粗さは、スルーホールの断面を顕微鏡で観察することに
より測定し、スルーホールの信頼性については、スルー
ホールの断面を顕微鏡で観察して、メツキ液のしみ込み
の深さを測定することにより評価した。
【0058】(8) 熱膨張率
6mm×6mmの試料を用いて、TMA−50(島津製
作所製)により、2℃/分昇温し、50〜250℃の範
囲の熱膨張曲線より求めた。
作所製)により、2℃/分昇温し、50〜250℃の範
囲の熱膨張曲線より求めた。
【0059】得られた結果につき表1に示した。
【表1】
【0060】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、式〔1〕のシアネートエステル樹脂に式〔2
〕の変性ブタジエン樹脂を配合することにより、シアネ
ートエステル樹脂の長所である誘電率、誘電正接が低く
、耐熱性の良好な積層板をつくることができ、しかも可
撓性や寸法安定性を高めることができるので、高速コン
ピュータ用などの多層用のプリント配線板材料として好
適に使用することができる。
によれば、式〔1〕のシアネートエステル樹脂に式〔2
〕の変性ブタジエン樹脂を配合することにより、シアネ
ートエステル樹脂の長所である誘電率、誘電正接が低く
、耐熱性の良好な積層板をつくることができ、しかも可
撓性や寸法安定性を高めることができるので、高速コン
ピュータ用などの多層用のプリント配線板材料として好
適に使用することができる。
Claims (3)
- 【請求項1】 一般式〔1〕 【化1】 (式中、Aは芳香環または芳香環を含む基、BはC7〜
C20の多環脂環基、Dは各々独立に活性水素基を含ま
ない置換基、p,q,rは各々独立に0〜3の整数であ
り、ただし、p,q,rの合計は2以上である。さらに
、sは各々独立に0〜4までの整数であり、xは0〜5
までの整数である。) で示されるシアネートエステル樹脂と、一般式〔2〕【
化2】 (式中、Zはブタジエンを繰り返し単位の一つとするポ
リマーであり、Yは水酸基、アミノ基、カルボキシル基
、エポキシ基、マレイミド基、ビニル基、アクリロイル
基またはメタアクリロイル基である。)で示される変性
ポリブタジエン樹脂とを含むことを特徴とする熱硬化性
樹脂組成物。 - 【請求項2】 無機繊維,有機繊維の織布あるいは不
織布に、特許請求の範囲第1項記載の熱硬化性樹脂組成
物を40〜70重量%含浸させてなることを特徴とする
プレプリーグ。 - 【請求項3】 無機繊維、有機繊維の織布あるいは不
織布に、特許請求の範囲第1項記載の熱硬化性樹脂組成
物を40〜70重量%含浸させて得られたプレプリーグ
を積層して、表面に銅箔を貼り合わせてなることを特徴
とする銅張積層板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8569591A JPH04250683A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 熱硬化性樹脂組成物並びにそれを用いたプレプリーグおよび銅張積層板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8569591A JPH04250683A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 熱硬化性樹脂組成物並びにそれを用いたプレプリーグおよび銅張積層板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04250683A true JPH04250683A (ja) | 1992-09-07 |
Family
ID=13865969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8569591A Pending JPH04250683A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 熱硬化性樹脂組成物並びにそれを用いたプレプリーグおよび銅張積層板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04250683A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7301228B2 (en) | 2002-12-03 | 2007-11-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing same and thin plate interconnect line member |
| US10568233B2 (en) | 2012-06-28 | 2020-02-18 | 3M Innovative Properties Company | Thermally conductive substrate article |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP8569591A patent/JPH04250683A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7301228B2 (en) | 2002-12-03 | 2007-11-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing same and thin plate interconnect line member |
| US10568233B2 (en) | 2012-06-28 | 2020-02-18 | 3M Innovative Properties Company | Thermally conductive substrate article |
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