JPH04252041A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents

混成集積回路の製造方法

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Publication number
JPH04252041A
JPH04252041A JP3008279A JP827991A JPH04252041A JP H04252041 A JPH04252041 A JP H04252041A JP 3008279 A JP3008279 A JP 3008279A JP 827991 A JP827991 A JP 827991A JP H04252041 A JPH04252041 A JP H04252041A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic substrate
semiconductor pellet
resin
mold
silicone resin
Prior art date
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Pending
Application number
JP3008279A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahide Murakami
村上　正秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP3008279A priority Critical patent/JPH04252041A/ja
Publication of JPH04252041A publication Critical patent/JPH04252041A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路の製造方法
に関し、特に厚膜で回路パターンが形成されたセラミッ
ク基板上に半導体ペレット、チップコンデンサ等の部品
を搭載して形成する混成集積回路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の混成集積回路の製造方法は、厚膜
で回路パターンが形成されたセラミック基板上に、半導
体ペレットを搭載し、この半導体ペレットのボンディン
グパッドとセラミック基板上の導体を金等のワイヤで接
続する。次に半導体ペレットをフェノール樹脂で覆い、
その後、チップコンデンサ、ミニモールドトランジスタ
（Ｔｒ）、パワーミニモールドＴｒ等の部品を半田付け
にて搭載する。
【０００３】次に、外部との接続に使用されるリード端
子を半田にて取り付けて、その後、ディップ方法にてフ
ェノール樹脂で外装を行う。次に、耐湿性を上げる為に
、シリコン樹脂を含浸するという製造方法がとられてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の混成集積回
路の製造方法では、セラミック基板上に搭載されるチッ
プコンデンサ、ミニモールドＴｒ，パワーミニモールド
Ｔｒ等の部品は、直接外装のフェノール樹脂で覆われて
いる。特にパワーミニモールドＴｒでは、フェノール樹
脂が部品の下に入った場合、フェノール樹脂の応力によ
りパワーミニモールドＴｒが下から押し上げられて、モ
ールド内部のペレットがベースのフレームより剥れたり
、クラックが入ったりするという不具合が生じ、混成集
積回路の信頼性が低下するという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の混成集積回路の
製造方法は、セラミック基板上に半導体ペレットを搭載
する工程と、この半導体ペレットをフェノール樹脂で覆
ったのちチップコンデンサやモールド素子等を前記セラ
ミック基板上に半田付けにより搭載する工程と、少くと
も前記搭載部品の表面をシリコン樹脂で覆ったのちフェ
ノール樹脂で外装を行う工程とを含むものである。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
【０００７】図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を
説明するための製造工程順に示した混成集積回路の断面
図である。
【０００８】先ず、図１（ａ）に示すように、厚膜で回
路パターンが形成されたセラミック基板１上に半導体ペ
レット２を搭載し、半導体ペレット２上のボンディング
パッドとセラミック基板１上の導体を金のワイヤ３で接
続する。次に半導体ペレット２をフェノール樹脂４で覆
う。次に図１（ｂ）に示すように、パワーミニモールド
Ｔｒ５を半田付けにて搭載する。
【０００９】次に図１（ｃ）に示すように、外部との接
続に使用されるリード端子６を半田にて取り付ける。次
に図１（ｄ）に示すように、シリコン樹脂７をディップ
法によりセラミック基板１の表面に厚さ約５０μｍの被
膜として付け、乾燥を行う。次にフェノール樹脂８にて
外装を行う。
【００１０】このように本実施例では、フェノール樹脂
８で外装する前に弾性率が約１０２　ｋｇ／１ｃｍ２　
とフェノール樹脂の１／１００程度のシリコン樹脂７で
搭載部品を含むセラミック基板１を覆うため、搭載部品
へのフェノール樹脂８の応力が低減される。
【００１１】尚、上記実施例ではシリコン樹脂７をディ
ップ法にてセラミック基板の表面に形成した場合につい
て説明したが、シリコン樹脂をディスペンサーにて半導
体ペレット及びパワーミニモールドＴｒ上のみに塗布し
てもよい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、厚膜で回
路パターンが形成されたセラミック基板上に、半導体ペ
レット及びチップコンデンサ、ミニモールドＴｒ、パワ
ーミニモールドＴｒ等を搭載後、シリコン樹脂にて搭載
部品を覆うことにより、次工程で外装に使用されるフェ
ノール樹脂が搭載部品の下に入り込まない為、フェノー
ル樹脂の応力によるモールド内部のペレットの剥れ及び
クラックを防止できる効果を有すると供に、シリコン樹
脂で搭載部品を覆う為、耐湿性も確保することが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を説明するための混成集積回
路の断面図である。
【符号の説明】
１　　　　セラミック基板 ２　　　　半導体ペレット ３　　　　ワイヤ ４　　　　フェノール樹脂 ５　　　　パワーミニモールドＴｒ ６　　　　リード端子 ７　　　　シリコン樹脂 ８　　　　フェノール樹脂

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　セラミック基板上に半導体ペレットを
    搭載する工程と、この半導体ペレットをフェノール樹脂
    で覆ったのちチップコンデンサやモールド素子等を前記
    セラミック基板上に半田付けにより搭載する工程と、少
    くとも前記搭載部品の表面をシリコン樹脂で覆ったのち
    フェノール樹脂で外装を行う工程とを含むことを特徴と
    する混成集積回路の製造方法。
JP3008279A 1991-01-28 1991-01-28 混成集積回路の製造方法 Pending JPH04252041A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1420444A3 (de) * 2002-11-13 2005-08-03 Robert Bosch Gmbh Thermischer und mechanischer Schutz von diskreten Bauelementen in einem Schaltungsmodul
JP2005322902A (ja) * 2004-05-04 2005-11-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg パワー半導体モジュール用の基板を内部電気絶縁するための方法
US7231712B2 (en) 2003-09-29 2007-06-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a module

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