JPH0529379A - 半導体装置およびそれの製造方法 - Google Patents

半導体装置およびそれの製造方法

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JPH0529379A
JPH0529379A JP3186145A JP18614591A JPH0529379A JP H0529379 A JPH0529379 A JP H0529379A JP 3186145 A JP3186145 A JP 3186145A JP 18614591 A JP18614591 A JP 18614591A JP H0529379 A JPH0529379 A JP H0529379A
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aluminum
aluminum pad
oxide film
wire
pad
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JP3186145A
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Heiji Kobayashi
平治 小林
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】アルミパッドの腐食を確実に防止する。 【構成】アルミ酸化膜４を、アルミパッド２の非ボンデ
ィング表面部分２ｂに形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上にアルミ
パッドが形成され、このアルミパッド表面にワイヤーが
ボンディングされてなる半導体装置とそれの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】このような半導体装置は図２に示すよう
に半導体基板１上にアルミパッド２が形成されており、
このアルミパッド２上にワイヤー３がボンディングされ
た構造となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような構造の半導
体装置では、アルミパッド２上に直接にワイヤー３がボ
ンディングされているために、該ワイヤー３がボンディ
ングされた表面部分２ａ以外の表面部分２ｂ、つまり、
非ボンディング表面部分が露出された構造になっていた
から、その露出部分が腐食されてアルミパッド２とワイ
ヤー３との間で導通不良とかボンディング剥がれとかが
生じやすいという構造上の問題があった。
【０００４】したがって、本発明においては、アルミパ
ッドの腐食を確実に防止できるようにし、前述の導通腐
食とかボンディング剥がれのない半導体装置を提供する
とともに、その製造方法を提供することを目的としてい
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、請求項１に係る本発明においては、半導体基
板、アルミパッド、ワイヤー、およびアルミ酸化膜を有
したものであって、アルミパッドは、ワイヤーボンディ
ング用として該半導体基板上に形成されているととも
に、ワイヤーがボンディングされるボンディング表面部
分を有しており、ワイヤーは、前記ボンディング表面部
分にボンディングされており、アルミ酸化膜は、アルミ
パッドの非ボンディング表面部分に形成されていること
を特徴としている。
【０００６】請求項２に係る本発明においては、半導体
基板上にアルミパッドを形成する工程と、このアルミパ
ッド表面上にアルミ酸化膜を形成する工程と、該アルミ
酸化膜を介してアルミパッド上からワイヤーボンディン
グを行う工程とを含み、各工程をこの記載順序で行うこ
とを特徴としている。
【０００７】請求項３に係る本発明においては、半導体
基板上にアルミパッドを形成する工程と、このアルミパ
ッド表面上にアルミ酸化膜を形成する工程と、該アルミ
酸化膜を介してアルミパッド上からワイヤーボンディン
グを行う工程とを含み、各工程をこの記載順序で行うこ
とを特徴としている。
【０００８】
【作用】アルミパッド上におけるワイヤーの非ボンディ
ング表面部分にはアルミ酸化膜が形成されて、直接、ア
ルミパッドの表面に露出部分が無いから、アルミパッド
の外部からの腐食は防止される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
【００１０】図１は、本発明の実施例に係る半導体装置
の断面図であって、従来例に係る図２と対応する部分に
は同一の符号を付し、その同一の符号に係る部分につい
ての説明は省略する。
【００１１】図１において、１は半導体基板、２はアル
ミパッド、３はボンディングワイヤーである。これらは
従来例と同様である。
【００１２】本発明では、アルミパッド２上のワイヤー
ボンディング表面部分２ａを除く部分、つまり、非ボン
ディング表面部分２ｂにはアルミ酸化膜４が形成されて
いることに特徴がある。
【００１３】このように非ボンディング表面部分２ｂに
は、アルミ酸化膜４が形成されているから、該非ボンデ
ィング表面部分２ｂでの腐食はなくなる。
【００１４】このようなアルミ酸化膜の第１の形成につ
いて説明すると、半導体基板１上にアルミパッド２を形
成する。ついで、オゾン水処理をするとか酸素プラズマ
処理をするとかＵＶオゾン雰囲気中に晒すなどの手法で
アルミパッド２の表面の全体にアルミ酸化膜４を形成す
る。つづいて、ワイヤー３をボンディングすると、この
ボンディングでもって、アルミ酸化膜４が破られ、ワイ
ヤー３とアルミパッド２とが導通する。この形成によっ
て、アルミパッド２が直接露出したところがないから、
外部からの腐食を防止することと、耐湿性が向上する。
【００１５】また、アルミ酸化膜の第２の形成について
説明すると、半導体基板１上にアルミパッド２を形成す
る。ついで、アルミパッド２上にワイヤー３をボンディ
ングする。そのボンディングののちに、アルミパッド２
上の露出部分を前記と同様の手法で酸化する。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によれば、アルミパッドに直接露出した部分がな
いから、外部からの腐食を防止することができ、耐湿性
に優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置の断面図であ
る。
【図２】従来例に係る半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体基板 ２ アルミパッド ３ ワイヤー ４ アルミ酸化膜

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板、アルミパッド、ワイヤー、
    およびアルミ酸化膜を有したものであって、アルミパッ
    ドは、ワイヤーボンディング用として該半導体基板上に
    形成されているとともに、ワイヤーがボンディングされ
    るボンディング表面部分を有しており、ワイヤーは、前
    記ボンディング表面部分にボンディングされており、ア
    ルミ酸化膜は、アルミパッドの非ボンディング表面部分
    に形成されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 半導体基板上にアルミパッドを形成する
    工程と、このアルミパッド表面上にアルミ酸化膜を形成
    する工程と、該アルミ酸化膜を介してアルミパッド上か
    らワイヤーボンディングを行う工程とを含み、各工程を
    この記載順序で行うことを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
  3. 【請求項３】 半導体基板上にアルミパッドを形成する
    工程と、該アルミパッド上にワイヤーボンディングを行
    う工程と、アルミパッドの非ボンディング表面部分にア
    ルミ酸化膜を形成する工程とを含み、各工程をこの記載
    順序で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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