JPH04253359A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04253359A JPH04253359A JP3008832A JP883291A JPH04253359A JP H04253359 A JPH04253359 A JP H04253359A JP 3008832 A JP3008832 A JP 3008832A JP 883291 A JP883291 A JP 883291A JP H04253359 A JPH04253359 A JP H04253359A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法、
特に半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するダ
イシング方法に関する。
特に半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するダ
イシング方法に関する。
【０００２】半導体ウェーハを個々の半導体チップに分
割する方法としては、回転するダイシングソー（ブレー
ド）により切断する方式が一般的である。当初はダイシ
ングソーでウェーハの厚さの一部が残るように切断（こ
れをハーフカットと呼ぶ）した後、クラッキングにより
チップに分割していたが、クラッキング時にウェーハの
破片を生じ易いため、最近ではダイシングソーでウェー
ハの全板厚を切断（これをフルカットと呼ぶ）する方式
が主流となっている。しかしフルカットであっても、チ
ップのエッジ部分からの微小破片の発生をなくすことは
困難である。
割する方法としては、回転するダイシングソー（ブレー
ド）により切断する方式が一般的である。当初はダイシ
ングソーでウェーハの厚さの一部が残るように切断（こ
れをハーフカットと呼ぶ）した後、クラッキングにより
チップに分割していたが、クラッキング時にウェーハの
破片を生じ易いため、最近ではダイシングソーでウェー
ハの全板厚を切断（これをフルカットと呼ぶ）する方式
が主流となっている。しかしフルカットであっても、チ
ップのエッジ部分からの微小破片の発生をなくすことは
困難である。
【０００３】近年、半導体装置の高集積化や高信頼性の
要求に伴って、この微小破片に起因する障害を防止する
ことが可能な半導体装置の製造方法が望まれている。
要求に伴って、この微小破片に起因する障害を防止する
ことが可能な半導体装置の製造方法が望まれている。
【０００４】
【従来の技術】従来の製造方法の一例を図２を用いて説
明する。図２ （ａ）〜（ｃ） は従来の製造方法の一
例を工程順に示す模式断面図である。尚、図中、図１と
同じものには同一の符号を付与した。
明する。図２ （ａ）〜（ｃ） は従来の製造方法の一
例を工程順に示す模式断面図である。尚、図中、図１と
同じものには同一の符号を付与した。
【０００５】先ず半導体ウェーハ１の裏面に粘着テープ
１５を貼付する（図２（ａ） 参照）。次にこれをダイ
シング装置（図示は省略）上に固定し、ブレード２１に
より半導体ウェーハ１の表面側からそのスクライブライ
ンに沿ってフルカット方式で格子状に切断し、複数個の
半導体チップ２を得る。この際、半導体ウェーハ１は軟
らかい粘着テープ１５を介してダイシング装置に固定さ
れることになるからブレードが振動し、その結果、半導
体チップ２の裏面側のエッジ部分（ダイシング溝３との
交線部分）が欠けて微小破片２ａを生じる（図２（ｂ）
参照）。
１５を貼付する（図２（ａ） 参照）。次にこれをダイ
シング装置（図示は省略）上に固定し、ブレード２１に
より半導体ウェーハ１の表面側からそのスクライブライ
ンに沿ってフルカット方式で格子状に切断し、複数個の
半導体チップ２を得る。この際、半導体ウェーハ１は軟
らかい粘着テープ１５を介してダイシング装置に固定さ
れることになるからブレードが振動し、その結果、半導
体チップ２の裏面側のエッジ部分（ダイシング溝３との
交線部分）が欠けて微小破片２ａを生じる（図２（ｂ）
参照）。
【０００６】このようにして得た半導体チップ２は、裏
面側から突き上げピン２３で突き上げてコレット（図示
は省略）によりピックアップして、チップトレイ又はダ
イボンダに搬送する。この際、微小破片２ａが飛散して
他の半導体チップ２の表面等に付着することがある（図
２（ｃ） 参照）。
面側から突き上げピン２３で突き上げてコレット（図示
は省略）によりピックアップして、チップトレイ又はダ
イボンダに搬送する。この際、微小破片２ａが飛散して
他の半導体チップ２の表面等に付着することがある（図
２（ｃ） 参照）。
【０００７】尚、粘着テープ１５として、その粘着材が
熱硬化性樹脂又は紫外線硬化樹脂であるものを使用し、
半導体ウェーハ２を切断した後にこれを加熱又は紫外線
照射する工程を追加する場合がある。この方法によれば
、加熱又は紫外線照射によって粘着材の粘着力が弱まり
、半導体チップ２のピックアップが容易になる。
熱硬化性樹脂又は紫外線硬化樹脂であるものを使用し、
半導体ウェーハ２を切断した後にこれを加熱又は紫外線
照射する工程を追加する場合がある。この方法によれば
、加熱又は紫外線照射によって粘着材の粘着力が弱まり
、半導体チップ２のピックアップが容易になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】半導体チップに上記の
ような微小破片が付着していると、後の工程で傷や短絡
等の障害の原因となる。特に半導体ウェーハの裏面側に
金属膜が被着されている場合に、ウェーハの微小破片と
共にその金属のバリを生じるから、このような障害が多
発していた。
ような微小破片が付着していると、後の工程で傷や短絡
等の障害の原因となる。特に半導体ウェーハの裏面側に
金属膜が被着されている場合に、ウェーハの微小破片と
共にその金属のバリを生じるから、このような障害が多
発していた。
【０００９】本発明はこのような問題を解決して、ダイ
シングによって得られる半導体チップにダイシングによ
って生じる微小破片が付着することを防止して半導体装
置製造の歩留りを向上させることを目的とする。
シングによって得られる半導体チップにダイシングによ
って生じる微小破片が付着することを防止して半導体装
置製造の歩留りを向上させることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、半導体ウェーハ１の裏面に第一の粘着テープ１１
を貼付した後、半導体ウェーハ１の表面から第一の粘着
テープ１１まで達するダイシング溝３を形成して半導体
ウェーハ１を個々の半導体チップ２に分割する工程と、
半導体チップ２の表面に第一の粘着テープ１１より粘着
力が大である第二の粘着テープ１２を貼付した後、第一
の粘着テープ１１を半導体チップ２の裏面から剥離する
工程と、半導体チップ２の裏面側エッジ部分を除去する
工程と、半導体チップ２の裏面に第二の粘着テープ１２
より粘着力が大である第三の粘着テープ１３を貼付した
後、第二の粘着テープ１２を半導体チップ２の表面から
剥離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置
の製造方法とすることで、達成される。
れば、半導体ウェーハ１の裏面に第一の粘着テープ１１
を貼付した後、半導体ウェーハ１の表面から第一の粘着
テープ１１まで達するダイシング溝３を形成して半導体
ウェーハ１を個々の半導体チップ２に分割する工程と、
半導体チップ２の表面に第一の粘着テープ１１より粘着
力が大である第二の粘着テープ１２を貼付した後、第一
の粘着テープ１１を半導体チップ２の裏面から剥離する
工程と、半導体チップ２の裏面側エッジ部分を除去する
工程と、半導体チップ２の裏面に第二の粘着テープ１２
より粘着力が大である第三の粘着テープ１３を貼付した
後、第二の粘着テープ１２を半導体チップ２の表面から
剥離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置
の製造方法とすることで、達成される。
【００１１】
【作用】本発明の製造方法によれば、半導体チップ裏面
のエッジ部分をブレードにより削り取るから、半導体チ
ップ裏面に金属膜が被着されていても、脱落せずに残っ
ている微小破片は除去される。従って、ダイシングによ
って得られる半導体チップにダイシングによって生じる
微小破片が付着することを防止することが出来る。
のエッジ部分をブレードにより削り取るから、半導体チ
ップ裏面に金属膜が被着されていても、脱落せずに残っ
ている微小破片は除去される。従って、ダイシングによ
って得られる半導体チップにダイシングによって生じる
微小破片が付着することを防止することが出来る。
【００１２】半導体チップ裏面のエッジ部分を加工する
ために、三枚の粘着テープを使用し、これらを半導体ウ
ェーハ（又は半導体チップ）の裏面、表面、裏面に逐次
貼付することになるが、貼り替えに際しては剥離する粘
着テープの粘着力が剥離しない粘着テープのそれより弱
くなければならない。粘着テープとして熱硬化性樹脂又
は紫外線硬化性樹脂の粘着材を用いたものも使用し、剥
離する粘着テープのみに加熱処理又は紫外線照射処理を
施すことにより、この条件が満たされる。
ために、三枚の粘着テープを使用し、これらを半導体ウ
ェーハ（又は半導体チップ）の裏面、表面、裏面に逐次
貼付することになるが、貼り替えに際しては剥離する粘
着テープの粘着力が剥離しない粘着テープのそれより弱
くなければならない。粘着テープとして熱硬化性樹脂又
は紫外線硬化性樹脂の粘着材を用いたものも使用し、剥
離する粘着テープのみに加熱処理又は紫外線照射処理を
施すことにより、この条件が満たされる。
【００１３】
【実施例】本発明に基づく半導体装置の製造方法の一例
を図１を参照しながら説明する。図１ （ａ）〜（ｆ）
は本発明の実施例を工程順に示す模式断面図である。
を図１を参照しながら説明する。図１ （ａ）〜（ｆ）
は本発明の実施例を工程順に示す模式断面図である。
【００１４】先ず半導体ウェーハ１の裏面側（素子が形
成されていない側）に、粘着材が紫外線硬化性樹脂であ
る第一の粘着テープ１１を貼付する（図１（ａ） 参照
）。次にこれらをダイシング装置（図示は省略）上に固
定し、ブレード２１により半導体ウェーハ１の表面側か
らそのスクライブラインに沿ってフルカット方式で格子
状に切断し、複数個の半導体チップ２を得る。この切断
により半導体チップ２の裏面側のエッジ部分（ダイシン
グ溝３との交線部分）が欠けて微小破片２ａを生じてい
る（図１（ｂ） 参照）。
成されていない側）に、粘着材が紫外線硬化性樹脂であ
る第一の粘着テープ１１を貼付する（図１（ａ） 参照
）。次にこれらをダイシング装置（図示は省略）上に固
定し、ブレード２１により半導体ウェーハ１の表面側か
らそのスクライブラインに沿ってフルカット方式で格子
状に切断し、複数個の半導体チップ２を得る。この切断
により半導体チップ２の裏面側のエッジ部分（ダイシン
グ溝３との交線部分）が欠けて微小破片２ａを生じてい
る（図１（ｂ） 参照）。
【００１５】次にこれらをダイシング装置から外し、第
一の粘着テープ１１に紫外線を照射してその粘着力を弱
める。その後半導体チップ２の表面側に、粘着材が紫外
線硬化性樹脂である第二の粘着テープ１２を貼付する（
図１（ｃ） 参照）。更に半導体チップ２の裏面側から
第一の粘着テープ１１を剥離する。
一の粘着テープ１１に紫外線を照射してその粘着力を弱
める。その後半導体チップ２の表面側に、粘着材が紫外
線硬化性樹脂である第二の粘着テープ１２を貼付する（
図１（ｃ） 参照）。更に半導体チップ２の裏面側から
第一の粘着テープ１１を剥離する。
【００１６】その後、半導体チップ２の裏面側を上にし
て再びダイシング装置に固定し、ブレード２１より幅広
のブレード２２により、ダイシング溝３に合わせて切り
込み、脱落せずに残っている微小破片２ａを削り取る（
図１（ｄ） 参照）。
て再びダイシング装置に固定し、ブレード２１より幅広
のブレード２２により、ダイシング溝３に合わせて切り
込み、脱落せずに残っている微小破片２ａを削り取る（
図１（ｄ） 参照）。
【００１７】次にこれらをダイシング装置から外し、第
二の粘着テープ１２に紫外線を照射してその粘着力を弱
める。その後半導体チップ２の裏面側に、粘着材が紫外
線硬化性樹脂である第三の粘着テープ１３を貼付する（
図１（ｅ） 参照）。次に半導体チップ２の表面側から
第二の粘着テープ１２を剥離する。更に第三の粘着テー
プ１３に紫外線を照射してその粘着力を弱める。
二の粘着テープ１２に紫外線を照射してその粘着力を弱
める。その後半導体チップ２の裏面側に、粘着材が紫外
線硬化性樹脂である第三の粘着テープ１３を貼付する（
図１（ｅ） 参照）。次に半導体チップ２の表面側から
第二の粘着テープ１２を剥離する。更に第三の粘着テー
プ１３に紫外線を照射してその粘着力を弱める。
【００１８】その後、個々の半導体チップ２を、裏面側
から突き上げピン２３で突き上げてコレット（図示は省
略）によりピックアップして、チップトレイ（図示は省
略）又はダイボンダ（図示は省略）に搬送する（図１（
ｆ） 参照）。
から突き上げピン２３で突き上げてコレット（図示は省
略）によりピックアップして、チップトレイ（図示は省
略）又はダイボンダ（図示は省略）に搬送する（図１（
ｆ） 参照）。
【００１９】尚、上記の製造方法において、ブレード２
１による半導体ウェーハ１切断の後、及びブレード２２
による半導体チップ２裏面エッジ部分削り取りの後に、
洗浄工程を追加することが好ましい。
１による半導体ウェーハ１切断の後、及びブレード２２
による半導体チップ２裏面エッジ部分削り取りの後に、
洗浄工程を追加することが好ましい。
【００２０】本発明者は裏面に金属膜（チタン金等）が
被着された半導体ウェーハ１をこの方法でダイシングし
（但し、ブレード２１の幅を６０μｍ、ブレード２２の
幅を ２００μｍ、その切り込み量を３０μｍとした）
、チップトレイに搬送した結果、半導体チップ２への微
小破片２ａの付着が認められなかった。
被着された半導体ウェーハ１をこの方法でダイシングし
（但し、ブレード２１の幅を６０μｍ、ブレード２２の
幅を ２００μｍ、その切り込み量を３０μｍとした）
、チップトレイに搬送した結果、半導体チップ２への微
小破片２ａの付着が認められなかった。
【００２１】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施出来る。例えば、第一、第二
及び第三の粘着テープ（１１， １２， １３）の一乃
至全部を、粘着材が熱硬化性樹脂であるものに置き換え
ても、或いは紫外線硬化性も熱硬化性もないものに置き
換えても、本発明は有効である。但し後者の場合には粘
着力に差を持たせる必要がある。
く、更に種々変形して実施出来る。例えば、第一、第二
及び第三の粘着テープ（１１， １２， １３）の一乃
至全部を、粘着材が熱硬化性樹脂であるものに置き換え
ても、或いは紫外線硬化性も熱硬化性もないものに置き
換えても、本発明は有効である。但し後者の場合には粘
着力に差を持たせる必要がある。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダイシングによって得られる半導体チップにダイシング
によって生じる微小破片が付着することを防止すること
が出来、半導体装置製造の歩留り向上と半導体装置の信
頼性向上に寄与する。
ダイシングによって得られる半導体チップにダイシング
によって生じる微小破片が付着することを防止すること
が出来、半導体装置製造の歩留り向上と半導体装置の信
頼性向上に寄与する。
【図１】 本発明の実施例を工程順に示す模式断面図
である。
である。
【図２】 従来の製造方法の一例を工程順に示す模式
断面図である。
断面図である。
１ 半導体ウェーハ
２ 半導体チップ
２ａ 微小破片
３ ダイシング溝
１１ 第一の粘着テープ
１２ 第二の粘着テープ
１３ 第三の粘着テープ
１５ 粘着テープ
２１， ２２ ブレード
２３ 突き上げピン
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウェーハ（１） の裏面に第一
の粘着テープ（１１）を貼付した後、該半導体ウェーハ
（１） の表面から該第一の粘着テープ（１１）まで達
するダイシング溝（３） を形成して該半導体ウェーハ
（１） を個々の半導体チップ（２） に分割する工程
と、該半導体チップ（２） の表面に該第一の粘着テー
プ（１１）より粘着力が大である第二の粘着テープ（１
２）を貼付した後、該第一の粘着テープ（１１）を該半
導体チップ（２） の裏面から剥離する工程と、該半導
体チップ（２） の裏面側エッジ部分を除去する工程と
、該半導体チップ（２） の裏面に該第二の粘着テープ
（１２）より粘着力が大である第三の粘着テープ（１３
）を貼付した後、該第二の粘着テープ（１２）を該半導
体チップ（２） の表面から剥離する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記第一及び第二の粘着テープ（１１
， １２）の内の少なくとも一方は粘着材が熱硬化性樹
脂であり、該粘着材が熱硬化性樹脂である粘着テープの
剥離工程に先立って該粘着テープを加熱して粘着力を低
下させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項３】 前記第一及び第二の粘着テープ（１１
， １２）の内の少なくとも一方は粘着材が紫外線硬化
性樹脂であり、該粘着材が紫外線硬化性樹脂である粘着
テープの剥離工程に先立って該粘着テープに紫外線を照
射して粘着力を低下させることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP883291A JP2890851B2 (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP883291A JP2890851B2 (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04253359A true JPH04253359A (ja) | 1992-09-09 |
| JP2890851B2 JP2890851B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=11703762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP883291A Expired - Lifetime JP2890851B2 (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2890851B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462274B1 (en) | 1998-10-31 | 2002-10-08 | Amkor Technology, Inc. | Chip-scale semiconductor package of the fan-out type and method of manufacturing such packages |
| US6731012B1 (en) | 1999-12-23 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | Non-planar surface for semiconductor chips |
| CN115926775A (zh) * | 2021-09-24 | 2023-04-07 | 罗茨股份有限公司 | 荧光体的制造方法 |
-
1991
- 1991-01-29 JP JP883291A patent/JP2890851B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462274B1 (en) | 1998-10-31 | 2002-10-08 | Amkor Technology, Inc. | Chip-scale semiconductor package of the fan-out type and method of manufacturing such packages |
| US6731012B1 (en) | 1999-12-23 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | Non-planar surface for semiconductor chips |
| CN115926775A (zh) * | 2021-09-24 | 2023-04-07 | 罗茨股份有限公司 | 荧光体的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2890851B2 (ja) | 1999-05-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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