JPH03187242A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03187242A JPH03187242A JP1326958A JP32695889A JPH03187242A JP H03187242 A JPH03187242 A JP H03187242A JP 1326958 A JP1326958 A JP 1326958A JP 32695889 A JP32695889 A JP 32695889A JP H03187242 A JPH03187242 A JP H03187242A
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- semiconductor
- semiconductor chip
- chip
- chips
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体ウェーハを分割して半導体チップに分離するウェ
ーハダイシング方法の改良に関し、半導体ウェーハを分
割して分離された半導体チップをＵＶテープから取り外
してチンブトレイに搬送する際に、半導体チップに生じ
ているカケが他の半導体チップの表面に落下するのを防
止することが可能となる半導体装置の製造方法の提供を
目的とし、 第１のＵＶテープに半導体ウェーハの背面を貼付し、前
記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割した後、
前記半導体チップ及び第１のＵＶテープを洗浄し、前記
半導体チップの背面に貼付してある前記第１のＵＶテー
プに紫外線を照射した後、前記半導体チップの表面に別
の第２のＵＶテープを貼付する工程と、前記半導体チッ
プの背面に貼付され、紫外線を照射された前記第１のＵ
Ｖテープを半導体チップの背面から剥離する工程と、前
記第２のＵＶテープに貼付されている前記半導体チップ
の背面の縁部分を面取りブレードを用いて面取り加工す
る工程と、前記半導体チップ及び第２のＵＶテープを洗
浄し、前記半導体チップの表面に貼付されている前記第
２のＵＶテープに紫外線を照射した後、前記半導体チッ
プの背面に更に別の第３のＵＶテープを貼付し、前記第
２のＵＶテープを前記半導体チップの表面から剥離する
工程とを含むよう構成する。
ーハダイシング方法の改良に関し、半導体ウェーハを分
割して分離された半導体チップをＵＶテープから取り外
してチンブトレイに搬送する際に、半導体チップに生じ
ているカケが他の半導体チップの表面に落下するのを防
止することが可能となる半導体装置の製造方法の提供を
目的とし、 第１のＵＶテープに半導体ウェーハの背面を貼付し、前
記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割した後、
前記半導体チップ及び第１のＵＶテープを洗浄し、前記
半導体チップの背面に貼付してある前記第１のＵＶテー
プに紫外線を照射した後、前記半導体チップの表面に別
の第２のＵＶテープを貼付する工程と、前記半導体チッ
プの背面に貼付され、紫外線を照射された前記第１のＵ
Ｖテープを半導体チップの背面から剥離する工程と、前
記第２のＵＶテープに貼付されている前記半導体チップ
の背面の縁部分を面取りブレードを用いて面取り加工す
る工程と、前記半導体チップ及び第２のＵＶテープを洗
浄し、前記半導体チップの表面に貼付されている前記第
２のＵＶテープに紫外線を照射した後、前記半導体チッ
プの背面に更に別の第３のＵＶテープを貼付し、前記第
２のＵＶテープを前記半導体チップの表面から剥離する
工程とを含むよう構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に半導体ウ
ェーハを分割して半導体チップに分離するウェーハダイ
シング方法の改良に関するものである。
ェーハを分割して半導体チップに分離するウェーハダイ
シング方法の改良に関するものである。
近年半導体装置の高集積化に伴い高信頼性が要求されて
おり、このため半導体ウェーハの全板厚をダイシング溝
により分割するようフルカットし、分離された半導体チ
ップをピックアップしてチップトレイに並べる方法が主
流になりつつあるが、この半導体チップのピックアップ
の際に、このダイシング溝と背面との交線に生している
カケが半導体チップから分離して他の半導体チップの表
面に落下すると、アセンブリ工程におけるワイヤ間の短
絡や半導体チップのバンド間の短絡の要因となることが
ある。
おり、このため半導体ウェーハの全板厚をダイシング溝
により分割するようフルカットし、分離された半導体チ
ップをピックアップしてチップトレイに並べる方法が主
流になりつつあるが、この半導体チップのピックアップ
の際に、このダイシング溝と背面との交線に生している
カケが半導体チップから分離して他の半導体チップの表
面に落下すると、アセンブリ工程におけるワイヤ間の短
絡や半導体チップのバンド間の短絡の要因となることが
ある。
以上のような状況から、半導体ウェーハのダイシング溝
と背面との交線に生じたカケが、半導体チップと分離し
て他の半導体チップの表面に落下するのを防止すること
が可能な半導体装置の製造方法が要望されている。
と背面との交線に生じたカケが、半導体チップと分離し
て他の半導体チップの表面に落下するのを防止すること
が可能な半導体装置の製造方法が要望されている。
従来力率導体装置の製造方法を第２図により工程順に説
明する。
明する。
まず第２図（ａｌに示すようにＵＶテープ１３に半導体
ウェーハ１１の背面を貼付し、図示しないダイシング装
置を用いて第２図（ｂ）に示すようにブレード１４によ
りＵＶテープ１３に２０〜５０μｎ程度切り込むように
全板厚を分割してダイシング溝１１ａを形成して個々の
半導体チップ１２に分割し、純水を用いるスピン洗浄に
よりダイシング工程で生した粉を除去する。
ウェーハ１１の背面を貼付し、図示しないダイシング装
置を用いて第２図（ｂ）に示すようにブレード１４によ
りＵＶテープ１３に２０〜５０μｎ程度切り込むように
全板厚を分割してダイシング溝１１ａを形成して個々の
半導体チップ１２に分割し、純水を用いるスピン洗浄に
よりダイシング工程で生した粉を除去する。
このダイシング工程においては、半導体ウェーハ１１の
背面とダイじ・フグ溝１１ａとの交線に図に示すような
カケ１２ａが生している。
背面とダイじ・フグ溝１１ａとの交線に図に示すような
カケ１２ａが生している。
ＵＶテープ１３に紫外線を照射して硬化させた後、第２
図（Ｃ１に示すようにこの分割された半導体チップ１２
をｔＪ Ｖテープ１３を貫通するピックアツプ針１５で
突き上げて、半導体チップ１２をＵＶテープ１３から剥
離して半導体チップＩ２を収納する図示しないチップト
レイに搬送して収納しているが、この際に半導体チップ
１２に生しているカケ１２ａが他の半導体チップの表面
に落下して傷、短絡等の障害の原因となっている。
図（Ｃ１に示すようにこの分割された半導体チップ１２
をｔＪ Ｖテープ１３を貫通するピックアツプ針１５で
突き上げて、半導体チップ１２をＵＶテープ１３から剥
離して半導体チップＩ２を収納する図示しないチップト
レイに搬送して収納しているが、この際に半導体チップ
１２に生しているカケ１２ａが他の半導体チップの表面
に落下して傷、短絡等の障害の原因となっている。
（発明が解決しようとする課題〕
以上説明した従来の半導体装置の製造方法においては、
半導体チップをＵＶテープから剥離して半導体チップを
収納するチップトレイに搬送して収納する際に、半導体
チップに生じているカケが他の半導体チップの表面に落
下して傷、短絡等の障害が発生するという問題点があっ
た。
半導体チップをＵＶテープから剥離して半導体チップを
収納するチップトレイに搬送して収納する際に、半導体
チップに生じているカケが他の半導体チップの表面に落
下して傷、短絡等の障害が発生するという問題点があっ
た。
本発明は以上のような状況から、半導体ウェーハを分割
して分離された半導体チップをＵＶテープから取り外し
てチンブトレイに搬送する際に、半導体チップに生じて
いるカケが他の半導体チップの表面に落下するのを防止
することが可能となる半導体装置の製造方法の提供を目
的としたものである。
して分離された半導体チップをＵＶテープから取り外し
てチンブトレイに搬送する際に、半導体チップに生じて
いるカケが他の半導体チップの表面に落下するのを防止
することが可能となる半導体装置の製造方法の提供を目
的としたものである。
本発明の半導体装置の製造方法は、第１のＵＶテープに
半導体ウェーへの背面を貼付し、この半導体ウェーハを
個々の半導体チ・７ブに分割した後、この半導体チップ
及び第１のＵＶテープを洗浄し、この半導体チップの背
面に貼付してあるこの第１のＵＶテープに紫外線を照射
した後、この半導体チップの表面に別の第２のＵＶテー
プを貼付する工程と、この半導体チップの背面に貼付さ
れ、紫外線を照射されたこの第１の［Ｊ Ｖテープを半
導体チップの背面から剥離する工程と、この第２のＵＶ
テープに貼付されているこの半導体チップの背面の縁部
分を面取りブレードを用いて面取り加工する工程と、こ
の半導体チップ及び第２のＵＶテープを洗浄し、この半
導体チップの表面に貼付されているこの第２のＵＶテー
プに紫外線を照射した後、この半導体チップの背面に更
に別の第３のＵＶテープを貼付し、この第２のＵＶテー
プをこの半導体チップの表面から剥離する工程とを含む
よう構成する。
半導体ウェーへの背面を貼付し、この半導体ウェーハを
個々の半導体チ・７ブに分割した後、この半導体チップ
及び第１のＵＶテープを洗浄し、この半導体チップの背
面に貼付してあるこの第１のＵＶテープに紫外線を照射
した後、この半導体チップの表面に別の第２のＵＶテー
プを貼付する工程と、この半導体チップの背面に貼付さ
れ、紫外線を照射されたこの第１の［Ｊ Ｖテープを半
導体チップの背面から剥離する工程と、この第２のＵＶ
テープに貼付されているこの半導体チップの背面の縁部
分を面取りブレードを用いて面取り加工する工程と、こ
の半導体チップ及び第２のＵＶテープを洗浄し、この半
導体チップの表面に貼付されているこの第２のＵＶテー
プに紫外線を照射した後、この半導体チップの背面に更
に別の第３のＵＶテープを貼付し、この第２のＵＶテー
プをこの半導体チップの表面から剥離する工程とを含む
よう構成する。
即ち本発明においては、ＵＶテープに貼付した半導体ウ
ェーハを個々の半導体チップに分割した後、この半導体
ウェーハの背面に貼付してあるこのＵＶテープに紫外線
を照射し、この半導体ウェーハの背面に別のＵＶテープ
を貼付し、この半導体ウェーハの背面に貼付され、紫外
線を照射されたＵＶテープを半導体ウェーハの背面から
＃Ｊ離し、このＵＶテープに貼付されているこの半導体
ウェーハの背面とこのダイシング溝との交線を面取りブ
レードを用いて面取り加工し、この半導体ウェーハの表
面に貼付されているこのＵＶテープに紫外線を照射した
後、この半導体ウェーハの背面に更に別のＵＶテープを
貼付し、この紫外線を照射したＵＶテープをこの半導体
ウェーへの表面から剥離するので、この半導体チップの
カケを完全に面取りブレードで取り去ることが可能とな
り、半導体チップの搬送時にカケが他の半導体チップの
表面に落下するのを防止することができ、傷、短絡等の
障害を防止することが可能となる。
ェーハを個々の半導体チップに分割した後、この半導体
ウェーハの背面に貼付してあるこのＵＶテープに紫外線
を照射し、この半導体ウェーハの背面に別のＵＶテープ
を貼付し、この半導体ウェーハの背面に貼付され、紫外
線を照射されたＵＶテープを半導体ウェーハの背面から
＃Ｊ離し、このＵＶテープに貼付されているこの半導体
ウェーハの背面とこのダイシング溝との交線を面取りブ
レードを用いて面取り加工し、この半導体ウェーハの表
面に貼付されているこのＵＶテープに紫外線を照射した
後、この半導体ウェーハの背面に更に別のＵＶテープを
貼付し、この紫外線を照射したＵＶテープをこの半導体
ウェーへの表面から剥離するので、この半導体チップの
カケを完全に面取りブレードで取り去ることが可能とな
り、半導体チップの搬送時にカケが他の半導体チップの
表面に落下するのを防止することができ、傷、短絡等の
障害を防止することが可能となる。
以下第１図により本発明による一実施例を工程順に詳細
に説明する。
に説明する。
まず第１図（ａｌに示すようにＵＶテープ３に半導体ウ
ェーハ１の背面を貼付し、図示しないダイシング装置を
用いて第１図（ｂｌに示すようにブレード４によりＵＶ
テープ３に２０〜５０μｍ程度切り込むように半導体ウ
ェーハ１の全板厚を分割してダイシング溝１ａを形成し
て個々の半導体チップ２に分離し、純水を用いるスピン
洗浄によりダイシング工程で生した粉を除去する。
ェーハ１の背面を貼付し、図示しないダイシング装置を
用いて第１図（ｂｌに示すようにブレード４によりＵＶ
テープ３に２０〜５０μｍ程度切り込むように半導体ウ
ェーハ１の全板厚を分割してダイシング溝１ａを形成し
て個々の半導体チップ２に分離し、純水を用いるスピン
洗浄によりダイシング工程で生した粉を除去する。
このダイシング工程においては、半導体ウェーハ１の背
面とダイシング溝１ａとの交線に図に示すようなカケ２
ａが生じている。
面とダイシング溝１ａとの交線に図に示すようなカケ２
ａが生じている。
ＵＶテープ３に紫外線を照射して硬化させた後、第１図
（Ｃ１に示すように、この分割された半導体チップ２の
表面にＵＶチー１５を貼付する。
（Ｃ１に示すように、この分割された半導体チップ２の
表面にＵＶチー１５を貼付する。
つぎにこのＵＶテープ３を剥離し、半導体チップ２の背
面を上にして図示しないダイシング装置のテーブルに載
置し、第１図（ｄｌに示すように、面取りブレード６を
用いて半導体チップ２の背面とダイシング溝１ａとの交
線を面取り加工してこの部分に生じていたカケ２ａを除
去し、純水を用いるスピン洗浄によりダイシング工程で
生じた粉を除去する。
面を上にして図示しないダイシング装置のテーブルに載
置し、第１図（ｄｌに示すように、面取りブレード６を
用いて半導体チップ２の背面とダイシング溝１ａとの交
線を面取り加工してこの部分に生じていたカケ２ａを除
去し、純水を用いるスピン洗浄によりダイシング工程で
生じた粉を除去する。
ついでこのＵＶテープ５に紫外線を照射して硬化させた
後、第１図（ｅｌに示すように半導体チップ２の背面に
ＵＶテープ７を貼付し、ＵＶテープ５を剥離する。
後、第１図（ｅｌに示すように半導体チップ２の背面に
ＵＶテープ７を貼付し、ＵＶテープ５を剥離する。
最後にこのＵＶテープ７に紫外線を照射して硬化させた
後、第１図（ｆｌに示すように半導体チップ２をＵＶテ
ープ７を貫通ずるビックアンプ針８で突き上げて、半導
体チップ２をＵＶテープ７から剥離して半導体チップを
収納するチップトレイに搬送して収納する。
後、第１図（ｆｌに示すように半導体チップ２をＵＶテ
ープ７を貫通ずるビックアンプ針８で突き上げて、半導
体チップ２をＵＶテープ７から剥離して半導体チップを
収納するチップトレイに搬送して収納する。
このように半導体ウェーハｌをダイシングにより分割し
て半導体チップ２に分離するのにＵＶテープ３を用い、
半導体チップ２の背面とダイシング溝１ａとの交線を面
取り加工するのにＵＶテープ５を用い、最後に更に半導
体アンプ２の背面をＵ■テープ７に貼付し、このＵＶテ
ープ７から半導体チップ２をチップトレイに搬送して収
納するので、半導体チップ２から他の半導体チップの表
面にカケ２ａが落下して傷、短絡等の障害の原因となる
のを防止することが可能となる。
て半導体チップ２に分離するのにＵＶテープ３を用い、
半導体チップ２の背面とダイシング溝１ａとの交線を面
取り加工するのにＵＶテープ５を用い、最後に更に半導
体アンプ２の背面をＵ■テープ７に貼付し、このＵＶテ
ープ７から半導体チップ２をチップトレイに搬送して収
納するので、半導体チップ２から他の半導体チップの表
面にカケ２ａが落下して傷、短絡等の障害の原因となる
のを防止することが可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、２枚の
ＵＶテープを用いて半導体チップの分離とカケの除去を
行い、最後に半導体チップの背面をＵＶテープに貼付し
た状態で半導体チップをピックアンプしてチップトレイ
に収納するので、カケが半導体チップから他の半導体チ
ップの表面に落下するのを防止することが可能となる利
点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待
できる半導体装置の製造方法の提供が可能である。
ＵＶテープを用いて半導体チップの分離とカケの除去を
行い、最後に半導体チップの背面をＵＶテープに貼付し
た状態で半導体チップをピックアンプしてチップトレイ
に収納するので、カケが半導体チップから他の半導体チ
ップの表面に落下するのを防止することが可能となる利
点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待
できる半導体装置の製造方法の提供が可能である。
第１図は本発明による一実施例を工程順に示す側断面図
、 第２図は従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す側
断面図、 である。 図において、 １は半導体ウェーハ、 ｌａはダイシング溝、 ２は半導体チップ、 ２ａはカケ、 ３はＵＶテープ、 ４はブレード、 ５はＵＶテープ、 ６は面取りブレード、 ７はＵＶテープ、 ８はピックアツプ針、 を示す。 ｆａ＋ 半導体ウェーハ（１）のＵＶテープ（３）への貼付（ｂ
ｌ グイシング工程 ＣＩ ＵＶテープ（５）の貼付 本発明による一実施例を工程順に示す側断面間第 図（そのｌ） ｄ１ 面取り加工工程 （ｅｌ ＵＶテープ（７）の貼付 ［ｆｌ 半導体チップ（２）のピックアップ 本発明による一実施例を工程順に示す側断面間第 図（その２）
、 第２図は従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す側
断面図、 である。 図において、 １は半導体ウェーハ、 ｌａはダイシング溝、 ２は半導体チップ、 ２ａはカケ、 ３はＵＶテープ、 ４はブレード、 ５はＵＶテープ、 ６は面取りブレード、 ７はＵＶテープ、 ８はピックアツプ針、 を示す。 ｆａ＋ 半導体ウェーハ（１）のＵＶテープ（３）への貼付（ｂ
ｌ グイシング工程 ＣＩ ＵＶテープ（５）の貼付 本発明による一実施例を工程順に示す側断面間第 図（そのｌ） ｄ１ 面取り加工工程 （ｅｌ ＵＶテープ（７）の貼付 ［ｆｌ 半導体チップ（２）のピックアップ 本発明による一実施例を工程順に示す側断面間第 図（その２）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１のＵＶテープ（３）に半導体ウェーハ（１）の背面
を貼付し、前記半導体ウェーハ（１）を個々の半導体チ
ップ（２）に分割した後、前記半導体チップ（２）及び
第１のＵＶテープ（３）を洗浄し、前記半導体チップ（
２）の背面に貼付してある前記第１のＵＶテープ（３）
に紫外線を照射した後、前記半導体チップ（２）の表面
に別の第２のＵＶテープ（５）を貼付する工程と、 前記半導体チップ（２）の背面に貼付され、紫外線を照
射された前記第１のＵＶテープ（３）を半導体チップ（
２）の背面から剥離する工程と、前記第２のＵＶテープ
（５）に貼付されている前記半導体チップ（２）の背面
の縁部分を面取りブレード（６）を用いて面取り加工す
る工程と、前記半導体チップ（２）及び第２のＵＶテー
プ（５）を洗浄し、前記半導体チップ（２）の表面に貼
付されている前記第２のＵＶテープ（５）に紫外線を照
射した後、前記半導体チップ（２）の背面に更に別の第
３のＵＶテープ（７）を貼付し、前記第２のＵＶテープ
（５）を前記半導体チップ（２）の表面から剥離する工
程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32695889A JP2738091B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32695889A JP2738091B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03187242A true JPH03187242A (ja) | 1991-08-15 |
| JP2738091B2 JP2738091B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=18193684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32695889A Expired - Fee Related JP2738091B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2738091B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6657282B2 (en) | 1998-02-27 | 2003-12-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| US6885522B1 (en) | 1999-05-28 | 2005-04-26 | Fujitsu Limited | Head assembly having integrated circuit chip covered by layer which prevents foreign particle generation |
| EP1028455A3 (en) * | 1999-02-10 | 2007-08-22 | Disco Corporation | Cutting-and-transferring system and pellet transferring apparatus |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP32695889A patent/JP2738091B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6657282B2 (en) | 1998-02-27 | 2003-12-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| US6784542B2 (en) | 1998-02-27 | 2004-08-31 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| US6987054B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-01-17 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a semiconductor device having a groove formed in a resin layer |
| US7064047B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-06-20 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| US7556985B2 (en) | 1998-02-27 | 2009-07-07 | Fujitsu Microelectronics Limited | Method of fabricating semiconductor device |
| EP1028455A3 (en) * | 1999-02-10 | 2007-08-22 | Disco Corporation | Cutting-and-transferring system and pellet transferring apparatus |
| US6885522B1 (en) | 1999-05-28 | 2005-04-26 | Fujitsu Limited | Head assembly having integrated circuit chip covered by layer which prevents foreign particle generation |
| US7347347B2 (en) | 1999-05-28 | 2008-03-25 | Fujitsu Limited | Head assembly, disk unit, and bonding method and apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2738091B2 (ja) | 1998-04-08 |
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