JPH04255236A - 半導体装置の製造方法及びこれに使用するモールド金型 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びこれに使用するモールド金型Info
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- JPH04255236A JPH04255236A JP1641291A JP1641291A JPH04255236A JP H04255236 A JPH04255236 A JP H04255236A JP 1641291 A JP1641291 A JP 1641291A JP 1641291 A JP1641291 A JP 1641291A JP H04255236 A JPH04255236 A JP H04255236A
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- Japan
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- mold
- resin
- pot
- lower mold
- plunger
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- Withdrawn
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トランスファモールド
による半導体装置の製造方法に関する。
による半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】近年、半導体素子を外気より保護する封止
方法の一つとして、トランスファモールドがある。この
トランスファモールドは、セラミックによる封止よりコ
スト及び生産性に優れているが、全体的に高品質である
ことが望まれている。そのため、品質向上の一つとして
封止工程で発生するボイド（気泡）の発生を防止する必
要がある。
方法の一つとして、トランスファモールドがある。この
トランスファモールドは、セラミックによる封止よりコ
スト及び生産性に優れているが、全体的に高品質である
ことが望まれている。そのため、品質向上の一つとして
封止工程で発生するボイド（気泡）の発生を防止する必
要がある。
【０００３】
【従来の技術】図５に、従来のトランスファモールドの
概念図を示す。図５は、タブレット樹脂を投入して行う
トランスファモールドを示したものである。図５におい
て、上金型１ａ及び下金型１ｂで構成される金型１によ
り、カル部２、ランナ３ａ，３ｂ、キャビティ４ａ，４
ｂ及びキャビティ４ａ，４ｂの端部にエアベント５ａ，
５ｂを形成する。また、上金型１ａには、ポット６が設
けられており、プランジャ７が該ポット６内を摺動する
。
概念図を示す。図５は、タブレット樹脂を投入して行う
トランスファモールドを示したものである。図５におい
て、上金型１ａ及び下金型１ｂで構成される金型１によ
り、カル部２、ランナ３ａ，３ｂ、キャビティ４ａ，４
ｂ及びキャビティ４ａ，４ｂの端部にエアベント５ａ，
５ｂを形成する。また、上金型１ａには、ポット６が設
けられており、プランジャ７が該ポット６内を摺動する
。
【０００４】これにより、トランスファモールドを行う
場合、まず、上金型１ａ及び下金型１ｂを所定の温度に
加熱しておき、該下金型１ｂ上のキャビティ４ａ，４ｂ
にチップ８ａ，８ｂが搭載されたリードフレーム９ａ，
９ｂを載置して上金型１ａを結合する。そして、ポット
６よりタブレット樹脂１０を挿入する。このタブレット
樹脂１０は、上金型１ａ及び下金型１ｂの加熱された温
度により溶融し、プランジャ７の圧力によりランナ３ａ
，３ｂを通り、キャビティ４ａ，４ｂ内を充満させてト
ランスファモールドを行うものである。なお、エアベン
ト５ａ，５ｂは、溶融したタブレット樹脂１０がキャビ
ティ４ａ，４ｂに流れ込むときの空気抜きである。
場合、まず、上金型１ａ及び下金型１ｂを所定の温度に
加熱しておき、該下金型１ｂ上のキャビティ４ａ，４ｂ
にチップ８ａ，８ｂが搭載されたリードフレーム９ａ，
９ｂを載置して上金型１ａを結合する。そして、ポット
６よりタブレット樹脂１０を挿入する。このタブレット
樹脂１０は、上金型１ａ及び下金型１ｂの加熱された温
度により溶融し、プランジャ７の圧力によりランナ３ａ
，３ｂを通り、キャビティ４ａ，４ｂ内を充満させてト
ランスファモールドを行うものである。なお、エアベン
ト５ａ，５ｂは、溶融したタブレット樹脂１０がキャビ
ティ４ａ，４ｂに流れ込むときの空気抜きである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ポット６内に
挿入されたタブレット樹脂１０は、下金型１ｂの温度に
よりカル部２の底面で溶融し始めると共に、ポット６の
プランジャ７の下方（タブレット樹脂１０の上部）より
溶融し始める。そのため、ランナ３ａ，３ｂの入口が塞
がってタブレット樹脂１０とポット６間に残存する空気
（エア）の逃げ道がなくなる。すなわち、溶融した樹脂
中に巻込まれながらキャビティ４，４ｂ内に充填され、
プランジャ７による加圧が行われても気泡（ボイド）が
残り不良品となるという問題がある。
挿入されたタブレット樹脂１０は、下金型１ｂの温度に
よりカル部２の底面で溶融し始めると共に、ポット６の
プランジャ７の下方（タブレット樹脂１０の上部）より
溶融し始める。そのため、ランナ３ａ，３ｂの入口が塞
がってタブレット樹脂１０とポット６間に残存する空気
（エア）の逃げ道がなくなる。すなわち、溶融した樹脂
中に巻込まれながらキャビティ４，４ｂ内に充填され、
プランジャ７による加圧が行われても気泡（ボイド）が
残り不良品となるという問題がある。
【０００６】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、タブレット樹脂及びポット間に残存するエアを
排出し、ボイドによる不良を低減させる半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
もので、タブレット樹脂及びポット間に残存するエアを
排出し、ボイドによる不良を低減させる半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】図１に本発明方法の原理
説明図を示す。図１において、所定温度の下金型及び上
金型により構成されるモールド金型の該上金型にポット
が設けられ、該ポット内で摺動するプランジャにより加
圧してキャビティ内で樹脂モールドを行う場合、第１の
工程では、前記下金型以外の部分を、該下金型より温度
を高く加熱する。第２の工程では、前記ポット内に所定
形状の樹脂を挿入し、該下金型及び前記上金型の温度に
より加熱可塑させる。第３の工程では、前記プランジャ
により加圧して加熱可塑された樹脂を前記キャビティに
充填するものである。
説明図を示す。図１において、所定温度の下金型及び上
金型により構成されるモールド金型の該上金型にポット
が設けられ、該ポット内で摺動するプランジャにより加
圧してキャビティ内で樹脂モールドを行う場合、第１の
工程では、前記下金型以外の部分を、該下金型より温度
を高く加熱する。第２の工程では、前記ポット内に所定
形状の樹脂を挿入し、該下金型及び前記上金型の温度に
より加熱可塑させる。第３の工程では、前記プランジャ
により加圧して加熱可塑された樹脂を前記キャビティに
充填するものである。
【０００８】また、上記製造方法を実現するモールド金
型は、前記下金型以外の部分に、該下金型より温度を高
く加熱する加熱手段を設けるものである。
型は、前記下金型以外の部分に、該下金型より温度を高
く加熱する加熱手段を設けるものである。
【０００９】
【作用】上述のように、下金型以外の部分を、加熱手段
により該下金型より高い温度に加熱する。そして、ポッ
ト内に所定形状の樹脂を挿入する。これにより、挿入さ
れた樹脂は上部より加熱可塑により溶融し始め、ポット
と所定形状の樹脂間に存在するエアを押出す。その後に
下金型上の樹脂が溶融する。
により該下金型より高い温度に加熱する。そして、ポッ
ト内に所定形状の樹脂を挿入する。これにより、挿入さ
れた樹脂は上部より加熱可塑により溶融し始め、ポット
と所定形状の樹脂間に存在するエアを押出す。その後に
下金型上の樹脂が溶融する。
【００１０】従って、プランジャにより加圧してキャビ
ティ内に溶融した樹脂を充填するに際し、ボイドの発生
を防止することが可能となり、半導体装置のボイド不良
を低減することが可能となる。
ティ内に溶融した樹脂を充填するに際し、ボイドの発生
を防止することが可能となり、半導体装置のボイド不良
を低減することが可能となる。
【００１１】
【実施例】図２に、本発明の一実施例の構成図を示す。
なお、図５と同一の構成部分は同一の符号を付す。図２
は、本発明のモールド金型を示したもので、モールド金
型１は上金型１ａ及び下金型１ｂにより構成される。ま
た、上金型１ａ及び下金型１ｂによりカル部２、該カル
部２より延出するランナ３ａ，３ｂ、該ランナ３ａ，３
ｂ端部のキャビティ４ａ，４ｂ、及び該キャビティ４ａ
，４ｂの端部より延出するエアベント５ａ，５ｂが形成
される。ここで、キャビティ４ａ，４ｂの大きさ及びエ
アベント５ａ，５ｂの位置は、トランスファモールドさ
れる半導体装置の大きさによって設定されるが、エアベ
ント５ａ，５ｂの深さは樹脂に混入してある充填剤の大
きさより小さく、例えば２５μｍに形成される。なお、
図２は一断面を示したもので、図上手前から奥方向に連
ねてカル部２等が形成され、一のポット６が例えば８０
〜２００個のキャビティ４ａ，４ｂを担当するが、半導
体装置の大きさにより適宜変動される。
は、本発明のモールド金型を示したもので、モールド金
型１は上金型１ａ及び下金型１ｂにより構成される。ま
た、上金型１ａ及び下金型１ｂによりカル部２、該カル
部２より延出するランナ３ａ，３ｂ、該ランナ３ａ，３
ｂ端部のキャビティ４ａ，４ｂ、及び該キャビティ４ａ
，４ｂの端部より延出するエアベント５ａ，５ｂが形成
される。ここで、キャビティ４ａ，４ｂの大きさ及びエ
アベント５ａ，５ｂの位置は、トランスファモールドさ
れる半導体装置の大きさによって設定されるが、エアベ
ント５ａ，５ｂの深さは樹脂に混入してある充填剤の大
きさより小さく、例えば２５μｍに形成される。なお、
図２は一断面を示したもので、図上手前から奥方向に連
ねてカル部２等が形成され、一のポット６が例えば８０
〜２００個のキャビティ４ａ，４ｂを担当するが、半導
体装置の大きさにより適宜変動される。
【００１２】一方、上金型１ａのカル部２上方には、異
なる材質（一般に金型より硬い材質）で所定径のポット
６が設けられ、該ポット６内を上下に摺動するようにプ
ランジャ（トランスファ）７が設けられる。そして、プ
ランジャ７内には、加熱手段であるヒータ１１が内設さ
れる。
なる材質（一般に金型より硬い材質）で所定径のポット
６が設けられ、該ポット６内を上下に摺動するようにプ
ランジャ（トランスファ）７が設けられる。そして、プ
ランジャ７内には、加熱手段であるヒータ１１が内設さ
れる。
【００１３】ここで、図３（Ａ），（Ｂ）に、図２によ
る製造工程を説明するための図を示す。まず、図３（Ａ
）において、下金型１ｂ上に、チップ（半導体素子）８
ａ，８ｂが載置されたリードフレーム９ａ，９ｂを支持
枠（図示せず）に所定数連接したシートを、該チップ８
ａ，８ｂがキャビティ４ａ，４ｂ内に位置するように載
置する。そして、上金型１ａ及び下金型１ｂを同一温度
に調節すると共に、加熱手段であるヒータ１１によりプ
ランジャ７を該下金型１ｂより高い温度に加熱する。そ
こで、ポット６内に１個又は２個（例えば１個につき８
０〜２００個のトランスファモールドを行う場合）のタ
ブレット状の樹脂１０を挿入すると、該タブレット樹脂
１０は温度の高いプランジャ７側の上部より溶融し始め
る。この時、タブレット樹脂１０とポット６間に存在す
るエアは、該溶融を始めた樹脂によりカル部２に押し出
される。
る製造工程を説明するための図を示す。まず、図３（Ａ
）において、下金型１ｂ上に、チップ（半導体素子）８
ａ，８ｂが載置されたリードフレーム９ａ，９ｂを支持
枠（図示せず）に所定数連接したシートを、該チップ８
ａ，８ｂがキャビティ４ａ，４ｂ内に位置するように載
置する。そして、上金型１ａ及び下金型１ｂを同一温度
に調節すると共に、加熱手段であるヒータ１１によりプ
ランジャ７を該下金型１ｂより高い温度に加熱する。そ
こで、ポット６内に１個又は２個（例えば１個につき８
０〜２００個のトランスファモールドを行う場合）のタ
ブレット状の樹脂１０を挿入すると、該タブレット樹脂
１０は温度の高いプランジャ７側の上部より溶融し始め
る。この時、タブレット樹脂１０とポット６間に存在す
るエアは、該溶融を始めた樹脂によりカル部２に押し出
される。
【００１４】続いて図３（Ｂ）において、タブレット樹
脂１０の溶融に従ってプランジャ７が下方に摺動するこ
とにより加圧していく。そして、加圧により溶融した樹
脂１２ａ，１２ｂは左右（前後）にランナ３ａ，３ｂを
介してキャビティ４ａ，４ｂに充填されて、トランスフ
ァモールドが行われるものである。この時、キャビティ
４ａ，４ｂ内のエアはエアベント５ａ，５ｂを通って金
型１外に排出される。また、カル部２には充填残しのカ
ル１２ｃが若干残る。すなわち、キャビティ４ａ，４ｂ
に充填される樹脂には気泡が存在せず、半導体装置のボ
イド不良を低減することができるものである。
脂１０の溶融に従ってプランジャ７が下方に摺動するこ
とにより加圧していく。そして、加圧により溶融した樹
脂１２ａ，１２ｂは左右（前後）にランナ３ａ，３ｂを
介してキャビティ４ａ，４ｂに充填されて、トランスフ
ァモールドが行われるものである。この時、キャビティ
４ａ，４ｂ内のエアはエアベント５ａ，５ｂを通って金
型１外に排出される。また、カル部２には充填残しのカ
ル１２ｃが若干残る。すなわち、キャビティ４ａ，４ｂ
に充填される樹脂には気泡が存在せず、半導体装置のボ
イド不良を低減することができるものである。
【００１５】次に、図４に、本発明の他の実施例の構成
図を示す。図４は、図２におけるモールド金型１の上金
型１ａ及び下金型１ｂにそれぞれ第１及び第２の加熱手
段１３ａ，１３ｂを設けたものである。そして、第１の
加熱手段１３ａにより上金型１ａ（下金型１ｂ以外の部
分）の温度を、第２の加熱手段１３ｂで制御される下金
型１ｂより温度を高く設定し、プランジャ７には加熱手
段を設けていない。これにより、ポット６内には挿入さ
れたタブレット樹脂１０は、図３と同様に、上部より溶
融され、キャビティ４ａ，４ｂに充填する際に気泡を溶
融した樹脂内に巻き込まないようにして、半導体装置の
ボイド不良を低減させるものである。
図を示す。図４は、図２におけるモールド金型１の上金
型１ａ及び下金型１ｂにそれぞれ第１及び第２の加熱手
段１３ａ，１３ｂを設けたものである。そして、第１の
加熱手段１３ａにより上金型１ａ（下金型１ｂ以外の部
分）の温度を、第２の加熱手段１３ｂで制御される下金
型１ｂより温度を高く設定し、プランジャ７には加熱手
段を設けていない。これにより、ポット６内には挿入さ
れたタブレット樹脂１０は、図３と同様に、上部より溶
融され、キャビティ４ａ，４ｂに充填する際に気泡を溶
融した樹脂内に巻き込まないようにして、半導体装置の
ボイド不良を低減させるものである。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、下金型以
外の部分を該下金型より温度を高くすることにより、プ
ランジャで加圧してキャビティ内に溶融した樹脂を充填
するに際して樹脂中に気泡を巻き込まないようにするこ
とができ、ボイド不良を低減させて製品の品質及び歩留
りを向上させることができる。
外の部分を該下金型より温度を高くすることにより、プ
ランジャで加圧してキャビティ内に溶融した樹脂を充填
するに際して樹脂中に気泡を巻き込まないようにするこ
とができ、ボイド不良を低減させて製品の品質及び歩留
りを向上させることができる。
【図１】本発明方法の原理説明図である。
【図２】本発明の一実施例の構成図である。
【図３】図２による製造工程を説明するための図である
。
。
【図４】本発明の他の実施例の構成図である。
【図５】従来のトランスファモールドの概念図である。
１ モールド金型
１ａ 上金型
１ｂ 下金型
４ａ，４ｂ キャビティ
６ ポット
７ プランジャ
９ａ，９ｂ リードフレーム
１０ タブレット樹脂
１１ ヒータ
１３ａ 第１の加熱手段
１３ｂ 第２の加熱手段
Claims (2)
- 【請求項１】 所定温度の下金型（１ｂ）及び上金型
（１ａ）により構成されるモールド金型（１）の該上金
型（１ａ）にポット（６）が設けられ、該ポット（６）
内で摺動するプランジャ（７）により加圧してキャビテ
ィ（４ａ，４ｂ）内で樹脂モールドを行う半導体装置の
製造方法において、前記下金型（１ｂ）以外の部分を、
該下金型（１ｂ）より温度を高く加熱する工程と、前記
ポット（６）内に所定形状の樹脂（１０）を挿入し、該
下金型（１ｂ）及び前記上金型（１ａ）の温度により加
熱可塑させる工程と、前記プランジャ（７）により加圧
して加熱可塑された樹脂（１２ａ，１２ｂ）を前記キャ
ビティ（４ａ，４ｂ）に充填する工程と、を含むことを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 所定温度の下金型（１ｂ）及び上金型
（１ａ）により構成され、該上金型（１ａ）にポット（
６）を設け、該ポット（６）内で摺動するプランジャ（
７）により加圧してキャビティ（４ａ，４ｂ）内で半導
体素子（８ａ，８ｂ）の樹脂モールドを行うモールド金
型において、前記下金型（１ｂ）以外の部分に、該下金
型（１ｂ）より温度を高く加熱する加熱手段（１１，１
３ａ）を設けることを特徴とするモールド金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1641291A JPH04255236A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体装置の製造方法及びこれに使用するモールド金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1641291A JPH04255236A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体装置の製造方法及びこれに使用するモールド金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255236A true JPH04255236A (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=11915529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1641291A Withdrawn JPH04255236A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体装置の製造方法及びこれに使用するモールド金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04255236A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5368805A (en) * | 1992-03-24 | 1994-11-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for producing resin sealed type semiconductor device |
| WO2022023009A1 (de) * | 2020-07-30 | 2022-02-03 | Vitesco Technologies Germany Gmbh | SPRITZGUßPRESSVORRICHTUNG ZUR UMSPRITZUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN UND VERFAHREN ZUM UMSPRITZEN VON HALBLEITERBAUELEMENTEN |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP1641291A patent/JPH04255236A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5368805A (en) * | 1992-03-24 | 1994-11-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for producing resin sealed type semiconductor device |
| WO2022023009A1 (de) * | 2020-07-30 | 2022-02-03 | Vitesco Technologies Germany Gmbh | SPRITZGUßPRESSVORRICHTUNG ZUR UMSPRITZUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN UND VERFAHREN ZUM UMSPRITZEN VON HALBLEITERBAUELEMENTEN |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |