JPH04261206A - 増幅器 - Google Patents
増幅器Info
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- JPH04261206A JPH04261206A JP3004422A JP442291A JPH04261206A JP H04261206 A JPH04261206 A JP H04261206A JP 3004422 A JP3004422 A JP 3004422A JP 442291 A JP442291 A JP 442291A JP H04261206 A JPH04261206 A JP H04261206A
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- JP
- Japan
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- substrate
- circuit
- amplifier
- output
- elements
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/142—Arrangements of planar printed circuit boards in the same plane, e.g. auxiliary printed circuit insert mounted in a main printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、増幅器に関するもの
であり、たとえば、衛生通信、地上マイクロ波通信、移
動体通信等に使用する準マイクロ波、マイクロ波帯の半
導体増幅器に関するものである。
であり、たとえば、衛生通信、地上マイクロ波通信、移
動体通信等に使用する準マイクロ波、マイクロ波帯の半
導体増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、例えば、望月他、”２周波共振
形バイアス回路を用いた広帯域モノリシック増幅器”、
１９９０年電子情報学会春季全国大会、ＰＰ２−４７８
、に示された従来のマイクロ波半導体増幅器の等価回路
図、図６はパターン配置図であり、図において６は半導
体基板、７は入力端子、８は出力端子、９は第１のＦＥ
Ｔ、１０は第２のＦＥＴ、１１は第３のＦＥＴ、１２は
ＭＩＭキャパシタ、１３はスパイラルインダクタ、１４
は薄膜抵抗、１５はゲートバイアス端子、１６はドレイ
ンバイアス端子である。
形バイアス回路を用いた広帯域モノリシック増幅器”、
１９９０年電子情報学会春季全国大会、ＰＰ２−４７８
、に示された従来のマイクロ波半導体増幅器の等価回路
図、図６はパターン配置図であり、図において６は半導
体基板、７は入力端子、８は出力端子、９は第１のＦＥ
Ｔ、１０は第２のＦＥＴ、１１は第３のＦＥＴ、１２は
ＭＩＭキャパシタ、１３はスパイラルインダクタ、１４
は薄膜抵抗、１５はゲートバイアス端子、１６はドレイ
ンバイアス端子である。
【０００３】次に動作について説明する。入力端子７か
ら入力したマイクロ波あるいは準マイクロ波の信号は第
１のＦＥＴ９、第２のＦＥＴ１０、第３のＦＥＴ１１で
増幅され出力端子８から出力される。ＭＩＭキャパシタ
１２、スパイラルインダクタ１３、薄膜抵抗１４は入力
整合回路、出力整合回路、段間整合回路、バイアス回路
等を構成している。ゲートバイアス端子１５、ドレイン
バイアス端子１６にはゲートバイアス電圧、ドレインバ
イアス電圧を印加する。能動回路素子である第１のＦＥ
Ｔ９、第２のＦＥＴ１０、第３のＦＥＴ１１および受動
回路素子であるＭＩＭキャパシタ１２、スパイラルイン
ダクタ１３、薄膜抵抗１４は同一の半導体基板６上に構
成されている。
ら入力したマイクロ波あるいは準マイクロ波の信号は第
１のＦＥＴ９、第２のＦＥＴ１０、第３のＦＥＴ１１で
増幅され出力端子８から出力される。ＭＩＭキャパシタ
１２、スパイラルインダクタ１３、薄膜抵抗１４は入力
整合回路、出力整合回路、段間整合回路、バイアス回路
等を構成している。ゲートバイアス端子１５、ドレイン
バイアス端子１６にはゲートバイアス電圧、ドレインバ
イアス電圧を印加する。能動回路素子である第１のＦＥ
Ｔ９、第２のＦＥＴ１０、第３のＦＥＴ１１および受動
回路素子であるＭＩＭキャパシタ１２、スパイラルイン
ダクタ１３、薄膜抵抗１４は同一の半導体基板６上に構
成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波半導
体増幅器は以上のように能動回路素子と入力整合回路、
段間整合回路、バイアス回路、出力回路等を構成する受
動回路素子を１つの半導体基板上に構成するので、比較
的低い周波数帯域で増幅器を構成する場合、チップサイ
ズが大きくなり、歩留りが低下しコストが高くなる。ま
た、使用周波数帯域が異なる数種類の増幅器を製作する
場合には能動回路素子、受動回路素子を含む半導体基板
をまるごと作り替える必要があり、歩留りの低い能動回
路素子の影響で増幅器の歩留りが低下する。さらに最終
段増幅器の出力回路を半導体基板上にモノリシックマイ
クロ波集積回路として構成しているので、マイクロスト
リップ線路、スパイラルインダクタ等の出力回路構成要
素の回路損失が大きく、出力・効率が低下する等の問題
点があった。
体増幅器は以上のように能動回路素子と入力整合回路、
段間整合回路、バイアス回路、出力回路等を構成する受
動回路素子を１つの半導体基板上に構成するので、比較
的低い周波数帯域で増幅器を構成する場合、チップサイ
ズが大きくなり、歩留りが低下しコストが高くなる。ま
た、使用周波数帯域が異なる数種類の増幅器を製作する
場合には能動回路素子、受動回路素子を含む半導体基板
をまるごと作り替える必要があり、歩留りの低い能動回
路素子の影響で増幅器の歩留りが低下する。さらに最終
段増幅器の出力回路を半導体基板上にモノリシックマイ
クロ波集積回路として構成しているので、マイクロスト
リップ線路、スパイラルインダクタ等の出力回路構成要
素の回路損失が大きく、出力・効率が低下する等の問題
点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、歩留りが高く、使用周波数帯域
が異なる数種類の増幅器を容易に低コストで製作でき、
出力・効率特性が良好な増幅器を得ることを目的とする
。
ためになされたもので、歩留りが高く、使用周波数帯域
が異なる数種類の増幅器を容易に低コストで製作でき、
出力・効率特性が良好な増幅器を得ることを目的とする
。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る増幅器
は、第１の基板にＦＥＴ等の能動回路素子および入力・
段間整合回路、バイアス回路等を構成する受動回路素子
の一部を有し、第２の基板に入力・段間整合回路、バイ
アス回路等を構成する受動回路素子を有し、この第１、
第２の基板の所定の箇所を金ワイヤ等の接続手段により
接続したものである。
は、第１の基板にＦＥＴ等の能動回路素子および入力・
段間整合回路、バイアス回路等を構成する受動回路素子
の一部を有し、第２の基板に入力・段間整合回路、バイ
アス回路等を構成する受動回路素子を有し、この第１、
第２の基板の所定の箇所を金ワイヤ等の接続手段により
接続したものである。
【０００７】第２の発明に係る増幅器は、第１の基板に
ＦＥＴ等の能動回路素子および入力・段間整合回路、バ
イアス回路等を構成する受動回路素子の一部を有し、第
２の基板に入力・段間整合回路、バイアス回路等を構成
する受動回路素子を有し、第３の基板に出力回路を構成
し、この第１、第２、第３の基板の所定の箇所を金ワイ
ヤ等の接続手段により接続したものである。
ＦＥＴ等の能動回路素子および入力・段間整合回路、バ
イアス回路等を構成する受動回路素子の一部を有し、第
２の基板に入力・段間整合回路、バイアス回路等を構成
する受動回路素子を有し、第３の基板に出力回路を構成
し、この第１、第２、第３の基板の所定の箇所を金ワイ
ヤ等の接続手段により接続したものである。
【０００８】
【作用】第１の発明においては、歩留りの低い能動回路
素子を構成する第１の基板のサイズが小さくなり、第１
の基板を高歩留りで製作でき、増幅器の歩留りが向上す
る。また、第２の発明においては、周波数特性を決定す
る第２および第３の基板を取り替えることにより、使用
周波数帯域が異なる数種類の増幅器を容易に低コストで
製作できる。さらに、出力回路を誘電体基板に構成する
場合には、マイクロストリップ線路、スパイラルインダ
クタ等の出力回路構成要素の回路損失が小さく、出力・
効率が向上する。
素子を構成する第１の基板のサイズが小さくなり、第１
の基板を高歩留りで製作でき、増幅器の歩留りが向上す
る。また、第２の発明においては、周波数特性を決定す
る第２および第３の基板を取り替えることにより、使用
周波数帯域が異なる数種類の増幅器を容易に低コストで
製作できる。さらに、出力回路を誘電体基板に構成する
場合には、マイクロストリップ線路、スパイラルインダ
クタ等の出力回路構成要素の回路損失が小さく、出力・
効率が向上する。
【０００９】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１はパターン配置図であり、図にお
いて１は第１の基板、２は第２の基板、４は接続用ボン
ディングパッド、５は接続用金ワイヤである。この実施
例は従来のマイクロ波半導体増幅器と電気的に等価であ
り、その動作は従来のものと同様である。第１の基板１
には、ＦＥＴ９、１０、１１が能動回路素子として集め
られており、また、その他の受動回路素子１２、１３、
１４も配置されている。あわせて、この例では、出力回
路３も第１の基板１に配置されている。さらに、第２の
基板２には、受動回路素子１２、１３、１４のみが配置
されている。このように、歩留りの低い能動素子をすべ
て第１の基板に集中することにより第１の基板を半導体
チップで生産する場合のチップサイズが小さくなり高歩
留りを達成できることになる。
ついて説明する。図１はパターン配置図であり、図にお
いて１は第１の基板、２は第２の基板、４は接続用ボン
ディングパッド、５は接続用金ワイヤである。この実施
例は従来のマイクロ波半導体増幅器と電気的に等価であ
り、その動作は従来のものと同様である。第１の基板１
には、ＦＥＴ９、１０、１１が能動回路素子として集め
られており、また、その他の受動回路素子１２、１３、
１４も配置されている。あわせて、この例では、出力回
路３も第１の基板１に配置されている。さらに、第２の
基板２には、受動回路素子１２、１３、１４のみが配置
されている。このように、歩留りの低い能動素子をすべ
て第１の基板に集中することにより第１の基板を半導体
チップで生産する場合のチップサイズが小さくなり高歩
留りを達成できることになる。
【００１０】実施例２．次に、第１の発明の他の実施例
について説明する。図２はパターン配置図であり、図に
おいて１は第１の基板、２は第２の基板、３は出力回路
、４は接続用ボンディングパッド、５は接続用金ワイヤ
である。この実施例は図１のマイクロ波半導体増幅器と
電気的に等価であり、出力回路３を第２の基板側に配置
したものである。
について説明する。図２はパターン配置図であり、図に
おいて１は第１の基板、２は第２の基板、３は出力回路
、４は接続用ボンディングパッド、５は接続用金ワイヤ
である。この実施例は図１のマイクロ波半導体増幅器と
電気的に等価であり、出力回路３を第２の基板側に配置
したものである。
【００１１】さらに、第１の発明の他の実施例を図３を
用いて説明する。この例は図１、図２で示した出力回路
を第２の基板２として構成したものである。このように
出力回路を別基板とすると、マイクロストリップ線路や
スパイラルインダクタ等の出力回路の回路損出が小さく
なるというメリットも生ずる。
用いて説明する。この例は図１、図２で示した出力回路
を第２の基板２として構成したものである。このように
出力回路を別基板とすると、マイクロストリップ線路や
スパイラルインダクタ等の出力回路の回路損出が小さく
なるというメリットも生ずる。
【００１２】実施例３．次に、第２の発明の一実施例に
ついて説明する。図４は、第２の発明に係るパターン配
置図であり、図において、１は第１の基板、２は第２の
基板、３は第３の基板である。この図は、半導体基板上
にＦＥＴ、トランジスタ等の能動回路素子と受動回路素
子を一体構成するモノリシックマイクロ波集積回路と誘
電体基板上に金属膜を設けることにより種々の受動回路
素子を構成するマイクロ波集積回路の混成集積回路とし
て実現されるマイクロ波半導体増幅器において、能動回
路素子と入力・段間整合回路、バイアス回路等を実現す
る受動回路素子の一部を構成する第１の基板、入力・段
間整合回路、バイアス回路を構成する第２の基板、出力
回路を構成する第３の基板を有し、上記第１、第２、第
３の基板の所定の箇所を金ワイヤ等の接続手段により接
続したことを特徴とするマイクロ波半導体増幅器の例を
示したものである。また、このマイクロ波半導体増幅器
において、第１の基板として半導体基板、第２の基板と
して半導体基板または誘電体基板、第３の基板として誘
電体基板を用いることにより、出力回路の回路損失が小
さくなり、増幅器の出力・効率が向上する。また、第２
、第３の基板は周波数特性を決定する回路を有しており
、第２、第３の基板を取り替えることにより使用周波数
帯域が異なる増幅器を製作することができる。
ついて説明する。図４は、第２の発明に係るパターン配
置図であり、図において、１は第１の基板、２は第２の
基板、３は第３の基板である。この図は、半導体基板上
にＦＥＴ、トランジスタ等の能動回路素子と受動回路素
子を一体構成するモノリシックマイクロ波集積回路と誘
電体基板上に金属膜を設けることにより種々の受動回路
素子を構成するマイクロ波集積回路の混成集積回路とし
て実現されるマイクロ波半導体増幅器において、能動回
路素子と入力・段間整合回路、バイアス回路等を実現す
る受動回路素子の一部を構成する第１の基板、入力・段
間整合回路、バイアス回路を構成する第２の基板、出力
回路を構成する第３の基板を有し、上記第１、第２、第
３の基板の所定の箇所を金ワイヤ等の接続手段により接
続したことを特徴とするマイクロ波半導体増幅器の例を
示したものである。また、このマイクロ波半導体増幅器
において、第１の基板として半導体基板、第２の基板と
して半導体基板または誘電体基板、第３の基板として誘
電体基板を用いることにより、出力回路の回路損失が小
さくなり、増幅器の出力・効率が向上する。また、第２
、第３の基板は周波数特性を決定する回路を有しており
、第２、第３の基板を取り替えることにより使用周波数
帯域が異なる増幅器を製作することができる。
【００１３】なお、上記実施例では、マイクロ波半導体
増幅器について説明したが、マイクロ波に限るものでは
なく、その他の周波数の電波であってもよい。また、半
導体に限るものではなく、第１の基板、第２の基板、第
３の基板が半導体基板あるいは誘電体基板あるいはその
他の基板の場合であってもよい。
増幅器について説明したが、マイクロ波に限るものでは
なく、その他の周波数の電波であってもよい。また、半
導体に限るものではなく、第１の基板、第２の基板、第
３の基板が半導体基板あるいは誘電体基板あるいはその
他の基板の場合であってもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上のようにこの第１と第２の発明によ
れば、歩留りの低い能動回路素子を構成する第１の基板
のサイズが小さくなり、第１の基板が高歩留りで製作で
き、増幅器の歩留りが向上する。また、第２の発明によ
れば、周波数特性を決定する第２および第３の基板を取
り替えることにより、使用周波数帯域が異なる数種類の
増幅器を容易に低コストで製作でき、さらに、出力回路
を誘電体基板に構成すれば、マイクロストリップ線路、
スパイラルインダクタ等の出力回路構成要素の回路損失
が小さく、出力・効率が向上する等の効果がある。
れば、歩留りの低い能動回路素子を構成する第１の基板
のサイズが小さくなり、第１の基板が高歩留りで製作で
き、増幅器の歩留りが向上する。また、第２の発明によ
れば、周波数特性を決定する第２および第３の基板を取
り替えることにより、使用周波数帯域が異なる数種類の
増幅器を容易に低コストで製作でき、さらに、出力回路
を誘電体基板に構成すれば、マイクロストリップ線路、
スパイラルインダクタ等の出力回路構成要素の回路損失
が小さく、出力・効率が向上する等の効果がある。
【図１】第１の発明の一実施例によるマイクロ波半導体
増幅器のパターン図。
増幅器のパターン図。
【図２】第１の発明の他の実施例を示す図。
【図３】第１の発明のその他の実施例を示す図。
【図４】第２の発明の一実施例を示す図。
【図５】従来のマイクロ波半導体増幅器の等価回路図。
【図６】従来のマイクロ波半導体増幅器のパターン図。
１ 第１の基板
２ 第２の基板
３ 第３の基板
４ 接続用ボンディングパッド
５ 接続用金ワイヤ
６ 半導体基板
７ 入力端子
８ 出力端子
９ 第１のＦＥＴ
１０ 第２のＦＥＴ
１１ 第３のＦＥＴ
１２ ＭＩＭキャパシタ
１３ スパイラルインダクタ
１４ 薄膜抵抗
１５ ゲートバイアス端子
１６ ドレインバイアス端子
Claims (2)
- 【請求項１】 以下の要素を有する増幅器（ａ）少な
くとも、ＦＥＴ、トランジスタ等の能動回路素子を有す
る第１の基板、（ｂ）キャパシタ、インダクタ、抵抗等
の受動回路素子を有する第２の基板、（ｃ）第１の基板
と第２の基板の所定の回路及び素子を接続する接続手段
。 - 【請求項２】 以下の要素を有する増幅器（ａ）少な
くとも、ＦＥＴ、トランジスタ等の能動回路素子を有す
る第１の基板、（ｂ）キャパシタ、インダクタ、抵抗等
の受動回路素子を有する第２の基板、（ｃ）出力回路を
有する第３の基板、（ｄ）第１の基板と第２の基板と第
３の基板の所定の回路及び素子を接続する接続手段。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3004422A JPH04261206A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3004422A JPH04261206A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04261206A true JPH04261206A (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=11583834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3004422A Pending JPH04261206A (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04261206A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11154837A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-06-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置、半導体集積回路および高周波処理回路 |
| WO2006092855A1 (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 電圧制御発振器 |
| KR20220047540A (ko) * | 2019-05-17 | 2022-04-18 | 울프스피드, 인크. | Rf 전력 증폭기 패키징에서의 바이어스 전압 연결 |
-
1991
- 1991-01-18 JP JP3004422A patent/JPH04261206A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11154837A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-06-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置、半導体集積回路および高周波処理回路 |
| WO2006092855A1 (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 電圧制御発振器 |
| WO2006092890A1 (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 電圧制御発振器 |
| JPWO2006092890A1 (ja) * | 2005-03-02 | 2008-08-07 | 三菱電機株式会社 | 電圧制御発振器 |
| JP4607176B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2011-01-05 | 三菱電機株式会社 | 電圧制御発振器 |
| KR20220047540A (ko) * | 2019-05-17 | 2022-04-18 | 울프스피드, 인크. | Rf 전력 증폭기 패키징에서의 바이어스 전압 연결 |
| JP2022532679A (ja) * | 2019-05-17 | 2022-07-15 | ウルフスピード インコーポレイテッド | Ｒｆパワー増幅器パッケージングにおけるバイアス電圧接続 |
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