JPH04264277A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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Publication number
JPH04264277A
JPH04264277A JP3024248A JP2424891A JPH04264277A JP H04264277 A JPH04264277 A JP H04264277A JP 3024248 A JP3024248 A JP 3024248A JP 2424891 A JP2424891 A JP 2424891A JP H04264277 A JPH04264277 A JP H04264277A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pulse width
memory
integrated circuit
semiconductor integrated
circuit
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP3024248A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiko Mafune
真船 康彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は,ゲートアレイ及びメモ
リを1つのチップ内に有する半導体集積回路装置特に装
置内蔵パルス発生回路の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来例の説明図である。従来のパ
ルス発生回路においては,図3(a)に回路を,図3(
b)にその中のゲートの回路図で示すように,パルス巾
を作っている遅延回路(ゲートA群)において, 電源
はGND− VEE1 (VEE2 共通) 又は,G
ND−VEE1,GND− VEE2 があり, 電源
電圧は一定の値に固定して用いていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従って, 従来のパル
ス発生装置では, パルス巾はゲートの段数により設定
されるので, メモリ部の試験に対しては, 半導体集
積回路装置が完成した後ではパルス巾を可変とすること
ができず, 従って設定したパルス巾でしか試験ができ
ず,パルス巾を可変とする必要が生じた時には, ウエ
ハープロセスのフォトマスクを改版して, 回路の配線
パターンを修正する必要があった。
【0004】そのため必要なパルス巾で測定できず,適
性な値の試験条件からずれて,半導体集積回路装置の電
気的特性試験における良否の判定に支障を来していた。 本発明は,上記の点を鑑み, フォトマスクの改版を必
要とせず, 回路上の工夫によりパルス巾を可変とする
ことを目的として提供されるものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】図1,図2は本発明の原
理説明図兼実施例の説明図である。上記の問題点を解決
するためには, 図1に示すように,パルス巾を作って
いるゲートA群の遅延回路において, 負荷駆動電流(
IEF) の流れる電源を独立分離させて, 新たに電
源電圧VEE3なる電源を設け, この電源を可変させ
ることによりIEFを変化させ, その結果として, 
ゲートA群の遅延時間をコントロールしてパルス巾を可
変するか, あるいは,図2に示すように,パルス発生
用の遅延回路を幾つか設けて, その遅延回路を選択す
る端子を設け,その端子の論理により任意にパルス巾を
選択すれば良い。
【0006】即ち, 本発明の目的は, ゲートアレイ
及びメモリを1つのチップ内に有する半導体集積回路装
置において,上記メモリ内に外部からのモード切換制御
信号により,メモリセル内にデータを書き込む為のライ
トイネーブル信号のパルス巾を,通常モードと試験モー
ドに切換えて出力するパルス発生回路を有し,該パルス
発生回路内に,試験モード時に,図1に示すように,外
部電源電圧に連動してパルス巾を可変する機能を有する
ことにより,或いは,該パルス発生回路内に,試験モー
ド時に,図2に示すように,遅延回路選択端子を用いて
パルス巾を選択する機能を有することにより達成される
【0007】
【作用】本発明では,今までの電源に対して,パルス巾
を作り出すゲートの負荷駆動電流を独立させたり,遅延
回路の増設を図っているため,必要なパルス巾での測定
が可能となった。
【0008】
【実施例】図1は本発明の第1の実施例の説明図である
。第1の実施例について,先ず図1により IEFと遅
延時間の関係について述べる。
【0009】図1(d)で示した先の回路において,V
EE3 を流れる電流を IEF,  VEE3 と出
力(H/Lの平均) の差をΔV,出力と VEE3 
の抵抗をRとすると,数1で表せる。
【0010】
【数1】
【0011】ここで,出力とRはVEE3 に依存しな
いので,VEE3 を変化させることによりIEEを変
えることができる。
【0012】次に,IEFと遅延時間の関係について考
察する。一般に,図1(a)に示すように入力と出力ま
での時間で示される遅延時間は   遅延時間=(ゲートAの遅延時間)+(配線容量に
よる遅延時間)により表わされる。
【0013】また,配線容量(c)と容量による遅延時
間の関係は図1(b)に表される。上記のように,IE
Fを増加させることにより,負荷の駆動能力が上がり,
その結果として遅延時間は小さくなる。
【0014】このため,遅延時間は図1(c)に示すよ
うなゲートA群において図1(d)に示すようなIEF
が流れる電源を独立した電源VEE3 として新たに設
ける。 そしてB,Cゲートその他はVEE2 に流れるものと
する。
【0015】このように,電源を分離したことにより,
VEE3 の電源電圧は可変とすることが可能となり,
電源電圧を可変させることによりIEFが変化し,その
結果としてA群のゲートによる遅延時間をコントロール
することができる。
【0016】つまり,電源電圧により,パルス巾を自由
にコントロールすることができるようになる。次に,第
2の実施例について,図2により説明する。
【0017】図2(a)に示した従来回路ではパルス発
生用の遅延回路はゲートA群の一つしかなく,パルス巾
の変更ができなかったので,この回路に改造を加えて,
図2(b)に示す新規回路を形成する。
【0018】即ち,新規回路として,パルス発生用の遅
延回路をA,B,C,Dの4個を設け,その遅延回路を
選択する端子をS1 , S2 の2個設け,その端子
の論理により任意にパルス巾を選択するようにする。
【0019】即ち,擬似的にパルス巾を可変としたもの
である。また,パルス巾の選択子を多く取りたい場合に
は,論理端子及び遅延回路を増加すれば良い例えば,図
2(c)に示すように,論理端子の増加は,端子がS1
 ,S2 の2本ではA,B,C,Dの4通りの選択が
可能であるが,端子が3本では更に増加して8通りの選
択が可能となる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように, 本発明によれば
, パルス巾の可変により,試験条件が緩くなったり,
特性の判定が高精度となり,試験技術の向上に寄与する
ところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】  本発明の第1の実施例の説明図
【図2】 
 本発明の第2の実施例の説明図
【図3】  従来例の
説明図
【符号の説明】
IEF      負荷駆動電流 VEE      電源電圧 C        配線容量 S1,S2   遅延回路選択用端子

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  ゲートアレイ及びメモリを1つのチッ
    プ内に有する半導体集積回路装置において,上記メモリ
    内に外部からのモード切換制御信号により,メモリセル
    内にデータを書き込む為のライトイネーブル信号のパル
    ス巾を,通常モードと試験モードに切換えて出力するパ
    ルス発生回路を有し,該パルス発生回路内に,試験モー
    ド時に外部電源電圧に連動してパルス巾を可変する機能
    を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 【請求項2】  ゲートアレイ及びメモリを1つのチッ
    プ内に有する半導体集積回路装置において,上記メモリ
    内に外部からのモード切換制御信号により,メモリセル
    内にデータを書き込む為のライトイネーブル信号のパル
    ス巾を,通常モードと試験モードに切換えて出力するパ
    ルス発生回路を有し,該パルス発生回路内に,試験モー
    ド時に遅延回路選択端子を用いてパルス巾を選択する機
    能を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
JP3024248A 1991-02-19 1991-02-19 半導体集積回路装置 Withdrawn JPH04264277A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5831918A (en) * 1994-02-14 1998-11-03 Micron Technology, Inc. Circuit and method for varying a period of an internal control signal during a test mode
US5991214A (en) * 1996-06-14 1999-11-23 Micron Technology, Inc. Circuit and method for varying a period of an internal control signal during a test mode
US6587978B1 (en) * 1994-02-14 2003-07-01 Micron Technology, Inc. Circuit and method for varying a pulse width of an internal control signal during a test mode

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5831918A (en) * 1994-02-14 1998-11-03 Micron Technology, Inc. Circuit and method for varying a period of an internal control signal during a test mode
US6529426B1 (en) 1994-02-14 2003-03-04 Micron Technology, Inc. Circuit and method for varying a period of an internal control signal during a test mode
US6587978B1 (en) * 1994-02-14 2003-07-01 Micron Technology, Inc. Circuit and method for varying a pulse width of an internal control signal during a test mode
US5991214A (en) * 1996-06-14 1999-11-23 Micron Technology, Inc. Circuit and method for varying a period of an internal control signal during a test mode

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