JPH0426521B2 - - Google Patents
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- JPH0426521B2 JPH0426521B2 JP17326485A JP17326485A JPH0426521B2 JP H0426521 B2 JPH0426521 B2 JP H0426521B2 JP 17326485 A JP17326485 A JP 17326485A JP 17326485 A JP17326485 A JP 17326485A JP H0426521 B2 JPH0426521 B2 JP H0426521B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molded body
- plating
- conductor
- polymer
- positive temperature
- Prior art date
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、高分子正温度特性抵抗体の製造法に
関し、更に詳しくは、電極と正温度特性を有する
成形体との相互密着強度が大きくて接触抵抗が小
さく、かつヒートシヨツクに対する耐性が大きな
高分子正温度特性抵抗体の製造法に関する。
関し、更に詳しくは、電極と正温度特性を有する
成形体との相互密着強度が大きくて接触抵抗が小
さく、かつヒートシヨツクに対する耐性が大きな
高分子正温度特性抵抗体の製造法に関する。
［従来の技術及び発明が解決しようとする問題
点］ 電気、電子機器部品に付帯して使用される正温
度特性素子として、最近、基材が高分子からなつ
ていて正温度特性を有する高分子抵抗体が賞用さ
れている。
点］ 電気、電子機器部品に付帯して使用される正温
度特性素子として、最近、基材が高分子からなつ
ていて正温度特性を有する高分子抵抗体が賞用さ
れている。
このような低抗体は、通常、正温度特性を具備
する高分子成形体とその表裏面に取付けられた電
極とから構成されている。
する高分子成形体とその表裏面に取付けられた電
極とから構成されている。
これら高分子抵抗体の中には、例えばUSP−
4426633号公報に開示されているように、正温度
特性を有する成形体の表裏面に電極として金属箔
を圧着して一体化したものや、特開昭55−15907
号公報に開示されているように、正温度特性を有
する成形体の表裏面に電極として網状金属を熱融
着して一体化したものが知られている。
4426633号公報に開示されているように、正温度
特性を有する成形体の表裏面に電極として金属箔
を圧着して一体化したものや、特開昭55−15907
号公報に開示されているように、正温度特性を有
する成形体の表裏面に電極として網状金属を熱融
着して一体化したものが知られている。
しかしながら、このように金属箔や網状金属を
高分子成形体に取付けた高分子抵抗体において
は、電極−成形体間の接触抵抗を十分に低減する
ことが困難である。
高分子成形体に取付けた高分子抵抗体において
は、電極−成形体間の接触抵抗を十分に低減する
ことが困難である。
また、高分子正温度特性低抗体の電極を成形体
の表面に金属メツキを施すことによつて形成する
方法が知られている（特開昭60−3881号）。
の表面に金属メツキを施すことによつて形成する
方法が知られている（特開昭60−3881号）。
しかしながら、この場合、メツキ皮膜と成形体
の密着強度が充分ではなく、しかもヒートシヨツ
クに対する耐性が十分でないという問題がある。
の密着強度が充分ではなく、しかもヒートシヨツ
クに対する耐性が十分でないという問題がある。
本発明は、上記した問題点を解消し、電極と正
温度特性を有する成形体との相互密着強度が大き
くて接触抵抗の小さく、かつヒートシヨツクに対
する耐性が大きな高分子正温度特性低抗体の製造
法の提供を目的とする。
温度特性を有する成形体との相互密着強度が大き
くて接触抵抗の小さく、かつヒートシヨツクに対
する耐性が大きな高分子正温度特性低抗体の製造
法の提供を目的とする。
［問題点を解決するための手段及び作用］
本発明の高分子正温度特性抵抗体の製造方法
は、結晶性高分子剛体40〜90重量％と導電性充填
材10〜60重量％との混練組成物の成形体に、導電
体を該導電体の一部が該成形体の表面から露出す
るように圧着により埋め込み、ついで、該導電体
の一部が露出している成形体表面にメツキ処理を
施すことを特徴とする。
は、結晶性高分子剛体40〜90重量％と導電性充填
材10〜60重量％との混練組成物の成形体に、導電
体を該導電体の一部が該成形体の表面から露出す
るように圧着により埋め込み、ついで、該導電体
の一部が露出している成形体表面にメツキ処理を
施すことを特徴とする。
まず、本発明で使用される正温度特性を有する
成形体は、結晶性高分子重合体と導電性充填材と
からなる。
成形体は、結晶性高分子重合体と導電性充填材と
からなる。
成形体の構成要件の１つである結晶性高分子重
合体としてはポリエチレン、ポリプロピレン、エ
チレン共重合体、ポリアミド、フツ素系重合体な
どがあげられる。
合体としてはポリエチレン、ポリプロピレン、エ
チレン共重合体、ポリアミド、フツ素系重合体な
どがあげられる。
また、他の要件である導電性充填材としては、
フアーネスブラツク、サーマルブラツク、アセチ
レンブラツクなどのカーボンブラツクが好まし
く、その他粒径20μ以下のグラフアイト粉末、金
属粒子；長さ１mm以下でアスペクト比10以上の炭
素繊維、金属繊維；などがあげられ、また、これ
らの混合物であつてもよい。
フアーネスブラツク、サーマルブラツク、アセチ
レンブラツクなどのカーボンブラツクが好まし
く、その他粒径20μ以下のグラフアイト粉末、金
属粒子；長さ１mm以下でアスペクト比10以上の炭
素繊維、金属繊維；などがあげられ、また、これ
らの混合物であつてもよい。
正温度特性を有する成形体は、上記した結晶性
高分子重合体と導電性充填材とを配合して溶融混
練したのち、常法により成形することにより得ら
れる。
高分子重合体と導電性充填材とを配合して溶融混
練したのち、常法により成形することにより得ら
れる。
結晶性高分子重合体と導電性充填材の配合割合
は、前者40〜90重量％、後者10〜60重量％に設定
する。導電性充填材の配合量が10重量％未満の場
合（したがつて結晶性高分子重合体90重量％以
上）には、得られた成形体に正温度特性が発現せ
ず、また、60重量％を超えると混練が困難にな
る。
は、前者40〜90重量％、後者10〜60重量％に設定
する。導電性充填材の配合量が10重量％未満の場
合（したがつて結晶性高分子重合体90重量％以
上）には、得られた成形体に正温度特性が発現せ
ず、また、60重量％を超えると混練が困難にな
る。
溶融混練は、通常の溶融混練機例えばバンバリ
ーミキサー、２本又は３本ロールを用いて、温
度：120〜250℃、時間５〜40分間の条件で行なえ
ばよい。また、溶融混練の際、２，５−ジメチル
−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン
−３のような周知の架橋剤を添加して架橋を行な
つてもよい。
ーミキサー、２本又は３本ロールを用いて、温
度：120〜250℃、時間５〜40分間の条件で行なえ
ばよい。また、溶融混練の際、２，５−ジメチル
−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン
−３のような周知の架橋剤を添加して架橋を行な
つてもよい。
本発明は、以上のようにして得られた成形体
に、導電体を圧着してさらにその上にメツキ処理
を施すことに最大の特徴を有する。
に、導電体を圧着してさらにその上にメツキ処理
を施すことに最大の特徴を有する。
用いられる導電体としては、金属例えばNi、
Cu、Fe、Al、黄銅などの網状物、細線、粉末、
薄片、不織布、または炭素繊維の不織布、繊維粉
などがあげられる。
Cu、Fe、Al、黄銅などの網状物、細線、粉末、
薄片、不織布、または炭素繊維の不織布、繊維粉
などがあげられる。
導電体を成形体表面に圧着する際、導電体の大
部分が成形体中に埋め込まれかつ導電体の一部が
成形体表面から露出する程度に圧着を行なう必要
がある。成形体への導電体の埋め込み部分が少な
い場合には、成形体と導電体との密着強度が弱く
なり、導電体を完全に成形体中に埋設した場合に
は、後述するメツキ処理により形成されるメツキ
皮膜と導電体との接触が得難くしたがつて成形体
とメツキ皮膜との充分な密着強度が得られない。
部分が成形体中に埋め込まれかつ導電体の一部が
成形体表面から露出する程度に圧着を行なう必要
がある。成形体への導電体の埋め込み部分が少な
い場合には、成形体と導電体との密着強度が弱く
なり、導電体を完全に成形体中に埋設した場合に
は、後述するメツキ処理により形成されるメツキ
皮膜と導電体との接触が得難くしたがつて成形体
とメツキ皮膜との充分な密着強度が得られない。
上記した程度に圧着する際の印加圧力は、用い
る導電体の種類及び成形体の組成などによつて異
なるが、通常２〜100Kg／cm2・Ｇ好ましくは５〜
50Kg／cm2・Ｇの範囲内である。
る導電体の種類及び成形体の組成などによつて異
なるが、通常２〜100Kg／cm2・Ｇ好ましくは５〜
50Kg／cm2・Ｇの範囲内である。
この圧着工程においては、該成形体を結晶性高
分子重合体の結晶化温度以上に加熱することが必
要である。この結晶化温度以上に成形体を加熱し
ない場合には、成形体と導電体の密着強度が不十
分となる。以上の圧着工程は、熱プレス成形機や
熱ロール成形機を用いて行なうことができる。
分子重合体の結晶化温度以上に加熱することが必
要である。この結晶化温度以上に成形体を加熱し
ない場合には、成形体と導電体の密着強度が不十
分となる。以上の圧着工程は、熱プレス成形機や
熱ロール成形機を用いて行なうことができる。
圧着工程が終了したのち、ついで、導電体の一
部が露出している成形体表面にメツキ処理を施
す。このメツキ処理の前処理としてエツチング処
理は成形体に施す。
部が露出している成形体表面にメツキ処理を施
す。このメツキ処理の前処理としてエツチング処
理は成形体に施す。
エツチング処理法としては、クロム混酸液、熱
パラキシレン溶液等を用いる方法、サンドブラス
ト等の如く機械的に表面を粗面化する方法があげ
られる。
パラキシレン溶液等を用いる方法、サンドブラス
ト等の如く機械的に表面を粗面化する方法があげ
られる。
次に、エツチング処理が施された高分子成形体
の表面にメツキ処理を施す。メツキ処理法として
は、電気メツキ法と無電解メツキ法のいずれもが
適用できる。
の表面にメツキ処理を施す。メツキ処理法として
は、電気メツキ法と無電解メツキ法のいずれもが
適用できる。
電気メツキ法においては、金属塩を含むメツキ
浴中にこの成形体を陰極、金属、黒鉛などを陽極
として浸漬して行なう。メツキ処理に際しては、
電流密度0.05〜10A／ｄm2、メツキ浴温度10〜
100℃の条件下でメツキ液を撹拌しながら行なう。
浴中にこの成形体を陰極、金属、黒鉛などを陽極
として浸漬して行なう。メツキ処理に際しては、
電流密度0.05〜10A／ｄm2、メツキ浴温度10〜
100℃の条件下でメツキ液を撹拌しながら行なう。
無電気メツキ法においては、メツキ処理の前処
理として通常のプラスチツクメツキ法に採用され
ているセンシタイジング・アクチベーシヨン法や
キヤタリスト・アクサレーター法で、成形体表面
を活性化させたのち、常法の無電解メツキを施す
とよい。また、無電解メツキを行なつた後に、所
定膜厚のメツキ皮膜を得るために、更に電気メツ
キを施してもよい。
理として通常のプラスチツクメツキ法に採用され
ているセンシタイジング・アクチベーシヨン法や
キヤタリスト・アクサレーター法で、成形体表面
を活性化させたのち、常法の無電解メツキを施す
とよい。また、無電解メツキを行なつた後に、所
定膜厚のメツキ皮膜を得るために、更に電気メツ
キを施してもよい。
また、メツキ皮膜を構成する金属としては、ニ
ツケル、銅、スズ、クロム、銀、コバルトなどが
好ましい。
ツケル、銅、スズ、クロム、銀、コバルトなどが
好ましい。
また、メツキ皮膜の膜厚が0.1μｍ以上となるよ
うにメツキ処理時間や通電量を調節することが好
ましい。
うにメツキ処理時間や通電量を調節することが好
ましい。
［発明の実施例］
実施例 １
結晶性高分子重合体として高密度ポリエチレン
（出光石油化学(株)製：出光ポリエチレン 540B）
100重量部に対し、平均粒径43ｍμのカーボンブ
ラツク（三菱化成工業(株)製：ダイヤブラツク
Ｅ）75重合部を配合し、これをバンバリーミキサ
ーにより溶融混練した後、架橋剤として、２，５
−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキシン−３を１重合部添加し、架橋させて
樹脂組成物を得た。つぎに、この組成物を熱プレ
ス機により肉厚１mmのシートに成形し、このシー
トから縦５cm、横10cmの試験片を切り出した。
（出光石油化学(株)製：出光ポリエチレン 540B）
100重量部に対し、平均粒径43ｍμのカーボンブ
ラツク（三菱化成工業(株)製：ダイヤブラツク
Ｅ）75重合部を配合し、これをバンバリーミキサ
ーにより溶融混練した後、架橋剤として、２，５
−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキシン−３を１重合部添加し、架橋させて
樹脂組成物を得た。つぎに、この組成物を熱プレ
ス機により肉厚１mmのシートに成形し、このシー
トから縦５cm、横10cmの試験片を切り出した。
得られた試験片の両面にニツケルメツキが施さ
れた銅製の網（50メツシユ）を配して、熱プレス
成形機により、195℃で10Kg／cm2・Ｇの圧力をか
けて５分間圧着処理を施した。その結果、網の大
部分がシート中に埋設されたその一部がシート表
面に露出した状態の試験片が得られた。
れた銅製の網（50メツシユ）を配して、熱プレス
成形機により、195℃で10Kg／cm2・Ｇの圧力をか
けて５分間圧着処理を施した。その結果、網の大
部分がシート中に埋設されたその一部がシート表
面に露出した状態の試験片が得られた。
上記圧着処理が施された試験片をクロム酸混液
（ハイクロム混酸）中に浸漬して、60℃で10分間
エツチング処理した。ついで、試験片を水洗後、
硫酸ニツケル290ｇ／、塩化ニツケル50ｇ／、
ホウ酸40ｇ／含有する水溶液からなるメツキ浴
に浸漬し、この試験片を陰極とし、ニツケル板を
陽極として電気メツキを施した。電気メツキは42
℃において、陰極電流密度1A／ｄm2、電気量
1600クローンであつた。
（ハイクロム混酸）中に浸漬して、60℃で10分間
エツチング処理した。ついで、試験片を水洗後、
硫酸ニツケル290ｇ／、塩化ニツケル50ｇ／、
ホウ酸40ｇ／含有する水溶液からなるメツキ浴
に浸漬し、この試験片を陰極とし、ニツケル板を
陽極として電気メツキを施した。電気メツキは42
℃において、陰極電流密度1A／ｄm2、電気量
1600クローンであつた。
このようにして得られたニツケルメツキ片よ
り、１cm四方の試験片を取り出し、その表裏のニ
ツケルメツキ皮膜間の電気抵抗をデジタルボルト
メーターを用いて四端子法により測定した。この
結果、室温における電気抵抗値は0.08Ωであり、
150℃に昇温したときの抵抗値と室温における抵
抗値の比（抵抗増大倍率）は104.3であつた。
り、１cm四方の試験片を取り出し、その表裏のニ
ツケルメツキ皮膜間の電気抵抗をデジタルボルト
メーターを用いて四端子法により測定した。この
結果、室温における電気抵抗値は0.08Ωであり、
150℃に昇温したときの抵抗値と室温における抵
抗値の比（抵抗増大倍率）は104.3であつた。
また、ニツケルメツキ皮膜の剥離強度（JIS−
Ｋ−6854に準拠）の測定を試みたが密着力が大で
測定できなかつた。さらに、230℃から20℃への
熱シヨツクを与えた後のニツケル皮膜の剥離の有
無をみたところ、全く剥離はなく良好であつた。
Ｋ−6854に準拠）の測定を試みたが密着力が大で
測定できなかつた。さらに、230℃から20℃への
熱シヨツクを与えた後のニツケル皮膜の剥離の有
無をみたところ、全く剥離はなく良好であつた。
実施例 ２
導電体としてニツケルメツキした銅製の網に代
え、炭素繊維の不織布の薄片を用い、かつ電気メ
ツキ時の電気量を1200クローンとした外は、実施
例１と同様に試験片を製造した。この結果、電極
に用いるニツケルメツキ皮膜間の電気抵抗値が
0.11Ωであり、また150℃に昇温したときの抵抗
増大倍率は104.3であつた。さらに、230℃から20
℃への熱シヨツクを与えた後でもニツケルメツキ
皮膜が剥離することはなかつた。
え、炭素繊維の不織布の薄片を用い、かつ電気メ
ツキ時の電気量を1200クローンとした外は、実施
例１と同様に試験片を製造した。この結果、電極
に用いるニツケルメツキ皮膜間の電気抵抗値が
0.11Ωであり、また150℃に昇温したときの抵抗
増大倍率は104.3であつた。さらに、230℃から20
℃への熱シヨツクを与えた後でもニツケルメツキ
皮膜が剥離することはなかつた。
比較例 １
実施例１におけるニツケルメツキを省略したも
のについて、１cm四方の試験片を取り出して、表
裏の銅網電極間の電気抵抗値を測定した。その結
果、電気抵抗値が4.79Ωと大きい値であつた。
のについて、１cm四方の試験片を取り出して、表
裏の銅網電極間の電気抵抗値を測定した。その結
果、電気抵抗値が4.79Ωと大きい値であつた。
比較例 ２
実施例１で得られた成形体に導電体を埋設する
ことなく、成形体表面上に直接実施例１と同様の
メツキ処理を施したものを用意した。この場合、
１cm四方の試験片のニツケル皮膜間の電気抵抗値
は0.13Ωと良好であつたが、ニツケルメツキ皮膜
の剥離強度が0.18Kg／cmと弱く、230℃から20℃
への熱シヨツクによつてメツキ皮膜の一部が剥離
した。
ことなく、成形体表面上に直接実施例１と同様の
メツキ処理を施したものを用意した。この場合、
１cm四方の試験片のニツケル皮膜間の電気抵抗値
は0.13Ωと良好であつたが、ニツケルメツキ皮膜
の剥離強度が0.18Kg／cmと弱く、230℃から20℃
への熱シヨツクによつてメツキ皮膜の一部が剥離
した。
［発明の効果］
以上、説明した如く、本発明の方法で得られた
高分子正温度特性低抗体は、電極と成形体との相
互密着強度が大きくて接触抵抗が小さく、かつヒ
ートシヨツクに対する耐性が大きい。
高分子正温度特性低抗体は、電極と成形体との相
互密着強度が大きくて接触抵抗が小さく、かつヒ
ートシヨツクに対する耐性が大きい。
したがつて、本発明の製造法は、電気・電子機
器などに使用される正温度特性低抗体、発熱体の
製造に適用して有効である。
器などに使用される正温度特性低抗体、発熱体の
製造に適用して有効である。
Claims (1)
- １ 結晶性高分子重合体40〜90重量％と導電性充
填材10〜60重量％との混練組成物の成形体に、導
電体を該導電体の一部が該成形体の表面から露出
するように圧着により埋め込み、ついで、該導電
体の一部が露出している成形体表面にメツキ処理
を施すことを特徴とする高分子正温度特性低抗体
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17326485A JPS6235501A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 高分子正温度特性抵抗体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17326485A JPS6235501A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 高分子正温度特性抵抗体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235501A JPS6235501A (ja) | 1987-02-16 |
| JPH0426521B2 true JPH0426521B2 (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=15957223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17326485A Granted JPS6235501A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 高分子正温度特性抵抗体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235501A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62155501A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-10 | 株式会社村田製作所 | 有機正特性サ−ミスタ素子の製造方法 |
| JPS63312601A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Tdk Corp | 導電性重合体ｐｔｃ抵抗素子及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP17326485A patent/JPS6235501A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6235501A (ja) | 1987-02-16 |
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