JPH04266006A - 厚膜コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
厚膜コンデンサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH04266006A JPH04266006A JP3027139A JP2713991A JPH04266006A JP H04266006 A JPH04266006 A JP H04266006A JP 3027139 A JP3027139 A JP 3027139A JP 2713991 A JP2713991 A JP 2713991A JP H04266006 A JPH04266006 A JP H04266006A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- sol
- thick film
- layer
- film capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はハイブリッドＩＣなどに
用いられる厚膜コンデンサ及びその製造方法に関するも
のである。
用いられる厚膜コンデンサ及びその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種電子機器の小型化，高機能化
に伴い、厚膜技術が重要視されている。
に伴い、厚膜技術が重要視されている。
【０００３】従来、厚膜コンデンサは、セラミック基板
上に下部電極，誘電体層、及び上部電極を形成してなる
が、一般に、焼成後の誘電体層がポーラスであり、その
まま使用すると外気の水分の吸脱着による誘電率，ｔａ
ｎδの著しい変化、及び、絶縁抵抗値の低下などの問題
がある。よって、この種のコンデンサについては、水分
を遮断する目的で、最上層にオーバーコートガラス或は
樹脂による保護層が形成される。しかし、樹脂による保
護層は、材料自身の性質上水分を完全に遮断するのは困
難であるため、化学的，熱的安定性にも優れるガラス或
はガラスセラミック等による被覆が一般的に行われてい
る。しかし、オーバーコートガラスについても、脱バイ
ンダ及び焼成時におけるピンホールの発生、或はそれぞ
れの材料の熱膨張率等の不一致によるマイクロクラック
の発生といった問題がある。
上に下部電極，誘電体層、及び上部電極を形成してなる
が、一般に、焼成後の誘電体層がポーラスであり、その
まま使用すると外気の水分の吸脱着による誘電率，ｔａ
ｎδの著しい変化、及び、絶縁抵抗値の低下などの問題
がある。よって、この種のコンデンサについては、水分
を遮断する目的で、最上層にオーバーコートガラス或は
樹脂による保護層が形成される。しかし、樹脂による保
護層は、材料自身の性質上水分を完全に遮断するのは困
難であるため、化学的，熱的安定性にも優れるガラス或
はガラスセラミック等による被覆が一般的に行われてい
る。しかし、オーバーコートガラスについても、脱バイ
ンダ及び焼成時におけるピンホールの発生、或はそれぞ
れの材料の熱膨張率等の不一致によるマイクロクラック
の発生といった問題がある。
【０００４】これらの問題に対し、オーバーコートガラ
スを２層構造とし、下層のガラスのピンホールを塞ぐた
め、上層のガラスを下層のガラスより低温で焼成する（
例えば、特開昭５２−３５８６０号公報，特開昭５３−
７５４６４号公報）、さらに、下層は結晶化ガラスを用
いる（特開昭５０−３２４６６号公報，特開昭５０−８
０４６７号公報，実開昭５５−１１２８４号公報）とい
った方法が提唱されている。しかし、この方法において
も上層のガラスを焼成する際に、厚膜コンデンサは５０
０℃以上の高温に曝されるため、下層のガラスにピンホ
ール等がある場合、焼成時の昇温，降温に伴う厚膜コン
デンサ中に含まれている気体の膨張収縮による出入りが
生じ、それがピンホール部分に集中する。このため、下
層のガラスのピンホール上に、上層のガラスにもピンホ
ールが発生し、双方がつながる可能性が高くなるといっ
た問題が残されている。
スを２層構造とし、下層のガラスのピンホールを塞ぐた
め、上層のガラスを下層のガラスより低温で焼成する（
例えば、特開昭５２−３５８６０号公報，特開昭５３−
７５４６４号公報）、さらに、下層は結晶化ガラスを用
いる（特開昭５０−３２４６６号公報，特開昭５０−８
０４６７号公報，実開昭５５−１１２８４号公報）とい
った方法が提唱されている。しかし、この方法において
も上層のガラスを焼成する際に、厚膜コンデンサは５０
０℃以上の高温に曝されるため、下層のガラスにピンホ
ール等がある場合、焼成時の昇温，降温に伴う厚膜コン
デンサ中に含まれている気体の膨張収縮による出入りが
生じ、それがピンホール部分に集中する。このため、下
層のガラスのピンホール上に、上層のガラスにもピンホ
ールが発生し、双方がつながる可能性が高くなるといっ
た問題が残されている。
【０００５】さらには、オーバーコートガラスを３層構
造とし、１層目には結晶化ガラス、２，３層目には非晶
質ガラスを用い、２，３層目のガラスを１層目のものよ
り低温で焼成するといった方法も提唱されている（特開
昭５５−１５０２６６号公報）。しかし、これを製造す
る際の工数の増加等による製造コストの増大といった問
題とともに、２層構造のものと同様の理由により余り大
きな効果は期待できないものである。
造とし、１層目には結晶化ガラス、２，３層目には非晶
質ガラスを用い、２，３層目のガラスを１層目のものよ
り低温で焼成するといった方法も提唱されている（特開
昭５５−１５０２６６号公報）。しかし、これを製造す
る際の工数の増加等による製造コストの増大といった問
題とともに、２層構造のものと同様の理由により余り大
きな効果は期待できないものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の構
成及び製造方法では、厚膜コンデンサの吸湿による特性
の劣化を完全に防ぐ、信頼性の高い保護層を得るのは困
難であった。
成及び製造方法では、厚膜コンデンサの吸湿による特性
の劣化を完全に防ぐ、信頼性の高い保護層を得るのは困
難であった。
【０００７】本発明は、上記従来の課題を解決するため
に、耐湿性及び絶縁特性の高い厚膜コンデンサの製造方
法を提供することを目的とする。
に、耐湿性及び絶縁特性の高い厚膜コンデンサの製造方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、セラミック基板上に下部電極を形成しこの
下部電極上に誘電体層を設けこの誘電体層上に上部電極
を形成する工程と、前記上部電極上に保護層を設ける工
程と、前記ガラス保護層上にゾル−ゲルガラスを塗布し
て焼成することで被覆層を形成する工程とを有したこと
を特徴とする厚膜コンデンサの製造方法とするものであ
る。
に本発明は、セラミック基板上に下部電極を形成しこの
下部電極上に誘電体層を設けこの誘電体層上に上部電極
を形成する工程と、前記上部電極上に保護層を設ける工
程と、前記ガラス保護層上にゾル−ゲルガラスを塗布し
て焼成することで被覆層を形成する工程とを有したこと
を特徴とする厚膜コンデンサの製造方法とするものであ
る。
【０００９】
【作用】本発明によれば、ゾル状態のゾル−ゲルガラス
がガラス保護層に発生したピンホールやマイクロクラッ
クを塞ぎ、熱処理を施してゾル−ゲルガラスをゲル化、
さらにガラス化させることにより、コンデンサ内部への
水分の浸入を完全に遮断する被覆層を形成することがで
きる。従って、厚膜コンデンサの吸湿を防ぎ、耐湿性及
び絶縁特性を高めることができる。
がガラス保護層に発生したピンホールやマイクロクラッ
クを塞ぎ、熱処理を施してゾル−ゲルガラスをゲル化、
さらにガラス化させることにより、コンデンサ内部への
水分の浸入を完全に遮断する被覆層を形成することがで
きる。従って、厚膜コンデンサの吸湿を防ぎ、耐湿性及
び絶縁特性を高めることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例の厚膜コンデンサの
製造方法について詳細に説明する。
製造方法について詳細に説明する。
【００１１】市販の銅ペーストを用いて、セラミック基
板として用いたアルミナ基板上に下部電極パターンをス
クリーン印刷し、１２０℃で１５分間乾燥を行った後、
窒素雰囲気中にて９００℃で１０分間焼成を行った。一
方、マグネシウム・ニオブ酸鉛を主成分とする誘電体粉
末に、アクリル系バインダとα−テルピネオールを加え
、三本ロールで混練し、誘電体ペーストを作成した。 これを、先に作成した下部電極上にスクリーン印刷を行
い、１２０℃で１５分間乾燥を行った。乾燥後の誘電体
層の厚みは４５μｍであった。これに、上記の銅ペース
トを用い、上部電極パターンをスクリーン印刷し、１２
０℃で１５分間乾燥を行った後、窒素雰囲気中にて９０
０℃で１０分間焼成を行った。さらにオーバーコート用
のガラスペーストをスクリーン印刷し、１２０℃で１５
分乾燥した後、窒素雰囲気中にて６００℃で１０分間焼
成を行いガラス保護層を形成した。このガラス保護層の
厚みは３５μｍであった。さらにこのガラス保護層の上
にゾル−ゲルガラスをスピンナーにて塗布し、１５０℃
で２時間加熱して硬化させ被覆層を形成し、厚膜コンデ
ンサを得た。この時、スピンナーの回転数を変えること
により、ゾル−ゲルガラスの厚みが１０，２０，３０μ
ｍの試料を得た。厚み４０μｍとなるようにスピンナー
の回転数を調整した試料は、硬化中に熱膨張係数の不一
致によりクラックが発生した。
板として用いたアルミナ基板上に下部電極パターンをス
クリーン印刷し、１２０℃で１５分間乾燥を行った後、
窒素雰囲気中にて９００℃で１０分間焼成を行った。一
方、マグネシウム・ニオブ酸鉛を主成分とする誘電体粉
末に、アクリル系バインダとα−テルピネオールを加え
、三本ロールで混練し、誘電体ペーストを作成した。 これを、先に作成した下部電極上にスクリーン印刷を行
い、１２０℃で１５分間乾燥を行った。乾燥後の誘電体
層の厚みは４５μｍであった。これに、上記の銅ペース
トを用い、上部電極パターンをスクリーン印刷し、１２
０℃で１５分間乾燥を行った後、窒素雰囲気中にて９０
０℃で１０分間焼成を行った。さらにオーバーコート用
のガラスペーストをスクリーン印刷し、１２０℃で１５
分乾燥した後、窒素雰囲気中にて６００℃で１０分間焼
成を行いガラス保護層を形成した。このガラス保護層の
厚みは３５μｍであった。さらにこのガラス保護層の上
にゾル−ゲルガラスをスピンナーにて塗布し、１５０℃
で２時間加熱して硬化させ被覆層を形成し、厚膜コンデ
ンサを得た。この時、スピンナーの回転数を変えること
により、ゾル−ゲルガラスの厚みが１０，２０，３０μ
ｍの試料を得た。厚み４０μｍとなるようにスピンナー
の回転数を調整した試料は、硬化中に熱膨張係数の不一
致によりクラックが発生した。
【００１２】これらの実施例について、８０個ずつＰＣ
Ｔ試験（２気圧飽和水蒸気中）２００時間を行った後、
絶縁抵抗値を測定した結果を以下の（表１）に示す。ゾ
ル−ゲルガラスの厚みが１０μｍのものを実施例１，２
０μｍのものを実施例２とする。比較のため、ゾル−ゲ
ルガラスを被覆を行っていない比較例の結果も示してあ
る。また、表中に３０μｍの結果が示されていないのは
、ＰＣＴ試験中にクラックが発生したためである。これ
は、試験前には確認できなかったが、４０μｍのものと
同様の理由でゾル−ゲルガラス中に歪が生じており、試
験の衝撃が加わった際に、クラックの発生源になったも
のと考えられる。（表１）では、絶縁抵抗値が１０１０
Ωより小さいものを不良品とした。
Ｔ試験（２気圧飽和水蒸気中）２００時間を行った後、
絶縁抵抗値を測定した結果を以下の（表１）に示す。ゾ
ル−ゲルガラスの厚みが１０μｍのものを実施例１，２
０μｍのものを実施例２とする。比較のため、ゾル−ゲ
ルガラスを被覆を行っていない比較例の結果も示してあ
る。また、表中に３０μｍの結果が示されていないのは
、ＰＣＴ試験中にクラックが発生したためである。これ
は、試験前には確認できなかったが、４０μｍのものと
同様の理由でゾル−ゲルガラス中に歪が生じており、試
験の衝撃が加わった際に、クラックの発生源になったも
のと考えられる。（表１）では、絶縁抵抗値が１０１０
Ωより小さいものを不良品とした。
【００１３】（表１）の結果より、実施例では、ＰＣＴ
試験後の不良率は低くゾル−ゲルガラスによる被覆層の
有効性が確認された。
試験後の不良率は低くゾル−ゲルガラスによる被覆層の
有効性が確認された。
【００１４】
【表１】
【００１５】次に本発明の他の実施例について説明する
。市販の銀−パラジウムペーストを用いて、アルミナ基
板上に下部電極パターンをスクリーン印刷し、１２０℃
で１５分間乾燥を行った後、空気中にて９００℃で１０
分間焼成を行った。一方、マグネシウム・ニオブ酸鉛を
主成分とする誘電体粉末に、エチルセルロースとα−テ
ルピネオールを加え、三本ロールで混練し、誘電体ペー
ストを作成した。これを、先に作成した下部電極上にス
クリーン印刷を行い、１２０℃で１５分間乾燥を行った
。乾燥後の誘電体層の厚みは４５μｍであった。これに
、上記の銀−パラジウムペーストを用い、上部電極パタ
ーンをスクリーン印刷し、１２０℃で１５分間乾燥を行
った後、空気中にて９００℃で１０分間焼成を行った。 さらに、オーバーコート用のガラスペーストをスクリー
ン印刷し、１２０℃で１５分乾燥した後、空気中にて７
００℃で１０分間焼成を行いガラス保護層を形成した。 このガラス保護層の厚みは４０μｍであった。さらにこ
のガラス保護層の上にゾル−ゲルガラスを印刷法にて塗
布し、２００℃で３時間加熱し、硬化させた被覆層を形
成し、厚膜コンデンサとした。この時硬化後の厚みは、
０．２，０．５，１．０，５．０μｍとなるようにした
。
。市販の銀−パラジウムペーストを用いて、アルミナ基
板上に下部電極パターンをスクリーン印刷し、１２０℃
で１５分間乾燥を行った後、空気中にて９００℃で１０
分間焼成を行った。一方、マグネシウム・ニオブ酸鉛を
主成分とする誘電体粉末に、エチルセルロースとα−テ
ルピネオールを加え、三本ロールで混練し、誘電体ペー
ストを作成した。これを、先に作成した下部電極上にス
クリーン印刷を行い、１２０℃で１５分間乾燥を行った
。乾燥後の誘電体層の厚みは４５μｍであった。これに
、上記の銀−パラジウムペーストを用い、上部電極パタ
ーンをスクリーン印刷し、１２０℃で１５分間乾燥を行
った後、空気中にて９００℃で１０分間焼成を行った。 さらに、オーバーコート用のガラスペーストをスクリー
ン印刷し、１２０℃で１５分乾燥した後、空気中にて７
００℃で１０分間焼成を行いガラス保護層を形成した。 このガラス保護層の厚みは４０μｍであった。さらにこ
のガラス保護層の上にゾル−ゲルガラスを印刷法にて塗
布し、２００℃で３時間加熱し、硬化させた被覆層を形
成し、厚膜コンデンサとした。この時硬化後の厚みは、
０．２，０．５，１．０，５．０μｍとなるようにした
。
【００１６】これらの実施例について、８０個ずつＰＣ
Ｔ試験（２気圧飽和水蒸気中）２００時間を行った後、
絶縁抵抗値を測定した結果を以下の（表２）に示す。ゾ
ル−ゲルガラスの厚みが０．２，０．５，１．０，５．
０μｍのものをそれぞれ実施例３，４，５，６とする。
Ｔ試験（２気圧飽和水蒸気中）２００時間を行った後、
絶縁抵抗値を測定した結果を以下の（表２）に示す。ゾ
ル−ゲルガラスの厚みが０．２，０．５，１．０，５．
０μｍのものをそれぞれ実施例３，４，５，６とする。
【００１７】（表２）の結果より、０．５μｍ以上のゾ
ル−ゲルガラスによる被覆層については有効性が確認さ
れた。０．２μｍのものについては、ゾル−ゲルガラス
が充分にピンホールやマイクロクラックを塞いでいなか
ったと考えられる。
ル−ゲルガラスによる被覆層については有効性が確認さ
れた。０．２μｍのものについては、ゾル−ゲルガラス
が充分にピンホールやマイクロクラックを塞いでいなか
ったと考えられる。
【００１８】
【表２】
【００１９】さらに本発明の他の実施例について説明す
る。実施例１，２と同様にして得られた厚膜コンデンサ
に、オーバーコート用のガラスペーストをスクリーン印
刷し、１２０℃で１５分乾燥した後、窒素雰囲気中にて
６４０℃で１０分間焼成を行い厚みが３５μｍのガラス
保護層を形成した。
る。実施例１，２と同様にして得られた厚膜コンデンサ
に、オーバーコート用のガラスペーストをスクリーン印
刷し、１２０℃で１５分乾燥した後、窒素雰囲気中にて
６４０℃で１０分間焼成を行い厚みが３５μｍのガラス
保護層を形成した。
【００２０】上記のようにして得られた厚膜コンデンサ
をゾル−ゲルガラスにディッピングすることにより被覆
し、１２０℃にて１時間加熱し、硬化させ被覆層を形成
した。乾燥後のゾル−ゲルガラスの被覆層の厚みは、な
お、比較例としてオーバーコートガラスによる保護層を
形成せずに、ゾル−ゲルガラスによる被覆層のみ厚膜コ
ンデンサ作成したが、被覆層の厚みは１０μｍであった
。
をゾル−ゲルガラスにディッピングすることにより被覆
し、１２０℃にて１時間加熱し、硬化させ被覆層を形成
した。乾燥後のゾル−ゲルガラスの被覆層の厚みは、な
お、比較例としてオーバーコートガラスによる保護層を
形成せずに、ゾル−ゲルガラスによる被覆層のみ厚膜コ
ンデンサ作成したが、被覆層の厚みは１０μｍであった
。
【００２１】これらの実施例７と比較例について、それ
ぞれ８０個ずつＰＣＴ試験（２気圧飽和水蒸気中）２０
０時間を行った後、絶縁抵抗値を測定した結果を以下の
（表３）に示す。
ぞれ８０個ずつＰＣＴ試験（２気圧飽和水蒸気中）２０
０時間を行った後、絶縁抵抗値を測定した結果を以下の
（表３）に示す。
【００２２】（表３）の結果より、ゾル−ゲルガラスに
よる被覆は、直接厚膜コンデンサ上に施された場合は効
果がみられないことがわかる。これは、厚膜コンデンサ
が非常にポーラスな構造であるため、その表面をゾル−
ゲルガラスで塞ぎつくすことができなかったためと考え
られる。
よる被覆は、直接厚膜コンデンサ上に施された場合は効
果がみられないことがわかる。これは、厚膜コンデンサ
が非常にポーラスな構造であるため、その表面をゾル−
ゲルガラスで塞ぎつくすことができなかったためと考え
られる。
【００２３】
【表３】
【００２４】なお、他の実施例として、ゾル−ゲルガラ
スをバーコーターを用いて塗布し、８０℃，１００℃，
１２０℃にて２時間加熱し、硬化して被覆層を形成した
。乾燥後のゾル−ゲルガラスによる被覆層の厚みは、７
μｍであった。
スをバーコーターを用いて塗布し、８０℃，１００℃，
１２０℃にて２時間加熱し、硬化して被覆層を形成した
。乾燥後のゾル−ゲルガラスによる被覆層の厚みは、７
μｍであった。
【００２５】これらの試料について、ＰＣＴ試験（２気
圧飽和水蒸気中）２００時間を行った結果、８０℃，１
００℃のものはゾル−ゲルガラスの膨潤及び、オーバー
コートガラスからの剥離が発生し、実用に供せないこと
が明らかとなった。この現象は、硬化温度が低かったた
め、ゾル−ゲルガラス中に水分及びアルコール分が残留
しており、充分なゲル化，ガラス化が起こっていなかっ
たことによると考えられる。
圧飽和水蒸気中）２００時間を行った結果、８０℃，１
００℃のものはゾル−ゲルガラスの膨潤及び、オーバー
コートガラスからの剥離が発生し、実用に供せないこと
が明らかとなった。この現象は、硬化温度が低かったた
め、ゾル−ゲルガラス中に水分及びアルコール分が残留
しており、充分なゲル化，ガラス化が起こっていなかっ
たことによると考えられる。
【００２６】本発明の製造方法による厚膜コンデンサは
、厚膜コンデンサ上を保護層としてオーバーコート用ガ
ラスで被覆した後、この保護層上をゾル−ゲルガラスに
よる被覆層で被覆したことを特徴とするものである。
、厚膜コンデンサ上を保護層としてオーバーコート用ガ
ラスで被覆した後、この保護層上をゾル−ゲルガラスに
よる被覆層で被覆したことを特徴とするものである。
【００２７】従来、ゾル−ゲルガラスを製造する際には
、１２００℃以上の高温が必要とされてきた。しかし、
最近、１０００℃或はそれ以下の温度でガラスをつくれ
るゾル−ゲル法が開発され、耐熱性の低い材料と組合せ
て用いることが可能となった。これにより、金属アルコ
キシドの溶液であるゾル状態で被覆物に塗布した後、加
熱硬化させ、均一、かつ欠陥のない被覆膜を得る方法が
可能となった。
、１２００℃以上の高温が必要とされてきた。しかし、
最近、１０００℃或はそれ以下の温度でガラスをつくれ
るゾル−ゲル法が開発され、耐熱性の低い材料と組合せ
て用いることが可能となった。これにより、金属アルコ
キシドの溶液であるゾル状態で被覆物に塗布した後、加
熱硬化させ、均一、かつ欠陥のない被覆膜を得る方法が
可能となった。
【００２８】また、厚みを特に、０．５〜２０μｍとす
る理由は、０．５μｍ未満であると充分にピンホール及
びマイクロクラックを塞ぎきる効果が期待できず、また
、機械的強度の点でも問題がある。一方、２０μｍより
厚い場合、ゾル−ゲルガラスの熱膨張率は石英に近く非
常に小さいため、加熱硬化時のオーバーコートガラスの
膨張収縮に対応しきれず、クラックが発生することによ
る。
る理由は、０．５μｍ未満であると充分にピンホール及
びマイクロクラックを塞ぎきる効果が期待できず、また
、機械的強度の点でも問題がある。一方、２０μｍより
厚い場合、ゾル−ゲルガラスの熱膨張率は石英に近く非
常に小さいため、加熱硬化時のオーバーコートガラスの
膨張収縮に対応しきれず、クラックが発生することによ
る。
【００２９】また、ゾル−ゲルガラスの硬化温度は、ゾ
ル−ゲルガラス中の水分及びアルコール分を完全に飛ば
すため１２０℃以上が望ましい。硬化温度の上限及び硬
化時間は、保護層の劣化や溶融が起こらない程度であれ
ば上限はない。
ル−ゲルガラス中の水分及びアルコール分を完全に飛ば
すため１２０℃以上が望ましい。硬化温度の上限及び硬
化時間は、保護層の劣化や溶融が起こらない程度であれ
ば上限はない。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明による厚膜コンデ
ンサの製造方法によれば、保護層としてオーバーコート
用ガラスにより被覆した上に、さらにゾル−ゲルガラス
によって被覆層を形成したものである。これにより、オ
ーバーコートガラスからなる保護層中のピンホール及び
マイクロクラックを塞ぎ、耐湿性及び絶縁特性に優れた
厚膜コンデンサを提供することができる。
ンサの製造方法によれば、保護層としてオーバーコート
用ガラスにより被覆した上に、さらにゾル−ゲルガラス
によって被覆層を形成したものである。これにより、オ
ーバーコートガラスからなる保護層中のピンホール及び
マイクロクラックを塞ぎ、耐湿性及び絶縁特性に優れた
厚膜コンデンサを提供することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】セラミック基板上に下部電極を形成しこの
下部電極上に誘電体層を設けるとともにこの誘電体層上
に上部電極を形成する工程と、前記上部電極上にガラス
保護層を設ける工程と、前記ガラス保護層上にゾル−ゲ
ルガラスを塗布して焼成することで被覆層を形成する工
程とを有したことを特徴とする厚膜コンデンサの製造方
法。 - 【請求項２】被覆層の厚みが０．５〜２０μｍであるこ
とを特徴とする請求項１記載の厚膜コンデンサの製造方
法。 - 【請求項３】ゾル−ゲルガラスの硬化温度が１２０℃以
上であることを特徴とする請求項１記載の厚膜コンデン
サの製造方法。 - 【請求項４】セラミック基板と、このセラミック基板上
に形成された下部電極と、この下部電極上に形成された
誘電体層と、この誘電体層上に形成された上部電極と、
この上部電極を覆うように形成されたガラス保護層と、
この保護層を覆うように形成されたゾル−ゲルガラスか
らなる被覆層とを有する厚膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3027139A JPH04266006A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 厚膜コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3027139A JPH04266006A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 厚膜コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04266006A true JPH04266006A (ja) | 1992-09-22 |
Family
ID=12212720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3027139A Pending JPH04266006A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 厚膜コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04266006A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006344872A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高分子発熱体 |
| JP2007080900A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Tdk Corp | コンデンサの製造方法 |
| JP2013197509A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
| KR20180096511A (ko) | 2017-02-21 | 2018-08-29 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| WO2022202039A1 (ja) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
-
1991
- 1991-02-21 JP JP3027139A patent/JPH04266006A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006344872A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高分子発熱体 |
| JP2007080900A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Tdk Corp | コンデンサの製造方法 |
| JP2013197509A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
| KR20180096511A (ko) | 2017-02-21 | 2018-08-29 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| US10672558B2 (en) | 2017-02-21 | 2020-06-02 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| WO2022202039A1 (ja) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JPWO2022202039A1 (ja) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | ||
| US12308174B2 (en) | 2021-03-26 | 2025-05-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04266006A (ja) | 厚膜コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2002289465A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| CN118439870A (zh) | 一种曲面耐高温聚合物前驱体陶瓷薄膜传感器的制备方法 | |
| Kunio Saegusa | Preparation by a sol–gel process and dielectric properties of lead zirconate titanate glass-ceramic thin films | |
| JP2592790B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP2846638B2 (ja) | 可撓性複合フィルム | |
| JPH0768065B2 (ja) | ガラス被覆窒化アルミニウム焼結体およびその製法 | |
| JPS61156807A (ja) | フイルムコンデンサ素子の絶縁処理方法 | |
| JPS5948647A (ja) | 感湿材料の製造方法 | |
| JPS6130408B2 (ja) | ||
| JPH03211706A (ja) | 抵抗器 | |
| JPS6012774B2 (ja) | 厚膜コンデンサ | |
| JPS63151645A (ja) | 回路基板用磁器組成物 | |
| JPS6364399A (ja) | セラミツク多層基板 | |
| JPS59193096A (ja) | 厚膜混成集積回路板 | |
| JPH02125728A (ja) | 複合基板およびその製造方法 | |
| KR960003197B1 (ko) | pH 응답막의 제조방법 | |
| JPS60172102A (ja) | 鋼板被覆用結晶化ガラス組成物 | |
| JP2796043B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP2001168500A (ja) | 配線基板 | |
| JPH0580416B2 (ja) | ||
| JPH1022102A (ja) | チップ型正特性サーミスタの製造方法 | |
| JPH02209702A (ja) | 耐水性感湿素子 | |
| JPS62171943A (ja) | ガラス粉末焼結体 | |
| JPH03124087A (ja) | セラミック回路基板の製造方法 |