JPS6130408B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6130408B2 JPS6130408B2 JP7896276A JP7896276A JPS6130408B2 JP S6130408 B2 JPS6130408 B2 JP S6130408B2 JP 7896276 A JP7896276 A JP 7896276A JP 7896276 A JP7896276 A JP 7896276A JP S6130408 B2 JPS6130408 B2 JP S6130408B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- layer
- coating
- film capacitor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ガラス被覆厚膜コンデンサに関す
る。
る。
一般に厚膜コンデンサは、基板と、この上に形
成された下部電極、この下部電極上から前記基板
上にかけて形成された誘導体層、この誘電体層上
から前記基板上にかけて形成された上部電極から
なる厚膜コンデンサの前記上部電極上に前記誘電
体層が完全に被覆されるように第一層目の被覆を
結晶化ガラスで形成し、次いでこの第一層目のガ
ラス被覆上に第二層目のガラス被覆を非晶質ガラ
スで形成したガラス被覆厚膜コンデンサが考えら
れたが、これも又満足すべき耐湿性が得られなか
つた。
成された下部電極、この下部電極上から前記基板
上にかけて形成された誘導体層、この誘電体層上
から前記基板上にかけて形成された上部電極から
なる厚膜コンデンサの前記上部電極上に前記誘電
体層が完全に被覆されるように第一層目の被覆を
結晶化ガラスで形成し、次いでこの第一層目のガ
ラス被覆上に第二層目のガラス被覆を非晶質ガラ
スで形成したガラス被覆厚膜コンデンサが考えら
れたが、これも又満足すべき耐湿性が得られなか
つた。
なお、上記の場合結晶化ガラスよりなる第一層
目のガラス被覆は、第二層目のガラス被覆を非晶
質ガラスで形成する際、非晶質ガラスが前記誘電
体層中に浸透して誘電体層の誘電特性を低下させ
ないために設けたものであり、防湿はもつぱら非
晶質ガラスよりなる第二層目のガラス被覆が受け
もつている。
目のガラス被覆は、第二層目のガラス被覆を非晶
質ガラスで形成する際、非晶質ガラスが前記誘電
体層中に浸透して誘電体層の誘電特性を低下させ
ないために設けたものであり、防湿はもつぱら非
晶質ガラスよりなる第二層目のガラス被覆が受け
もつている。
本発明の目的は上記した従来の欠点をなくし、
耐湿性のすぐれたガラス被覆厚膜コンデンサを提
供するにある。
耐湿性のすぐれたガラス被覆厚膜コンデンサを提
供するにある。
上記目的を達成するため、種々のガラス被覆に
ついて信頼性を低下させる原因を調べたところ以
下のことが判明した。
ついて信頼性を低下させる原因を調べたところ以
下のことが判明した。
(1) 上記せる二重にガラス被覆を行なつた厚膜コ
ンデンサの第二層目のガラス被覆内部にはその
焼成工程で正じた残留気泡が存在しこれは、焼
成温度に依存してその平均直径を変えるが、残
留気泡の存在するガラス被覆は耐湿性が劣る。
ンデンサの第二層目のガラス被覆内部にはその
焼成工程で正じた残留気泡が存在しこれは、焼
成温度に依存してその平均直径を変えるが、残
留気泡の存在するガラス被覆は耐湿性が劣る。
(2) 上記せる二重にガラス被覆を行なつた厚膜コ
ンデンサの第二層目のガラス被覆は焼成するこ
とによつて軟化流動して形成されるが厚膜コン
デンサを構成する誘電体層の端部近傍における
残留気泡は中央部のそれと比べ、気泡直径も大
きく、数も多く分布する。したがつてこの部分
から湿気が浸入するため耐湿性が劣る。
ンデンサの第二層目のガラス被覆は焼成するこ
とによつて軟化流動して形成されるが厚膜コン
デンサを構成する誘電体層の端部近傍における
残留気泡は中央部のそれと比べ、気泡直径も大
きく、数も多く分布する。したがつてこの部分
から湿気が浸入するため耐湿性が劣る。
(3) 上記せる二重にガラス被覆を行なつた厚膜コ
ンデンサの第二層目のガラス被覆の膜厚が焼成
によるガラスの軟化流動のために上記した端部
における残留気泡の直径と同程度になつた場
合、その残留気泡が破壊溶解して、第一層目の
ガラス被覆が外気にふれるようになり、その結
果、湿気が浸入し故障に至る確率が増大する。
ンデンサの第二層目のガラス被覆の膜厚が焼成
によるガラスの軟化流動のために上記した端部
における残留気泡の直径と同程度になつた場
合、その残留気泡が破壊溶解して、第一層目の
ガラス被覆が外気にふれるようになり、その結
果、湿気が浸入し故障に至る確率が増大する。
以上述べたようにガラス被覆の残留気泡の存在
がさけがたい欠点であれば、それを補なつたガラ
ス被覆が求められる。そこで、ガラス避覆の膜厚
と残留気泡の直径の比に注目した。
がさけがたい欠点であれば、それを補なつたガラ
ス被覆が求められる。そこで、ガラス避覆の膜厚
と残留気泡の直径の比に注目した。
第１図は、軟化温度の異なる三種類のホウケイ
酸鉛系非晶質ガラス１（組成：B2O515重量％、
SiO225重量％、PbO55重量％、その他10重量％、
軟化温度：590℃）、２（組成：B2O515重量％、
SiO235重量％、PbO40重量％、その他15重量％、
軟化温度：650℃）、３（組成：B2O33重量％、
SiO248重量％、PbO18重量％、その他31重量％、
軟化温度：677℃）を720℃から850℃の温度で10
分間焼成して厚膜コンデンサの第二層目のガラス
被覆を形成した場合の、各ガラス被覆中に存在す
る気泡の平均直径が焼成温度でどのように変わる
かを示したものである。第１図から、ホウケイ酸
鉛系非晶質ガラス１を780℃で10分間焼成した場
合は、形成された第二層のガラス層中には平均直
径10μｍの気泡が存在することがわかる。
酸鉛系非晶質ガラス１（組成：B2O515重量％、
SiO225重量％、PbO55重量％、その他10重量％、
軟化温度：590℃）、２（組成：B2O515重量％、
SiO235重量％、PbO40重量％、その他15重量％、
軟化温度：650℃）、３（組成：B2O33重量％、
SiO248重量％、PbO18重量％、その他31重量％、
軟化温度：677℃）を720℃から850℃の温度で10
分間焼成して厚膜コンデンサの第二層目のガラス
被覆を形成した場合の、各ガラス被覆中に存在す
る気泡の平均直径が焼成温度でどのように変わる
かを示したものである。第１図から、ホウケイ酸
鉛系非晶質ガラス１を780℃で10分間焼成した場
合は、形成された第二層のガラス層中には平均直
径10μｍの気泡が存在することがわかる。
そして、厚膜コンデンサの第二層目のガラス被
覆中に平均直径５μｍ，６μｍ，10μｍ，20μｍ
及び24.5μｍの気泡が存在するものについて（ガ
ラス層厚さ）／（ガラス層中に存在する気泡の平
均直径）と故障率の関係を調べたところ、第２図
に示す関係が得られた。第２図から第二層目のガ
ラス被覆厚さはガラス層に存在する気泡の平均直
径の５倍以上で故障率が零となることがわかる。
覆中に平均直径５μｍ，６μｍ，10μｍ，20μｍ
及び24.5μｍの気泡が存在するものについて（ガ
ラス層厚さ）／（ガラス層中に存在する気泡の平
均直径）と故障率の関係を調べたところ、第２図
に示す関係が得られた。第２図から第二層目のガ
ラス被覆厚さはガラス層に存在する気泡の平均直
径の５倍以上で故障率が零となることがわかる。
なお、ここで云う信頼性とは温度60℃、湿度95
％RH以下でDC75Vを1000時間印加した時の故障
率を云う。
％RH以下でDC75Vを1000時間印加した時の故障
率を云う。
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例 １
第３図に示すように基板４として96％アルミナ
基板を用い、この上にPd―Ag系導体ペーストを
印加し、950℃で10分間焼成し下部電極５を作成
したのち、その上にBaTiOを主成分とした誘電体
ペーストを印刷、乾燥し誘電体層６を作成し、さ
らにこの上にPd―Ag系導体ペーストを印刷し900
℃で10分間焼成上部電極７を作成した。次にこの
上に結晶化ガラスペーストを印刷すると同時に同
一材料でダムを印刷し、両者を同時に乾燥し第１
層目のガラス被覆８、ダム９を形成した。第１層
目のガラス被覆８上に軟化温度590℃膨張係数60
×10-7／℃なる特性のホウケイ酸鉛系ガラスペー
ストを印刷し、780℃で10分間、２回焼成して膜
厚が60μｍで残留気泡の平均直径が約10μｍの第
２層目のガラス被覆膜１０を形成してガラス被覆
厚膜コンデンサを作成した。このガラス被覆厚膜
コンデンサを温度60℃、湿度95％、DC75Vを印
加して信頼性をテストしたところ1000時間経過し
て故障は起こらず、このガラス被覆はすぐれた防
湿効果を示した。
基板を用い、この上にPd―Ag系導体ペーストを
印加し、950℃で10分間焼成し下部電極５を作成
したのち、その上にBaTiOを主成分とした誘電体
ペーストを印刷、乾燥し誘電体層６を作成し、さ
らにこの上にPd―Ag系導体ペーストを印刷し900
℃で10分間焼成上部電極７を作成した。次にこの
上に結晶化ガラスペーストを印刷すると同時に同
一材料でダムを印刷し、両者を同時に乾燥し第１
層目のガラス被覆８、ダム９を形成した。第１層
目のガラス被覆８上に軟化温度590℃膨張係数60
×10-7／℃なる特性のホウケイ酸鉛系ガラスペー
ストを印刷し、780℃で10分間、２回焼成して膜
厚が60μｍで残留気泡の平均直径が約10μｍの第
２層目のガラス被覆膜１０を形成してガラス被覆
厚膜コンデンサを作成した。このガラス被覆厚膜
コンデンサを温度60℃、湿度95％、DC75Vを印
加して信頼性をテストしたところ1000時間経過し
て故障は起こらず、このガラス被覆はすぐれた防
湿効果を示した。
実施例 ２
実施例１と同様にして基板４上に下部電極５、
誘電体層６、上部電極７、第１層目のガラス被覆
８、ダム９を印刷焼成した後、軟化温度677℃熱
膨張係数56.0×10-7／℃なる特性のホウケイ酸鉛
系ガラスペーストを印刷乾燥し、780℃で10分間
焼成して第２層目のガラス被覆１０の膜厚が100
μｍ残留気泡の平均直径が15μｍのガラス被覆を
形成してガラス被覆厚膜コンデンサを作成した。
このガラス被覆厚膜コンデンサを実施例１と同一
条件で信頼性をテストしたところ故障は発生しな
かつた。
誘電体層６、上部電極７、第１層目のガラス被覆
８、ダム９を印刷焼成した後、軟化温度677℃熱
膨張係数56.0×10-7／℃なる特性のホウケイ酸鉛
系ガラスペーストを印刷乾燥し、780℃で10分間
焼成して第２層目のガラス被覆１０の膜厚が100
μｍ残留気泡の平均直径が15μｍのガラス被覆を
形成してガラス被覆厚膜コンデンサを作成した。
このガラス被覆厚膜コンデンサを実施例１と同一
条件で信頼性をテストしたところ故障は発生しな
かつた。
以上述べたように本発明によれば、ガラス被覆
厚膜コンデンサのガラス被覆の膜厚を最低残留気
泡の平均直径の５倍に形成することによつて、防
湿性、信頼性の高い厚膜コンデンサを容易に得る
ことができる。
厚膜コンデンサのガラス被覆の膜厚を最低残留気
泡の平均直径の５倍に形成することによつて、防
湿性、信頼性の高い厚膜コンデンサを容易に得る
ことができる。
第１図は非晶質ガラス被覆中に存在する気泡の
平均粒径が焼成温度によりどの様に変わるかを示
した図、第２図は非晶質ガラス被覆厚さを非晶質
ガラス中に存在する気泡の平均直径で割つた値と
故障率の関係を示す図、第３図はガラスで二重に
被覆した厚膜コンデンサの断面図である。
平均粒径が焼成温度によりどの様に変わるかを示
した図、第２図は非晶質ガラス被覆厚さを非晶質
ガラス中に存在する気泡の平均直径で割つた値と
故障率の関係を示す図、第３図はガラスで二重に
被覆した厚膜コンデンサの断面図である。
Claims (1)
- １ 基板、該基板上に形成された下部電極、該下
部電極上から前記基板上にかけて形成された誘電
体層、該誘電体層上から前記基板上にかけて形成
された上部電極、該上部電極上に前記誘電体層が
完全に被覆されるように形成された第一層目の結
晶化ガラス被覆、該第一層目の結晶化ガラス被覆
が完全に覆われるように非晶質ガラスで形成され
た第二層目の被覆とからなる厚膜コンデンサにお
いて、（前記第二層目の非晶質ガラスがホウケイ
酸鉛系非晶質ガラスからなり、かつ前記第二層目
の被覆厚さが前記第二層目に存在する気泡の平均
直径の５倍以上であることを特徴とするガラス被
覆厚膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7896276A JPS534845A (en) | 1976-07-05 | 1976-07-05 | Glass covered thick film capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7896276A JPS534845A (en) | 1976-07-05 | 1976-07-05 | Glass covered thick film capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS534845A JPS534845A (en) | 1978-01-17 |
| JPS6130408B2 true JPS6130408B2 (ja) | 1986-07-14 |
Family
ID=13676508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7896276A Granted JPS534845A (en) | 1976-07-05 | 1976-07-05 | Glass covered thick film capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS534845A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5265789A (en) * | 1975-11-28 | 1977-05-31 | Shinnosuke Yamamoto | Gas detergents and method thereof |
-
1976
- 1976-07-05 JP JP7896276A patent/JPS534845A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS534845A (en) | 1978-01-17 |
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