JPH04266040A - バンプ形成方法 - Google Patents

バンプ形成方法

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＴＡＢ用ウェハのバンプ
形成方法に関し、特に狭ピッチインナーリード対応のバ
ンプ形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のバンプ形成方法は、ウェ
ハ上の電極に金メッキを行う金バンプ、銅メッキを行う
銅バンプが実施されていたが、資材費が高いという欠点
があり、低コスト化に対応する技術として、標準の金線
ボンダーを利用したボールバンプ方法が提案されて来て
いる。図６にボールバンプした状態を示す平面図、図７
にその側面図を示す。ボールバンプは、ボンダーのスパ
ークロッドで金線ワイヤー先端にボールを形成した後、
ウェハ３のアルミパッド２上に金ボール１１を圧着し、
ワイヤーを引きちぎる方式である。拡散工程でのバンプ
工程が不要となるため、ＴＡＴが短かくなり、多種のウ
ェハサイズに対応できるという汎用性も有り、資材費が
他のバンプ形成方法に比べて低いということで近年注目
されている方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のボールバン
プ方法では、金線ワイヤーにボールを形成するため、ボ
ールを形成した時点でのボール径は、ワイヤー径の約２
．５倍の大きさになる。さらに、そのボールをアルミパ
ッド上に圧着すると、図６に示すように、ワイヤー径の
約３．５倍のつぶし径となる。従って、チップの微細化
にともない、アルミ電極間を狭ピッチ化したいが、上記
の理由により、約１２０μ程度が限界となっている。 これに対し、ワイヤー径を細線化するという手段もある
が、細線にボールを形成する方法は、スパーク電圧の制
御も難しく、安定要素が欠ける。さらに、細線化で加工
コストが見合うのは、２０μが限界であり、その場合の
つぶし径は約７０μとなり、ボールバンプでの狭ピッチ
化の限界は、約１００μということになる。
【０００４】本発明の目的は、前記課題を解決したバン
プ形成方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係るバンプ形成方法においては、ＴＡＢ用ウ
ェハにバンプを形成する方法において、ワイヤーを、ア
ルミパッド上でウェッジボンディングを行い、必要量圧
着した後に、クランプによってワイヤーを引きちぎるも
のである。
【０００６】また、アルミパッドを細長く構成し、アル
ミパッド内でワイヤーをウェッジボンディングし、ワイ
ヤーの部分をバンプとして用いるものである。
【０００７】
【作用】金属ワイヤーをアルミパッド上でウェッジボン
ディングを行い、必要量圧縮した後に、クランプによっ
て金属ワイヤーを引きちぎる方式を備えており、アルミ
パッド上でのつぶし幅をワイヤー径の１．５倍以下にす
ることを可能とする。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
【０００９】（実施例１）図１は、本発明によりバンプ
形成されたウェハを示す断面図、図２は、バンプ形成後
の１個のアルミパッドを示す平面図、図３（ａ）〜（ｄ
）は、本発明のバンプ形成方法を工程順に示す図、図４
は、本発明の装置を示す平面図である。
【００１０】図３に示すように、ウェハ３のパッド上に
ウェッジ５を用いてワイヤー７の先端部をウェッジボン
ディングし、アルミパッド２上にウェッジボンディング
した後クランプ６によってワイヤー７をつまみながら上
昇させると、アルミパッド２上に図２に示すようなワイ
ヤーのつぶし部分が残る。４はダイシングラインである
。ウェッジボンディングのため、つぶし部長さＡは、ワ
イヤー径Ｄの約２倍、つぶし部幅Ｂは、ワイヤー径の約
１．５倍以下に制限できる。従って、ワイヤー径φ２０
μを使用すれば、アルミパッド２を□４０μ程度に設定
でき、アルミパッド２間の狭ピッチ化を可能にし、イン
ナーリードピッチを１００μ以下に設定できる。
【００１１】図４は、ウェハ３上にウェッジボンディン
グによりバンプ形成を実施している状態であるが、ウェ
ッジボンディングを実施するためにＵＳホーン８と、ボ
ンディング方向を合わせるためのＸＹθステージ９と、
位置決めローラ１０を有する。
【００１２】（実施例２）図５は、本発明の実施例２を
示す図である。本実施例においては、アルミパッド２間
を狭ピット化して、アルミパッド２を細長く構成してい
る。アルミパッド２内でウェッジボンディングを実施し
ているが、つぶし部分ではなく、ワイヤー７の部分をバ
ンプとして利用する方法である。一般のボールホルダー
を使って、アルミパッド内でボンディングを行うと、ワ
イヤーの立ち上がり部分ができてしまうため、均一なバ
ンプ高さの設定が不可能となる。ウェッジボンディング
の場合は、下方向にワイヤー高さをコントロールするの
は容易であることから、本例が可能となる。アルミパッ
ド長さＥも、ワイヤー径φ２０μなら１６０μ程度に制
限できる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、金属ワイ
ヤーをアルミパッド上でウェッジボンディングを行い、
必要量だけを残すことができるため、従来のバンプ形成
方法よりもアルミパッドの極小化、及びパッド間の狭ピ
ット化を可能にできる。それにより、半導体チップを高
機能化、縮小化できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るバンプ形成後のウェハを示す断面
図である。
【図２】バンプ形成後のアルミパッドを示す平面図であ
る。
【図３】バンプ形成方法の工程順を示す図である。
【図４】本発明の装置を示す平面図である。
【図５】本発明の実施例２によるバンプ形成後のアルミ
パッドを示す平面図である。
【図６】従来のボールバンプ形成方法のアルミパッドを
示す平面図である。
【図７】従来例によるアルミパッドの側面図である。
【符号の説明】
１　　バンプ ２　　アルミパッド ３　　ウェハ ４　　ダイシングライン ５　　ウェッジ ６　　クランプ ７　　ワイヤー ８　　ＵＳホーン ９　　ＸＹθステージ １０　　位置決めローラ １１　　金ボール

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　ＴＡＢ用ウェハにバンプを形成する方
    法において、ワイヤーを、アルミパッド上でウェッジボ
    ンディングを行い、必要量圧着した後に、クランプによ
    ってワイヤーを引きちぎることを特徴とするバンプ形成
    方法。
  2. 【請求項２】　　アルミパッドを細長く構成し、アルミ
    パッド内でワイヤーをウェッジボンディングし、ワイヤ
    ーの部分をバンプとして用いることを特徴とする請求項
    １に記載のバンプ形成方法。
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