JPH0262055A - バンプ形成方法とそれに用いられるボンディングウェッジ - Google Patents
バンプ形成方法とそれに用いられるボンディングウェッジInfo
- Publication number
- JPH0262055A JPH0262055A JP63213077A JP21307788A JPH0262055A JP H0262055 A JPH0262055 A JP H0262055A JP 63213077 A JP63213077 A JP 63213077A JP 21307788 A JP21307788 A JP 21307788A JP H0262055 A JPH0262055 A JP H0262055A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- bump
- bonding wedge
- pad
- bonding
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- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
- H10W72/01221—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using local deposition
- H10W72/01225—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using local deposition in solid form, e.g. by using a powder or by stud bumping
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/251—Materials
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気的接続を必要とする電極上にバンプを形成
する方法とそれに用いられるボンディングウェッジに関
する。
する方法とそれに用いられるボンディングウェッジに関
する。
従来の技術
電気的接続を必要とする電極、例えば、半導体チップの
パッド上にバンプを形成する方法としての従来技術には
、第６図に示すように蒸着やメツキによりＡｕやはんだ
等のバンプ２を半導体チップ１のパッドｌａ上に設けた
り、第７図に示すように、ボールボンディングのボール
をパッド１ａに接続後ツールのキャピラリを横にずらし
てワイヤを切断し、前記ボールを変形させてバンプ３と
する方法がある。
パッド上にバンプを形成する方法としての従来技術には
、第６図に示すように蒸着やメツキによりＡｕやはんだ
等のバンプ２を半導体チップ１のパッドｌａ上に設けた
り、第７図に示すように、ボールボンディングのボール
をパッド１ａに接続後ツールのキャピラリを横にずらし
てワイヤを切断し、前記ボールを変形させてバンプ３と
する方法がある。
発明が解決しようとする課題
しかし、前述の従来技術には次の課題がある。
蒸着やメツキによりＡｕやはんだ等のバンプを設ける方
法（第６図）では、バンプを形成するのに蒸着によるバ
リヤメタルの形成や、フォトリングラフィ工程、エッチ
ング工程等多くの工程を必要とする為工数が多くかかり
コスト高になるとともに歩留まりが低下する。ポールボ
ンディングのボールを用いてバンプを形成する方法（第
７図）は、ボンディング荷重によりバンプ高さが決まる
ため、多くのバンプ高さを揃えることが困難である。
法（第６図）では、バンプを形成するのに蒸着によるバ
リヤメタルの形成や、フォトリングラフィ工程、エッチ
ング工程等多くの工程を必要とする為工数が多くかかり
コスト高になるとともに歩留まりが低下する。ポールボ
ンディングのボールを用いてバンプを形成する方法（第
７図）は、ボンディング荷重によりバンプ高さが決まる
ため、多くのバンプ高さを揃えることが困難である。
本発明は上記問題点を解消するため、新規なバンプ形成
方法を提供することを目的とする。
方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明の電気的接続を必要とする電極、上にバンプを形
成する方法は、ワイヤをパッドに接続すると共に切断で
きるボンディングウェッジを用いて、ワイヤをバンプ形
成するものであるまたこのとき、前記ボンディングウェ
ッジのワイヤをパッドに押圧する抑圧面に凹部を設けて
いる。
成する方法は、ワイヤをパッドに接続すると共に切断で
きるボンディングウェッジを用いて、ワイヤをバンプ形
成するものであるまたこのとき、前記ボンディングウェ
ッジのワイヤをパッドに押圧する抑圧面に凹部を設けて
いる。
作用
本発明は、ワイヤの接続と切断とによりバンプを形成す
るのに従来例のような多くのプロセスを不要とし安定し
たバンプ形成が行える。またボンディングウェッジの抑
圧面に凹部を設けたことしによってワイヤ径によりバン
プ高さが決まる為、多くのバンプを形成したとき均一な
高さに揃えることができる。
るのに従来例のような多くのプロセスを不要とし安定し
たバンプ形成が行える。またボンディングウェッジの抑
圧面に凹部を設けたことしによってワイヤ径によりバン
プ高さが決まる為、多くのバンプを形成したとき均一な
高さに揃えることができる。
実施例
以下、本発明の実施例を第１図〜第５図を用いて説明す
る。第１図はワイヤ６を接続と同時に切断するボンディ
ングウェッジ４で、半導体チップ１上のパッド１ａにワ
イヤ６を接続させる状態を示す図、第２図は接続後クラ
ンプ５でワイヤ６を引っ張って切断した状態を示す図、
第３図はワイヤ６を接続、切断した後半導体チップ１上
のパッド１ａにバンプ７が形成された状態の図である。
る。第１図はワイヤ６を接続と同時に切断するボンディ
ングウェッジ４で、半導体チップ１上のパッド１ａにワ
イヤ６を接続させる状態を示す図、第２図は接続後クラ
ンプ５でワイヤ６を引っ張って切断した状態を示す図、
第３図はワイヤ６を接続、切断した後半導体チップ１上
のパッド１ａにバンプ７が形成された状態の図である。
この時、ボンディングウェッジ４は第１図の横断面図の
形状とし、ワイヤ６を加圧してパッド１に接続させる部
分をワイヤ６の方向に前後２カ所設けることとする。な
お、ボンディングウェッジ４はキャピラリーの様な円形
とすることもできる。
形状とし、ワイヤ６を加圧してパッド１に接続させる部
分をワイヤ６の方向に前後２カ所設けることとする。な
お、ボンディングウェッジ４はキャピラリーの様な円形
とすることもできる。
さらに第４図のように、ボンディングウェッジ４の抑圧
面に溝４ａを設けてワイヤ６の位置決めとすると良い。
面に溝４ａを設けてワイヤ６の位置決めとすると良い。
なお半導体チップ１上のパッド１ａの形状を第５図の様
に縦長とすることにより、ワイヤ６をパッド１ａと接続
する部分を充分にとることができる。このようにするこ
とにより例えば２０μｍのワイヤ６を用いた時隣りのパ
ッド１ａとのセンター間隔が５０μｍでもバンプ７を形
成することができ、なおかつ自動ワイヤボンダーを用い
て行えば１バンプ当り０． ２秒でバンプ７を形成する
ことができる。さらに、配線パターンの形成された基盤
側（図示せず）にバンプ形成を行うことも可能である。
に縦長とすることにより、ワイヤ６をパッド１ａと接続
する部分を充分にとることができる。このようにするこ
とにより例えば２０μｍのワイヤ６を用いた時隣りのパ
ッド１ａとのセンター間隔が５０μｍでもバンプ７を形
成することができ、なおかつ自動ワイヤボンダーを用い
て行えば１バンプ当り０． ２秒でバンプ７を形成する
ことができる。さらに、配線パターンの形成された基盤
側（図示せず）にバンプ形成を行うことも可能である。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によればバンプを形成す
るのに多くのプロセスを必要とせず、ワイヤ径でバンプ
高さを決めることができる為同じ高さのバンプを複数形
成することができ、汎用ＩＣでも低コストで均一な高さ
のバンプを容易に得ることができる。
るのに多くのプロセスを必要とせず、ワイヤ径でバンプ
高さを決めることができる為同じ高さのバンプを複数形
成することができ、汎用ＩＣでも低コストで均一な高さ
のバンプを容易に得ることができる。
第１図は本発明の実施例においてボンディングウェッジ
を用いてワイヤをパッドに接続する状態を示す要部拡大
図、第２図はそのパッドに接続されたワイヤを切断した
状態を示す要部拡大図、第３図はその半導体チップのパ
ッド上にバンプを形成した状態を示す要部拡大図、第４
図は本実施例に用いたボンディングウェッジの横断正面
図、第５図はそのパッド形状の平面図、第６図は従来例
の蒸着やメツキにより形成したバンプの図、第７図は従
来例のポールボンディングを用いて形成したバンプ図で
ある。 １・・・半導体チップ、１ａ１１・・パット、４−拳・
ボンディングウェッジＮ ４ａ・Φ・溝、６・・φワ
イヤ、７１１＠・バンプ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第 ！ 図 第 図 第 図 第 図
を用いてワイヤをパッドに接続する状態を示す要部拡大
図、第２図はそのパッドに接続されたワイヤを切断した
状態を示す要部拡大図、第３図はその半導体チップのパ
ッド上にバンプを形成した状態を示す要部拡大図、第４
図は本実施例に用いたボンディングウェッジの横断正面
図、第５図はそのパッド形状の平面図、第６図は従来例
の蒸着やメツキにより形成したバンプの図、第７図は従
来例のポールボンディングを用いて形成したバンプ図で
ある。 １・・・半導体チップ、１ａ１１・・パット、４−拳・
ボンディングウェッジＮ ４ａ・Φ・溝、６・・φワ
イヤ、７１１＠・バンプ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第 ！ 図 第 図 第 図 第 図
Claims (2)
- （１）電気的接続を必要とする電極上において、ウェッ
ジボンディングを用いてワイヤーの前記電極上への接続
と切断とを行い、バンプを形成することを特徴とするバ
ンプ形成方法。 - （２）ワイヤの電極への接続と切断とを行うことができ
、かつ押圧面に凹部を設けたことを特徴とする請求項１
記載のバンプ形成方法に用いられるボンディングウェッ
ジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63213077A JPH0262055A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | バンプ形成方法とそれに用いられるボンディングウェッジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63213077A JPH0262055A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | バンプ形成方法とそれに用いられるボンディングウェッジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0262055A true JPH0262055A (ja) | 1990-03-01 |
Family
ID=16633164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63213077A Pending JPH0262055A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | バンプ形成方法とそれに用いられるボンディングウェッジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0262055A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04266040A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-22 | Nec Corp | バンプ形成方法 |
| US5316204A (en) * | 1991-11-08 | 1994-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for bonding lead with electrode of electronic device |
-
1988
- 1988-08-26 JP JP63213077A patent/JPH0262055A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04266040A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-22 | Nec Corp | バンプ形成方法 |
| US5316204A (en) * | 1991-11-08 | 1994-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for bonding lead with electrode of electronic device |
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