JPH04266043A - 集積回路の試験用装置および方法 - Google Patents

集積回路の試験用装置および方法

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JPH04266043A
JPH04266043A JP3313828A JP31382891A JPH04266043A JP H04266043 A JPH04266043 A JP H04266043A JP 3313828 A JP3313828 A JP 3313828A JP 31382891 A JP31382891 A JP 31382891A JP H04266043 A JPH04266043 A JP H04266043A
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JP
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probe
thin film
test
pads
substrate
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JP3313828A
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English (en)
Inventor
Jr John Pasiecznik
ジョン・パシエツニク・ジュニア
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Raytheon Co
Original Assignee
Hughes Aircraft Co
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/0735—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card arranged on a flexible frame or film

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  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路の試験に関し、
特に容易に自動化試験に適合する改良された試験固定装
置およびプローブ、および有効なプローブの製造および
使用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】導電体トレース、電気部品、および能動
装置を含む集積回路またはチップは、単一のウエハ上に
類似のまたは同じ回路の多数のバッチとして製造され、
使用のためにウエハから個々に切り離される。製造技術
および処理が精度および反復再現性を制限させるので、
単一のウエハ上の許容できないまたは動作不可能な回路
は可成の数である。したがって、将来の使用のためにそ
の多数の部品回路にウエハを切断することによってその
他のものから分離される前に、各回路を個々に試験する
ことは好ましいことである。
【０００３】ウエハ上にある状態での集積回路の試験の
ために現在使用されているプローブカードは、回路基板
またはその類似物に機械的および電気的に固定される一
般に非常に小さいブレードまたは針の形状で多数のプロ
ーブコンタクト素子を使用し、プローブカードと試験回
路の間に接続をなすためのプローブカードの外部エッジ
へ扇状に広がる導線を有する。プローブカードのコンタ
クトブレードまたは針は、特定の領域すなわち試験下の
集積回路またはチップのパッドに接触するように移動さ
れ、選択された入力信号を与え試験下の装置から出力信
号を読み取るために電気的に接続される。この方法にお
いてチップは、将来の使用のために接続される前に、動
作信号を与え監視し結果としての出力を評価することに
よって、ウエハ上で試験される。
【０００４】現在使用されているプローブカードは大き
くて複雑であり、貯蔵および処理するのに困難である。 機械的コンタクトの針およびブレードは、正確な整列お
よび配置を必要とする。それらはまた正確な平坦化を必
要とする。すなわちプローブの接触表面は全て同じ面に
なければならない。固定されるプローブ部材のような針
を有する多数の小さく薄い金属ブレードを多数使用する
そのようなプローブカードの例は、集積回路ウエハ用プ
ローブ装置のための米国特許第４，１６１，６９２　号
明細書に示されている。この形式のプローブカードにお
いて、個々のプローブブレードまたは針は、ハンダ付ま
たは別の方法で適切な場所に固定されることができる密
接して詰め込まれた小さいプローブ素子を正確に位置さ
せるためのマイクロマニュプュレータの使用によって、
個々に何度も取付けられなければならない。Ｘ，Ｙの両
方およびＺ方向における、すなわち横の位置および高さ
における最終的な位置の調整は、プローブブレード及び
針の個々の１つ１つを曲げることによって実行される。 平坦化のためにプローブカードは、プローブコンタクト
の全てが同時に接することを保証するように平面板上に
下ろされることができる。これらの手段は、時間を浪費
し冗長で高価となる。さらに、前のプローブカードの接
触の最終的な位置は金属ブレード及び針の屈曲によって
達成されるので、装置は変形によって生じた誤差を被り
やすい。すなわち、屈曲後の部分は“変形”する傾向が
あり、または屈曲調整処理中に応力を加えられる前のそ
れらが存在する本来の状態また配置に戻る。変形はプロ
ーブカードが棚上にあり使用されないときでさえ生じ、
その結果棚上で数か月または数週間たった後にプローブ
コンタクトは調整し直される必要があるかもしれない。 しばしば行われる調整およびプローブの保守は、プロー
ブが使用されるとき必要とされるであろう。
【０００５】そのようなプローブカードの使用において
、プローブカードのブレードまたは針と回路チップとの
間の接触は、各タッチダウンにおいて数ミルだけ細いプ
ローブ素子を片寄らせる傾向がある摩擦動作によってし
ばしばなされる。各試験で繰り返し生じるこのずれは、
さらに素子の所望の位置を変える傾向がある。
【０００６】プローブは、回路チップと接触する上で全
てのプローブの接触が試験下のチップの全てのパッドと
接触するように、他の全てに関してそれぞれが正確にお
よび個々に配置される５０乃至数百のコンタクトを有し
得る。これらのことは全て現在使用されているプローブ
カードが極めて高価であり、多くの保守維持を必要とし
、多くの誤差を受けやすいことを意味する。
【０００７】ブレードおよび針を使用するその他のプロ
ーブは、Ｅｍｏｒｙ　　Ｊ．Ｈａｒｒｙ等による米国特
許第４，７８３，６２５　号明細書、およびＪｏｈｎ　
　Ｋ．Ｌｏｇａｎによる米国特許第４，７９１，３６３
　号明細書に示される。Ｇｌｅａｓｏｎ等による米国特
許第４，８４９，６８９　号明細書およびＬｏｃｋｗｏ
ｏｄ等による米国特許第４，６９７，１４３　号明細書
には、分離可能な先端部分を含み得る片持ちされた台形
のプローブおよびプローブ導電体を設ける回路基板が示
されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】集積回路の速度が増加
するにつれ、試験の問題の困難および限界も増加する。 そのような問題は、隣接する信号トレース間の漏話、試
験下の回路の容量負荷による信号損失および低下、およ
び試験固定装置と試験ヘッドとの全体にわたる信号ライ
ンの遮蔽およびインピーダンス整合の必要性の増大によ
って生じる。高周波プローブ伝送ラインは正確に終端さ
れなければならない。高周波ハードウエアは試験ヘッド
に達するまで設けられることができるが、露出された金
属ブレードまたは針に頼る試験ヘッドと集積回路のパッ
ドの間の物理的接続は、貧弱な高周波特性および極めて
こわれやすい部品を与える。したがってプローブ伝送ラ
インの最終部は正確に終端されることができない。
【０００９】プローブコンタクトパッドの密度の増加お
よびチップの内部に配置されるチップパッドによる試験
接触を与えることがしばしば必要とされる。これはプロ
ーブコンタクトを互いに交差させ、または存在するプロ
ーブカードのブレードまたは針が互いに交差することを
必要とするであろう。そのようなブレードまたは針の交
差は、試験プローブの現在の形態により物理的に不可能
である。
【００１０】集積回路チップの寸法およびスペースが減
少し、チップコンタクトの密度が増加するにつれ、ブレ
ードまたは針のコンタクトを機械的に小さく製造し、最
近の集積回路チップの正確な試験のために必要とされる
ように密接して分離されることはさらに難しくなる。さ
らに、従来技術のプローブカードの大きさが大きいこと
と複雑な配置のために、自動処理または簡易化した貯蔵
は容易に行われない。プローブカードが異なった形態の
チップの試験のために変更されるとには、比較的高価な
試験固定装置自身を頻繁に変えなければならない。
【００１１】Ａｌｂｅｒｔ　Ｋａｍｅｎｓｋｙ　等によ
る米国特許出願第２７７，８１９　号明細書（１９８８
年１１月３０日）に記載された試験プローブは、フォト
リソグラフ技術により製造されたプローブコンタクトを
使用し多数のこれらの問題を排除したが、ここで開示さ
れた方法および装置による有効な多数の改良を与えるこ
とができない。
【００１２】したがって、本発明の目的は上述の問題を
回避し最小限にして集積回路チップの試験を行うことが
できるようにすることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の好ましい実施例
にしたがった本発明の原理の実行において、異なった形
態の複数の回路チップは、特有のチップの形態を試験す
るためにそれぞれ構成されている複数の試験プローブを
与えることによって試験される。プローブはカセット内
に貯蔵される。試験されるべきチップは試験固定装置と
隣接して置かれ、採取および配置装置が使用され、選ば
れた試験プローブをカセットから選択的に引出し、試験
プローブを試験されるべきチップに接触させるために機
械的および電気的に分離可能に接続されるように固定装
置へそれを移動させる。
【００１４】本発明の別の特徴にしたがって試験プロー
ブは、試験固定装置との迅速な分離可能な電気接続を容
易にするために、薄膜上に形成された導電性トレースの
パターンと、前記トレースの選択された１つの上の複数
のコンタクトパッドと、トレースと接続される薄膜上の
コネクタパッドとを有する柔軟性薄膜で形成される。
【００１５】本発明のその他の特徴にしたがって薄膜プ
ローブは、高周波伝送ラインを終端するために終端抵抗
を有することができ、または高インピーダンス低キャパ
シタ負荷のためのバッファチップを有することができる
。多層のプローブ薄膜は、プローブコンタクトパッド及
びトレースのパターンの複雑な幾何学的形状を得るため
に使用されることができる。
【００１６】
【実施例】図１及び図２は、本発明の原理を具体化する
薄膜プローブを示す。このプローブは、上述されたＫａ
ｍｅｎｓｋｙ、Ｃｌｉｂｏｒｎ　、及びＧａｔｅｓ　二
世の特許出願中の明細書に開示されている隔膜試験プロ
ーブの改良された一形態である。本発明の明細書に開示
された試験プローブは、先行出願中の明細書と共通する
多数の特徴を有する。この特徴は、試験中のダイまたは
チップのパッドに対向するプローブパッドの自己平坦化
接触を達成するために柔軟性隔板、通常のコンタクトパ
ッド、及び柔軟性隔膜の１つの側面に圧力を加えるよう
な配列を含む。ここで開示される薄膜試験は、出願中の
明細書に記載のプローブよりも多くの著しい改良を有す
る。それは、薄膜プローブ及びテストウエハの両方の通
常の採取および配置負荷とカセット貯蔵を使用する十分
に自動的なウエハ試験処理において使用するプローブを
適応する特殊なプローブの形態及び配列である。ここで
開示されるべき設計において、プローブは固定装置その
ものが新しいプローブが構成される都度複製される必要
がないように、テスト固定装置に容易に取付け、取外し
可能な低価格の薄膜プローブである。
【００１７】例示的な薄膜プローブは、本発明を明らか
にする目的のために図１及び図２において示される。プ
ローブは剛性または半剛性の非導電体で形成され、一般
に平らな中央孔１２を有する薄いディスクの形状でポリ
イミド層１４，１６のような透明な柔軟性誘電体の薄層
により両側が覆われた自立性の基板１０から構成される
。外側層１６は中央孔１２を渡って延在するが、内側層
１４は延在せず基板の孔１２と同一の中央孔を有する環
状の形状である。 トレース２０，２２のパターンは、基体の一方の側面（
外側または下面）上のポリイミド層１６上に形成される
。トレースはトレース端部部分から延在し、基体及び各
側面上のポリイミド層を通って延在する複数の金属化接
続用貫通孔３０に一般に放射状方向に扇状に広げるため
に基板の孔１２の境界の内側で薄膜１６の中央部分２６
で選択されたパターンにおいて配置される。ポリイミド
層１４を支えるプローブの内面は、比較的短く放射状に
延在する複数のコネクタパッド３２を支持する。コネク
タパッドのそれぞれは、適当に配置された金属化接続用
貫通孔３０の１つによってトレース２０，２２の１つに
接続される。各トレースの内部端部は、パッド３６，３
８のような軸方向に突出しているコンタクトパッドを支
持する。そのようなコンタクトパッドは試験されるべき
回路ダイのパッドと整合するような形状で配置される。 その代わりコネクタパッド３２は、層１４を省略して基
体１０上に直接形成されることができる。プローブの使
用において、下方に向いた外側層１６によって、コンタ
クトパッド３６，３８はプローブの最低部分であり、そ
のためこれらのパッドだけが試験されるべきチップと接
触される。
【００１８】基体１２は、以下で説明されるように既知
の採取および配置装置によって処理および配向を可能に
するためのその１つの側面上に形成される平らなエッジ
部分４０（図１）を具備する薄く堅いフォトセラミック
材料から形成されることが好ましい。全体の薄膜プロー
ブは、試験されるべきウエハを処理するように配置され
る装置と実質的に等しくされることができる既知の採取
および配置装置によって処理されるように、寸法、形状
を定められ配置される。
【００１９】開示される薄膜プローブの製造において、
十分に堅い自己支持ディスクの固体で形成されたフォト
セラミック基板１２は、接続用貫通孔３０として使用さ
れるべき多数の予め形成された孔を設けられている。フ
ォトセラミックディスクは、標準ウエハの直径を有し、
３インチまたは６インチの直径で例えば約３０乃至４０
ミルの厚さであることが好ましい。薄膜１４，１６の層
は、少量のポリイミドがフォトセラミック表面上に置か
れポリイミドを均等にそして外に向かって放射状に遠心
力で散布するようにディスクを回転させる標準的なスピ
ン技術を使用することによって、フォトセラミック基体
の各側面に形成される。このスピン処理の何回かの繰返
しは、フォトセラミック基体の各側面上に約１ミルの厚
さの完成したポリイミド薄膜を形成する。ポリイミドは
、前記出願の明細書において開示されているように、試
験されるウエハのダイ上の適当なパッドと薄膜プローブ
のコンタクトパッド３６，３８の可視的な整合が可能で
あるように高い透明度である。ポリイミドフィルムは各
種の方法によって形成されることができるけれども、中
央領域２６で軸方向にフレキシブルであるが、フィルム
がフィルムの面において寸法的に安定するように放射状
にぴんと張られるが以下に示されるようにガス圧力によ
って外方向に曲げられることができるフィルムを生成す
るので、スピン処理が好ましい。
【００２０】両側にポリイミドフィルムを形成した後、
トレースおよびパッドは一方の側面上に形成される。パ
ッドは他方の側面上に形成され、孔１２はフォトセラミ
ックおよび内側ポリイミド層１４に形成される。これら
の段階を実行するために、適当なパターンで外側ポリイ
ミド層１６にフォトレジストをフォトリソグラフ的に適
用した後、タングステンと少量のチタニウムの混合物Ｗ
（Ｔｉ）のような金属はフォトレジストと接続用貫通孔
を含む全面上にスパッタされ、フォトレジスト（および
飛ばされた金属の部分）はポリイミド層１６上のトレー
ス２０のパターンを形成する薄いスパッタされたトレー
スのパターンを残すために取り除かれる。銅で形成され
得るトレース２０は、例えば金属トレース上にスパッタ
されるパターン上に電気分解で鍍金され、同時に接続用
貫通孔３０の内部を鍍金する。全下面は、コンタクトパ
ッド３６，３８によって覆われるべきトレース２０の端
部のそれらの領域を除いて、導電体トレース表面を効果
的に電気的に絶縁するためにポリイミドであり得るパッ
シベーション層（図示せず）によって被覆される。フォ
トリソグラフを使用しマスクをしフォトレジストを適用
してから、コンタクトパッド３６，３８はトレース２０
の端部上に（例えば１ミルの高さまで）鍍金される。必
要または好ましいと思われるならばコンタクトパッドは
、ニッケル−金フラッシュ被覆のような安定した高い導
電性の金属によってフラッシュ被覆されることができる
。
【００２１】同様に、フォトレジストの適当な供給、フ
ォトレジストの現像、そして未現像のフォトレジストの
除去を使用するフォトリソグラフは、図１において最も
よく示されているように薄膜プローブの内側の周縁の周
りを周囲的に近接して分離した関係において延在する複
数のコンタクトパッド（約１ミルの高さ）を設けるため
の鍍金された銅であり得るコネクタパッド３２の所望の
パターンに内側層１４上に薄い金属被覆を最初にスパッ
タするために使用される。これらのパッドのそれぞれは
、各パッドが接続用貫通孔を介してトレース２０の関係
するものに電気的に接続されるように、金属化された接
続用貫通孔３０に配置される。コネクタパッド３２を形
成するときに必要または好ましいと思われるならば、付
加した接地トレースまたは接地ストリップ（図１および
図２において図示せず）は、ポリイミド層１４の表面上
または隣接したポリイミド層（図１および図２において
図示せず）上に形成され得る。
【００２２】適当なマスキングおよびフォトレジストの
適用によって薄膜プローブの両側に導電体トレースを形
成した後、孔１２は基体１０の中央を通して（および層
１４の中央を通して）エッチングされ、図１および図２
に示される最終的なプローブの形態となる。その結果、
自動処理装置による配向用の平らなエッジ４０を具備す
る薄く比較的堅い自己支持ディスクが得られる。薄く柔
軟性のあるぴんと張った透明な中央領域２６の外側には
試験されるべきダイ上のパッドのパターンと適合する選
択されたパターンの突出したプローブコンタクトパッド
３６，３８が固定される。プローブの他方の側面は、コ
ネクタパッドと孔１２の間の単一の平面および平らな環
状の表面３９（図１）に全て位置するコンタクトパッド
３２の環状のアレイを有する。環状表面３９は、以下に
示されるようにプローブの真空取着けのために使用され
る。
【００２３】示された薄膜プローブは、多数の異なった
型式のテスターとともに使用され得る。柔軟性のある透
明な薄膜の中央部分２６の内面に向かってガス圧力のよ
うな適当な圧力を適用して使用されることが好ましい。 しかしながら示されたプローブは、プローブが手動また
は自動機器によって容易に機械的および電気的に接続お
よび分離され得るように、試験固定装置内で使用される
ように特別に設計される。示されたプローブ形態におい
て、プローブと試験固定装置の電気的および機械的接続
の両方は、プローブの内面の形態による調整で達成され
る。プローブのこの内面は、実質的にプローブの内側の
周縁の回りに円形のアレイを形成する同一平面のコネク
タパッド３２と、コネクタパッド３２と基体を通して延
在する孔１２の境界との間で放射状に延在するポリイミ
ド層１４の平らな環状の内側に面した表面３９とを含む
。この平らな環状の表面は、図３の（Ａ）および（Ｂ）
に示され以下に説明されるような固定装置５０の真空室
７０に薄膜の真空付着を可能にするように構成されされ
ている。
【００２４】薄膜プローブ５８によって試験されるべき
試験ウエハ５６を上部に設けられる可動作業台５４を支
える支持部５２の上部に固定して設けられた試験固定装
置は、全体を５０で表され、図３の（Ａ）において示さ
れる。後者の薄膜プローブ５８は、図１および図２に示
される形態であることができる。作業台は、適当な手動
式の制御可能な手段（図示せず）によって、２つの互い
に垂直な水平方向と１つの垂直方向であるＸ，Ｙ，Ｚ方
向において動かすことができる。
【００２５】図３において示すことができるように、堅
牢な据付平板５７は支持部５２上で固定して支持され、
ガス室容器６２の周囲の周縁の放射状に外方向に延在す
るフランジ６０を支持する放射状に内側に向けられたリ
ップ５９によって限定された中央孔を有する。容器６２
は水平断面において円形であり、保持リング７１によっ
て位置を保持される透明なガラス窓６８によってその上
端部で閉じられ密封される内部の直角円筒型のガス室６
４を含む。ガス室容器６２は、コネクタパッド３２とウ
エハプローブの孔１２の境界との間で、プローブ５８の
基体１０の環状部分３９と一致される周囲の着座領域６
６を限定する平らな環状の下面を有する。
【００２６】容器の下面６６内に形成される環状開口部
７０は、真空が導管を通して与えられるとき気密の密封
関係においてプローブ５８を容器６２の下面に堅く固定
するために、導管７４によって真空源（図示せず）に接
続される。 したがって薄膜プローブは、容易に取付け取外しできる
方法において、試験固定装置に堅く機械的に取付けられ
る。
【００２７】容器６２の一方の側面を通して形成され延
在する傾斜したガス導管７６は、１平方インチ２乃至４
ポンド程度で密封された室６４内に圧力を与える加圧さ
れた空気のようなガス源と部品７８によって接続される
ように構成され、したがって柔軟性のある薄膜層１６は
外側に曲げられる。
【００２８】ウエハプローブを試験固定装置に容易に電
気的に接続および取外しできるために、プリント回路基
板８０は機械的留め具、クランプ、または接着剤（図示
せず）によって固定設置平板５７に堅く固定される。プ
リント回路板８０は、回路板８０の回路素子を試験回路
（図示せず）に接続する同軸の電気ケーブル８２，８４
を具備する。 プリント回路板８０は、巻き付けメタルオンエラストマ
または巻き付けＭＯＥで形成されるエラストマ電気コネ
クタ８８に接続される。巻き付けＭＯＥは、完全にエラ
ストマの周囲に巻き付けられた複数の周囲から間隔を隔
てられ近接して配置された細い金属接触ストライプ９２
（図３のＢ）を有するシリコンスポンジのような適当な
エラストマの環状体形９０を含む。ＭＯＥ上の接触スト
ライプ９２の周囲の間隔は、薄膜プローブのコネクタパ
ッド３２の間隔と同じである。２つの組の接続ストライ
プおよびパッドと、ＭＯＥの接触ストライプ９２および
プローブのコネクタパッド３２とは、薄膜プローブが環
状の凹部７０の真空によって試験固定容器６０に機械的
に固定されるとき、互いに結合するように配置される。
【００２９】エラストマプローブコネクタまたは巻き付
けＭＯＥ８８の別の形態は図４に示されている。図４に
おいて、プローブテスター設置平板５７、試験固定容器
６０、ガラス窓６８、および保持器７１は図３において
示されるものと同じである。図４はこれらの同じ部分を
分解図において示す。しかしながら図４の配置において
、シングルサイド型メタルオンエラストマまたはシング
ルサイド型ＭＯＥ１０４　の形態のエラストマプローブ
コネクタは、図３の（Ａ）および（Ｂ）の巻き付けＭＯ
Ｅの代わりに使用される。シングルサイド型ＭＯＥは、
多層プリント回路板１０２　内に埋設される（図５の拡
大図に示される）。 多層プリント回路板は、銅の平板の上部層１０６　、テ
フロンの中間層１０８　、およびポリイミドまたはエポ
キシガラスの最下部のプリント回路板１１０　で形成さ
れている。接地トレースまたは接地ストリップのパター
ン１１２　は銅の層１０６　とテフロン１０８　の間に
挟まれ、信号トレースのパターン１１４　はテフロン１
０８　とポリイミドまたはエポキシガラス１１０　の間
に挟まれる。中間のテフロン層１０８　は、シングルサ
イド型ＭＯＥ１０４　を支持する層１０６と１１０　の
間に限定される開口部を与えるように放射状に引込んだ
形状である。ＭＯＥ１０４　は、その下面上に薄膜プロ
ーブのコネクタパッド３２および多層プリント回路板１
１０　の信号リード１１４　と接触する細長い導電パッ
ド１１６　を備えている。ＭＯＥはまた、その上面上に
プリント回路板の接地トレースまたはストリップ１１２
　と接続する細長いコネクタパッド１１８　を含み、し
たがって薄膜プローブは試験固定装置に電気接続される
。ＭＯＥを通して延在する接続用貫通孔（図示せず）の
形状の適当な電気接続は、その上面の細長いパッド１１
８　を薄膜プローブ上の関係するコネクタパッド３２に
接続する。図３の装置のように、回路板の信号リード１
１４　と接地リード１１２　は、同軸の接続ケーブル１
２０　，１２２　によって試験回路に結合される。
【００３０】試験プローブ５８および作業台５４もまた
図４の分解図において示される。台は一時的にしかし固
定して試験されるべきウエハ５６を支持する。ウエハ５
６上の１３０　で示す小さい方形は、試験されるべきチ
ップのダイパッドを表す。ダイパッドは、ウエハプロー
ブ５８のコンタクトパッドと正確に整合されるパターン
を限定する。ウエハ上のダイパッドの全ての群の試験が
同時に１つの群を試験することによって達成されるよう
なダイパッドの単一群を試験するのに十分な数でコンタ
クトパッドがパターンとして形成され得ることは容易に
理解されるであろう。その代わりプローブコンタクトパ
ッドの数およびパターンは、幾つかのまたは全てのチッ
プが薄膜プローブの１つの位置において接触されること
ができるように、ウエハ上の幾つかのまたは全ての回路
のダイパッドの数およびパターンと等しくなければなら
ない。
【００３１】図３または図４の配置のいずれかにおいて
、メタルオンエラストマ固定コネクタは、試験固定装置
と薄膜プローブのコネクタパッドの間の簡単で迅速に着
脱可能な電気接続を可能にする。薄膜プローブのコネク
タパッドは、巻き付けまたはシングルサイド型ＭＯＥの
１１６　のコネクタパッド９２の円形の周囲のアレイと
正確に整合するコネクタパッド３２のその円形の周囲の
アレイによって形成される。ＭＯＥの弾力性は、ウエハ
が供給された真空によって固定装置に対して上方向に加
圧されるとき、全てのコネクタパッドの良好な電気的接
触を達成する。ＭＯＥコネクタパッド９２と１１６　の
支持および取付けが弾力性があるので、良好で堅くしか
し分離可能な試験固定装置への薄膜プローブの電気接続
を確実にし、また全てのコネクタパッドが良好な電気接
触にあるように確実に平坦になるように薄膜プローブの
関係されたコネクタパッド３２によって接触されるとき
、互いに比較的容易に別々に偏向されることができる。
【００３２】固定装置および薄膜プローブの記載された
配置は、図６において概略的に示されるような装置にお
ける自動試験動作を容易に行うことができる。そのよう
な自動装置においてカセット貯蔵装置１３４　は、１３
６　で概略的に示されている通常の型の採取および配置
装置によって選択的に引き出されることが可能な複数の
試験ウエハ（試験されるべきダイを支持する）を貯蔵す
る。図６に示されるウエハ１３８　のような試験ウエハ
はカセット貯蔵器１３４　から引き出され、試験固定装
置の作業台５４上に置かれる。
【００３３】同様に、第２のカセット貯蔵装置１４０　
は、全てが同じ機械寸法および形状を有するがトレース
およびコンタクトパッドの異なったパターンによって互
いに異なる多数の異なった薄膜プローブを貯蔵する。第
２の採取および配置装置１４２　は、貯蔵装置１４０　
から選択された薄膜プローブを引き出し、図３、図４に
示すように接続のために試験固定装置５０上に配置され
る。配置されて試験固定装置５０と機械的におよび電気
的に結合されるように、薄膜プローブ１４４　が採取お
よび配置装置１４２　によって貯蔵器１４０　から引き
出される状態が図６において示される。試験プローブが
エラストマプローブコネクタと接触するように置かれた
後、真空はプローブを固定装置に機械的に固定するため
に導管７４を介して与えられ、試験ウエハはウエハのコ
ンタクトパッドとの非常に軽い接触のために上方向に動
かされる。さてオペレータは、プローブ孔１２およびコ
ンタクトパッドが上部に設けられた透明な薄膜１６を通
して容易に見ることができるコンタクトパッドを視覚的
に観察する。オペレータがプローブコンタクトパッドと
ダイパッドの相対的な一致を観察する間、それらの台５
４およびウエハ３８はプローブのコンタクトパッドをウ
エハのダイパッドと正確に整列するように動かされる。 台はパッドがわずかにほとんどダイパッドに接触する位
置に達するまでわずかに上昇されることができ、それか
らガス圧力が試験固定装置室６４に加えられる。薄い柔
軟性ポリイミドフィルム上に加えられたガス圧力は、プ
ローブコンタクトパッドをウエハのダイパッドと接触さ
せ、コンタクトパッドを支持する薄膜の柔軟性が各プロ
ーブパッドとその関連するダイパッドとの間の良好な確
実な電気的接触を保証するためにコンタクトパッドの自
己平坦化を与えながら、高接触圧力を与える。
【００３４】典型的なウエハは数ダースまたは数百のダ
イパッド群を含み、プローブ薄膜はウエハ上の１以上の
チップが所定の時間で試験されることができるように１
以上の群のコンタクトパッドを含む。１つのチップまた
は群のチップの試験を完了にした後、ガス圧力は室６４
から除去され、台はプローブのコンタクトパッドとダイ
パッドの第２の群との一致を観察することができるよう
に動かされる。その後、試験はウエハのプローブ薄膜室
を加圧した後再び実行される。適当な接触が試験固定装
置と試験されるべきウエハの間で生じた後、試験処理は
非常に短い時間において遂行されることができる。一方
試験下のプローブおよびウエハを適当に配置するのに必
要とされる時間はかなり長い。ここで開示される装置は
、配置および整合する時間を著しく減少し、試験の速度
を著しく増加するように一致を見ることを非常に容易に
する。
【００３５】図７において、終端抵抗の適用を示す多層
薄膜プローブの伝送ライン２０ａ　，１５０　の１つの
端部部分の詳細な分解拡大図が示される。パッシベーシ
ョン層はまたこの図に表される。図７に示される配置に
おいて、プローブコンタクトパッド３６ａ　を支持する
トレース２０ａ　は、２つのポリイミド層の間のフォト
セラミック基体（図７において図示せず）を含む薄膜プ
ローブの一方の側に配置される。この場合において、第
２の柔軟性のある透明なポリイミド薄膜１６ａ　がフォ
トセラミック基体の外面上に、基体と第１の柔軟な透明
なポリイミド薄膜１６ｂ　との間に形成されるので多層
の薄膜を使用することは好ましい。接地ストリップまた
は接地リード１５０　は、第１の薄膜１６およびトレー
ス２０に関してここで前に説明されたように、第２の薄
膜１６ａ　の外面にフォトリソグラフ的に形成される。 図７の幾つかの層は説明を明白にするために破られて示
されているけれども、示された層の全てが互いに十分に
接触していることは明らかであろう。 接地ストリップ１５０　とトレース２０ａ　の組合せは
、容易に制御される所定のインピーダンスを有する交流
伝送ラインを形成する。ラインのインピーダンスは、ト
レースと接地ストリップの横断面の幅と、トレースと接
地ストリップを分離する誘電体薄膜１６ｂ　の厚さを選
択的に制御することによって制御される。試験下のプロ
ーブと回路の間の高周波信号の適当な伝送のために、そ
の伝送ラインのインピーダンスと同じインピーダンスに
よって伝送ラインを終端することが必要とされる。終端
抵抗が試験下で回路にできる限り物理的に密接して置か
れるべきである。従来の装置特にこれらの使用するブレ
ード及び針の配置において、適当な抵抗による伝送ライ
ンの終端は、試験下のチップに近接した点で可能ではな
い。しかしながらここで説明された特に図７で示された
ような配置において、クロムまたは類似の薄いフィルム
の終端抵抗１５２　はトレース２０ａ　と接触するよう
に形成される。終端抵抗は、プローブ薄膜１６ｂ　を通
して延在する金属化された接続用貫通孔１５４　によっ
てトレース２０および接地ストリップ１５０　と電気的
に接続されるように形成される。終端抵抗はパッド３６
ａ　と直接近接して配置される。トレースおよび接地ス
トリップが上部に固定されている薄膜１６ａ　および１
６ｂ　の両方はフォトセラミック基体の同じ外面上にあ
り、全てのリードはポリイミドパッシベーション層１５
８　のような非導電性ポリイミドの非常に薄い層によっ
てコネクタパッドおよびコンタクトパッドのみを除いて
パッシベーションまたは被覆される。この配置によって
伝送ラインは、試験されるべきダイの位置に正確に位置
するコンタクトパッド３６ａ　で有効に終結される。
【００３６】ポリイミドベース層１６ａ　およびパッシ
ベーション層１５８　は通常約０．２　ミルの厚さであ
るが、層１６ｂ　の厚さは伝送ライン２０ａ　，１５０
　の選択された特性インピーダンスを達成するようトレ
ース２０ａ　と接地ストリップ１５０　の横断面と結合
するように選択される。この厚さは５０オーム伝送ライ
ンで約１ミルでよい。
【００３７】開示された装置は、非常に低いキャパシタ
の薄膜プローブの構成に適合させる。能動バッファチッ
プは、低いキャパシタ負荷に対してフォトセラミック基
体上に設けられることができる。したがって図８に示さ
れるように、フォトセラミック基体１６０　は、前述の
ような上部に形成された基体の孔１６８　に及ぶ柔軟性
のある透明なポリイミド薄膜の支持されない中央領域１
６６　に位置する突出するコンタクトパッド１６４　を
含むトレース１６２　を有する。フォトセラミックウエ
ハ孔１６８　の半径方向外側に１以上のウエル１７０　
はウエハ本体内に形成される。 これらのウエル中に、トレース１６２　に接続される入
力およびウエハ上の出力トレース部分１７４　に接続さ
れるライン駆動出力を具備するチップ１７２　のような
能動バッファチップを設けられている。出力トレース１
７４　は、金属化された接続用貫通孔１７８　によって
薄膜プローブコネクタパッド１７６　に接続されている
。電力のリード（図示せず）もまたチップ１７２　に接
続される。そのような配置によって、２ｐＦより下の負
荷キャパシタは可能である。
【００３８】設けられるトレース２０とパッド３６の非
常に小さい寸法および高い密度は応用および開示された
薄膜プローブの動作を著しく増すが、プローブパッドの
配置の２次元以上の自由度が使用する多層の薄膜によっ
て達成される。そのような多層の薄膜により、トレース
は異なった層上で物理的に互いに交差させることができ
、個々のデータバスは複数の群のパッドにおいて対応す
るパッドに接続するように配置されることが可能である
。したがって１つのタッチダウンにより多数のダイの試
験を可能にする。例えば図９に示されるように、両側に
前述のようなポリイミド薄膜を有するフォトセラミック
クラッドの層を含む薄膜プローブの小部分は、１８２ａ
，１８２ｂ，１８２ｃ，および１８２ｄで示されるコン
タクトパッドの複数のパターンを有するその外側（下側
）の側面に形成されたその外側薄膜１８０　を具備する
。薄膜１８０　の内側（または上側）の側面１７９　は
トレース１８４ａおよび１８４ｂのようなトレース群を
形成される。上面１７９　のトレースは薄膜１８０　上
に直接形成されることができ、または図７に関して説明
されるように層１８０　と相対して直接に接触する第２
のポリイミド層（図９に図示せず）上に形成されること
ができる。上面１７９　上のトレースは、トレース１８
６　および接続用貫通孔１８８　のような接続用貫通孔
によって薄膜１８０　を通して延在する下面上のコンタ
クトパッドに電気接続される。例えばこの配置において
、トレース１９０　のようなデータバスの単一のトレー
スは、非導電体薄膜１８０　の反対側の表面で互いに交
差する（およびその他のトレースと交差する）トレース
と接続することによって、パッド１９０ａ，１９０ｂ，
１９０ｃ，および１９０ｄのような幾つかのパッドに接
続されることが可能である。図９の多層の配置において
薄膜の両側のトレースは、図１および図２のパッド３２
のようなフォトセラミックの内面の周囲のプローブコネ
クタパッド（図９に図示せず）に接続される。この説明
は、単一のラインがウエハの多数のチップ上の対応する
パッドに接続されることができる簡単な例を示すための
ものである。
【００３９】トレースパターンおよび各プローブのコン
タクトパッドパターンは、試験されるべきダイパッドの
配置によって決定される。そのようなチップの２つのダ
イパッドは図９において１９４　と１９６　で示されて
いる。相互接続トレースの高密度のために、薄膜プロー
ブは相互に絶縁された誘電体フィルムの２以上の層によ
って形成される。ここで薄膜プローブの配置によって、
プローブパッドは集積回路の診断に使用されるためのチ
ップの内部でダイパッドに接続するように配置されるこ
とができる。開示された薄膜プローブは非常に高いプロ
ーブ接触密度を特に可能にする。例えば３インチの直径
の薄膜プローブは３６０　個までのコンタクトパッドを
形成されることができ、一方６インチの直径の薄膜プロ
ーブは３６０　個以上のコンタクトパッドを形成される
ことができる。薄膜プローブを試験固定装置に接続する
ためにメタルオンエラストマ柔軟性コネクタを使用し、
薄膜プローブの真空クランプを利用することは、そのよ
うな高密度のプローブの使用を非常に容易にする。
【００４０】試験プローブおよび固定装置およびここに
開示された試験方法が非常に多大な利点を有することは
容易に認められるであろう。これらの利点は、１個の６
インチのプローブ上の３６０　個以上のコンタクトパッ
ドのプローブコンタクトパッドの有効密度、優れた高周
波のための伝送ラインのインピーダンスの正確な制御能
力、優れた高周波のためのダイパッドと直接隣接して配
置される薄いフィルム終端抵抗の有効性、および従来の
プローブカードの針またはブレードコンタクトよりダイ
パッドに損傷を生じさせることが少ないプローブコンタ
クトパッドによって与えられるソフトな接触を含む。さ
らに半導体パッドに対するプローブコンタクトパッドの
正確な整列をさせる薄膜の視覚的明白さ、寸法において
１ミルより小さいプローブパッドの使用および製造の利
点を含む。さらに実質的に制限されないプローブ接触位
置の２次元の自由度は、フォトリソグラフ限定技術およ
び多層薄膜を使用することに利用される。これは、診断
において使用するためにプローブパッドによって接触さ
れるダイの内部に配置されるプローブパッドを与える。 ダイパッドの多数の群は、唯一のタッチダウンにおいて
試験されることができる。ウエハ回路のバーンインは開
示された薄膜プローブを使用して実行されることができ
る。
【００４１】薄膜の抵抗の温度係数は、広範囲の温度に
わたって試験することが可能であるように、試験下のウ
エハの抵抗の温度係数と整合させることができる。抵抗
の温度係数のそのような釣合わせがないと、試験プロー
ブ薄膜およびウエハの異なった膨脹は重大な不整列を引
起こし、または異なった温度で異なったプローブの使用
を要求する。
【００４２】使用されるフォトリソグラフ技術用の適当
なダイ及びマスクが一度製造されれば多数の薄膜プロー
ブを製造することは比較的簡単であるので、ここで開示
されたプローブの製造はより早くより有効でそして低価
格である。これは、各プローブについて個々に調整され
るべき針およびブレードを使用するプローブと区別され
るべきである。開示された柔軟性薄膜プローブの自己平
坦性は、プローブのコンタクトパッドとダイパッドの間
のソフトな接触を与え、通常の洗浄を必要とするだけで
プローブのコンタクトの磨耗を著しく減少させ、頻繁な
調整および再調整の必要もなくなる。
【００４３】開示された薄膜プローブによって１乃至２
ミクロンの整列精度は高精度のプローブステーションに
より可能とされ、試験下のウエハの正確なＸ，Ｙ移動を
可能にする。そのような高精度の整列を有することによ
って、１ミル以下のプローブパッドを製造し使用するこ
とが可能になる。
【００４４】同様に、多数の異なった形式のプローブカ
ードが使用され、固定装置に容易に着脱できるるので、
比較的高価格の薄膜プローブ試験固定装置が各異なった
プローブカードのために重複して設けられる必要がなく
、説明されたような十分に自動試験を行うように構成さ
れる。メタルオンエラストマ技術を使用する迅速な着脱
のできるコネクタ素子は、薄膜プローブの内側のコネク
タパッドと確実に接触し、固定装置と薄膜プローブの迅
速な機械的および電気的相互結合および取外しを容易に
する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の薄膜プローブの斜視図。
【図２】図１に示されたプローブの断面図。
【図３】試験するウエハの集積回路チップ用の試験固定
装置および作業台の断面図および一部の拡大図。
【図４】修正されたエラストマ接続環状部を示す試験す
るウエハの集積回路チップ用の試験固定装置および作業
台の一部を除いた斜視図。
【図５】図４の接続環状部の拡大図。
【図６】試験ウエハおよび薄膜プローブを扱うための採
取および配置装置の使用を示す簡単な説明図。
【図７】プローブコンタクトパッドおよび終端抵抗を示
す多層の薄膜を有する試験プローブの部分的に分解した
拡大図。
【図８】能動バッファチップを有する修正された薄膜プ
ローブの断面図。
【図９】多層のプローブ薄膜の斜視図。
【符号の説明】
１０…基板、１４，１６…ポリイミド層、２０，２２…
トレース、３２…コネクタパッド、３６，３８…コンタ
クトパッド。

Claims (42)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　特有のチップの形態を試験するために
    それぞれ構成された複数の試験プローブを供給し、カセ
    ット内に前記プローブを貯蔵し、試験固定装置を設け、
    前記試験固定装置と隣接して試験されるべきチップを配
    置し、貯蔵器から前記試験プローブの１つを選択的に引
    出しそれを前記固定装置に移動するための採取および配
    置装置を使用し、前記１つの引出された試験プローブを
    前記固定装置に機械的および電気的に取付け、前記１つ
    の試験プローブを試験されるべきチップと接触させるよ
    うに前記固定装置とチップを相対的に動かす段階を含む
    異なった形態の複数の回路チップの試験方法。
  2. 【請求項２】　　前記複数の試験プローブを供給する段
    階が、柔軟性薄膜を供給し、前記薄膜上に導電性トレー
    スのパターンを形成し、前記トレースの選択されたもの
    上に複数の接触パッドを付加的に形成することを含む請
    求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】　　前記試験プローブを供給する段階が、
    基体を形成し、前記柔軟性薄膜を前記基体の内側側面上
    に形成し、前記第１の薄膜の外側側面上に前記トレース
    およびコンタクトパッドを形成し、前記基体の内側側面
    上に複数のプローブコネクタパッドを形成することを含
    む請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】　　前記複数の試験プローブを供給する段
    階が、前記トレース、前記コンタクトパッド、および前
    記コネクタパッドをフォトリゾグラフ的に形成すること
    を含む請求項２記載の方法。
  5. 【請求項５】　　前記採取および配置装置によって処理
    するために前記試験プローブを構成する段階を含む請求
    項２記載の方法。
  6. 【請求項６】　　前記構成する段階が、試験プローブの
    自動配向のために前記薄膜上に平らな部分を形成するこ
    とを含む請求項５記載の方法。
  7. 【請求項７】　　試験固定装置を供給する段階が、周囲
    の着座領域および電気コンタクト素子を有する試験固定
    装置の容器を形成することを含み、前記１つの引出され
    た試験プローブを前記試験固定装置に取付ける前記段階
    において密封された関係で前記着座領域に前記試験プロ
    ーブの一部分を位置させる請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】　　前記複数の試験プローブを供給する段
    階が、上部に電気コネクタパッドを具備する周囲の領域
    を有する少なくとも前記１つの引出された試験プローブ
    を形成する段階を含み、前記１つの引出された試験プロ
    ーブを取付ける段階が、前記コネクタパッドを前記試験
    固定装置の容器の電気コネクタ素子に接触させることを
    含む請求項７記載の方法。
  9. 【請求項９】　　前記試験固定装置を供給する段階が、
    前記プローブの前記電気コンタクトパッドを接触するよ
    うに配置および構成された複数の前記電気コネクタ素子
    を具備するエラストマ部材に前記着座領域を固定するこ
    とを含む請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】　　第１および第２の側面を有する基体
    と、前記第１の側面に固定される柔軟性薄膜と、前記薄
    膜上に形成される複数の導電体トレースと、前記トレー
    スの選択されたものに形成される複数のコンタクトパッ
    ドと、前記基体の前記第２の側面上に形成される複数の
    薄膜コネクタパッドと、幾つかの前記コネクタパッドを
    少なくとも幾つかの前記コンタクトパッドで電気接続す
    る手段とを含む電気回路チップの試験用プローブ。
  11. 【請求項１１】　　少なくとも前記コネクタパッドがフ
    ォトリゾグラフ的に形成される請求項１０記載のプロー
    ブ。
  12. 【請求項１２】　　少なくとも幾つかの前記コンタクト
    パッドで電気接続する前記手段が、前記基体を通して延
    在する複数の金属化された接続用貫通孔を含む請求項１
    ０記載のプローブ。
  13. 【請求項１３】　　前記第１の側面に固定される第２の
    柔軟性薄膜と、前記第２の柔軟性薄膜上に形成される複
    数の接地ストリップとを含む請求項１０記載のプローブ
    。
  14. 【請求項１４】　　前記トレースおよび接地ストリップ
    が交流伝送ラインを形成し、１つの前記薄膜上に形成さ
    れ前記コンタクトパッドで１つの前記伝送ラインを横切
    って接続される少なくとも１つの終端抵抗を含む請求項
    １３記載のプローブ。
  15. 【請求項１５】　　前記基体と前記第１の薄膜の間の前
    記第１の側面に固定される第２の柔軟性薄膜と、前記第
    ２の柔軟性薄膜上の第２の複数の導電体トレースと、前
    記第２の複数の導電体トレースを少なくとも幾つかの前
    記コネクタパッドに接続するための少なくとも１つの前
    記薄膜を通して延在する導電手段とを含む請求項１０記
    載のプローブ。
  16. 【請求項１６】　　前記第２の複数の導電体トレースの
    少なくとも１つを前記薄膜コネクタパッドの１つに接続
    する抵抗を含む請求項１５記載のプローブ。
  17. 【請求項１７】　　前記基体内に設けられ幾つかの前記
    導電体トレースに接続されたバッファチップを含む請求
    項１０記載のプローブ。
  18. 【請求項１８】　　前記基体内に形成されたウエルと、
    前記ウエル内に設けられ幾つかの前記トレースに接続さ
    れたバッファチップを制御する能動インピーダンスとを
    含む請求項１０記載のプローブ。
  19. 【請求項１９】　　柔軟性薄膜と、前記薄膜上の複数の
    コンタクトパッドと、前記コンタクトパッドに電気接続
    された前記薄膜上の複数の導電体と、試験固定装置に前
    記薄膜を分離可能に接続する手段とを含む電気回路チッ
    プの試験用プローブ。
  20. 【請求項２０】　　前記薄膜を支持する第１の側面と第
    ２の側面とを有する基体と、この基体の前記第２の側面
    上に形成される複数の薄膜コネクタパッドを含む分離可
    能な接続のための前記手段と、幾つかの前記コネクタパ
    ッドにより少なくとも幾つかの前記コンタクトパッドを
    電気接続するための前記基体を通して延在する手段とを
    含む請求項１９記載のプローブ。
  21. 【請求項２１】　　分離可能な接続のための前記手段が
    、前記薄膜上に形成される複数のコネクタパッドと、プ
    ローブを試験固定装置に電気的および機械的に接続する
    ように試験固定装置に対して前記薄膜に圧力をかける手
    段とを含む請求項１９記載のプローブ。
  22. 【請求項２２】　　前記第１の導電体から間隔を隔てら
    れている前記薄膜上の複数の接地導電体と、前記第１の
    導電体の１つと前記接地導電体の１つの間に接続された
    少なくとも１つの終端抵抗とを含む請求項１９記載のプ
    ローブ。
  23. 【請求項２３】　　前記薄膜を支持する第１の側面と第
    ２の側面とを有する基体と、前記薄膜の１つの側面上に
    配置される導体とコンタクトパッドとを含み、前記接続
    手段が前記基体の前記第２の側面上に形成され前記導電
    体に接続されている複数のコネクタパッドを含む請求項
    １９記載のプローブ。
  24. 【請求項２４】　　前記基体を通して延在し、前記導体
    とコネクタパッドを電気的に相互結合する複数の接続用
    貫通孔を含む請求項２３記載のプローブ。
  25. 【請求項２５】　　前記基体の前記第２の側面が、試験
    固定装置によって与えられる真空によって強力に吸引接
    触されるように構成される表面を設けられている請求項
    ２３記載のプローブ。
  26. 【請求項２６】　　前記コネクタパッドが前記第２の側
    面の周囲に配置され、前記第２の側面が試験固定装置に
    よって与えられる真空によって強力に吸引されるように
    構成され配置された滑らかな平坦な環状の表面を有する
    請求項２０記載のプローブ。
  27. 【請求項２７】　　端子と接続する試験回路を有する固
    定装置設置部材と、前記設置部材に固定されその上部に
    複数の接続素子を具備するエラストマ部品と、前記試験
    回路接続端子に前記素子を電気接続するための手段と、
    プローブとを具備し、このプローブが、柔軟性薄膜と、
    前記薄膜上の複数のコンタクトパッドと、前記コンタク
    トパッドに電気接続される前記薄膜上の複数の導電体と
    、前記薄膜を支持する第１の側面と第２の側面とを有す
    る基体と、前記薄膜の１つの側面上に配置されている前
    記導体およびコンタクトパッドと、前記基体の前記第２
    の側面上に形成され前記導体に接続されている複数のコ
    ネクタパッドを含む試験固定装置に前記薄膜を接続する
    手段とを具備し、前記プローブが、前記エラストマ部品
    の前記接続素子と接触する前記薄膜コネクタパッドを有
    して前記固定装置内に配置されている集積回路チップの
    試験用装置。
  28. 【請求項２８】　　前記基体を貫通して延在し、前記導
    体とコネクタパッドを電気的に相互接続する複数の接続
    用貫通孔を含む請求項２７記載の装置。
  29. 【請求項２９】　　前記コネクタパッドは前記第２の側
    面の周囲に配置され、前記第２の側面は試験固定装置に
    よって与えられる真空によって強力に吸引されるように
    構成され配置されている滑らかな平坦な環状の表面を有
    する請求項２７記載の装置。
  30. 【請求項３０】　　前記薄膜を分離可能に接続する手段
    は、前記薄膜が前記エラストマ部品に向かって引っ張ら
    れるように前記薄膜に真空を与える手段を含んでいる請
    求項２７記載の装置。
  31. 【請求項３１】　　前記設置部材に固定され前記薄膜に
    密封されるガスチャンバと、前記チャンバ内に加圧され
    たガスを導入する手段とを含む請求項３０記載の装置。
  32. 【請求項３２】　　端子と接続する試験回路を有する固
    定装置設置部材と、前記設置部材に固定されその上部に
    複数の接続素子を具備するエラストマ部品と、前記試験
    回路接続端子に前記素子を電気接続する手段と、プロー
    ブとを具備し、このプローブが第１と第２の側面を有す
    るプローブ本体と、前記第１のプローブ側面上のプロー
    ブコンタクト素子と前記プローブコンタクト素子に電気
    的に接続される前記第２のプローブ側面上のプローブコ
    ネクタパッドと具備し、さらに、プローブ動作位置にお
    いて前記固定装置と設置部材に前記プローブを分離可能
    に機械的に相互結合するための前記固定装置設置部材と
    プローブ上の協同装置とを含み、前記プローブの前記動
    作位置において前記プローブコネクタパッドが前記エラ
    ストマ部品の前記接続素子と電気的に接触することを特
    徴とする集積回路チップの試験用装置。
  33. 【請求項３３】　　前記協同装置は前記プローブを前記
    エラストマ部品に向けてそれに対して押付ける手段を含
    む請求項３２記載の装置。
  34. 【請求項３４】　　前記プローブを分離可能に機械的に
    相互結合するための前記協同装置は、前記プローブを前
    記エラストマ部品に向かって引っ張るために前記プロー
    ブに真空を与える手段を含む請求項３２記載の装置。
  35. 【請求項３５】　　前記設置部材に固定され前記プロー
    ブに密封されるガスチャンバと、前記チャンバ内に加圧
    されたガスを導入する手段とを含み、前記プローブがそ
    の上に前記プローブ接触素子を設けられる柔軟性薄膜を
    含む請求項３２記載の装置。
  36. 【請求項３６】　　前記エラストマ部品は、それらに固
    定される複数の周囲と間隔を隔てた導電体素子を有する
    エラストマ環状部を含み、前記プローブコネクタパッド
    は、互いに分離された関係で前記第２のプローブ側面の
    周囲に延在し前記導電体素子に電気的に接触している請
    求項３２記載の装置。
  37. 【請求項３７】　　前記エラストマ部品は、複数の導電
    体とそれらに固定された前記エラストマ部品とを有する
    多層プリント回路基板を含み、前記導電体素子は前記プ
    ローブコネクタパッドと前記プリント回路基板の前記導
    電体の間に延在する請求項３２記載の装置。
  38. 【請求項３８】　　多層プリント回路基板は、実質的に
    剛性の内側基板層と、誘電体外部基体層と、前記誘電体
    外側層と前記内側層の間に挟まれた中間誘電体層を含み
    、前記中間誘電体層は環状の凹所を限定するために前記
    内側および外側層の半径方向に外方に向かって凹所を作
    られ、前記エラストマ部品は前記環状の凹所内に配置さ
    れるエラストマ環状部を含み、前記外側層上の複数の接
    続導電体は前記中間層と前記外側層の間にあり、前記エ
    ラストマ部品の接続素子は前記外部層の接続導電体と前
    記プローブのコネクタパッドを相互接続するように配置
    されている請求項３２記載の装置。
  39. 【請求項３９】　　第１と第２の側面を有する基体と、
    前記第１の側面に固定され、内側および外側側面を有す
    る柔軟性薄膜と、前記薄膜の外側側面上の複数の導電体
    トレースと、前記トレースの選択された１つに設けられ
    た複数のコンタクトパッドと、前記薄膜の内側側面上の
    複数の接地ストリップと、前記１つのコンタクトパッド
    と前記接地ストリップの１つとを相互接続する前記コン
    タクトパッドの１つの前記薄膜上の終端抵抗とを含む電
    気回路チップの試験用プローブ。
  40. 【請求項４０】　　前記基体の前記第２の側面上に複数
    のプローブコネクタパッドと、前記トレースと接地スト
    リップを前記コネクタパッドに接続するための前記薄膜
    を通して延在する導電手段とを含む請求項３９記載のプ
    ローブ。
  41. 【請求項４１】　　第１と第２の側面を有する基体と、
    前記第１の側面に固定された柔軟性薄膜と、前記薄膜上
    に形成される複数の導電体トレースと、前記トレースの
    選択された１ものに形成された複数のコンタクトパッド
    と、前記基体内に形成されるウエルと、前記ウエル内に
    設けられ、前記導電体トレースに電気的に接続されてい
    る能動バッファチップと、前記外部試験回路にこのバッ
    ファチップを電気的に接続する手段とを具備しているこ
    とを特徴とする電気回路チップの試験用プローブ。
  42. 【請求項４２】　　前記電気接続する手段は前記基体の
    前記第２の側面上の複数のプローブコネクタパッドを含
    み、前記プローブコネクタパッドを前記バッファチップ
    に電気接続するための前記基体を通して延在する手段と
    を含む請求項４１記載のプローブ。
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