JPH04268445A - 実装基板検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、部品を実装したプリン
ト基板上の半田付けの実装不良を検査する実装基板検査
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、プリント基板上に半田付けされた
半田部の検査は、人間による目視検査に頼っていた。と
ころが、製品の小型化や軽量化が進むに連れてプリント
基板上の部品の小型化や高密度実装化もより一層進んで
きている。このような状況のなかで、人間による目視検
査が困難となってきており、検査の自動化が強く望まれ
てきている。その一方法として特願平０１−０３３０４
０号では、半田付け部の輝度データを測定し、その明部
と暗部の比率により半田付け部の良否判定を行うことを
提案しているが、部品の位置ずれにより判定用閾値が左
右されることがある。　　また別の一方法として特願平
０２−０２５３９１号には、半田付け部の高さデータを
測定し、その高さデータの基板−半田部−部品上におけ
る変化分を求め、その高さデータと高さデータの変化分
を２変数とする相関を用いて半田付け部の良否判定を行
うことを提案している。

【０００３】以下、従来の実装基板検査装置について説
明する。図６は従来の実装基板検査装置の相関演算手段
のブロック結線図を示すものである。図６において、６
０１は演算された高さデータ、６０２は高さデータの差
分を計算する差分計算回路、６０３は及び６０４は比較
回路Ａ及びＢ、６０５は差分閾値記憶手段、６０６は高
さ閾値記憶手段、６０７及び６０８はカウンタＣおよび
Ｄである。

【０００４】以上のように構成された実装基板検査装置
について、以下その動作について説明する。

【０００５】差分計算回路６０２では、マスクデータ６
０９に基づいて画像メモリから抽出された高さデータ６
０１の変化量（差分値）を計算し、その差分値を比較回
路Ａ６０３に出力する。差分は、高さデータが基板から
半田付け部及び部品に向かう方向で計算している。

【０００６】比較回路Ａ６０３では、差分計算回路６０
２で計算された差分値と差分閾値記憶手段６０５からの
閾値とを比較し、差分値が閾値で決められた範囲内であ
ればカウンタＣ６０７及びカウンタＤ６０８へ“１”の
信号を出力し、範囲外であれば“０”の信号を出力する
。一方、比較回路Ｂ６０４では、高さデータ６０１と高
さ閾値記憶手段６０６からの閾値とを比較し、高さデー
タが閾値で決められた範囲内であればカウンタＣ６０７
及びカウンタＤ６０８へ“１”の信号を出力し、範囲外
であれば“０”の信号を出力する。

【０００７】カウンタＣ６０７ではマスクデータ６０９
に基づいてマスクごとに、比較回路Ａ６０３及びＢ６０
４からの出力が共に“１”の時のみカウントアップする
。またカウンタＤ６０８ではマスクデータ６０９に基づ
いてマスクごとに、比較回路Ａ６０３及びＢ６０４から
の出力が共に“１”以外の場合、つまり（Ａ、Ｂ）の信
号の組で表現すれば、（１、０）、（０、１）、（０、
０）の場合にカウントアップする。

【０００８】以上の動作により、それぞれカウントアッ
プされたカウンタの出力は、図７に示した高さデータ（
Ｚ）と差分値（ΔＺ）の相関図における良領域及び不良
領域のデータの分布数を示しており、これらの分布数か
ら部品の半田付け状態の良否を検査することができる。

【０００９】更に具体例を図７を用いて説明する。即ち
、図７は良品の半田付け状態の場合を示した図で、図７
（ａ）は部品の半田付け部を上方より見た図、図７（ｂ
）は断面図、図７（ｃ）は高さデータと高さ差分値の相
関図を示している。図７（ｂ）に示した様な、基板７０
１に実装された部品７０３の半田部７０２が良好な状態
であった場合、図７（ｃ）に示した高さデータ（Ｚ）と
差分値（ｄＺ）の相関図が得られる。即ち、Ｚ１（７０
４）は基板の平均高さ、Ｚ２（７０５）は部品上の平均
高さで、測定されたデータはｘ印で示している。又、差
分閾値はＯ（７０６）とＡ１（７０７）に設定し、高さ
閾値はＡ２（７０８）及びＡ３（７０９）に設定してい
る。図７（ｃ）の相関図において、半田付け状態が良好
であるため、半田部の測定データは、基板と部品のそれ
ぞれの高さの間に分布し、かつ差分値も正の値でＡ１（
７０７）以下のあまり大きくないＳ１（７１０）で示し
た領域（良品領域）に分布している。

【００１０】従って、差分値を比較する比較回路Ａでは
、差分閾値で示したＯ（７０６）からＡ１（７０７）の
間にデータが入るため各データにおいて”１”の信号を
出力し、比較回路Ｂでは、高さデータが、高さ閾値で示
したＡ２（７０８）から（Ａ３）７０９の間に分布する
ため各データにおいて”１”の信号を出力し、カウンタ
Ｄの値は、領域Ｓ２（７１１）及びＳ３（７１２）にデ
ータが分布しないためゼロとなり、半田付け部が良好で
あると判定される。

【００１１】なお、図７（ｂ）中の二重矢印７１３で示
した範囲が、半田付け部に設定されたマスク記憶手段か
らのマスクデータの範囲を示しており、上方からの図で
ある図７（ａ）に示した様に基板７０１、半田部７０２
、部品７０３上にマスク７１４（斜線部）が設定され、
このマスク内のみの高さデータが演算に用いられる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、半田部の高さデ−タを計測した後にその
高さデ−タの差分を演算し、高さデ−タとその高さデ−
タの差分の相関図を求め、その相関図から半田部の良否
を判定するため、判定までに非常に時間がかかってしま
うという課題があり、製造ラインの中に自動検査工程を
組み込むインライン化の推進の障害にもなるという課題
を有していた。

【００１３】本発明は上記従来技術の課題を解決するも
ので、製造ラインでの目視検査工程を機械によって自動
化するために必要不可欠な検査時間の短縮化を実現する
実装基板検査装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、部品が実装されたプリント基板を移動させ
る搬送手段と、レ−ザ光源からのレ−ザ光をポリゴンミ
ラ−とｆθレンズによりプリント基板上へ走査させるレ
−ザ光走査手段と、レ−ザ光の走査によりプリント基板
上から反射して得られる散乱光を、プリント基板とｆθ
レンズの間に設けた反射ミラ−で反射させ、ｆθレンズ
とポリゴンミラ−を介し反射させる散乱光反射手段と、
散乱光反射手段からの散乱光を集光レンズで位置検出素
子にさらに集光し光電流信号を出力する光量検出手段と
、光量検出手段からの光電流信号によりプリント基板や
プリント基板上に実装された部品及び半田付け部の輝度
デ−タ及び高さデ−タを演算する画像演算処理手段と、
実装された部品の半田付け部位置に予め定めた任意サイ
ズの複数のマスク処理をするマスクデ−タを格納するマ
スク記憶手段と、マスク記憶手段からのマスクデ−タ内
の輝度デ−タを用いて半田付け状態の良否を判定する輝
度判定処理手段と、マスク記憶手段からのマスクデ−タ
内の高さデ−タを用いて半田付け状態の良否を判定する
高さ判定処理手段と、輝度判定処理手段および高さ判定
処理手段で演算された値を用いて総合的に前記プリント
基板上の部品の半田付け状態の良否を判定する総合判定
処理手段を具備し、輝度判定処理手段の判定結果が良の
場合は前記総合判定処理手段で良と判定し、前記輝度判
定処理手段の判定結果が不良の場合は前記高さ判定処理
手段の判定結果の良否により前記総合判定処理手段で良
否を判定する構成を有している。

【００１５】

【作用】本発明は上記構成によって、部品が実装された
プリント基板をレーザ光で全面走査し、プリント基板か
ら反射して得られる散乱光を反射ミラーで位置検出手段
に導き、プリント基板上の高さの凹凸に従って変化する
位置検出素子上の散乱光の集光位置を光電流信号で検出
し、その光電流信号から画像演算処理手段によりプリン
ト基板上に実装された部品や半田付け部の輝度データお
よび高さデータを演算する。

【００１６】演算された輝度データと高さデータをそれ
ぞれ輝度判定処理手段および高さ判定処理手段でマスク
記憶手段からのマスクデ−タ内のみ演算し、輝度判定処
理手段の判定結果が良の場合は総合判定処理手段で良と
判定し、輝度判定処理手段の判定結果が不良の場合は高
さ判定処理手段の判定結果の良否により総合判定処理手
段で良否を判定する。この輝度データと高さデータの両
方を用いた判定動作により、判定の信頼性を低下させる
ことなく総合判定までの処理時間を短縮することができ
る。

【００１７】

【実施例】（実施例１）以下、本発明の一実施例につい
て、図面を参照しながら説明する。

【００１８】図１は本発明の一実施例における実装基板
検査装置のブロック結線図である。図１において、１０
１はプリント基板、１０２はプリント基板１０１上に実
装されている部品、１０３はプリント基板１０１を移動
させる搬送手段、１０４はその移動方向を示す矢印であ
る。１０５はレーザ光源、１０６はレーザ光源１０５か
らのレーザ光、１０７はポリゴンミラー、１０８はレー
ザ光をポリゴンミラー１０７に導く反射鏡、１０９はｆ
θレンズ、１１０は反射ミラーである。１１１は集光レ
ンズ、１１２は位置検出素子、１１３は位置検出素子１
１２からの光電流信号、１１４はその光電流信号１１３
から部品の高さデータおよび輝度データに変換演算をす
る画像演算処理手段、１１５は輝度判定処理手段、１１
６は高さ判定処理手段、１１７はマスク記憶手段、１１
８は総合判定処理手段である。

【００１９】以上のように構成された実装基板検査装置
について、以下にその動作を説明する。

【００２０】部品１０２が実装されているプリント基板
１０１を搬送手段１０３により矢印１０４の方向に移動
させつつ、レーザ光源１０５からのレーザ光１０６を反
射鏡１０８を３個用いて、回転しているポリゴンミラー
１０７に導き、ポリゴンミラー１０７とｆθレンズ１０
９によりレーザ光１０６をプリント基板１０１上に垂直
に照射する。これにより、プリント基板１０１上にレー
ザ光１０６を二次元的に全面走査する。

【００２１】レーザ光１０６の走査によりプリント基板
１０１上から反射してくる散乱光を、検査対象物である
プリント基板１０１とｆθレンズ１０９との間に設けた
反射ミラー１１０で反射させ、ｆθレンズ１０９とポリ
ゴンミラー１０７を介して、さらに集光レンズ１１１を
通して、位置検出素子１１２上に集光する。位置検出素
子１１２からの光電流信号１１３は、画像演算処理手段
１１４に入力される。

【００２２】画像演算処理手段１１４では、同期信号の
タイミングで入力された光電流信号１１３をプリント基
板１０１やプリント基板１０１上に実装された部品１０
２および部品１０２の半田付け部の高さデータおよび輝
度データに変換する演算を行い、輝度データおよび高さ
データをそれぞれ輝度判定処理手段１１５および高さ判
定処理手段１１６へ出力する。

【００２３】輝度判定処理手段１１５では、マスク記憶
手段１１７からのマスクデータにより抽出された半田付
け部の輝度データを用いて、半田付け部の明部と暗部の
比率を計算することにより半田付け部の良否を判定し、
判定結果を高さ判定処理手段１１６及び総合判定処理手
段１１８へ出力する。

【００２４】また、高さ判定処理手段１１６では、マス
ク記憶手段１１７からのマスクデータにより抽出された
半田付け部の高さデータを用いて、高さデータの基板ー
半田部ー部品上における変化分を求め、その高さデータ
と高さデータの変化分を２変数とする相関を用いて半田
付け部の良否判定を行い、判定結果を総合判定処理手段
１１８へ出力する。但し、この高さ判定処理手段１１６
での判定処理は、並行して行われている輝度判定処理手
段１１５からの判定結果が不良の時のみ継続され、輝度
判定処理手段１１５からの判定結果が良の時は中断し、
リセットされる。

【００２５】最後に総合判定処理手段１１８では、輝度
判定処理手段１１５からの判定結果が良の場合は高さ判
定処理手段１１６の判定結果を待たずに総合判定を良と
し、輝度判定処理手段１１５からの判定結果が不良の場
合は、高さ判定処理手段１１６の判定結果の良否により
総合判定を行う。

【００２６】以下の動作を繰り返し、順次行うことによ
りプリント基板１０１上全面について検査することがで
きる。この一連の動作は、適当な信号により同期して行
う必要があるが、本実施例の場合ポリゴンミラー１０７
の回転に合わせた同期信号を用いて同期を取った。

【００２７】このような構成にすることにより、ガルバ
ノミラー等の手段でレーザ光をスポット走査する構成に
比べ、より高速・高精度な高さ測定を行うことができる
。

【００２８】次に、画像演算処理手段１１４について図
２を用いてさらに詳しく説明する。画像演算処理手段１
１４は、図２に示すように、位置検出素子１１２からの
光電流信号１１３をＡ／Ｄコンバータ２０１でデジタル
信号に変換し位置演算回路２０２に入力する。本実施例
では、位置検出素子にＰＳＤ［ポジション−　センシテ
ィブ　　ディテクタ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ　−　　Ｓｅｎ
ｓｉｔｉｖｅ　　Ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ：半導体位置検出
素子）］を用いており、ＰＳＤに入射する入射位置は、
素子の両端電極に流れる電流が各電極間との距離に反比
例するものを用いている。位置演算回路２０２では、デ
ジタル信号に変換された両電極からの電流Ｉ１およびＩ
２を第（１）式を用いて高さデータを演算する。なおＫ
は正規化するための係数である。

【００２９】 　　　　高さデータ＝Ｋ・（Ｉ１−Ｉ２）／（Ｉ１＋Ｉ
２）　　　　−−−−−−（１）位置演算回路２０２で
得られた高さデータは、一旦高さデータ格納メモリ２０
３に格納される。

【００３０】一方、輝度データは、両電極からの電流Ｉ
１およびＩ２を第（２）式を用いて輝度演算回路２０４
で演算する。

【００３１】 　　　　輝度データ＝Ｉ１＋Ｉ２　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　−−−−−−（２）
輝度演算回路２０４で得られた輝度データは、一旦輝度
データ格納メモリ２０５に格納される。

【００３２】次に、輝度判定処理手段１１５について図
３および図４を用いてさらに詳しく説明する。

【００３３】輝度判定処理手段１１５は、図３に示すよ
うに、画像演算処理手段１１４からの輝度データ３０１
を２値化する２値化手段３０２、マスク記憶手段１１７
からのマスクデータ内の全面積を計算する全カウンタ３
０３、２値化信号のうちマスクデータ内の０の面積を計
算する０カウンタ３０４、マスク内における１と０の面
積比率を計算する割算器３０５、半田付けの良否を判定
するための閾値を格納する閾値記憶手段３０６Ｅ及び割
算器３０５の結果と閾値記憶手段Ｅ３０６からの閾値と
を比較する比較器３０７から構成されている。

【００３４】以下その動作を説明する。画像演算処理手
段１１４からの輝度データ３０１を２値化手段３０２で
任意の閾値で２値化し、２値化信号を出力する。そして
マスク記憶手段１１７からのマスクデータに従い、マス
ク内の２値化信号のみを全カウンタ３０３で全数カウン
トし、また０カウンタ３０４ではマスク内の２値化信号
のうち０の信号の時のみカウントしている。割算器３０
５では全カウンタ３０３の出力と０カウンタ３０４の出
力の比率を計算し、比較器３０７では割算器３０５から
の面積比率値と半田部の良否判定用閾値を格納してある
閾値記憶手段Ｅ３０６からの値とを比較し、半田付け部
の良否を判定していて、判定結果を高さ判定処理手段１
１６及び総合判定処理手段１１８へ出力する。

【００３５】この半田付け部の良否判定方法について図
４を用いて更に詳しく説明する。図４（ａ），（ｂ）は
プリント基板４０１上に部品４０２を半田付けした側面
及び平面の様子を示している。プリント基板４０１上に
照射された照射光４０３｛（１）、（２）、（３）｝は
、部品４０２上や半田面からの反射光４０４となってプ
リント基板４０１の法線方向（同図では上方向）に設置
してある位置検出素子に集光され、輝度信号に変換され
る。

【００３６】特に半田部４０５や電極部４０６は、鏡面
を形成しており正反射する特徴がある。図４（ａ）にお
いて、照射光４０３｛（１）、（２）、（３）｝がそれ
ぞれランド４０７上、電極部４０６上及び半田フィレッ
ト４０５上に照射され、それぞれの反射光４０４｛（１
）’、（２）’、（３）’｝が反射される。この時、平
面である電極部４０６やランド４０７の一部では、反射
光４０４の（１）’及び（２）’が位置検出素子側に反
射され輝度レベルとして高い輝度信号に変換される。平
面でない半田フィレット４０５上に照射された照射光４
０３（３）は、半田フィレット４０５上で正反射され反
射光４０４の（３）’として位置検出素子側には戻って
こない特徴がある。これを輝度信号として見ると、図４
（ｂ）のように平面である電極部４０６やランド４０７
の一部は明るく明部４０８となり、半田フィレット４０
５のように角度のついた部分は暗く暗部４０９となる。 このような半田付け部周辺の輝度信号の特徴に対し、図
４（ｂ）で示した様なマスクＡ４１０（破線表示）をラ
ンド４０７上に任意サイズで設定する。このマスクＡ４
１０内で、任意の輝度レベルで輝度信号を２値化して生
成される２値化信号の１（明部４０８）と０（暗部４０
９）を比較して、半田付け部の良否を判定するものであ
る。

【００３７】次に、高さ判定処理手段１１６について図
５を用いてさらに詳しく説明する。図５は高さ判定処理
手段１１６のブロック結線図を示すものである。図５に
おいて、５０１は演算された高さデータ、５０２は高さ
データの差分を計算する差分計算回路、５０３は及び５
０４は比較回路Ｆ及びＧ、５０５は差分閾値記憶手段、
５０６は高さ閾値記憶手段、５０７及び５０８はカウン
タＨおよびＩ、５０９はマスク記憶手段１１７からのマ
スクデータ、５１０は輝度判定処理手段１１５からの判
定結果である。

【００３８】以上のように構成された高さ判定処理手段
１１６について、以下その動作について説明する。

【００３９】差分計算回路５０２では、マスクデータ５
０９に基づいて画像演算処理手段１１４から抽出された
高さデータ５０１の変化量（差分値）を計算し、その差
分値を比較回路Ｆ５０３に出力する。差分は、高さデー
タが基板から半田付け部及び部品に向かう方向で計算し
ている。

【００４０】比較回路Ｆ５０３では、差分計算回路５０
２で計算された差分値と差分閾値記憶手段５０５からの
閾値とを比較し、差分値が閾値で決められた範囲内であ
ればカウンタＨ５０７及びカウンタＩ５０８へ“１”の
信号を出力し、範囲外であれば“０”の信号を出力する
。一方、比較回路Ｇ５０４では、高さデータ５０１と高
さ閾値記憶手段５０６からの閾値とを比較し、高さデー
タが閾値で決められた範囲内であればカウンタＨ５０７
及びカウンタＩ５０８へ“１”の信号を出力し、範囲外
であれば“０”の信号を出力する。

【００４１】カウンタＨ５０７ではマスクデータ５０９
に基づいてマスクごとに、比較回路Ｆ５０３及びＧ５０
４からの出力が共に“１”の時のみカウントアップする
。またカウンタＩ５０８ではマスクデータ５０９に基づ
いてマスクごとに、比較回路Ｆ５０３及びＧ５０４から
の出力が共に“１”以外の場合、つまり（Ｆ、Ｇ）の信
号の組で表現すれば、（１、０）、（０、１）、（０、
０）の場合にカウントアップする。

【００４２】以上の動作により、それぞれカウントアッ
プされたカウンタの出力は、図７（ｃ）に示した高さデ
ータ（Ｚ）と差分値（ΔＺ）の相関図における良領域及
び不良領域のデータの分布数を示しており、これらの分
布数から部品の半田付け状態の良否を検査することがで
き、カウントアップされたカウンタの出力は総合判定処
理手段１１８へ出力される。このように半田付け部の実
際の高さデータを用いて判定するため、判定のための演
算時間は比較的多くかかるが、輝度データを用いた判定
に比べて部品の位置ずれに影響されないため判定精度は
高い。

【００４３】但し、この高さ判定処理手段１１６での判
定処理は、並行して行われている輝度判定処理手段１１
５からの判定結果５１０が不良の時のみ継続され、輝度
判定処理手段１１５からの判定結果５１０が良の時は中
断し、リセットされる。

【００４４】以上のように本実施例によれば、プリント
基板上の部品や半田付け部の輝度データおよび高さデー
タを測定し、測定された輝度データと高さデータをそれ
ぞれ並列に輝度判定処理手段および高さ判定処理手段で
マスク記憶手段からのマスクデ−タ内のみ演算している
。輝度判定処理手段は比較的演算時間が少なくて済むと
いう特徴を有し、高さ判定処理手段は比較的演算時間が
多くかかるが判定精度が高いという特徴を有している。 そこで、輝度判定処理手段の判定結果が良の場合は高さ
判定処理手段の判定結果を待たずに総合判定処理手段で
良と判定し、輝度判定処理手段の判定結果が不良の場合
は高さ判定処理手段の判定結果の良否により総合判定処
理手段で良否を判定することにより、判定の信頼性を低
下させずに、総合判定までの処理時間を従来に比べ短縮
することができる。

【００４５】

【発明の効果】以上のように本発明は、プリント基板上
の部品や半田付け部の輝度データおよび高さデータを測
定し、測定された輝度データと高さデータをそれぞれ輝
度判定処理手段および高さ判定処理手段でマスク記憶手
段からのマスクデ−タ内のみ演算し、輝度判定処理手段
の判定結果が良の場合は総合判定処理手段で良と判定し
、輝度判定処理手段の判定結果が不良の場合は高さ判定
処理手段の判定結果の良否により総合判定処理手段で良
否を判定することにより、判定の信頼性を低下させずに
、総合判定までの処理時間を短縮することができる優れ
た実装基板検査装置を実現できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における実装基板検査装置の
ブロック結線図

【図２】同装置の要部における画像演算処理手段の詳細
ブロック結線図

【図３】同装置の要部における輝度判定処理手段の詳細
ブロック結線図

【図４】（ａ）半田付け部断面図 （ｂ）本発明の実施例における検査アルゴリズムを示す
概念図

【図５】同装置の要部における高さ判定処理手段の詳細
ブロック結線図

【図６】従来の実装基板検査装置の要部ブロック結線図

【図７】従来の実装基板検査装置の検査アルゴリズムを
示す概念図

【符号の説明】

１０１　　プリント基板 １０２　　部品 １０３　　搬送手段 １０５　　レーザ光源 １０７　　ポリゴンミラー １０９　　ｆθレンズ １１０　　反射ミラー １１１　　集光レンズ １１２　　位置検出素子 １１４　　画像演算処理手段 １１５　　輝度判定処理手段 １１６　　高さ判定処理手段 １１７　　マスク記憶手段 １１８　　総合判定処理手段

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　部品が実装されたプリント基板を移動
   させる搬送手段と、レ−ザ光源からのレ−ザ光をポリゴ
   ンミラ−とｆθレンズにより前記プリント基板上へ走査
   させるレ−ザ光走査手段と、前記レ−ザ光の走査により
   前記プリント基板上から反射して得られる散乱光を、前
   記プリント基板と前記ｆθレンズの間に設けた反射ミラ
   −で反射させ、前記ｆθレンズとポリゴンミラ−を介し
   反射させる散乱光反射手段と、前記散乱光反射手段から
   の散乱光を集光レンズで位置検出素子にさらに集光し光
   電流信号を出力する光量検出手段と、前記光量検出手段
   からの光電流信号により前記プリント基板やそのプリン
   ト基板上に実装された部品及び半田付け部の輝度デ−タ
   及び高さデ−タを演算する画像演算処理手段と、実装さ
   れた部品の半田付け部位置に予め定めた任意サイズの複
   数のマスク処理をするマスクデ−タを格納するマスク記
   憶手段と、前記マスク記憶手段からのマスクデ−タ内の
   前記輝度デ−タを用いて半田付け状態の良否を判定する
   輝度判定処理手段と、前記マスク記憶手段からのマスク
   デ−タ内の前記高さデ−タを用いて半田付け状態の良否
   を判定する高さ判定処理手段と、前記輝度判定処理手段
   および前記高さ判定処理手段で演算された値を用いて総
   合的に前記プリント基板上の部品の半田付け状態の良否
   を判定する総合判定処理手段を具備し、前記輝度判定処
   理手段の判定結果が良の場合は前記総合判定処理手段で
   良と判定し、前記輝度判定処理手段の判定結果が不良の
   場合は前記高さ判定処理手段の判定結果の良否により前
   記総合判定処理手段で良否を判定することを特徴とする
   実装基板検査装置。