JPH04270192A - 液相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシャル成長方法Info
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- JPH04270192A JPH04270192A JP2988091A JP2988091A JPH04270192A JP H04270192 A JPH04270192 A JP H04270192A JP 2988091 A JP2988091 A JP 2988091A JP 2988091 A JP2988091 A JP 2988091A JP H04270192 A JPH04270192 A JP H04270192A
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- JP
- Japan
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- boat
- slider
- recess
- hole
- melt
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は液相エピタキシャル成
長方法に関し、より詳しくはスライド式液相エピタキシ
ャル成長装置を用いて結晶成長を行う方法に関する。
長方法に関し、より詳しくはスライド式液相エピタキシ
ャル成長装置を用いて結晶成長を行う方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の液相エピタキシャル成長装置と
しては、本出願人が先に提案した図２（ａ）に示すよう
なものがある（特願平２−１０６８９０号）。この液相
エピタキシャル成長装置は、鉛直方向の貫通孔２３，２
４，２５および２６を有するボートスライダ２１と、上
部に断面凹状の基板受け部３１を有するボート本体２２
を備えている。ボートスライダ２１，ボート本体２２は
それぞれ高純度のカーボンからなり、ボートスライダ２
１の底面２１ａとボート本体２２の上面２２ａとは摺動
できるようになっている。上記ボートスライダ２１の貫
通孔２３，…，２６は、２段になっており、それぞれ上
部２３ａ，…，２６ａの幅が下部２３ｂ，…，２６ｂの
幅よりも広くなっている。ボートスライダ２１には、底
面２１ａ内でボート本体２２との摺動に伴って各貫通孔
２３，…，２６よりもそれぞれ先にボート本体２２の基
板受け部３１に面する側、すなわち図２（ａ）において
各貫通孔２３，…，２６の右側近傍に、それぞれ下方に
開口する凹部２７，２８，２９，３０が設けられている
。一方、ボート本体２２の上部に、上記ボートスライダ
２１との摺動に伴って上記基板受け部３１よりも先に上
記ボートスライダ２１の各凹部２７，…，３０に面する
側、すなわち図２（ａ）において基板受け部３１の左側
に溝３２が設けられている。溝３２は、ボートスライダ
２１とボート本体２２との摺動に伴って、上記ボートス
ライダ２１の貫通孔下部２３ｂ，…，２６ｂとその右側
の凹部２７，…，３０とをそれぞれ一時的に連通するこ
とができる。
しては、本出願人が先に提案した図２（ａ）に示すよう
なものがある（特願平２−１０６８９０号）。この液相
エピタキシャル成長装置は、鉛直方向の貫通孔２３，２
４，２５および２６を有するボートスライダ２１と、上
部に断面凹状の基板受け部３１を有するボート本体２２
を備えている。ボートスライダ２１，ボート本体２２は
それぞれ高純度のカーボンからなり、ボートスライダ２
１の底面２１ａとボート本体２２の上面２２ａとは摺動
できるようになっている。上記ボートスライダ２１の貫
通孔２３，…，２６は、２段になっており、それぞれ上
部２３ａ，…，２６ａの幅が下部２３ｂ，…，２６ｂの
幅よりも広くなっている。ボートスライダ２１には、底
面２１ａ内でボート本体２２との摺動に伴って各貫通孔
２３，…，２６よりもそれぞれ先にボート本体２２の基
板受け部３１に面する側、すなわち図２（ａ）において
各貫通孔２３，…，２６の右側近傍に、それぞれ下方に
開口する凹部２７，２８，２９，３０が設けられている
。一方、ボート本体２２の上部に、上記ボートスライダ
２１との摺動に伴って上記基板受け部３１よりも先に上
記ボートスライダ２１の各凹部２７，…，３０に面する
側、すなわち図２（ａ）において基板受け部３１の左側
に溝３２が設けられている。溝３２は、ボートスライダ
２１とボート本体２２との摺動に伴って、上記ボートス
ライダ２１の貫通孔下部２３ｂ，…，２６ｂとその右側
の凹部２７，…，３０とをそれぞれ一時的に連通するこ
とができる。
【０００３】結晶成長を行う場合、上記ボートスライダ
２１の貫通孔２３，…，２６にそれぞれ成長すべき結晶
の成分元素を含む多結晶状態の原料を入れる一方、上記
ボート本体２２の基板受け部３１に半導体基板３５を載
置する。次に、この系全体を水素雰囲気中で温度７００
〜８００℃程度に所定の時間保持する。そして、上記原
料を溶融して融液３６，３７，３８，３９となした後、
０．２〜１℃／ｍｉｎの速さで所定の温度まで降温する
。続いて、図２（ｂ）に示すように、ボートスライダ２
１をボート本体２２に対して右方向へ摺動させて、ボー
ト本体２２の溝３２によって上記ボートスライダ２１の
貫通孔２３と凹部２７とを一時的に連通させる。この時
、貫通孔２３内の融液３６は、上記溝３２を通って移動
して凹部２７内へ注入される。上記融液３６は貫通孔２
３から凹部２７への移動，注入によって攪拌される。こ
の結果、ボートスライダ２１またはボート本体２２に多
少の温度分布があったとしても、略均一な飽和融液とな
る。この状態でさらに右方向へボートスライダ２１を摺
動させて、凹部２７内の融液３６と基板受け部３１内の
基板３５とを接触させ、基板３５上に結晶成長を行う。 この後、ボートスライダ２１をさらに右方向へ移動させ
て、融液３７，３８，３９をそれぞれ凹部２８，２９，
３０内へ移動，注入した状態で、基板３１上に順次結晶
成長を行う。このようにしてエピタキシャル層を次々と
形成する。
２１の貫通孔２３，…，２６にそれぞれ成長すべき結晶
の成分元素を含む多結晶状態の原料を入れる一方、上記
ボート本体２２の基板受け部３１に半導体基板３５を載
置する。次に、この系全体を水素雰囲気中で温度７００
〜８００℃程度に所定の時間保持する。そして、上記原
料を溶融して融液３６，３７，３８，３９となした後、
０．２〜１℃／ｍｉｎの速さで所定の温度まで降温する
。続いて、図２（ｂ）に示すように、ボートスライダ２
１をボート本体２２に対して右方向へ摺動させて、ボー
ト本体２２の溝３２によって上記ボートスライダ２１の
貫通孔２３と凹部２７とを一時的に連通させる。この時
、貫通孔２３内の融液３６は、上記溝３２を通って移動
して凹部２７内へ注入される。上記融液３６は貫通孔２
３から凹部２７への移動，注入によって攪拌される。こ
の結果、ボートスライダ２１またはボート本体２２に多
少の温度分布があったとしても、略均一な飽和融液とな
る。この状態でさらに右方向へボートスライダ２１を摺
動させて、凹部２７内の融液３６と基板受け部３１内の
基板３５とを接触させ、基板３５上に結晶成長を行う。 この後、ボートスライダ２１をさらに右方向へ移動させ
て、融液３７，３８，３９をそれぞれ凹部２８，２９，
３０内へ移動，注入した状態で、基板３１上に順次結晶
成長を行う。このようにしてエピタキシャル層を次々と
形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、形成される
エピタキシャル層の層厚は、成長温度，成長時間，過冷
却度および降温速度の各パラメータに依存する。上記液
相エピタキシャル成長方法は、これらのパラメータを駆
使して成長を行うことができる。しかしながら、上記液
相エピタキシャル成長方法では、各層の成長を開始する
際にボートスライダ２１の凹部内の融液３６，６７，３
８，３９が過飽和の状態にあるため、層厚１．０μｍ以
下の薄い層を成長する場合に、上記薄い層の層厚が不均
一になるという問題があった。
エピタキシャル層の層厚は、成長温度，成長時間，過冷
却度および降温速度の各パラメータに依存する。上記液
相エピタキシャル成長方法は、これらのパラメータを駆
使して成長を行うことができる。しかしながら、上記液
相エピタキシャル成長方法では、各層の成長を開始する
際にボートスライダ２１の凹部内の融液３６，６７，３
８，３９が過飽和の状態にあるため、層厚１．０μｍ以
下の薄い層を成長する場合に、上記薄い層の層厚が不均
一になるという問題があった。
【０００５】そこで、この発明の目的は、層厚１．０μ
ｍ以下の薄い層を成長する場合であっても均一な層厚の
結晶成長を行うことができる液相エピタキシャル成長方
法を提供することにある。
ｍ以下の薄い層を成長する場合であっても均一な層厚の
結晶成長を行うことができる液相エピタキシャル成長方
法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、この発明の液相エピタキシャル成長方法は、上部に基
板受け部を有するボート本体と、このボート本体の上側
に摺動可能に設けられ、成長すべき結晶の成分元素を含
む融液を入れる鉛直方向の貫通孔が形成されたボートス
ライダと、上記ボートスライダの底面内で上記ボート本
体との摺動に伴って上記貫通孔よりも先に上記基板受け
部に面する側に形成され、下方に開口する凹部と、上記
ボートスライダの上記凹部内に設けられ、ダミー基板を
保持できる保持部と、上記ボート本体の上部で上記ボー
トスライダとの摺動に伴って上記基板受け部よりも先に
上記ボートスライダの上記凹部に面する側に形成され、
上記貫通孔と上記凹部とを一時的に連通できる溝を備え
て、上記ボートスライダとボート本体との摺動を開始し
た後、上記ボート本体の上記溝を介して上記ボートスラ
イダの上記貫通孔と上記凹部とを連通させて上記貫通孔
から上記凹部に上記融液を移動させて、上記凹部内の保
持部に保持させたダミー基板に結晶成長を行い、続いて
上記融液と上記ボート本体の基板受け部に収めた半導体
基板とを接触させて、この半導体基板表面に結晶成長を
行うようにしたことを特徴としている。
、この発明の液相エピタキシャル成長方法は、上部に基
板受け部を有するボート本体と、このボート本体の上側
に摺動可能に設けられ、成長すべき結晶の成分元素を含
む融液を入れる鉛直方向の貫通孔が形成されたボートス
ライダと、上記ボートスライダの底面内で上記ボート本
体との摺動に伴って上記貫通孔よりも先に上記基板受け
部に面する側に形成され、下方に開口する凹部と、上記
ボートスライダの上記凹部内に設けられ、ダミー基板を
保持できる保持部と、上記ボート本体の上部で上記ボー
トスライダとの摺動に伴って上記基板受け部よりも先に
上記ボートスライダの上記凹部に面する側に形成され、
上記貫通孔と上記凹部とを一時的に連通できる溝を備え
て、上記ボートスライダとボート本体との摺動を開始し
た後、上記ボート本体の上記溝を介して上記ボートスラ
イダの上記貫通孔と上記凹部とを連通させて上記貫通孔
から上記凹部に上記融液を移動させて、上記凹部内の保
持部に保持させたダミー基板に結晶成長を行い、続いて
上記融液と上記ボート本体の基板受け部に収めた半導体
基板とを接触させて、この半導体基板表面に結晶成長を
行うようにしたことを特徴としている。
【０００７】
【作用】ボートスライダの凹部内の保持部に保持させた
ダミー基板に結晶成長を行うことによって、各層の成長
開始の際に、上記凹部内の融液の飽和度が低下する。し
たがって、続いて上記融液とボート本体の基板受け部に
収めた半導体基板とを接触させて結晶成長を行う場合、
制御された飽和度の融液でもって成長が開始される。し
たがって、層厚１．０μｍ以下の薄い層を成長する場合
であっても層厚均一性の良い成長が可能となる。
ダミー基板に結晶成長を行うことによって、各層の成長
開始の際に、上記凹部内の融液の飽和度が低下する。し
たがって、続いて上記融液とボート本体の基板受け部に
収めた半導体基板とを接触させて結晶成長を行う場合、
制御された飽和度の融液でもって成長が開始される。し
たがって、層厚１．０μｍ以下の薄い層を成長する場合
であっても層厚均一性の良い成長が可能となる。
【０００８】なお、この発明によれば、成長温度，成長
時間，過冷却度および降温速度の各パラメータに更に飽
和度のパラメータを加えたことになる。
時間，過冷却度および降温速度の各パラメータに更に飽
和度のパラメータを加えたことになる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の液相エピタキシャル成長方
法を図示の実施例により詳細に説明する。
法を図示の実施例により詳細に説明する。
【００１０】図１（ａ）に示すように、この液相エピタ
キシャル成長装置は、図２に示した液相エピタキシャル
成長装置と同様に、鉛直方向の貫通孔３，４，５および
６を有するボートスライダ１と、上部に断面凹状の基板
受け部１を有するボート本体２を備えている。ボートス
ライダ１，ボート本体２はそれぞれ高純度のカーボンか
らなり、ボートスライダ１の底面１ａとボート本体２の
上面２ａとは摺動できるようになっている。上記ボート
スライダ１の貫通孔３，…，６は、２段になっており、
それぞれ上部３ａ，…，６ａの幅が下部３ｂ，…，６ｂ
の幅よりも広くなっている。ボートスライダ１には、底
面１ａ内でボート本体２との摺動に伴って各貫通孔３，
…，６よりもそれぞれ先にボート本体２の基板受け部１
１に面する側、すなわち図１（ａ）において各貫通孔３
，…，６の右側近傍に、それぞれ下方に開口する凹部７
，８，９，１０を設けている。これらの凹部のうち右側
に設けた凹部７，８の上部に、側壁を各凹部の開口寸法
よりも拡張してダミー基板用の保持部７ａ，８ａを形成
している。一方、ボート本体２の上部に、上記ボートス
ライダ１との摺動に伴って上記基板受け部１１よりも先
に上記ボートスライダ１の各凹部７，…，１０に面する
側、すなわち図１（ａ）において基板受け部１１の左側
に溝１２を設けている。溝１２は、ボートスライダ１と
ボート本体２との摺動に伴って、上記ボートスライダ１
の貫通孔下部３ｂ，…，６ｂとその右側の凹部７，…，
１０とをそれぞれ一時的に連通することができる。
キシャル成長装置は、図２に示した液相エピタキシャル
成長装置と同様に、鉛直方向の貫通孔３，４，５および
６を有するボートスライダ１と、上部に断面凹状の基板
受け部１を有するボート本体２を備えている。ボートス
ライダ１，ボート本体２はそれぞれ高純度のカーボンか
らなり、ボートスライダ１の底面１ａとボート本体２の
上面２ａとは摺動できるようになっている。上記ボート
スライダ１の貫通孔３，…，６は、２段になっており、
それぞれ上部３ａ，…，６ａの幅が下部３ｂ，…，６ｂ
の幅よりも広くなっている。ボートスライダ１には、底
面１ａ内でボート本体２との摺動に伴って各貫通孔３，
…，６よりもそれぞれ先にボート本体２の基板受け部１
１に面する側、すなわち図１（ａ）において各貫通孔３
，…，６の右側近傍に、それぞれ下方に開口する凹部７
，８，９，１０を設けている。これらの凹部のうち右側
に設けた凹部７，８の上部に、側壁を各凹部の開口寸法
よりも拡張してダミー基板用の保持部７ａ，８ａを形成
している。一方、ボート本体２の上部に、上記ボートス
ライダ１との摺動に伴って上記基板受け部１１よりも先
に上記ボートスライダ１の各凹部７，…，１０に面する
側、すなわち図１（ａ）において基板受け部１１の左側
に溝１２を設けている。溝１２は、ボートスライダ１と
ボート本体２との摺動に伴って、上記ボートスライダ１
の貫通孔下部３ｂ，…，６ｂとその右側の凹部７，…，
１０とをそれぞれ一時的に連通することができる。
【００１１】結晶成長を行う場合、上記ボートスライダ
１の貫通孔３，…，６にそれぞれ成長すべき結晶の成分
元素を含む多結晶状態の原料を入れる。そして、ボート
スライダ１の凹部７，８に形成した保持部７ａ，８ａに
ダミー基板１３，１４を装着する一方、上記ボート本体
２の基板受け部１１に半導体基板１５を載置する。次に
、この系全体を水素雰囲気中で温度７００〜８００℃程
度に所定の時間保持する。そして、上記原料を溶融して
融液１６，１７，１８，１９となした後、０．２〜１℃
／ｍｉｎの速さで所定の温度まで降温する。この時、各
融液１６，１７，１８，１９は過飽和の状態となる。続
いて、図１（ｂ）に示すように、ボートスライダ１をボ
ート本体２に対して右方向へ摺動させて、ボート本体２
の溝１２によって上記ボートスライダ１の貫通孔１３と
凹部７とを一時的に連通させる。これにより、貫通孔３
内の融液１６は、上記溝１２を通って移動して凹部７内
へ注入される。上記融液１６は、貫通孔３からの移動に
よって攪拌される結果、ボートスライダ１またはボート
本体２に多少の温度分布があったとしても、略均一な飽
和（過飽和）融液となって凹部７内へ注入される。この
状態で所定時間だけダミー基板１３に結晶成長を行う。 これにより、凹部７内の融液１６を所定の飽和レベルに
低下させる。次に、さらに右方向へボートスライダ１を
摺動させて、凹部７内の融液１６と基板受け部１１内の
基板１５とを接触させ、基板１５上に結晶成長を行う。 結晶成長を開始する時点で融液１６を所定の飽和レベル
に低下させているので、たとえ層厚１．０μｍ以下の薄
い層を成長する場合であっても、均一な層厚で結晶成長
を行うことができる。 この後、全く同様に、ボートスライダ１をさらに右方向
へ移動させて、融液１７，を凹部８内へ移動，注入して
ダミー基板１４に結晶成長を行い、続いて、基板１１上
に結晶成長を行う。そして、ボートスライダ１をさらに
右方向へ移動させて、融液１８，１９をそれぞれ凹部９
，１０内へ移動，注入した状態で、基板１１上に順次結
晶成長を行う。このようにして、層厚均一性の良いエピ
タキシャル層を次々と形成することができる。
１の貫通孔３，…，６にそれぞれ成長すべき結晶の成分
元素を含む多結晶状態の原料を入れる。そして、ボート
スライダ１の凹部７，８に形成した保持部７ａ，８ａに
ダミー基板１３，１４を装着する一方、上記ボート本体
２の基板受け部１１に半導体基板１５を載置する。次に
、この系全体を水素雰囲気中で温度７００〜８００℃程
度に所定の時間保持する。そして、上記原料を溶融して
融液１６，１７，１８，１９となした後、０．２〜１℃
／ｍｉｎの速さで所定の温度まで降温する。この時、各
融液１６，１７，１８，１９は過飽和の状態となる。続
いて、図１（ｂ）に示すように、ボートスライダ１をボ
ート本体２に対して右方向へ摺動させて、ボート本体２
の溝１２によって上記ボートスライダ１の貫通孔１３と
凹部７とを一時的に連通させる。これにより、貫通孔３
内の融液１６は、上記溝１２を通って移動して凹部７内
へ注入される。上記融液１６は、貫通孔３からの移動に
よって攪拌される結果、ボートスライダ１またはボート
本体２に多少の温度分布があったとしても、略均一な飽
和（過飽和）融液となって凹部７内へ注入される。この
状態で所定時間だけダミー基板１３に結晶成長を行う。 これにより、凹部７内の融液１６を所定の飽和レベルに
低下させる。次に、さらに右方向へボートスライダ１を
摺動させて、凹部７内の融液１６と基板受け部１１内の
基板１５とを接触させ、基板１５上に結晶成長を行う。 結晶成長を開始する時点で融液１６を所定の飽和レベル
に低下させているので、たとえ層厚１．０μｍ以下の薄
い層を成長する場合であっても、均一な層厚で結晶成長
を行うことができる。 この後、全く同様に、ボートスライダ１をさらに右方向
へ移動させて、融液１７，を凹部８内へ移動，注入して
ダミー基板１４に結晶成長を行い、続いて、基板１１上
に結晶成長を行う。そして、ボートスライダ１をさらに
右方向へ移動させて、融液１８，１９をそれぞれ凹部９
，１０内へ移動，注入した状態で、基板１１上に順次結
晶成長を行う。このようにして、層厚均一性の良いエピ
タキシャル層を次々と形成することができる。
【００１２】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の液
相エピタキシャル成長方法は、上部に基板受け部を有す
るボート本体と、このボート本体の上側に摺動可能に設
けられ、成長すべき結晶の成分元素を含む融液を入れる
鉛直方向の貫通孔が形成されたボートスライダと、上記
ボートスライダの底面内で上記ボート本体との摺動に伴
って上記貫通孔よりも先に上記基板受け部に面する側に
形成され、下方に開口する凹部と、上記ボートスライダ
の上記凹部内に設けられ、ダミー基板を保持できる保持
部と、上記ボート本体の上部で上記ボートスライダとの
摺動に伴って上記基板受け部よりも先に上記ボートスラ
イダの上記凹部に面する側に形成され、上記貫通孔と上
記凹部とを一時的に連通できる溝を備えて、上記ボート
スライダとボート本体との摺動を開始した後、上記ボー
ト本体の上記溝を介して上記ボートスライダの上記貫通
孔と上記凹部とを連通させて上記貫通孔から上記凹部に
上記融液を移動させて、上記凹部内の保持部に保持させ
たダミー基板に結晶成長を行い、続いて上記融液と上記
ボート本体の基板受け部に収めた半導体基板とを接触さ
せて、この半導体基板表面に結晶成長を行うようにして
いるので、層厚１．０μｍ以下の薄い層を成長する場合
であっても均一な層厚の結晶成長を行うことができる。
相エピタキシャル成長方法は、上部に基板受け部を有す
るボート本体と、このボート本体の上側に摺動可能に設
けられ、成長すべき結晶の成分元素を含む融液を入れる
鉛直方向の貫通孔が形成されたボートスライダと、上記
ボートスライダの底面内で上記ボート本体との摺動に伴
って上記貫通孔よりも先に上記基板受け部に面する側に
形成され、下方に開口する凹部と、上記ボートスライダ
の上記凹部内に設けられ、ダミー基板を保持できる保持
部と、上記ボート本体の上部で上記ボートスライダとの
摺動に伴って上記基板受け部よりも先に上記ボートスラ
イダの上記凹部に面する側に形成され、上記貫通孔と上
記凹部とを一時的に連通できる溝を備えて、上記ボート
スライダとボート本体との摺動を開始した後、上記ボー
ト本体の上記溝を介して上記ボートスライダの上記貫通
孔と上記凹部とを連通させて上記貫通孔から上記凹部に
上記融液を移動させて、上記凹部内の保持部に保持させ
たダミー基板に結晶成長を行い、続いて上記融液と上記
ボート本体の基板受け部に収めた半導体基板とを接触さ
せて、この半導体基板表面に結晶成長を行うようにして
いるので、層厚１．０μｍ以下の薄い層を成長する場合
であっても均一な層厚の結晶成長を行うことができる。
【図１】 この発明のを実施するのに用いる液相エピ
タキシャル成長装置を示す図である。
タキシャル成長装置を示す図である。
【図２】 従来の液相エピタキシャル成長装置を示す
図である。
図である。
１ ボートスライダ
１ａ 底面
２ ボート本体
２ａ 上面
３，４，５，６ 貫通孔
７，８，９，１０ 凹部
７ａ，８ａ 保持部
１１ 基板受け部
１２ 溝
１３，１４ ダミー基板
１５ 半導体基板
Claims (1)
- 【請求項１】 上部に基板受け部を有するボート本体
と、このボート本体の上側に摺動可能に設けられ、成長
すべき結晶の成分元素を含む融液を入れる鉛直方向の貫
通孔が形成されたボートスライダと、上記ボートスライ
ダの底面内で上記ボート本体との摺動に伴って上記貫通
孔よりも先に上記基板受け部に面する側に形成され、下
方に開口する凹部と、上記ボートスライダの上記凹部内
に設けられ、ダミー基板を保持できる保持部と、上記ボ
ート本体の上部で上記ボートスライダとの摺動に伴って
上記基板受け部よりも先に上記ボートスライダの上記凹
部に面する側に形成され、上記貫通孔と上記凹部とを一
時的に連通できる溝を備えて、上記ボートスライダとボ
ート本体との摺動を開始した後、上記ボート本体の上記
溝を介して上記ボートスライダの上記貫通孔と上記凹部
とを連通させて上記貫通孔から上記凹部に上記融液を移
動させて、上記凹部内の保持部に保持させたダミー基板
に結晶成長を行い、続いて上記融液と上記ボート本体の
基板受け部に収めた半導体基板とを接触させて、この半
導体基板表面に結晶成長を行うようにしたことを特徴と
する液相エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2988091A JPH04270192A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2988091A JPH04270192A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04270192A true JPH04270192A (ja) | 1992-09-25 |
Family
ID=12288295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2988091A Pending JPH04270192A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04270192A (ja) |
-
1991
- 1991-02-25 JP JP2988091A patent/JPH04270192A/ja active Pending
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