JPH045821A - 液相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシャル成長装置Info
- Publication number
- JPH045821A JPH045821A JP10689090A JP10689090A JPH045821A JP H045821 A JPH045821 A JP H045821A JP 10689090 A JP10689090 A JP 10689090A JP 10689090 A JP10689090 A JP 10689090A JP H045821 A JPH045821 A JP H045821A
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- JP
- Japan
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- boat
- slider
- melt
- hole
- recess
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
従来、この種の液相エピタキシャル成長装置としては例
えば第２図に示すようなものがある。この液相エピタキ
シャル成長装置は、高純度のカーボンからなり鉛直方向
の貫通孔２３．２４ ２５および２６を有するボートス
ライダ２１と、同じく高純度のカーボンからなり上部に
断面凹状の受け部２７を有するボート本体２２とを備え
ている。 ボートスライダ２１の底面２１ａとボート本体２２の上
面２２ａとは摺動できるようになっている。 結晶成長を行う場合、まず上記ボートスライダ２１の貫
通孔２３、−、２６に、それぞれ成長すべき結晶の成分
元素を含む多結晶状態の原料を入れる一方、上記ボート
本体２２の受υ部２７に半導体基板３５を載置する。次
に、この系全体を水素雰囲気中で温度７００〜８００°
Ｃ程度に所定の時間保持する。そして、上記原料を溶融
して融液３６゜３７．３８．３９となした後、０ 、２
〜１ ’Ｃ／ｍｉｎの速さで所定の温度まで降温する。 続いて、ボートスライダ２１をボート本体２２に対して
第２図において右方向へ摺動させて、融液３６を基板３
５の表面に接触させ、この状態で基板３５上に結晶成長
を行う。この後、ボートスライダ２Ｉをさらに摺動させ
て、融液３７，３８．３９を基板３５の表面に順次接触
させ、結晶層を次々と積層する。 なお、２８，２９，３０．３１は各融液３６．３７３８
．３９をそれぞれ、下方へ押圧する部材を示している。
えば第２図に示すようなものがある。この液相エピタキ
シャル成長装置は、高純度のカーボンからなり鉛直方向
の貫通孔２３．２４ ２５および２６を有するボートス
ライダ２１と、同じく高純度のカーボンからなり上部に
断面凹状の受け部２７を有するボート本体２２とを備え
ている。 ボートスライダ２１の底面２１ａとボート本体２２の上
面２２ａとは摺動できるようになっている。 結晶成長を行う場合、まず上記ボートスライダ２１の貫
通孔２３、−、２６に、それぞれ成長すべき結晶の成分
元素を含む多結晶状態の原料を入れる一方、上記ボート
本体２２の受υ部２７に半導体基板３５を載置する。次
に、この系全体を水素雰囲気中で温度７００〜８００°
Ｃ程度に所定の時間保持する。そして、上記原料を溶融
して融液３６゜３７．３８．３９となした後、０ 、２
〜１ ’Ｃ／ｍｉｎの速さで所定の温度まで降温する。 続いて、ボートスライダ２１をボート本体２２に対して
第２図において右方向へ摺動させて、融液３６を基板３
５の表面に接触させ、この状態で基板３５上に結晶成長
を行う。この後、ボートスライダ２Ｉをさらに摺動させ
て、融液３７，３８．３９を基板３５の表面に順次接触
させ、結晶層を次々と積層する。 なお、２８，２９，３０．３１は各融液３６．３７３８
．３９をそれぞれ、下方へ押圧する部材を示している。
ところで、上記ボートスライダ２１およびボート本体２
２は完全に均一な温度となるものではなく、ある程度の
温度分布を有している。このような温度分布のもとて溶
融した融液３６．・・、３９の飽和度は不均一な状態と
なっている。また融液３６、・・・、３９中には溶融せ
ずに残った多結晶も含まれている。にもかかわらず、上
記従来の液晶エピタキシャル成長装置は、」１記融液３
６、−．３９をそのまま基板３５に接触させて結晶成長
を行っている。このため、成長したエピタキシャル層の
厚みが不均一となったり、原料の多結晶に邪魔されて基
板３５上で局所的に成長できない箇所が生じたりすると
いう問題があった。 そこで、この発明の目的は、均一性の良いエピタキシャ
ル層を再現性良く成長することができる液相エピタキシ
ャル成長装置を提供することにある。
２は完全に均一な温度となるものではなく、ある程度の
温度分布を有している。このような温度分布のもとて溶
融した融液３６．・・、３９の飽和度は不均一な状態と
なっている。また融液３６、・・・、３９中には溶融せ
ずに残った多結晶も含まれている。にもかかわらず、上
記従来の液晶エピタキシャル成長装置は、」１記融液３
６、−．３９をそのまま基板３５に接触させて結晶成長
を行っている。このため、成長したエピタキシャル層の
厚みが不均一となったり、原料の多結晶に邪魔されて基
板３５上で局所的に成長できない箇所が生じたりすると
いう問題があった。 そこで、この発明の目的は、均一性の良いエピタキシャ
ル層を再現性良く成長することができる液相エピタキシ
ャル成長装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、この発明は、成長すべき結
晶の成分元素を含む融液を入れた鉛直方向の貫通孔を有
するボートスライダと、このボートスライダの下側に配
置され、半導体基板を収めた受け部を有するホード本体
とを相対的に水平方向に摺動させて、」１記融液を上記
基板表面に接触させて結晶成長を行う液相エピタキシャ
ル成長装置において、上記ボートスライダの底面内で上
記ボート本体との摺動に伴って上記貫通孔よりも先に上
記基板に面ずろ側に、下方に開口する凹部を設ける一方
、上記ボート本体の上部で上記ボートスライダとの摺動
に伴って上記受け部よりも先に上記ボートスライダの上
記凹部に面する側に、上記貫通孔と上記凹部とを一時的
に連通できる溝を設けて、上記ボートスライダとボート
本体との摺動を開始した後、上記ボート本体の上記溝を
介して上記ボートスライダの上記貫通孔と上記凹部とを
連通させて上記貫通孔から上記凹部に」１記融液を移動
させ、続いて上記ボートスライダの上記間部内に移動し
た融液と上記ボート本体の受け部に収めた基板とを接触
させて結晶成長を行うようにしたことを特徴としている
。 また、上記ボートスライダに、上記凹部に連通ずるガス
抜き用の孔を設けるのが望ましい。
晶の成分元素を含む融液を入れた鉛直方向の貫通孔を有
するボートスライダと、このボートスライダの下側に配
置され、半導体基板を収めた受け部を有するホード本体
とを相対的に水平方向に摺動させて、」１記融液を上記
基板表面に接触させて結晶成長を行う液相エピタキシャ
ル成長装置において、上記ボートスライダの底面内で上
記ボート本体との摺動に伴って上記貫通孔よりも先に上
記基板に面ずろ側に、下方に開口する凹部を設ける一方
、上記ボート本体の上部で上記ボートスライダとの摺動
に伴って上記受け部よりも先に上記ボートスライダの上
記凹部に面する側に、上記貫通孔と上記凹部とを一時的
に連通できる溝を設けて、上記ボートスライダとボート
本体との摺動を開始した後、上記ボート本体の上記溝を
介して上記ボートスライダの上記貫通孔と上記凹部とを
連通させて上記貫通孔から上記凹部に」１記融液を移動
させ、続いて上記ボートスライダの上記間部内に移動し
た融液と上記ボート本体の受け部に収めた基板とを接触
させて結晶成長を行うようにしたことを特徴としている
。 また、上記ボートスライダに、上記凹部に連通ずるガス
抜き用の孔を設けるのが望ましい。
ボートスライダとボート本体との摺動に伴って、まずボ
ート本体の溝を介して上記ボートスライダの貫通孔と凹
部とが一時的に連通ずる。この時、上記貫通孔内の融液
は、上記溝を通って移動して上記凹部へ注入される。続
いて、上記凹部内の上記融液と上記ボート本体の受け部
に収められた基板とが接触して、結晶成長が行われる。 このように結晶成長が行われる場合、上記融液は、基板
き接触する前に上記貫通孔から上記凹部への移動注入に
よって撹拌される。この結果、上記ボートスライダまた
はボート本体に多少の温度分布があったとしても、基板
と接触する際には均一な飽和融液となっている。しかも
、上記貫通孔内において融液に含まれていた多結晶も撹
拌されて溶融してしまうので、上記基板上に局所的に成
長できない箇所が生じなくなる。したがって、エピタキ
シャル層が均一性良く形成される。 また、上記ボートスライダに、上記凹部に連通ずるガス
抜き用の孔を設けた場合、上記融液が」−記凹部に一杯
に注入される。したがって、基板表面に接触する融液里
が一定となって、均一性の良いエピタキシャル層が再現
性良く形成される。
ート本体の溝を介して上記ボートスライダの貫通孔と凹
部とが一時的に連通ずる。この時、上記貫通孔内の融液
は、上記溝を通って移動して上記凹部へ注入される。続
いて、上記凹部内の上記融液と上記ボート本体の受け部
に収められた基板とが接触して、結晶成長が行われる。 このように結晶成長が行われる場合、上記融液は、基板
き接触する前に上記貫通孔から上記凹部への移動注入に
よって撹拌される。この結果、上記ボートスライダまた
はボート本体に多少の温度分布があったとしても、基板
と接触する際には均一な飽和融液となっている。しかも
、上記貫通孔内において融液に含まれていた多結晶も撹
拌されて溶融してしまうので、上記基板上に局所的に成
長できない箇所が生じなくなる。したがって、エピタキ
シャル層が均一性良く形成される。 また、上記ボートスライダに、上記凹部に連通ずるガス
抜き用の孔を設けた場合、上記融液が」−記凹部に一杯
に注入される。したがって、基板表面に接触する融液里
が一定となって、均一性の良いエピタキシャル層が再現
性良く形成される。
以下、この発明の液晶エピタキシャル装置を実施例によ
り詳細に説明する。 第１図（ａ）に示すように、この液相エピタキシャル成
長装置は、鉛直方向の貫通孔３ 、４． 、５および６
を有するボートスライダ１と、上部に断面凹状の受げ部
１１を有するボート本体２を備えている。 従来と同様に、ボートスライダ１．ボート本体２はそれ
ぞれ高純度のカーボンからなり、ボートスライダ１の底
面１ａとボート本体２の上面２ａとは摺動できるように
なっている。上記ボートスライダ１の貫通孔３．・・、
６は、２段になっており、それぞれ上部３ａ、・・・、
６ｇの幅が下部３ｂ、・・・、６ｂの幅よりも広くなっ
ている。ボートスライダ１には、底面ｌａ内でボート本
体２との摺動に伴って各貫通孔３．・・、６よりもそれ
ぞれ先にボート本体２の受け部１１に面する側、すなわ
ち第１図（ａ）において各貫通孔３．・・、６の右側近
傍に、それぞれ下方に開口する凹部７，８，９．１０を
設けている。 さらにこのボートスライダ１を貫通して各凹部７・・・
、１０の上側に連通ずるガス抜き用の孔７ ａ、 ８
ａ。 ９ａ、ＩＯａを設けている。一方、ボート本体２の上部
に、上記ボートスライダｌとの摺動に伴って上記受け部
１１よりも先に上記ボートスライダ１の各凹部７．・・
・、１０に面する側、すなわち第１図（ａ）において受
け部ＩＩの左側に溝１２を設けている。溝１２は、ボー
トスライダ１とボート本体２との摺動に伴って、上記ボ
ーＩ・スライダｌの貫通孔下部３ｂ、・・・、６ｂとそ
の右側の凹部７．・・・ １０とをそれぞれ一時的に連
通ずることができる。 結晶成長を行う場合、まず従来と同様に、上記ホードス
ライダｌの貫通孔３．・・・、６にそれぞれ成長すべき
結晶の成分元素を含む多結晶状態の原料を入れる一方、
上記ボート本体２の受け部ＩＩに半導体基板１５を載置
する。次に、この系全体を水素雰囲気中で温度７００〜
８００°Ｃ程度に所定の時間保持する。そして、上記原
料を溶融して融液１６．１７．１８．１９となした後、
０２〜１°Ｃ／ ｍ ｉ ｎの速さで所定の温度まで降
温する。続いて、第３図（ｂ）に示すように、ボートス
ライダＩをボート本体２に対して右方向へ摺動させて、
ボート本体２の溝１２によって上記ボートスライダ１の
貫通孔３と凹部７とを一時的に連通させる。この時、貫
通孔３内の融液Ｉ６は、」−配溝！２を通って移動して
凹部７内へ注入される。上記融液１６は貫通孔３から凹
部７への移動、注入によって撹拌される。この結果、ボ
ートスライダ１またはボート本体２に多少の温度分布が
あったとしても、均一な飽和融液となる。しかし、貫通
孔７内において融液１６に含まれていた多結晶も撹拌さ
れて溶融してしまう。また、凹部７内を満たしていた水
素ガスはガス抜き用の孔７ａを通して逃げるので、凹部
７内は融液１６によって一杯まで満たされる。この状態
でさらに右方向へボートスライダ１を摺動させて、凹部
７内の融液１６と受け部１１内の基板１５とを接触さ仕
、基板１５上に結晶成長を行う。このようにした場合、
凹部７内の融液Ｉ６は均一な飽和融液となっているので
、エピタキシャル層を均一性良く形成することができる
。 しかも、ボートスライダ１の貫通孔３内において融液１
６に含まれている多結晶も撹拌されて溶融してしまうの
で、基板１５」二に局所的に成長できない箇所が生じた
りするのを防止することができる。さらに、基板１５に
接触する融液１６の量を一定（凹部の容量）にできるの
で、均一性の良いエピタキシャル層を再現性良く形成す
ることができる。 なお、この後、ボートスライダｌをさらに右方向へ移動
させて、融／＆＋ ７．１８．１９をそれぞれ凹部８，
９．１０内へ移動、注入した状態で、基板ｌｌ上に順次
結晶成長を行う。融液１６による場合と全く同様に、均
一性の良いエピタキシャル層を再現性良く次々と形成す
ることができる。
り詳細に説明する。 第１図（ａ）に示すように、この液相エピタキシャル成
長装置は、鉛直方向の貫通孔３ 、４． 、５および６
を有するボートスライダ１と、上部に断面凹状の受げ部
１１を有するボート本体２を備えている。 従来と同様に、ボートスライダ１．ボート本体２はそれ
ぞれ高純度のカーボンからなり、ボートスライダ１の底
面１ａとボート本体２の上面２ａとは摺動できるように
なっている。上記ボートスライダ１の貫通孔３．・・、
６は、２段になっており、それぞれ上部３ａ、・・・、
６ｇの幅が下部３ｂ、・・・、６ｂの幅よりも広くなっ
ている。ボートスライダ１には、底面ｌａ内でボート本
体２との摺動に伴って各貫通孔３．・・、６よりもそれ
ぞれ先にボート本体２の受け部１１に面する側、すなわ
ち第１図（ａ）において各貫通孔３．・・、６の右側近
傍に、それぞれ下方に開口する凹部７，８，９．１０を
設けている。 さらにこのボートスライダ１を貫通して各凹部７・・・
、１０の上側に連通ずるガス抜き用の孔７ ａ、 ８
ａ。 ９ａ、ＩＯａを設けている。一方、ボート本体２の上部
に、上記ボートスライダｌとの摺動に伴って上記受け部
１１よりも先に上記ボートスライダ１の各凹部７．・・
・、１０に面する側、すなわち第１図（ａ）において受
け部ＩＩの左側に溝１２を設けている。溝１２は、ボー
トスライダ１とボート本体２との摺動に伴って、上記ボ
ーＩ・スライダｌの貫通孔下部３ｂ、・・・、６ｂとそ
の右側の凹部７．・・・ １０とをそれぞれ一時的に連
通ずることができる。 結晶成長を行う場合、まず従来と同様に、上記ホードス
ライダｌの貫通孔３．・・・、６にそれぞれ成長すべき
結晶の成分元素を含む多結晶状態の原料を入れる一方、
上記ボート本体２の受け部ＩＩに半導体基板１５を載置
する。次に、この系全体を水素雰囲気中で温度７００〜
８００°Ｃ程度に所定の時間保持する。そして、上記原
料を溶融して融液１６．１７．１８．１９となした後、
０２〜１°Ｃ／ ｍ ｉ ｎの速さで所定の温度まで降
温する。続いて、第３図（ｂ）に示すように、ボートス
ライダＩをボート本体２に対して右方向へ摺動させて、
ボート本体２の溝１２によって上記ボートスライダ１の
貫通孔３と凹部７とを一時的に連通させる。この時、貫
通孔３内の融液Ｉ６は、」−配溝！２を通って移動して
凹部７内へ注入される。上記融液１６は貫通孔３から凹
部７への移動、注入によって撹拌される。この結果、ボ
ートスライダ１またはボート本体２に多少の温度分布が
あったとしても、均一な飽和融液となる。しかし、貫通
孔７内において融液１６に含まれていた多結晶も撹拌さ
れて溶融してしまう。また、凹部７内を満たしていた水
素ガスはガス抜き用の孔７ａを通して逃げるので、凹部
７内は融液１６によって一杯まで満たされる。この状態
でさらに右方向へボートスライダ１を摺動させて、凹部
７内の融液１６と受け部１１内の基板１５とを接触さ仕
、基板１５上に結晶成長を行う。このようにした場合、
凹部７内の融液Ｉ６は均一な飽和融液となっているので
、エピタキシャル層を均一性良く形成することができる
。 しかも、ボートスライダ１の貫通孔３内において融液１
６に含まれている多結晶も撹拌されて溶融してしまうの
で、基板１５」二に局所的に成長できない箇所が生じた
りするのを防止することができる。さらに、基板１５に
接触する融液１６の量を一定（凹部の容量）にできるの
で、均一性の良いエピタキシャル層を再現性良く形成す
ることができる。 なお、この後、ボートスライダｌをさらに右方向へ移動
させて、融／＆＋ ７．１８．１９をそれぞれ凹部８，
９．１０内へ移動、注入した状態で、基板ｌｌ上に順次
結晶成長を行う。融液１６による場合と全く同様に、均
一性の良いエピタキシャル層を再現性良く次々と形成す
ることができる。
以」二より明らかなように、この発明の液相エピタキシ
ャル成長装置は、上記ボートスライダの底面内で上記ボ
ー）・本体との摺動に伴って−に配置通孔よりも先に上
記基板に面する側に、下方に開口する凹部を設ける一方
、上記ボート本体の」一部で上記ボートスライダとの摺
動に伴って上記受け部よりも先に上記ボートスライダの
上記凹部に面する側に上記貫通孔と上記凹、部とを一時
的に連通できるｉｆ／７を設けて、北記ボートスライダ
とボート本体との摺動を開始した後、上記ボート本体の
上記溝を介して上記ボートスライダの上記貫通孔と上記
凹部とを連通させて上記貫通孔から上記凹部に上記融液
を移動させ、続いて上記ボートスライダの上記凹部内に
移動した融液と」１記ボート本体の受け部に収めた基板
とを接触さ什て結晶成長を行うようにしているので、エ
ピタキシャル層を均一性良く形成することができる。 また、上記ボートスライダに、上記凹部に連通ずるガス
抜ぎ用の孔を設＋：Ｉだ場合、均一性の良いエピタキシ
ャル層を再現性良く形成することができる。
ャル成長装置は、上記ボートスライダの底面内で上記ボ
ー）・本体との摺動に伴って−に配置通孔よりも先に上
記基板に面する側に、下方に開口する凹部を設ける一方
、上記ボート本体の」一部で上記ボートスライダとの摺
動に伴って上記受け部よりも先に上記ボートスライダの
上記凹部に面する側に上記貫通孔と上記凹、部とを一時
的に連通できるｉｆ／７を設けて、北記ボートスライダ
とボート本体との摺動を開始した後、上記ボート本体の
上記溝を介して上記ボートスライダの上記貫通孔と上記
凹部とを連通させて上記貫通孔から上記凹部に上記融液
を移動させ、続いて上記ボートスライダの上記凹部内に
移動した融液と」１記ボート本体の受け部に収めた基板
とを接触さ什て結晶成長を行うようにしているので、エ
ピタキシャル層を均一性良く形成することができる。 また、上記ボートスライダに、上記凹部に連通ずるガス
抜ぎ用の孔を設＋：Ｉだ場合、均一性の良いエピタキシ
ャル層を再現性良く形成することができる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）はこの発明の一実施例の液相
エピタギシャル成長装置を用いて結晶成長を行う工程を
示す図、第２図は従来の液相エピタギシャル成長装置の
構成を示す断面図である。 １ ボートスライダ、２ ボート本体、３．４，５．６
・・・貫通孔、７，８，９．１０・・・凹部、ｌｌ 受
（プ部、１２ ・溝、１５・・・半導体基板、１６．１
７，１８．１９・・・融液。
エピタギシャル成長装置を用いて結晶成長を行う工程を
示す図、第２図は従来の液相エピタギシャル成長装置の
構成を示す断面図である。 １ ボートスライダ、２ ボート本体、３．４，５．６
・・・貫通孔、７，８，９．１０・・・凹部、ｌｌ 受
（プ部、１２ ・溝、１５・・・半導体基板、１６．１
７，１８．１９・・・融液。
Claims (2)
- （１）成長すべき結晶の成分元素を含む融液を入れた鉛
直方向の貫通孔を有するボートスライダと、このボート
スライダの下側に配置され、半導体基板を収めた受け部
を有するボート本体とを相対的に水平方向に摺動させて
、上記融液を上記基板表面に接触させて結晶成長を行う
液相エピタキシャル成長装置において、 上記ボートスライダの底面内で上記ボート本体との摺動
に伴って上記貫通孔よりも先に上記基板に面する側に、
下方に開口する凹部を設ける一方、上記ボート本体の上
部で上記ボートスライダとの摺動に伴って上記受け部よ
りも先に上記ボートスライダの上記凹部に面する側に、
上記貫通孔と上記凹部とを一時的に連通できる溝を設け
て、上記ボートスライダとボート本体との摺動を開始し
た後、上記ボート本体の上記溝を介して上記ボートスラ
イダの上記貫通孔と上記凹部とを連通させて上記貫通孔
から上記凹部に上記融液を移動させ、続いて上記ボート
スライダの上記凹部内に移動した融液と上記ボート本体
の受け部に収めた基板とを接触させて結晶成長を行うよ
うにしたことを特徴とする液相エピタキシャル装置。 - （２）上記ボートスライダに、上記凹部に連通するガス
抜き用の孔を設けたことを特徴とする請求項１に記載の
液相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10689090A JPH045821A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10689090A JPH045821A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH045821A true JPH045821A (ja) | 1992-01-09 |
Family
ID=14445078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10689090A Pending JPH045821A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH045821A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008515596A (ja) * | 2004-10-12 | 2008-05-15 | バイオダーム・インコーポレイテッド | 尿収集アセンブリ |
-
1990
- 1990-04-23 JP JP10689090A patent/JPH045821A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008515596A (ja) * | 2004-10-12 | 2008-05-15 | バイオダーム・インコーポレイテッド | 尿収集アセンブリ |
| JP4939422B2 (ja) * | 2004-10-12 | 2012-05-23 | バイオダーム・インコーポレイテッド | 尿収集アセンブリ |
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