JPH0427123A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0427123A JPH0427123A JP13207690A JP13207690A JPH0427123A JP H0427123 A JPH0427123 A JP H0427123A JP 13207690 A JP13207690 A JP 13207690A JP 13207690 A JP13207690 A JP 13207690A JP H0427123 A JPH0427123 A JP H0427123A
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- Japan
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- cleaning
- washing
- chemical liquid
- diluted
- chemical solution
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造におけるウェーハ、マスク。
レチクルなどの洗浄方法に係り、特に、洗浄薬液に浸漬
して行う洗浄方法に関し、 その浸漬後の被洗浄物上の洗浄薬液を除去する濯ぎが良
好に行われるようにすることを目的とし、被洗浄物を洗
浄薬液に浸漬して洗浄する工程と、該被洗浄物を該洗浄
薬液と同じ薬液の水希釈液である希釈薬液に浸漬して濯
ぐ工程と、該被洗浄物を水に浸漬して濯ぐ工程を、その
順に有するように構成する。
して行う洗浄方法に関し、 その浸漬後の被洗浄物上の洗浄薬液を除去する濯ぎが良
好に行われるようにすることを目的とし、被洗浄物を洗
浄薬液に浸漬して洗浄する工程と、該被洗浄物を該洗浄
薬液と同じ薬液の水希釈液である希釈薬液に浸漬して濯
ぐ工程と、該被洗浄物を水に浸漬して濯ぐ工程を、その
順に有するように構成する。
（産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造におけるウェーハ。
マスク、レチクルなどの洗浄方法に係り、特に、洗浄薬
液に浸漬して行う洗浄方法に関する。
液に浸漬して行う洗浄方法に関する。
近年、半導体装置のパターン微細化に伴い、半導体装置
の製造では、ウェーハ、マスク、レチクルなと（以下、
基板と略称する）の表面に残存する微細な異物が問題と
なっている。このため基板を洗浄する工程が組み込まれ
るが、その洗浄方法が洗浄薬液に浸漬して行うものであ
る場合には、基板上に洗浄薬液が残らないようにするこ
とが重要である。
の製造では、ウェーハ、マスク、レチクルなと（以下、
基板と略称する）の表面に残存する微細な異物が問題と
なっている。このため基板を洗浄する工程が組み込まれ
るが、その洗浄方法が洗浄薬液に浸漬して行うものであ
る場合には、基板上に洗浄薬液が残らないようにするこ
とが重要である。
第２図は洗浄薬液に浸漬して行う洗浄方法の従来例の説
明図である。
明図である。
同図において、１〜５は洗浄槽であり、洗浄槽１，３〜
５には純水（または温純水）６を入れてあり、洗浄槽２
には洗浄薬液７を入れである。
５には純水（または温純水）６を入れてあり、洗浄槽２
には洗浄薬液７を入れである。
洗浄薬液７は、ＨＮＯ３，ＨｚＳＯａなどの強酸を用い
る他、Ｋ２Ｃｒｚ（１＋ ＋ ＨｇＳＯ４（通称、クロ
ム混酸）、）ＩＮ（ｈ＋Ｈ２Ｓ０４（通称、ＮＡＳＡ）
、Ｈ２０□＋Ｈ２Ｓ０４（通称、ＰＯ３）などの混酸を
用いる。各洗浄槽１〜５は、通常、石英ガラスやテフロ
ンなど化学的に安定な材質で作られたものを用いる。
る他、Ｋ２Ｃｒｚ（１＋ ＋ ＨｇＳＯ４（通称、クロ
ム混酸）、）ＩＮ（ｈ＋Ｈ２Ｓ０４（通称、ＮＡＳＡ）
、Ｈ２０□＋Ｈ２Ｓ０４（通称、ＰＯ３）などの混酸を
用いる。各洗浄槽１〜５は、通常、石英ガラスやテフロ
ンなど化学的に安定な材質で作られたものを用いる。
洗浄の操作は、被洗浄物Ｓである基板を洗浄用ホルダー
で保持し、洗浄槽１→２→３→４→５の順で純水６また
は洗浄薬液７に所定時間宛浸漬して行う。洗浄槽１は予
備洗浄、洗浄槽２は本洗浄であり、洗浄槽３〜５は基板
Ｓ上の洗浄薬液７を除去する濯ぎ（リンス）である。
で保持し、洗浄槽１→２→３→４→５の順で純水６また
は洗浄薬液７に所定時間宛浸漬して行う。洗浄槽１は予
備洗浄、洗浄槽２は本洗浄であり、洗浄槽３〜５は基板
Ｓ上の洗浄薬液７を除去する濯ぎ（リンス）である。
しかしながら上記従来例では、洗浄槽３〜５による濯ぎ
が不十分で基板Ｓ上に薬液成分が残留しこれが洗浄終了
後に結晶となって析出する場合がある。そしてそのこと
が製品の歩留り低下を招く原因となっていた。
が不十分で基板Ｓ上に薬液成分が残留しこれが洗浄終了
後に結晶となって析出する場合がある。そしてそのこと
が製品の歩留り低下を招く原因となっていた。
そこで本発明は、洗浄薬液に浸漬して行う洗浄方法にお
いて、その浸漬後の被洗浄物上の洗浄薬液を除去する濯
ぎが良好に行われるようにすることを目的とする。
いて、その浸漬後の被洗浄物上の洗浄薬液を除去する濯
ぎが良好に行われるようにすることを目的とする。
（課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明の洗浄方法は、被洗
浄物を洗浄薬液に浸漬して洗浄する工程と、該被洗浄物
を該洗浄薬液と同じ薬液の水希釈液である希釈薬液に浸
漬して濯ぐ工程と、該被洗浄物を水に浸漬して濯く工程
を、その順に有することを特徴としている。
浄物を洗浄薬液に浸漬して洗浄する工程と、該被洗浄物
を該洗浄薬液と同じ薬液の水希釈液である希釈薬液に浸
漬して濯ぐ工程と、該被洗浄物を水に浸漬して濯く工程
を、その順に有することを特徴としている。
この洗浄方法は、本発明者の多くの経験から見出したも
のであり、洗浄薬液で洗浄した後の浸漬濯ぎにおいて、
その初頭に上記希釈薬液への浸漬を行うことにより、最
初から水に浸漬する場合よりも被洗浄物上の洗浄薬液が
より早く除去されて、その濯ぎが良好に行われるように
なったものである。
のであり、洗浄薬液で洗浄した後の浸漬濯ぎにおいて、
その初頭に上記希釈薬液への浸漬を行うことにより、最
初から水に浸漬する場合よりも被洗浄物上の洗浄薬液が
より早く除去されて、その濯ぎが良好に行われるように
なったものである。
（実施例〕
以下本発明の実施例について第１図を用いて説明する。
全図を通し同一符号は同一対象物を示す。
同図に示す実施例は、第２図で説明した従来例の洗浄槽
３に入れた純水６を洗浄薬液７と同じ薬液の水希釈液で
ある希釈薬液８に換えて、従来例と同じ操作で被洗浄物
Ｓを洗浄するものである。
３に入れた純水６を洗浄薬液７と同じ薬液の水希釈液で
ある希釈薬液８に換えて、従来例と同じ操作で被洗浄物
Ｓを洗浄するものである。
本発明者は、以下の比較実験を行って実施例の効果を確
認した。
認した。
即ち、実施例においては、洗浄槽２の洗浄薬液７は濃硫
酸（ＨｇＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ２０□）を６４：
１（重量比）の割合で混合したＰＯ３で液温８０°Ｃ１
洗浄槽３の希釈薬液８はこのＰＯ８を純水で１０倍に希
釈した液で液温２２℃、洗浄槽４，５の純水６は液温２
２°Ｃ１であり、洗浄槽３〜５は１０！の容量でそれぞ
れが１５！／分でオーバーフローさせるようにした。ま
た、各洗浄槽１〜５における被洗浄物の浸漬時間は一律
５分に設定した。
酸（ＨｇＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ２０□）を６４：
１（重量比）の割合で混合したＰＯ３で液温８０°Ｃ１
洗浄槽３の希釈薬液８はこのＰＯ８を純水で１０倍に希
釈した液で液温２２℃、洗浄槽４，５の純水６は液温２
２°Ｃ１であり、洗浄槽３〜５は１０！の容量でそれぞ
れが１５！／分でオーバーフローさせるようにした。ま
た、各洗浄槽１〜５における被洗浄物の浸漬時間は一律
５分に設定した。
一方、これと対比させる従来例においては、上記条件か
ら洗浄槽３の希釈液８を液温２２°Ｃの純水６に換えた
のみで、その他の条件は上記のままにした。
ら洗浄槽３の希釈液８を液温２２°Ｃの純水６に換えた
のみで、その他の条件は上記のままにした。
そして、被洗浄物Ｓに５インチ角のレチクル用ガラス基
板を用い、洗浄槽５による濯ぎを済ませた後の基板Ｓ上
に残留する硫酸イオンをイオンクロマトクラフィー分析
により定量した。その結果は、基板Ｓ−枚あたりの硫酸
イオン残留が従来例では２５μｇであったのに対し実施
例では僅かに５μｇであり、浸漬濯ぎにおける洗浄薬液
７の除去効果が５倍に向上したことが判る。
板を用い、洗浄槽５による濯ぎを済ませた後の基板Ｓ上
に残留する硫酸イオンをイオンクロマトクラフィー分析
により定量した。その結果は、基板Ｓ−枚あたりの硫酸
イオン残留が従来例では２５μｇであったのに対し実施
例では僅かに５μｇであり、浸漬濯ぎにおける洗浄薬液
７の除去効果が５倍に向上したことが判る。
この実験は洗浄薬液７がＰＯ３の場合であるが、洗浄薬
液７が先に述べた強酸やＰＯ８以外の混酸の場合であっ
ても同様になることは容易に類推されよう。
液７が先に述べた強酸やＰＯ８以外の混酸の場合であっ
ても同様になることは容易に類推されよう。
なお、第１図に示す実施例では希釈薬液８を処理槽３の
一段にしたが、その希釈薬液を濃度が次第に薄くなる複
数段にしても良い。
一段にしたが、その希釈薬液を濃度が次第に薄くなる複
数段にしても良い。
また、第１図に示す実施例において、超音波を利用する
こともできる。即ち、洗浄槽５の純水６に超音波を印加
することにより洗浄薬液７の除去効果を更に向上させ、
洗浄槽１の純水６に超音波を印加することにより予備洗
浄が向上して洗浄槽２の本洗浄をより効果的にさせるこ
とができる。
こともできる。即ち、洗浄槽５の純水６に超音波を印加
することにより洗浄薬液７の除去効果を更に向上させ、
洗浄槽１の純水６に超音波を印加することにより予備洗
浄が向上して洗浄槽２の本洗浄をより効果的にさせるこ
とができる。
以上説明したように本発明によれば、半導体装置の製造
におけるウェーハ、マスク、レチクルなどの洗浄方法に
係り、特に、洗浄薬液に浸漬して行う洗浄方法において
、その浸漬後の被洗浄物上の洗浄薬液を除去する濯ぎが
良好に行われるようにすることができて、該洗浄薬液の
残留に起因する製品の歩留り低下を防止させる効果があ
る。
におけるウェーハ、マスク、レチクルなどの洗浄方法に
係り、特に、洗浄薬液に浸漬して行う洗浄方法において
、その浸漬後の被洗浄物上の洗浄薬液を除去する濯ぎが
良好に行われるようにすることができて、該洗浄薬液の
残留に起因する製品の歩留り低下を防止させる効果があ
る。
第１図は実施例の説明図、
第２図は従来例の説明図、
である。
図において、
１〜５は洗浄槽、
６は純水、
７は洗浄薬液、
８は希釈薬液、
Ｓは被洗浄物、
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被洗浄物を洗浄薬液に浸漬して洗浄する工程と、該被
洗浄物を該洗浄薬液と同じ薬液の水希釈液である希釈薬
液に浸漬して濯ぐ工程と、 該被洗浄物を水に浸漬して濯ぐ工程を、 その順に有することを特徴とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13207690A JPH0427123A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13207690A JPH0427123A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0427123A true JPH0427123A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15072951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13207690A Pending JPH0427123A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0427123A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6209553B1 (en) * | 1999-05-20 | 2001-04-03 | Mitsubishidenki Kabushiki Kaisha | Method of and apparatus for washing photomask and washing solution for photomask |
| JP2008153271A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Tosoh Corp | 使用済み治具の洗浄方法および洗浄組成物 |
| JP2008153272A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Tosoh Corp | 半導体製造装置用部品の洗浄方法及び洗浄液組成物 |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP13207690A patent/JPH0427123A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6209553B1 (en) * | 1999-05-20 | 2001-04-03 | Mitsubishidenki Kabushiki Kaisha | Method of and apparatus for washing photomask and washing solution for photomask |
| US7077915B2 (en) | 1999-05-20 | 2006-07-18 | Renesas Technology Corp. | Method of and apparatus for washing photomask and washing solution for photomask |
| JP2008153271A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Tosoh Corp | 使用済み治具の洗浄方法および洗浄組成物 |
| JP2008153272A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Tosoh Corp | 半導体製造装置用部品の洗浄方法及び洗浄液組成物 |
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