JPH04101418A - Ｓｉウエーハのライフタイム向上方法 - Google Patents
Ｓｉウエーハのライフタイム向上方法Info
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- JPH04101418A JPH04101418A JP21945990A JP21945990A JPH04101418A JP H04101418 A JPH04101418 A JP H04101418A JP 21945990 A JP21945990 A JP 21945990A JP 21945990 A JP21945990 A JP 21945990A JP H04101418 A JPH04101418 A JP H04101418A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 35
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 9
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000013522 chelant Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 2
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001479 atomic absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、８１ウエーへのライフタイム向上方法に関
する。
する。
（従来の技術）
Ｓｉウェーハは、ライフタイムか長い程高品質で好まし
い。このライフタイムは、表面状況によって変るもので
あり、表面再結合速度を遅くする（ライフタイムを長く
する）ため、鏡面研磨後、Ｓｉウェーハは洗浄工程に送
られる。
い。このライフタイムは、表面状況によって変るもので
あり、表面再結合速度を遅くする（ライフタイムを長く
する）ため、鏡面研磨後、Ｓｉウェーハは洗浄工程に送
られる。
そこでは、従来、主としてアンモニア水と過酸化水素水
の混液な用いたいわゆるアルカリ洗浄によってＳｉウェ
ーハ表面の不純物を除去している。
の混液な用いたいわゆるアルカリ洗浄によってＳｉウェ
ーハ表面の不純物を除去している。
また、特にＳｉウェーハ表面に付着している重金属の除
去を必要とするＳｉウェーハについては、王水、硫酸、
塩酸、弗酸等を用いる酸洗浄が行われていた。
去を必要とするＳｉウェーハについては、王水、硫酸、
塩酸、弗酸等を用いる酸洗浄が行われていた。
（発明が解決しようとする課題）
上述した従来多用されているアルカリ洗浄は、パーティ
クルの除去には効果かあるものの、Ｓｉウェーへの表面
に付着している重金属の除去には限界があった。
クルの除去には効果かあるものの、Ｓｉウェーへの表面
に付着している重金属の除去には限界があった。
そこで、重金属を除去すべくＳｉウェーハに酸洗浄を施
すことが考えられるか、この酸洗浄は、Ｓｉウェーハの
表面をエッチンクしないため、洗浄液中の微粒子がＳｉ
ウェーハの表面に付着しで、結局は素子パターンの断線
等につながるという問題があった。
すことが考えられるか、この酸洗浄は、Ｓｉウェーハの
表面をエッチンクしないため、洗浄液中の微粒子がＳｉ
ウェーハの表面に付着しで、結局は素子パターンの断線
等につながるという問題があった。
本発明は、上記問題点を解決したＳｉウエーハのライフ
タイム向上方法を提案することを課題としてなされた。
タイム向上方法を提案することを課題としてなされた。
（課題を解決するだめの手段）
すなわち、本発明は、鏡面研磨の施されたＳｉウェーハ
を乾燥させることなく水洗に供し、統いで、アンモニア
水及び過酸化水素水の混合液で、更には前記混合液にキ
レ−１〜剤を添加した洗浄液て洗浄し、しかる後、前記
洗浄液を純水流水で洗い流す、という技術手段をその内
容とする。
を乾燥させることなく水洗に供し、統いで、アンモニア
水及び過酸化水素水の混合液で、更には前記混合液にキ
レ−１〜剤を添加した洗浄液て洗浄し、しかる後、前記
洗浄液を純水流水で洗い流す、という技術手段をその内
容とする。
（作 用）
■ＳｉＳｉウェーハ表面着している相粒子は、最初の水
洗によって洗い流される。
洗によって洗い流される。
■次に、Ｓｉウェーハ表面に付着しているパーティクル
等異物が、アルカリ性の混合液（アンモニア水及び過酸
化水素水の混合液）の有するエツチング作用て剥畠（［
除去される。
等異物が、アルカリ性の混合液（アンモニア水及び過酸
化水素水の混合液）の有するエツチング作用て剥畠（［
除去される。
■そしで、上記アルカリ性の混合液にキレ−１へ剤を添
加した洗浄液によっで、８１ウ工−八表面は再度■の作
用を受け、同時に重金属不純物の重金属イオンがキレ−
１〜化合物化されて再イオン化が防止される。したがっ
で、本発明方法に依れば、Ｓｉウェーハ表面の重金属の
量は、従来の他の洗浄処理に依るものに比し少なくなる
。
加した洗浄液によっで、８１ウ工−八表面は再度■の作
用を受け、同時に重金属不純物の重金属イオンがキレ−
１〜化合物化されて再イオン化が防止される。したがっ
で、本発明方法に依れば、Ｓｉウェーハ表面の重金属の
量は、従来の他の洗浄処理に依るものに比し少なくなる
。
すなわち、第２図は、各種洗浄に依るＳｉウェーハ表面
の自然酸化膜を弗酸蒸気で分解して純水て回収し、原子
吸光分析により得た分析値を示しており、本発明方法に
依るものはＦｅ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｒ。
の自然酸化膜を弗酸蒸気で分解して純水て回収し、原子
吸光分析により得た分析値を示しており、本発明方法に
依るものはＦｅ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｒ。
Ｃｕの重金属濃度が低くなっている。なお、ＡＩ、 Ｎ
ａについては、従来のアルカリ洗浄の濃度と同しベルに
なっている。
ａについては、従来のアルカリ洗浄の濃度と同しベルに
なっている。
（実施例）
以下、本発明を添付図面に基ついて説明する。
第１図は本発明方法のフローチャートであっで、鏡面研
磨後のＳｉウェーハ１は、表面を乾燥させることなく直
接第１槽２の純水３に浸漬される。続いて８１ウエーハ
１は・Ｌ温槽たる第２槽４中のアルカリ・［生の々畠合
マ夜５によって洗浄Ｉされる。
磨後のＳｉウェーハ１は、表面を乾燥させることなく直
接第１槽２の純水３に浸漬される。続いて８１ウエーハ
１は・Ｌ温槽たる第２槽４中のアルカリ・［生の々畠合
マ夜５によって洗浄Ｉされる。
上記ン昆合液５は、アンモニア水、過酸化水素水の温液
てあり、液温は６０〜９０°Ｃの範囲において任意に設
定される。
てあり、液温は６０〜９０°Ｃの範囲において任意に設
定される。
上記混合液５によっで、Ｓｉウェーハ１の表面かエツチ
ング作用を受げ、該表面に付着しているパーティクル等
の異物が剥離除去される。
ング作用を受げ、該表面に付着しているパーティクル等
の異物が剥離除去される。
次に、第３槽６において洗浄を行う。この第３槽６内の
洗浄液７は上記混合液５に０．０１〜１ｗｔ％のキレー
ト剤を含むものである。ここで、キレート剤の溶液とし
て上記混合液５を使用する理由は、キレート剤の溶解度
がｐＨ８〜１０の範囲において大きいためであり、キレ
ート剤の量を０．旧〜１ｗｔ％に限定するのは、０．０
１ｗｔ％以下ではキレート剤を使用する作用・効果（重
金属イオンのキレート化合物化）が不十分となり、０
、１ｗｔ％以上の場合は、溶液に溶けず、返ってＳｉウ
ェーハ１表面を汚してしまうからである。
洗浄液７は上記混合液５に０．０１〜１ｗｔ％のキレー
ト剤を含むものである。ここで、キレート剤の溶液とし
て上記混合液５を使用する理由は、キレート剤の溶解度
がｐＨ８〜１０の範囲において大きいためであり、キレ
ート剤の量を０．旧〜１ｗｔ％に限定するのは、０．０
１ｗｔ％以下ではキレート剤を使用する作用・効果（重
金属イオンのキレート化合物化）が不十分となり、０
、１ｗｔ％以上の場合は、溶液に溶けず、返ってＳｉウ
ェーハ１表面を汚してしまうからである。
そしで、上記洗浄液７は、Ｓｉウェーハ１表面に付着し
ている異物をエツチングしながら除去し、更に、重金属
不純物の重金属イオンをキレート化合物化してマスキン
クすることによりて再イオン化を防止する。つまり、Ｓ
ｉウェーハ１表面の再結合が防止されることになる。
ている異物をエツチングしながら除去し、更に、重金属
不純物の重金属イオンをキレート化合物化してマスキン
クすることによりて再イオン化を防止する。つまり、Ｓ
ｉウェーハ１表面の再結合が防止されることになる。
続いで、純水流水８により上記洗浄液７を十分に洗い流
す。なお、上記純水流水８に依る洗浄を効率的になすた
め、第３槽６て上記洗浄液に依る洗浄を終えた後、槽内
に存する洗浄液７を純水に置換するようになしてもよい
。
す。なお、上記純水流水８に依る洗浄を効率的になすた
め、第３槽６て上記洗浄液に依る洗浄を終えた後、槽内
に存する洗浄液７を純水に置換するようになしてもよい
。
上述した洗浄処理を経たＳｉウェーハ１は、第３図に示
すように、その表面における重金属濃度が従来の処理に
依るものに比して低い。
すように、その表面における重金属濃度が従来の処理に
依るものに比して低い。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明に依れば、酸洗浄をしなく
ても重金属不純物及びパーティクルの少ない、すなわち
ライフタイムの長い高品質のＳｉウェーハか得られると
いう優れた利点がある。
ても重金属不純物及びパーティクルの少ない、すなわち
ライフタイムの長い高品質のＳｉウェーハか得られると
いう優れた利点がある。
第１図は本発明方法のフローチャート、第２図は各種洗
浄処理（本発明処理を含む）と重金属の残留量との関係
を示す図表、第３図ば各種洗浄処理（本発明処理を含む
）とライフタイムとの関係を示す図表である。 １・・・Ｓｉウェーハ ３・・・純水 ５・・・混合液 ７・・・洗浄液 ８・・・純水流水
浄処理（本発明処理を含む）と重金属の残留量との関係
を示す図表、第３図ば各種洗浄処理（本発明処理を含む
）とライフタイムとの関係を示す図表である。 １・・・Ｓｉウェーハ ３・・・純水 ５・・・混合液 ７・・・洗浄液 ８・・・純水流水
Claims (1)
- 鏡面研磨の施されたＳｉウェーハを乾燥させることなく
水洗に供し、続いて、アンモニア水及び過酸化水素水の
混合液で、更には前記混合液にキレート剤を添加した洗
浄液で洗浄し、しかる後、前記洗浄液を純水流水で洗い
流すことを特徴とするＳｉウェーハのライフタイム向上
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21945990A JPH04101418A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | Ｓｉウエーハのライフタイム向上方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21945990A JPH04101418A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | Ｓｉウエーハのライフタイム向上方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04101418A true JPH04101418A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16735763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21945990A Pending JPH04101418A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | Ｓｉウエーハのライフタイム向上方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04101418A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0926714A1 (en) * | 1997-12-25 | 1999-06-30 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Silicon wafer storage water and silicon wafer storage method |
| US6277749B1 (en) * | 1998-09-10 | 2001-08-21 | Hiatchi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
| US6833109B1 (en) | 1999-03-26 | 2004-12-21 | Nec Electronics Corporation | Method and apparatus for storing a semiconductor wafer after its CMP polishing |
| EP1298714A4 (en) * | 2001-03-06 | 2006-05-24 | Sumitomo Electric Industries | METHOD FOR PRODUCING A COMPOSED SEMICONDUCTOR WAFER |
| JP2010278448A (ja) * | 1998-12-09 | 2010-12-09 | Applied Materials Inc | シリコン・ポリシリコン表面の制御的パッシベーションのための研磨プラーテンリンス |
| CN104681414A (zh) * | 2015-02-28 | 2015-06-03 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 多晶硅化学机械研磨后的清洗方法 |
-
1990
- 1990-08-20 JP JP21945990A patent/JPH04101418A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0926714A1 (en) * | 1997-12-25 | 1999-06-30 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Silicon wafer storage water and silicon wafer storage method |
| US6884721B2 (en) * | 1997-12-25 | 2005-04-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon wafer storage water and silicon wafer storage method |
| US6277749B1 (en) * | 1998-09-10 | 2001-08-21 | Hiatchi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
| US6774047B2 (en) | 1998-09-10 | 2004-08-10 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
| US6794305B2 (en) | 1998-09-10 | 2004-09-21 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
| JP2010278448A (ja) * | 1998-12-09 | 2010-12-09 | Applied Materials Inc | シリコン・ポリシリコン表面の制御的パッシベーションのための研磨プラーテンリンス |
| US6833109B1 (en) | 1999-03-26 | 2004-12-21 | Nec Electronics Corporation | Method and apparatus for storing a semiconductor wafer after its CMP polishing |
| EP1298714A4 (en) * | 2001-03-06 | 2006-05-24 | Sumitomo Electric Industries | METHOD FOR PRODUCING A COMPOSED SEMICONDUCTOR WAFER |
| CN104681414A (zh) * | 2015-02-28 | 2015-06-03 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 多晶硅化学机械研磨后的清洗方法 |
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