JPH0427134A - 半導体ｄｃパラメータ測定装置 - Google Patents
半導体ｄｃパラメータ測定装置Info
- Publication number
- JPH0427134A JPH0427134A JP13219490A JP13219490A JPH0427134A JP H0427134 A JPH0427134 A JP H0427134A JP 13219490 A JP13219490 A JP 13219490A JP 13219490 A JP13219490 A JP 13219490A JP H0427134 A JPH0427134 A JP H0427134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- measurement
- measuring device
- measuring
- parameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ＤＣパラメータ測定装置に関する。
（従来の技術）
従来から、半導体製造に係る分野においては、製造工程
の監視、開発、不良解析等のために半導体ウェハ上に形
成した半導体素子（例えばトランジスタ等）のＤＣパラ
メータ（例えば電流、電圧、電気容量等）を、半導体Ｄ
Ｃパラメータ測定装置により１ｌｌｊ定することが行わ
れている。
の監視、開発、不良解析等のために半導体ウェハ上に形
成した半導体素子（例えばトランジスタ等）のＤＣパラ
メータ（例えば電流、電圧、電気容量等）を、半導体Ｄ
Ｃパラメータ測定装置により１ｌｌｊ定することが行わ
れている。
例えば、製造工程の監視等においては、半導体ウェハ上
に形成された通常の半導体チップの間に、テスト用のチ
ップ（ＴＥＧ：１ｅｓｔ ｅｌｅｍｅｎｔ ｇｒｏｕｐ
）を予め設けておき、このテスト用のチップのＤＣパラ
メータを測定すること等が行われている。
に形成された通常の半導体チップの間に、テスト用のチ
ップ（ＴＥＧ：１ｅｓｔ ｅｌｅｍｅｎｔ ｇｒｏｕｐ
）を予め設けておき、このテスト用のチップのＤＣパラ
メータを測定すること等が行われている。
このような半導体ＤＣパラメータ測定装置は、半導体ウ
ェハ上に形成された多数の電極パッドとの電気的な導通
を得るため、多数の測定ピンを有している。また、電気
的測定機構としては、例えば電流測定機構、電圧測定機
構、電気容量測定機構等がそれぞれ１つ設けられている
。そして、これらの電気的測定機構と多数の測定ピンと
の間に介在させた電気的な切換機能を有する電気回路網
（以下マトリクスという。）によって、測定を行う測定
ピンを選択し、順次切換ることによって各測定ピンにつ
いて１つの電気的６１定機構により測定を行っている。
ェハ上に形成された多数の電極パッドとの電気的な導通
を得るため、多数の測定ピンを有している。また、電気
的測定機構としては、例えば電流測定機構、電圧測定機
構、電気容量測定機構等がそれぞれ１つ設けられている
。そして、これらの電気的測定機構と多数の測定ピンと
の間に介在させた電気的な切換機能を有する電気回路網
（以下マトリクスという。）によって、測定を行う測定
ピンを選択し、順次切換ることによって各測定ピンにつ
いて１つの電気的６１定機構により測定を行っている。
なお、上記マトリクスは、例えば多数の機械的なリレー
を組合せることによって構成される。
を組合せることによって構成される。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、一般に半導体ＤＣパラメータ測定装置に
おいては、測定ピンが数十水（例えば５０本）程度設け
られる。このため上記説明の従来の半導体ＤＣパラメー
タ測定装置では、測定ピンを切換えるためのマトリクス
の規模が大きくなり、このマトリクスにおいてリーク電
流が発生したり、電圧降下が生じたりするため、測定精
度が低下するという問題があった。
おいては、測定ピンが数十水（例えば５０本）程度設け
られる。このため上記説明の従来の半導体ＤＣパラメー
タ測定装置では、測定ピンを切換えるためのマトリクス
の規模が大きくなり、このマトリクスにおいてリーク電
流が発生したり、電圧降下が生じたりするため、測定精
度が低下するという問題があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来に較べて測定精度の大幅な向上を図ることのでき
る半導体ＤＣパラメータ測定装置を提供しようとするも
のである。
、従来に較べて測定精度の大幅な向上を図ることのでき
る半導体ＤＣパラメータ測定装置を提供しようとするも
のである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、複数の測定ピンを半導体ウェハに形
成された半導体素子の電極に接触させ、電気的測定手段
により該半導体素子のＤＣパラメータを測定する半導体
ＤＣパラメータ測定装置において、前記測定ピン毎に、
それぞれ前記電気的測定手段を設けたことを特徴とする
。
成された半導体素子の電極に接触させ、電気的測定手段
により該半導体素子のＤＣパラメータを測定する半導体
ＤＣパラメータ測定装置において、前記測定ピン毎に、
それぞれ前記電気的測定手段を設けたことを特徴とする
。
（作 用）
本発明の半導体ＤＣパラメータ測定装置では、例えば電
流測定手段、電圧測定手段、電気容量測定手段等からな
る電気的測定手段が測定ピン毎にそれぞれ設けられてい
る。
流測定手段、電圧測定手段、電気容量測定手段等からな
る電気的測定手段が測定ピン毎にそれぞれ設けられてい
る。
このため、従来のように大規模なマトリクスを必要とせ
ず、マトリクスにおけるリーク電流の発生や、電圧降下
がないため、従来に較べて測定精度の大幅な向上を図る
ことができる。
ず、マトリクスにおけるリーク電流の発生や、電圧降下
がないため、従来に較べて測定精度の大幅な向上を図る
ことができる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図に示すように、この実施例の半導体ＤＣパラメー
タ測定装置は、測定部１と、プローブ部２から構成され
ている。
タ測定装置は、測定部１と、プローブ部２から構成され
ている。
上記プローブ部２は、上面に半導体ウェハ３を保持し、
Ｘ−Ｙ−Ｚ方向に移動可能に構成された載置台４を備え
ており、この載置台４の上部所定位置には、複数（例え
ば５０本程度）の測定ピン（探針）５を備えたプローブ
カード６が固定されている。そして、載置台４を駆動す
ることにより、半導体ウェハ３の通常の半導体チップの
間に形成されたテスト用のチップの電極パッドに測定ピ
ン５を接触させるよう構成されている。
Ｘ−Ｙ−Ｚ方向に移動可能に構成された載置台４を備え
ており、この載置台４の上部所定位置には、複数（例え
ば５０本程度）の測定ピン（探針）５を備えたプローブ
カード６が固定されている。そして、載置台４を駆動す
ることにより、半導体ウェハ３の通常の半導体チップの
間に形成されたテスト用のチップの電極パッドに測定ピ
ン５を接触させるよう構成されている。
なお、載置台４には、マイクロコンピュータ等から構成
される図示しない制御機構が設けられており、半導体ウ
ェハ３上のテスト用のチップの位置を予めプログラムし
ておくことにより、所定のテスト用のチップの電極パッ
ドに、自動的に測定ピン５を接触させることができるよ
う構成されている。
される図示しない制御機構が設けられており、半導体ウ
ェハ３上のテスト用のチップの位置を予めプログラムし
ておくことにより、所定のテスト用のチップの電極パッ
ドに、自動的に測定ピン５を接触させることができるよ
う構成されている。
一方、測定部１には、上記測定ピン５と同数の測定ユニ
ット７が設けられており、これらのｎ１定ユニツト７と
各ＤＩ定ビン５とは、プローブカード６上に形成された
導体パターンおよびメジャリングケーブル等を介して電
気的に接続されている。
ット７が設けられており、これらのｎ１定ユニツト７と
各ＤＩ定ビン５とは、プローブカード６上に形成された
導体パターンおよびメジャリングケーブル等を介して電
気的に接続されている。
また、上記測定ユニット７には、第２図に示すように、
電圧測定器８と、電流測定器９と、容量−−１定器１０
とが設けられており、電気的な切換機構１１によってこ
れらの測定器８〜１０を切換え、電圧、電流、電気容量
を測定することができるよう構成されている。なお、容
量測定器１０には、高圧側（ｈｉｇｈ）端子と低圧側（
ｌｏｗ）端子とが必要になるため、これらも切換機構１
１によって切換えるよう構成されている。
電圧測定器８と、電流測定器９と、容量−−１定器１０
とが設けられており、電気的な切換機構１１によってこ
れらの測定器８〜１０を切換え、電圧、電流、電気容量
を測定することができるよう構成されている。なお、容
量測定器１０には、高圧側（ｈｉｇｈ）端子と低圧側（
ｌｏｗ）端子とが必要になるため、これらも切換機構１
１によって切換えるよう構成されている。
上記構成のこの実施例の半導体ＤＣパラメータ測定装置
では、測定を行う半導体ウェハ３を載置台４上の所定位
置に自動搬送装置あるいはマニュアル操作により位置決
めして載置する。そして、前述した如く、測定を実施す
るテスト用のチップの半導体ウェハ３上の位置を入力し
、載置台４を駆動して、テスト用のチップの電極パッド
に測定ピン５を接触させ、測定部１の測定ユニット７に
より、ＤＣパラメータ、すなわち、電圧、電流、電気容
量の測定を行う。
では、測定を行う半導体ウェハ３を載置台４上の所定位
置に自動搬送装置あるいはマニュアル操作により位置決
めして載置する。そして、前述した如く、測定を実施す
るテスト用のチップの半導体ウェハ３上の位置を入力し
、載置台４を駆動して、テスト用のチップの電極パッド
に測定ピン５を接触させ、測定部１の測定ユニット７に
より、ＤＣパラメータ、すなわち、電圧、電流、電気容
量の測定を行う。
なお、この測定結果は、従来の半導体ＤＣパラメータ測
定装置等と同様に、例えばＡ／Ｄ変換器によってデジタ
ル信号に変換され、メモリー内に収容される。そして、
必要に応じて例えばプリンターからプリントアウトした
り、ＣＲＴ等の表示装置に表示させたりすることができ
るよう構成されている。
定装置等と同様に、例えばＡ／Ｄ変換器によってデジタ
ル信号に変換され、メモリー内に収容される。そして、
必要に応じて例えばプリンターからプリントアウトした
り、ＣＲＴ等の表示装置に表示させたりすることができ
るよう構成されている。
すなわち、この実施例の半導体ＤＣパラメータ測定装置
では、各測定ピン５に対応して、それぞれ測定ユニット
７が設けられており、従来の半導体ＤＣパラメータ測定
装置のように、例えば多数の機械的なリレーを組合せる
ことによって構成されたマトリクスが測定ピン５と測定
ユニット７の間に介在しない。
では、各測定ピン５に対応して、それぞれ測定ユニット
７が設けられており、従来の半導体ＤＣパラメータ測定
装置のように、例えば多数の機械的なリレーを組合せる
ことによって構成されたマトリクスが測定ピン５と測定
ユニット７の間に介在しない。
したがって、マトリクスにおけるリーク電流の発生や、
電圧降下の発生がないため、従来に較べて測定精度を大
幅に向上させることができる。
電圧降下の発生がないため、従来に較べて測定精度を大
幅に向上させることができる。
また、例えばテスト用のチップの構成等により、同時測
定が可能な場合、例えば電極パッドａと電極パッドｂと
の間の電圧測定と、電極パッドＣと電極パッドｄとの間
の電圧測定（あるいは電流測定、容量測定）とを同時に
実施できる場合等は、複数の測定を同時（パラレル）に
実施することができるので、従来に較べて測定に要する
時間を大幅に短縮することが可能となり、スルーブツト
の大幅な向上を図ることができる。
定が可能な場合、例えば電極パッドａと電極パッドｂと
の間の電圧測定と、電極パッドＣと電極パッドｄとの間
の電圧測定（あるいは電流測定、容量測定）とを同時に
実施できる場合等は、複数の測定を同時（パラレル）に
実施することができるので、従来に較べて測定に要する
時間を大幅に短縮することが可能となり、スルーブツト
の大幅な向上を図ることができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の半導体ＤＣパラメータ測
定装置によれば、従来のように、大規模なマトリクスが
、測定ピンと測定ユニットの間に介在しないので、マト
リクスにおけるリーク電流の発生や、電圧降下の発生を
防止することができ、従来に較べて測定精度の大幅な向
上を図ることができる。
定装置によれば、従来のように、大規模なマトリクスが
、測定ピンと測定ユニットの間に介在しないので、マト
リクスにおけるリーク電流の発生や、電圧降下の発生を
防止することができ、従来に較べて測定精度の大幅な向
上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の半導体ＤＣパラメータ測定
装置の構成を示す図、第２図は第１図の測定ユニットの
構成を示す図である。 １・・・・・・測定部、２・・・・・・プローブ部、３
・・・・・・半導体ウェハ、４・・・・・・載置台、５
・・・・・・測定ピン、６・・・・・・プローブカード
、７・・・・・・測定ユニット、８・・・・・・電圧測
定器、９・・・・・・電流測定器、１０・・・・・・容
量測定器、１１・・・・・・切換機構。 出願人 東京エレクトロン株式会社
装置の構成を示す図、第２図は第１図の測定ユニットの
構成を示す図である。 １・・・・・・測定部、２・・・・・・プローブ部、３
・・・・・・半導体ウェハ、４・・・・・・載置台、５
・・・・・・測定ピン、６・・・・・・プローブカード
、７・・・・・・測定ユニット、８・・・・・・電圧測
定器、９・・・・・・電流測定器、１０・・・・・・容
量測定器、１１・・・・・・切換機構。 出願人 東京エレクトロン株式会社
Claims (2)
- （１）複数の測定ピンを半導体ウェハに形成された半導
体素子の電極に接触させ、電気的測定手段により該半導
体素子のＤＣパラメータを測定する半導体ＤＣパラメー
タ測定装置において、 前記測定ピン毎に、それぞれ前記電気的測定手段を設け
たことを特徴とする半導体ＤＣパラメータ測定装置。 - （２）電気的測定手段は、電流測定手段と、電圧測定手
段と、電気容量測定手段とを具備したことを特徴とする
請求項１記載の半導体ＤＣパラメータ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13219490A JPH0427134A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 半導体ｄｃパラメータ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13219490A JPH0427134A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 半導体ｄｃパラメータ測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0427134A true JPH0427134A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15075598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13219490A Pending JPH0427134A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 半導体ｄｃパラメータ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0427134A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6345607B1 (en) | 1994-07-25 | 2002-02-12 | Hitachi, Ltd. | Engine power train control method and control apparatus for a vehicle |
| US6879176B1 (en) | 2003-11-04 | 2005-04-12 | Solid State Measurements, Inc. | Conductance-voltage (GV) based method for determining leakage current in dielectrics |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP13219490A patent/JPH0427134A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6345607B1 (en) | 1994-07-25 | 2002-02-12 | Hitachi, Ltd. | Engine power train control method and control apparatus for a vehicle |
| US6879176B1 (en) | 2003-11-04 | 2005-04-12 | Solid State Measurements, Inc. | Conductance-voltage (GV) based method for determining leakage current in dielectrics |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5736850A (en) | Configurable probe card for automatic test equipment | |
| US4348759A (en) | Automatic testing of complex semiconductor components with test equipment having less channels than those required by the component under test | |
| US4568879A (en) | Marking apparatus | |
| CN112014604A (zh) | 一种晶圆测试装置、测试系统及测试方法 | |
| JPH0526985A (ja) | 半導体集積回路の測定方法 | |
| US7132839B2 (en) | Ultra-short low-force vertical probe test head and method | |
| EP0438127A2 (en) | Semiconductor wafer | |
| KR100977060B1 (ko) | 반도체칩 테스터용 프로브 카드와 이를 사용하는 테스터 및그 테스터를 이용한 반도체칩의 검사방법 | |
| JPH07245330A (ja) | 集積回路評価装置 | |
| JPH0566732B2 (ja) | ||
| JPH05215814A (ja) | 半導体デバイスの検査装置 | |
| JPS626653B2 (ja) | ||
| JPH03109749A (ja) | 集積回路装置の試験方法 | |
| JPH03185744A (ja) | 半導体素子 | |
| SU1510112A1 (ru) | Устройство дл контрол печатных плат | |
| JPH06104316A (ja) | フィルムキャリアテ−プ | |
| JPH05315414A (ja) | プローブカード及びその仕様検査方法 | |
| JPS6211179A (ja) | 半導体集積回路自動選別装置の接触素子 | |
| KR980012185A (ko) | 웨이퍼의 전기적 테스트 장치 | |
| JPS645266B2 (ja) | ||
| JPH05251519A (ja) | 半導体デバイス測定用テスター | |
| JPS63110648A (ja) | 半導体デバイスの試験測定装置 | |
| JPH09113579A (ja) | Ｉｃ試験装置の検査装置 | |
| JPH06242177A (ja) | 半導体装置のテスト装置 | |
| JPH04111334A (ja) | 半導体装置 |