JPH042721A - 磁束密度の高い二方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents

磁束密度の高い二方向性電磁鋼板の製造方法

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JPH042721A
JPH042721A JP2103180A JP10318090A JPH042721A JP H042721 A JPH042721 A JP H042721A JP 2103180 A JP2103180 A JP 2103180A JP 10318090 A JP10318090 A JP 10318090A JP H042721 A JPH042721 A JP H042721A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、鋼板長手方向ならびに長手方向に直角な方向
に磁化容易軸<001 >方位を有するとともに、圧延
面に(100)面が現れている(ミラー指数で(100
) <001>と表示される)結晶粒から構成される所
謂二方向性電磁鋼板の製造方法に関する。
二方向性電磁鋼板は、圧延方向ならびに圧延方向と直角
な方向に磁化容易軸(<001>軸)を有し、二方向で
磁気特性が優れているので、圧延方向にのみ磁気特性が
優れている一方向性電磁鋼板に比べて二方向に磁束を流
す必要のある機器、例えば大型回転器用の磁芯材料とし
て用いると有利である。また、小型静止器の分野では一
般的に磁化容易軸を高度に集積させない無方向性電磁鋼
板が用いられているが、二方向性電磁鋼板を用いること
により、小型化・高効率化への可能性がある。
〔従来の技術〕
上記の如く、二方向性電磁鋼板は優れた特性を有してい
るところから、その製品化が待望されてきたにもかかわ
らず、今日まで工業製品として−般に使用されるに至っ
ていない。
従来の二方向性電磁鋼板の製造技術としては、主に次の
二つの方法がある。
その一つは、特公昭37−7110号公報に開示されて
いるように極性ガス、たとえば硫化水素を含む雰囲気中
で高温焼鈍を行い、表面エネルギーを利用して(100
) <001>方位粒を二次再結晶させる方法である。
しかしながら、この方法は鋼板の表面エネルギーを厳密
に制御する必要があり、大量生産プロセスとしては不適
である。
他の一つは、特公昭35−2657号公報に開示されて
いるように、一方向に冷間圧延を行った後、上記冷間圧
延と交叉する方向に冷間圧延を施す、いわゆる「交叉冷
間圧延法」である。しかしながら、この方法で得られる
製品の磁束密度(B8)は1.85TeSia以下であ
り、その製造工程の煩雑さに起因するコスト高に見合う
だけの優れた磁気特性を有しないため、従来の一方向性
電磁鋼板に対抗できない。
一方向性電磁鋼板の磁束密度(B8)は、特公昭40−
15644号公報、特公昭51−13469号公報記載
の技術が発明されて以来、急速に進歩し、現在、磁束密
度(B6)が1.92Tの高い磁束密度の製品も市販さ
れている。
二方向性電磁鋼板についても、磁気特性向上のため特公
昭35−17208号公報、及び特公昭38−8213
号公報に改良技術が提案されたが、いずれも一方向性電
磁鋼板等に対抗できる高磁束密度の製品を安定して製造
するに至っていない。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、二方向性電磁鋼板において高磁束密度の製品
を安定して得ることができないという製造技術上の課題
を解決するものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は上記課題を解決するために、重量%で、Si:
1.8〜6.7%、酸可溶性Aβ: 0.008〜0、
048%、N≦0.010%、残部Feおよび不可避的
不純物からなる熱延板を圧下率40〜80%で冷間圧延
し、更に前記冷間圧延と交叉する方向に圧下率30〜7
0%で冷間圧延し、次いで一次再結晶焼鈍し、焼鈍分離
剤を塗布し、二次再結晶と純化を目的とした仕上焼鈍を
行う二方向性電磁鋼板の製造方法において、上記熱間圧
延の最終3パスの累積圧下率を80%以下とする二方向
性電磁鋼板の製造方法を提供するものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明者等は、交叉冷間圧延法によって製造した二方向
性電磁鋼板の製品の調査から、次の新たな知見を得た。
二方向性電磁鋼板の特徴とする結晶方位は(100) 
<001>方位であるが、二次再結晶粒の中には、この
方位粒とあわせて(110) <uvw>方位のものが
混在し、後者の方位粒が磁束密度を低くする原因となっ
ている。従って、高磁束密度化を達成するためには、(
110) <uVW>方位粒の二次再結晶を抑制すれば
良い。
本発明者等は、これらの方位粒に関する詳細な研究を行
った結果、二次再結晶前の一次再結晶板は板厚方向に集
合組織が異なっており、(110)<uVW >方位粒
は表面層から、(100) <001 >方位粒は中心
層から発達することを見出した。
かかる事実は、次の実験によって得られたものである。
C:0.055%、Si:3.3%、酸可溶性AA :
 0.028%、 N :0.007%、残部Feおよ
び不可避的不純物からなる1、8mm厚の熱延板を11
25℃で2分間焼鈍し、熱延方向と同一方向に55%の
圧下率で冷延し、次いで前記圧延方向と直角方向に55
%の圧下率で交叉冷延し、0.35mmの最終板厚とし
た。この冷延板を湿水素中810℃で210秒間脱炭を
兼ねる一次再結晶焼鈍を行った。この−次回結晶板の集
合組織を調査したところ、第1図に示すように表面部で
は(111) 、<uvw>方位を主方位とし、中心部
では(211) <124>、  (21N<231 
>方位を主方位とするものであり、板厚方向で異なるも
のであることが判肋した。二次再結晶方位は、例えばに
、T、Au5t、 J、W、Rutter ;Tran
s。
Met、Sor、 AIME 215(1959年) 
P119/127 、牛神他日本金属学会第96回講演
大会概要集373頁に述べられているように、−次再結
晶集合組織の影響を強く受けるものである。この−次再
結晶集合組織の板厚方向の差の原因を検討した結果第2
図に示す熱延板における板厚方向の集合組織の勾配に大
きく影響されるものであることが分った。そこで、上記
熱延板より表面部、中心部をそれぞれ切り出し、上記と
同様の条件で一次再結晶させた後、MgOを主成分とす
る焼鈍分離剤を塗布し、仕上焼鈍を行った。
第3図に、このようにして得られた各試料の二次再結晶
粒の方位分布を示す。第3図より、(110)<uvt
v >方位粒は熱延板の表面部から切り出した試料(図
中(a))において、また(100) <001>方位
粒は、中心部より切り出した試料(図中(b))におい
てそれぞれ発達していることが分る。
従って、磁束密度低下の原因となる(110 )<uv
w >方位粒は、熱延板における表面部を除去すること
により、抑制することができる。
本発明者等は、上記知見を基に熱間圧延条件を詳細に検
討した結果、最終3パスの累積圧下率を80%以下にす
ること、また特に熱延終了温度を950℃以上とするこ
とにより、熱延板の集合組織を変え、表面部からの(1
10) <uVW>方位二次再結晶粒の発達を抑制し、
磁束密度の高い二方向性電磁鋼板を安定して製造できる
ことを見出した。
その実験結果を説明する。前述と同一の40mm厚のス
ラブをパス・スケジュールを変え計6パスで2、0 m
m厚の熱延板に熱延した。熱延終了温度は900〜95
0℃であった。その後、1050℃で2分間焼鈍し、熱
延方向と同一方向に50%の圧下率で冷延し、次いで前
記圧延方向と直角方向に50%の圧下率で交叉冷間圧延
した。湿水素雰囲気中で800℃で90秒脱炭を兼ねる
一次再結晶焼鈍後、焼鈍分離剤を塗布し仕上焼鈍を行っ
た。
第4図に、熱間圧延の最終3パスの累積圧下率と製品の
磁気特性(B e値)を示す。この図より、累積圧下率
80%以下で1.90Tesla以上という高い磁束密
度の製品が得られることが分る。
この知見を基に、最#3パスの累積圧下率50%の条件
下でパス間のデイレイタイムを変え熱延終了温度の影響
を検討したところ特に、熱延終了温度950℃以上で更
に、磁束密度が向上することが分った。
熱延板の集合組織を調査したところ、磁束密度が高い場
合は、いずれも、熱延板の表面部の(110)面が少な
くなっていた。従って本発明に従い、最終の3パスの累
積圧下率を80%以下とした場合は、表面の剪断変形に
よる結晶回転を抑制し、また熱延終了温度を950℃以
上とした場合は、表面の剪断変形により、形成された(
110 )集合組織を再結晶等により低下させたものと
考えられる。
以下、本発明の構成要件の限定理由を実施形態に従い、
説明する。
本発明で用いる溶鋼は、転炉、電気炉等その溶製方法を
問わないが、成分として次の含有範囲を必須のものとす
る。
Si は、含有量を多くすると、鉄損特性を向上するこ
とができるので望ましいが、逆に磁束密度を低下する。
含有量が約6.5%前後で最低鉄損となり、それ以上増
加しても、改善効果はないので、上限を6.7%とした
。S1含有量を増加すると脆化が著しく、4.5%以上
で冷間割れが発生するが、温間圧延を行うことにより基
本的には圧延が可能である。一方、S1含有量が少なく
なると仕上焼鈍時にα→γ変態を生じ、結晶の方向性が
損なわれるので、実質的に影響を及ぼさない0.8%を
下限とする。
酸可溶性Aβは、AβN、 (i 、 5i)N等の窒
化物を形成し、インヒビターを形成する。製品の磁束密
度が高くなる0、 008〜0.048%、望ましくは
0.018%〜0.036%を限定範囲とする。
Nは、0.010%を超えて含有すると鋼板に、ブリス
ターと呼ばれる空孔を生じるので、0.010%を上限
とする。下限については、途中工程で窒化することによ
り調節することができるので、特に限定しない。
他に、Mn、S、Se、B、Bi、Nb、Sn、T1C
r等のインヒビター構成元素を添加することもできる。
上記成分からなるスラブは、加熱された後、所定の板厚
まで熱間圧延される。この際の最終の累積圧下率を80
%以下とすることが本発明の特徴とするところである。
この熱延板は、直ちに、もしくは750〜1200℃の
温度域での30秒〜30分間の短時間焼鈍工程を経て冷
間圧延が施される。上記焼鈍は、製品の磁束密度を高め
るのに有用であり、望む製品の磁束密度の水準に応じて
焼鈍の採否を決めれば良い。
交叉冷間圧延は、基本的に特公昭35−2657号公報
、或いは特公昭38−8213号公報に開示されたもの
と同じである。
冷間圧延後の材料は、通常鋼中に含まれるCを除去する
ことも兼ね雰囲気露点を調節した雰囲気内で、750〜
1000℃の温度域において30秒から10分間焼鈍し
、−次男結晶させる。
その後MgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布した後、
二次再結晶と純化を目的とした仕上焼鈍を施す。
特に、特願昭63−293645号公報に示すように、
二次再結晶と純化の工程を分離し、950〜1100℃
の温度域で二次再結晶を完了させた後、1100℃以上
で純化を行うことが磁束密度を高めるために有効である
〔実施例〕
実施例1 重量%で、C: 0.05%、Si:3.2%、Mn:
0.1%、酸可溶性/l:o、03%、 N : 0.
08%含有する26mm厚のスラブを1150℃の温度
に加熱した後、■ 26→20−18−15−8−4−
2  (mm)■26→15→7−3.5−3→2.5
→2 (mm)の条件下で熱延して2. Omm厚の熱
延板とした。熱延終了後は1秒間空冷し、その後550
℃迄水冷し1時間保持した後炉冷した。この熱延板を1
120℃で2分間焼鈍し、熱延方向に50%の圧下率で
冷間圧延し、次いで前記冷延方向と直角方向に50%の
圧下率で交叉冷間圧延を行った。その後800℃で21
0秒間、脱炭を兼ねる一次再結晶焼鈍を行い、焼鈍分離
剤を塗布し、二次再結晶と純化を目的とする仕上焼鈍を
行った。製品の磁気特性を第1表に示す。
第  1  表 第2表 実施例2 実施例1と同一のスラブを用い、熱延開始温度■110
0℃■1000℃■900℃の条件で、次の6パス即ち
、26→15→6→3.2→2.8→2.4→2  (
mm)で熱延を行い、2.0釦の板厚とした。その後、
実施例1と同一の条件で仕上焼鈍迄行った。製品の磁気
特性を第2表に示す。
以下余白 〔発明の効果〕 本発明は以上述べたように、現在最高レベルの一方向性
電磁鋼板と同等以上の高磁束密度の二方向性電磁鋼板を
工業的に安定して製造できるので、その効果は甚大であ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は一次再結晶板の表面層(同図(a))と中心層
(同図(b))の集合組織を示す(200)極点図であ
り、 第2図は、熱延板の板厚方向における集合組織の面強度
を示す図であり、 第3図は、表面層(同図(a))と、中心層(同図b)
)のそれぞれの部位より切り出した材料の二次再結晶の
方位分布を示す(200)極点図であり、第4図は、熱
間圧延の最′#3バスの累積圧下率と製品の磁束密度の
関係を示す図である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)重量%で、Si:1.8〜6.7%、酸可溶性A
    l:0.008〜0.048%、N≦0.010%、残
    部Feおよび不可避的不純物からなる熱延板を圧下率4
    0〜80%で冷間圧延し、更に前記冷間圧延と交叉する
    方向に圧下率30〜70%で冷間圧延し、次いで一次再
    結晶焼鈍し、焼鈍分離剤を塗布し、二次再結晶と純化を
    目的とした仕上焼鈍を行う二方向性電磁鋼板の製造方法
    において、上記熱間圧延の最終3パスの累積圧下率を8
    0%以下とすることを特徴とする磁束密度の高い二方向
    性電磁鋼板の製造方法。
  2. (2)熱間圧延の熱延終了温度が950℃以上である請
    求項1記載の方法。
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