JPH0427298B2 - - Google Patents
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- JPH0427298B2 JPH0427298B2 JP63006542A JP654288A JPH0427298B2 JP H0427298 B2 JPH0427298 B2 JP H0427298B2 JP 63006542 A JP63006542 A JP 63006542A JP 654288 A JP654288 A JP 654288A JP H0427298 B2 JPH0427298 B2 JP H0427298B2
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- Japan
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- masking
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- present
- chlorinated paraffin
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/022—Anodisation on selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L91/00—Compositions of oils, fats or waxes; Compositions of derivatives thereof
- C08L91/06—Waxes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/14—Etching locally
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- Polymers & Plastics (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、メツキ、電解研磨、陽極酸化、エツ
チング等の表面処理をするにあたり、この表面処
理をされずに保護されるべき部分を耐薬品性の膜
で被覆（マスク）するのに使用されるマスキング
剤に関する。 〔従来技術〕 従来、マスキング剤としては、ゴム系のものが
使用されていた。 このものは、ネオプレンゴム、スチレンブタジ
エンゴム等を主剤とするが、ゴム単体では流動性
に乏しく被覆力が劣るため、アセトン等の有機溶
剤に溶解して、流動性を付与したものが市販され
ていた。 〔発明が解決しようとする課題〕 前記従来のマスキング剤では、一般に毒性を有
している有機溶剤を用いているため、人体の健康
に及ぼす害が問題となつていた。また、有機溶剤
には、揮発性、引火性、爆発性の大きいものが多
く、この場合、火災等の事故発生の危険性も問題
となつていた。更に、流動性が大きいため、所望
の被覆膜厚を得るためには、浸漬および乾燥を数
回繰り返す必要があり、操作が煩雑であるという
欠点があつた。 本発明は、以上の事情に鑑みてなされたもので
あつて、有機溶剤を含まず安全、無害であつて、
マスキングが容易に行なえるマスキング剤を提供
することを目的とする。 〔課題を解決するための手段〕 本発明に係るマスキング剤は、塩素化パラフイ
ン20〜70重量％、マイクロクリスタリンワツク
ス，モンタンワツクス，オゾケライト又はセレシ
ン20〜60重量％、ポリエチレンワツクス10〜40重
量％からなる混合物を主成分として含むことを特
徴とする。 〔実施例〕 以下、本発明は、配合例を示した実施例に基づ
き具体的に説明する。 メツキ用マスキング剤の配合例 塩素化パラフイン 20〜50重量％ マイクロクリスタリンワツクス 20〜40重量％ ポリエチレンワツクス 30〜40重量量％ ここで、塩素化パラフインは、マスキング剤に
耐薬品性を付与する成分であり、前記の配合量が
望まれるのは、20重量％より少なければ耐薬品性
を付与する効果が小さく、一方50重量％を越える
と表面処理後のマスキング剤の剥離が困難となる
からである。 また、マイクロクリスタリンワツクスは、融点
が60゜〜96℃のものが使用され、前記の配合量が
望まれるのは、20重量％より少なければマスキン
グ剤の軟化点が低下し、被マスキング材に前処理
を施す段階でマスキング剤が剥離され、一方40重
量％を越えると、表面処理後の剥離が困難となる
からである。 ポリエチレンワツクスは、マスキング剤に粘性
を付与する為のものであり、30重量％より少なけ
れば被覆膜の膜厚が薄くなりすぎ一方40重量％を
越えると厚くなりすぎて不経済であり、後処理で
の剥離が困難となるからである。 エツチング用マスキング剤の配合例 塩素化パラフイン 50〜70重量％ マイクロクリスタリンワツクス 20〜30重量％ ポリエチレンワツクス 10〜20重量％ ここで、塩素化パラフイン、マイクロクリスタ
リンワツクスおよびポリエチレンワツクスの配合
目的は、前記と同様である。 エツチング液は腐食性が強い。このため、マス
キング剤にも高い耐薬品性が要求されるため、前
記配合例に示すように、塩素化パラフインの配合
量を多くすることが望ましい。 電解研磨用マスキング剤の配合例 塩素化パラフイン 20〜30重量％ マイクロクリスタリンワツクス 50〜60重量％ ポリエチレンワツクス 20〜30重量％ ここで、塩素化パラフイン、マイクロクリスタ
リンワツクス及びポリエチレンワツクスの配合目
的は、前記と同様である。電解研磨用マスキング
剤は、マスキング部に電気絶縁性が要求されるた
め、前記配合例に示すように、その破壊電圧が大
きい（60〜80KV）マイクロクリスタリンの配合
量を多くすることが望ましい。 前記各配合例は、標準的な配合例を示したもの
であり、この発明では、前記配合比のマスキング
剤に限定されるものでないことは、もとよりであ
る。 なお、マイクロクリスタリンワツクスに代えて
鉱物系ワツクスであるモンタンワツクス，オゾケ
ライト，セレシンを用いてもよい。 また、ワツクスのマスキング剤としての効能を
妨げるものでない限り、他の成分、例えば充填剤
等を含有するものであつても構わない。 第１表は、本発明に係るマスキング剤（以下、
本発明品という）を用いてマスキングを行つた場
合の浸漬時間Ｔ（分）における被覆膜の厚みＳ
（mm）を示す。
チング等の表面処理をするにあたり、この表面処
理をされずに保護されるべき部分を耐薬品性の膜
で被覆（マスク）するのに使用されるマスキング
剤に関する。 〔従来技術〕 従来、マスキング剤としては、ゴム系のものが
使用されていた。 このものは、ネオプレンゴム、スチレンブタジ
エンゴム等を主剤とするが、ゴム単体では流動性
に乏しく被覆力が劣るため、アセトン等の有機溶
剤に溶解して、流動性を付与したものが市販され
ていた。 〔発明が解決しようとする課題〕 前記従来のマスキング剤では、一般に毒性を有
している有機溶剤を用いているため、人体の健康
に及ぼす害が問題となつていた。また、有機溶剤
には、揮発性、引火性、爆発性の大きいものが多
く、この場合、火災等の事故発生の危険性も問題
となつていた。更に、流動性が大きいため、所望
の被覆膜厚を得るためには、浸漬および乾燥を数
回繰り返す必要があり、操作が煩雑であるという
欠点があつた。 本発明は、以上の事情に鑑みてなされたもので
あつて、有機溶剤を含まず安全、無害であつて、
マスキングが容易に行なえるマスキング剤を提供
することを目的とする。 〔課題を解決するための手段〕 本発明に係るマスキング剤は、塩素化パラフイ
ン20〜70重量％、マイクロクリスタリンワツク
ス，モンタンワツクス，オゾケライト又はセレシ
ン20〜60重量％、ポリエチレンワツクス10〜40重
量％からなる混合物を主成分として含むことを特
徴とする。 〔実施例〕 以下、本発明は、配合例を示した実施例に基づ
き具体的に説明する。 メツキ用マスキング剤の配合例 塩素化パラフイン 20〜50重量％ マイクロクリスタリンワツクス 20〜40重量％ ポリエチレンワツクス 30〜40重量量％ ここで、塩素化パラフインは、マスキング剤に
耐薬品性を付与する成分であり、前記の配合量が
望まれるのは、20重量％より少なければ耐薬品性
を付与する効果が小さく、一方50重量％を越える
と表面処理後のマスキング剤の剥離が困難となる
からである。 また、マイクロクリスタリンワツクスは、融点
が60゜〜96℃のものが使用され、前記の配合量が
望まれるのは、20重量％より少なければマスキン
グ剤の軟化点が低下し、被マスキング材に前処理
を施す段階でマスキング剤が剥離され、一方40重
量％を越えると、表面処理後の剥離が困難となる
からである。 ポリエチレンワツクスは、マスキング剤に粘性
を付与する為のものであり、30重量％より少なけ
れば被覆膜の膜厚が薄くなりすぎ一方40重量％を
越えると厚くなりすぎて不経済であり、後処理で
の剥離が困難となるからである。 エツチング用マスキング剤の配合例 塩素化パラフイン 50〜70重量％ マイクロクリスタリンワツクス 20〜30重量％ ポリエチレンワツクス 10〜20重量％ ここで、塩素化パラフイン、マイクロクリスタ
リンワツクスおよびポリエチレンワツクスの配合
目的は、前記と同様である。 エツチング液は腐食性が強い。このため、マス
キング剤にも高い耐薬品性が要求されるため、前
記配合例に示すように、塩素化パラフインの配合
量を多くすることが望ましい。 電解研磨用マスキング剤の配合例 塩素化パラフイン 20〜30重量％ マイクロクリスタリンワツクス 50〜60重量％ ポリエチレンワツクス 20〜30重量％ ここで、塩素化パラフイン、マイクロクリスタ
リンワツクス及びポリエチレンワツクスの配合目
的は、前記と同様である。電解研磨用マスキング
剤は、マスキング部に電気絶縁性が要求されるた
め、前記配合例に示すように、その破壊電圧が大
きい（60〜80KV）マイクロクリスタリンの配合
量を多くすることが望ましい。 前記各配合例は、標準的な配合例を示したもの
であり、この発明では、前記配合比のマスキング
剤に限定されるものでないことは、もとよりであ
る。 なお、マイクロクリスタリンワツクスに代えて
鉱物系ワツクスであるモンタンワツクス，オゾケ
ライト，セレシンを用いてもよい。 また、ワツクスのマスキング剤としての効能を
妨げるものでない限り、他の成分、例えば充填剤
等を含有するものであつても構わない。 第１表は、本発明に係るマスキング剤（以下、
本発明品という）を用いてマスキングを行つた場
合の浸漬時間Ｔ（分）における被覆膜の厚みＳ
（mm）を示す。
【表】
第１図は、この場合の浸漬時間Ｔと被覆膜の厚
みＳとの関係を、横軸に浸漬時間Ｔ（分）を、縦
軸に厚みＳ（mm）をとつて示したものである。 なお、テストピースとして、幅20mm、長さ100
mm、厚さ５mmの純アルミ板を用い、マスキングを
110℃で行つた。 図にみるように、浸漬後経時的に厚みＳが減少
している。 これは、溶融状態のワツクス中に低温の被マス
キング材を浸漬すると、該被マスキング材の表面
に近在するワツクスが瞬時に硬化して表面に付着
するが、周囲の溶融状態のワツクスからの熱によ
り経時的に再溶融していくためである。 従つて、一回の浸漬で浸漬時間Ｔを変えること
で、厚みＳを制御することができる。 第２表は、本発明品を用いてマスキングを行う
場合に要する時間を従来品のそれと比較して示し
たものである。 ここで、本発明品の組成は、塩素化パラフイン
ワツクス50部、マイクロクリスタリンワツクス30
部、ポリエチレンワツクス20部であり、一方、従
来品は、ネオプレンゴムを主成分とし、有機溶剤
としてトルエンが用いられているマスキング剤で
ある。
みＳとの関係を、横軸に浸漬時間Ｔ（分）を、縦
軸に厚みＳ（mm）をとつて示したものである。 なお、テストピースとして、幅20mm、長さ100
mm、厚さ５mmの純アルミ板を用い、マスキングを
110℃で行つた。 図にみるように、浸漬後経時的に厚みＳが減少
している。 これは、溶融状態のワツクス中に低温の被マス
キング材を浸漬すると、該被マスキング材の表面
に近在するワツクスが瞬時に硬化して表面に付着
するが、周囲の溶融状態のワツクスからの熱によ
り経時的に再溶融していくためである。 従つて、一回の浸漬で浸漬時間Ｔを変えること
で、厚みＳを制御することができる。 第２表は、本発明品を用いてマスキングを行う
場合に要する時間を従来品のそれと比較して示し
たものである。 ここで、本発明品の組成は、塩素化パラフイン
ワツクス50部、マイクロクリスタリンワツクス30
部、ポリエチレンワツクス20部であり、一方、従
来品は、ネオプレンゴムを主成分とし、有機溶剤
としてトルエンが用いられているマスキング剤で
ある。
【表】
第２表より明らかなように、本発明品によれば
従来品に比べ、マスキング時間が1/27程度に短縮
された。 第３表は、前記本発明品についての各種薬品に
対する耐薬品性試験の条件および結果を示したも
のである。
従来品に比べ、マスキング時間が1/27程度に短縮
された。 第３表は、前記本発明品についての各種薬品に
対する耐薬品性試験の条件および結果を示したも
のである。
本発明品にあつては、塩素化パラフイン20〜70
重量％と、マイクロクリスタリンワツクス，モン
タンワツクス，オゾケライト又はセレシン10〜60
重量％と、ポリエチレンワツクス10〜40重量％と
の混合物を主成分として含むから、被膜が緻密で
耐酸性，耐アルカリ性のいずれにも優れ、メツキ
処理等において酸性薬品の外に前処理としてアル
カリ性薬品を使用することの多い作業においてそ
の効果が極めて大きく、また有機溶剤を含まない
ので、安全、無害であつて、しかも、マスキング
の作業時間が短くてすみ、浸漬時間を変えること
により所望の厚みの被覆膜を形成させることがで
きるため、マスキング工程における作業性を向上
させる。
重量％と、マイクロクリスタリンワツクス，モン
タンワツクス，オゾケライト又はセレシン10〜60
重量％と、ポリエチレンワツクス10〜40重量％と
の混合物を主成分として含むから、被膜が緻密で
耐酸性，耐アルカリ性のいずれにも優れ、メツキ
処理等において酸性薬品の外に前処理としてアル
カリ性薬品を使用することの多い作業においてそ
の効果が極めて大きく、また有機溶剤を含まない
ので、安全、無害であつて、しかも、マスキング
の作業時間が短くてすみ、浸漬時間を変えること
により所望の厚みの被覆膜を形成させることがで
きるため、マスキング工程における作業性を向上
させる。
第１図は本発明品の浸漬時間と被覆膜の厚みと
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 塩素化パラフイン20〜70重量％、マイクロク
リスタリンワツクス，モンタンワツクス，オゾケ
ライト又はセレシン20〜60重量％、ポリエチレン
ワツクス10〜40重量％からなる混合物を主成分と
して含むことを特徴とするマスキング剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63006542A JPH01184282A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | マスキング剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63006542A JPH01184282A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | マスキング剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01184282A JPH01184282A (ja) | 1989-07-21 |
| JPH0427298B2 true JPH0427298B2 (ja) | 1992-05-11 |
Family
ID=11641229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63006542A Granted JPH01184282A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | マスキング剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01184282A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0021672D0 (en) * | 2000-09-04 | 2000-10-18 | Aerolatte Ltd | Steam free milk frother |
| US6872320B2 (en) * | 2001-04-19 | 2005-03-29 | Xerox Corporation | Method for printing etch masks using phase-change materials |
| JP5472950B2 (ja) * | 2012-06-19 | 2014-04-16 | Ｊｅインターナショナル株式会社 | マスキング剤および表面処理基材の製造方法 |
| US9057272B2 (en) | 2012-06-29 | 2015-06-16 | United Technologies Corporation | Protective polishing mask |
| JP5986008B2 (ja) * | 2013-02-08 | 2016-09-06 | 日本電信電話株式会社 | 導電性布帛の製造方法、及び生体信号測定装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4918277A (ja) * | 1972-06-09 | 1974-02-18 | ||
| JPS52106336A (en) * | 1976-03-05 | 1977-09-06 | Hitachi Ltd | Surface treating method |
| DE3414383C2 (de) * | 1984-04-16 | 1986-09-04 | MTU Motoren- und Turbinen-Union München GmbH, 8000 München | Verfahren zum chemischen Abtragen von Aluminiumdiffusionsschichten |
-
1988
- 1988-01-14 JP JP63006542A patent/JPH01184282A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01184282A (ja) | 1989-07-21 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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