JPH04273451A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04273451A JPH04273451A JP3059425A JP5942591A JPH04273451A JP H04273451 A JPH04273451 A JP H04273451A JP 3059425 A JP3059425 A JP 3059425A JP 5942591 A JP5942591 A JP 5942591A JP H04273451 A JPH04273451 A JP H04273451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- leads
- chips
- package
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/453—Leadframes comprising flexible metallic tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
- H10W72/07554—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/521—Structures or relative sizes of bond wires
- H10W72/522—Multilayered bond wires, e.g. having a coating concentric around a core
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5453—Dispositions of bond wires connecting between multiple bond pads on a chip, e.g. daisy chain
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5525—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/553—Materials of bond wires not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. polymers, ceramics or liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/555—Materials of bond wires of outermost layers of multilayered bond wires, e.g. material of a coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子たとえばI
Cチップがフィルム上に搭載された半導体装置に関する
ものである。
Cチップがフィルム上に搭載された半導体装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】TAB(Tape Automated
Bonding)技術はICチップの実装技術の一つ
であり、他の実装技術に比べて多ピン・狭ピッチのリー
ド形成が可能であり、またフェースアップで高速自動ボ
ンディングを行うことができる等の特徴がある。このた
め、TAB技術は、近年、特に注目されている。
Bonding)技術はICチップの実装技術の一つ
であり、他の実装技術に比べて多ピン・狭ピッチのリー
ド形成が可能であり、またフェースアップで高速自動ボ
ンディングを行うことができる等の特徴がある。このた
め、TAB技術は、近年、特に注目されている。
【0003】TABテープはフィルム上にリードが形成
されたフィルムキャリアの各パッケージに1個又は複数
個のICチップを搭載したものである。リードには、実
装基板に接続するためにパッケージ外部に引き出される
ものと、1個のICチップ内での接続あるいは複数のI
Cチップ間の接続を行うためにパッケージ内部で引き回
されるものがある。これらのリードとICチップとの接
合には、通常、予めフィルムキャリアのリード先端部に
バンプを転写した後、リードとICチップの電極とを加
圧・加熱して接合する転写バンプ方式を採用している。
されたフィルムキャリアの各パッケージに1個又は複数
個のICチップを搭載したものである。リードには、実
装基板に接続するためにパッケージ外部に引き出される
ものと、1個のICチップ内での接続あるいは複数のI
Cチップ間の接続を行うためにパッケージ内部で引き回
されるものがある。これらのリードとICチップとの接
合には、通常、予めフィルムキャリアのリード先端部に
バンプを転写した後、リードとICチップの電極とを加
圧・加熱して接合する転写バンプ方式を採用している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
のパッケージ内で、ICチップの配線やICチップ同士
の配線を行う場合に、一つのリードが他のリードとクロ
スすることがある。このように配線がクロスするときに
は、フィルムキャリア上に形成されたリードを用いて配
線を行うことは不可能である。この場合、フィルムの両
面にリードを形成し、またフィルムにスルーホールを形
成して、このスルーホールを介してフィルムの両面に形
成されたリードの電気的接続を行うことが考えられる。 しかし、この方法は、多ピン・狭ピッチのTABテープ
では、スルーホールの形成が難しく、コストが嵩む。こ
のため、従来の半導体装置では、クロス配線はパッケー
ジの外部で行っていた。このようにクロス配線をパッケ
ージの外部で行うと、特に同一パッケージ内に複数のI
Cチップが収納されている場合には問題である。複数の
ICチップを同一パッケージ内に収納するのは、複数の
ICチップ間の配線を同一パッケージ内で配線すること
により、半導体装置の省スペース化を図ることができる
からである。しかし、従来の半導体装置では、クロス配
線をパッケージの外部で行っているので、クロス配線が
多くなると、複数のICチップを同一パッケージ内に収
納するメリットがなくなる。
のパッケージ内で、ICチップの配線やICチップ同士
の配線を行う場合に、一つのリードが他のリードとクロ
スすることがある。このように配線がクロスするときに
は、フィルムキャリア上に形成されたリードを用いて配
線を行うことは不可能である。この場合、フィルムの両
面にリードを形成し、またフィルムにスルーホールを形
成して、このスルーホールを介してフィルムの両面に形
成されたリードの電気的接続を行うことが考えられる。 しかし、この方法は、多ピン・狭ピッチのTABテープ
では、スルーホールの形成が難しく、コストが嵩む。こ
のため、従来の半導体装置では、クロス配線はパッケー
ジの外部で行っていた。このようにクロス配線をパッケ
ージの外部で行うと、特に同一パッケージ内に複数のI
Cチップが収納されている場合には問題である。複数の
ICチップを同一パッケージ内に収納するのは、複数の
ICチップ間の配線を同一パッケージ内で配線すること
により、半導体装置の省スペース化を図ることができる
からである。しかし、従来の半導体装置では、クロス配
線をパッケージの外部で行っているので、クロス配線が
多くなると、複数のICチップを同一パッケージ内に収
納するメリットがなくなる。
【0005】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、半導体素子の電極間及び半導体素子間の接続を
極力同一パッケージ内において行うことができる半導体
装置を提供することを目的とするものである。
であり、半導体素子の電極間及び半導体素子間の接続を
極力同一パッケージ内において行うことができる半導体
装置を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、1個又は複数個の半導体素子を、フィル
ム上にリードが形成されたフィルムキャリアを用いて1
つのパッケージ内に収納した半導体装置において、前記
パッケージ内での配線を、前記リード及び導電性のワイ
ヤを用いて行うことを特徴とするものである。また、前
記ワイヤの表面は絶縁体で被覆することが望ましい。
めの本発明は、1個又は複数個の半導体素子を、フィル
ム上にリードが形成されたフィルムキャリアを用いて1
つのパッケージ内に収納した半導体装置において、前記
パッケージ内での配線を、前記リード及び導電性のワイ
ヤを用いて行うことを特徴とするものである。また、前
記ワイヤの表面は絶縁体で被覆することが望ましい。
【0007】
【作用】本発明は前記の構成によって、半導体装置のパ
ッケージ内の1個の半導体素子の電極間或いは複数の半
導体素子間の接続がフィルムキャリア上に形成されたリ
ードでは不可能な場合、たとえば配線がクロスする場合
には、導電性のワイヤを用いて立体的に接続することに
より、これまで同一パッケージ内で接続することができ
なかったクロス配線を同一パッケージ内で行うことがで
きる。また、ワイヤの表面を絶縁体で被覆することによ
り、ワイヤとリード、及びワイヤ同士の短絡を防止する
ことができる。
ッケージ内の1個の半導体素子の電極間或いは複数の半
導体素子間の接続がフィルムキャリア上に形成されたリ
ードでは不可能な場合、たとえば配線がクロスする場合
には、導電性のワイヤを用いて立体的に接続することに
より、これまで同一パッケージ内で接続することができ
なかったクロス配線を同一パッケージ内で行うことがで
きる。また、ワイヤの表面を絶縁体で被覆することによ
り、ワイヤとリード、及びワイヤ同士の短絡を防止する
ことができる。
【0008】
【実施例】以下に本発明の第1実施例を図1及び図2を
参照して説明する。図1は本発明の第1実施例である半
導体装置(TABテープ)の概略平面図、図2はその半
導体装置のICチップを樹脂で封止したときのA−A矢
視概略断面図である。
参照して説明する。図1は本発明の第1実施例である半
導体装置(TABテープ)の概略平面図、図2はその半
導体装置のICチップを樹脂で封止したときのA−A矢
視概略断面図である。
【0009】図1に示すTABテープは、2個のICチ
ップ12a,12bと、フィルム14上にリード16が
形成されたフィルムキャリアと、絶縁体で被覆されたボ
ンディングワイヤ18とを備えるものである。ICチッ
プ12a,12bは略正方形状に形成され、その表面の
端縁部には電極22が形成されている。フィルム14に
は、2個のデバイスホールと、アウターリードホール(
不図示)とが形成されている。デバイスホールはICチ
ップ12a,12bを配置する開口部であり、アウター
リードホールはICチップ12a,12bを打ち抜く際
に目安となる開口部である。フィルム14の材料には、
耐熱性及び耐伸縮性が良好なポリイミドを用いる。 尚、図1に示した一点鎖線で囲まれる領域は樹脂封止さ
れる領域である。
ップ12a,12bと、フィルム14上にリード16が
形成されたフィルムキャリアと、絶縁体で被覆されたボ
ンディングワイヤ18とを備えるものである。ICチッ
プ12a,12bは略正方形状に形成され、その表面の
端縁部には電極22が形成されている。フィルム14に
は、2個のデバイスホールと、アウターリードホール(
不図示)とが形成されている。デバイスホールはICチ
ップ12a,12bを配置する開口部であり、アウター
リードホールはICチップ12a,12bを打ち抜く際
に目安となる開口部である。フィルム14の材料には、
耐熱性及び耐伸縮性が良好なポリイミドを用いる。 尚、図1に示した一点鎖線で囲まれる領域は樹脂封止さ
れる領域である。
【0010】リード16は、実装基板に接続するために
パッケージから引き出される引出用リード16aと、I
Cチップ12a,12b間を接続するためにパッケージ
内で引き回される引回用リード16bからなる。これら
のリード16の一端はデバイスホールに突き出るように
形成されている。引出用リード16a及び一部の引回用
リード16bはその延長上にパッド24が設けられてい
る。引出用リード16aのパッド(不図示)はICチッ
プの電気検査用のテストパッドであり、一方、引回用リ
ード16b1 〜16b4 のパッド24b1 〜24
b4 はボンディングワイヤ18と接続するためのもの
である。 引回用リード16b5 の両端はICチップ12a,1
2bと接続されている。
パッケージから引き出される引出用リード16aと、I
Cチップ12a,12b間を接続するためにパッケージ
内で引き回される引回用リード16bからなる。これら
のリード16の一端はデバイスホールに突き出るように
形成されている。引出用リード16a及び一部の引回用
リード16bはその延長上にパッド24が設けられてい
る。引出用リード16aのパッド(不図示)はICチッ
プの電気検査用のテストパッドであり、一方、引回用リ
ード16b1 〜16b4 のパッド24b1 〜24
b4 はボンディングワイヤ18と接続するためのもの
である。 引回用リード16b5 の両端はICチップ12a,1
2bと接続されている。
【0011】このTABテープでは、リード16とIC
チップ12a,12bの電極22とを接合するのに、い
わゆる転写バンプ方式を用い、フィルムキャリアのリー
ド16a,12b先端部にバンプ(不図示)を転写した
後、リードとICチップ126a,12bの電極22と
を加圧・加熱して両者を接合している。
チップ12a,12bの電極22とを接合するのに、い
わゆる転写バンプ方式を用い、フィルムキャリアのリー
ド16a,12b先端部にバンプ(不図示)を転写した
後、リードとICチップ126a,12bの電極22と
を加圧・加熱して両者を接合している。
【0012】第1実施例のTABテープでは、ICチッ
プの配線設計上、引回用リード16b1 と16b4
、16b2 と16b3 の間を接続する必要がある。 このため、パッド24b1 とパッド24b4 、パッ
ド24b2 とパッド24b3の間をそれぞれボンディ
ングワイヤ18,18で立体的に接続している。
プの配線設計上、引回用リード16b1 と16b4
、16b2 と16b3 の間を接続する必要がある。 このため、パッド24b1 とパッド24b4 、パッ
ド24b2 とパッド24b3の間をそれぞれボンディ
ングワイヤ18,18で立体的に接続している。
【0013】図2に示すTABテープは、このICチッ
プ12a,12bをポッティングやモールドで樹脂封止
したものである。樹脂封止することにより、製造された
半導体装置の電気的特性を損なうことなく、高い信頼性
を保つことができる。尚、26は封止樹脂である。
プ12a,12bをポッティングやモールドで樹脂封止
したものである。樹脂封止することにより、製造された
半導体装置の電気的特性を損なうことなく、高い信頼性
を保つことができる。尚、26は封止樹脂である。
【0014】このようにICチップ間の配線をクロスさ
せなければならない場合、従来はフィルム上に形成され
たリードのみで接続しようとしていたため、クロス配線
をパッケージ内で行うことができなかった。しかし、本
実施例の半導体装置では、上記のように2個のICチッ
プをフィルムキャリアに搭載し、各ICチップ間の接続
を主としてフィルムキャリア上にパターン化されたリー
ドを用いて行うとともに、リードの配線パターンでは接
続が不可能なクロス配線をボンディングワイヤを用いて
接続することにより、クロス配線のパッケージ内での接
続が可能になった。また、本実施例の半導体装置は、従
来の封止樹脂の領域内でボンディングワイヤによる接続
を行うことができるので、ボンディングワイヤを用いて
立体的に接続しても、これにより半導体装置の形状が大
きくなることはない。したがって、従来の半導体装置に
比べて、省スペース化を図ることができる。更に、ホン
ディングワイヤの表面を絶縁体で被覆したことにより、
リードとボンディングワイヤ、及びボンディングワイヤ
同士が接触しても短絡をすることはない。
せなければならない場合、従来はフィルム上に形成され
たリードのみで接続しようとしていたため、クロス配線
をパッケージ内で行うことができなかった。しかし、本
実施例の半導体装置では、上記のように2個のICチッ
プをフィルムキャリアに搭載し、各ICチップ間の接続
を主としてフィルムキャリア上にパターン化されたリー
ドを用いて行うとともに、リードの配線パターンでは接
続が不可能なクロス配線をボンディングワイヤを用いて
接続することにより、クロス配線のパッケージ内での接
続が可能になった。また、本実施例の半導体装置は、従
来の封止樹脂の領域内でボンディングワイヤによる接続
を行うことができるので、ボンディングワイヤを用いて
立体的に接続しても、これにより半導体装置の形状が大
きくなることはない。したがって、従来の半導体装置に
比べて、省スペース化を図ることができる。更に、ホン
ディングワイヤの表面を絶縁体で被覆したことにより、
リードとボンディングワイヤ、及びボンディングワイヤ
同士が接触しても短絡をすることはない。
【0015】次に、本発明の第2実施例を図3を参照し
て説明する。図3は本発明の第2実施例である半導体装
置(TABテープ)の概略平面図である。第2実施例に
おいて上記第1実施例と同一の機能を有するものには同
一の符号を付すことにより、その詳細な説明を省略する
。図3に示すTABテープが第1実施例の半導体装置と
異なるのは、ICチップ12a,12b間を接続する場
合に、引回用リード16b1 のパッド24b1 とI
Cチップ12bの電極22c、ICチップ12aの電極
22aとICチップ12bの電極22bの間をボンディ
ングワイヤで直接接続したことである。第2実施例のT
ABテープでも上記第1実施例の場合と同様の効果を得
ることができる。
て説明する。図3は本発明の第2実施例である半導体装
置(TABテープ)の概略平面図である。第2実施例に
おいて上記第1実施例と同一の機能を有するものには同
一の符号を付すことにより、その詳細な説明を省略する
。図3に示すTABテープが第1実施例の半導体装置と
異なるのは、ICチップ12a,12b間を接続する場
合に、引回用リード16b1 のパッド24b1 とI
Cチップ12bの電極22c、ICチップ12aの電極
22aとICチップ12bの電極22bの間をボンディ
ングワイヤで直接接続したことである。第2実施例のT
ABテープでも上記第1実施例の場合と同様の効果を得
ることができる。
【0016】また、本発明の第3実施例を図4を参照し
て説明する。図4は本発明の第3実施例である半導体装
置(TABテープ)の概略平面図である。第3実施例に
おいて上記第1実施例と同一の機能を有するものには同
一の符号を付すことにより、その詳細な説明を省略する
。図4に示す半導体装置は、パッケージ内に1個のIC
チップが収納され、しかもクロス配線が生ずる場合の一
例である。リード16のパッド24c1 とICチップ
12の電極22c1 、ICチップ12の電極22c2
と22c3 、リード16のパッド24c2 と24
c3 との間はボンディングワイヤ18で立体的に接続
されている。第3実施例のTABテープでも上記第1実
施例の場合と同様の効果を得ることができる。
て説明する。図4は本発明の第3実施例である半導体装
置(TABテープ)の概略平面図である。第3実施例に
おいて上記第1実施例と同一の機能を有するものには同
一の符号を付すことにより、その詳細な説明を省略する
。図4に示す半導体装置は、パッケージ内に1個のIC
チップが収納され、しかもクロス配線が生ずる場合の一
例である。リード16のパッド24c1 とICチップ
12の電極22c1 、ICチップ12の電極22c2
と22c3 、リード16のパッド24c2 と24
c3 との間はボンディングワイヤ18で立体的に接続
されている。第3実施例のTABテープでも上記第1実
施例の場合と同様の効果を得ることができる。
【0017】尚、上記の各実施例では、フィルムキャリ
アの同一パッケージ内にICチップを1個又は2個収納
した場合を説明したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、フィルムキャリアの同一パッケージ内にIC
チップを3個以上収納してもよい。
アの同一パッケージ内にICチップを1個又は2個収納
した場合を説明したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、フィルムキャリアの同一パッケージ内にIC
チップを3個以上収納してもよい。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、フ
ィルム上に形成されたリードによって配線することがで
きるとともに、リードでは配線することができない場合
、たとえば配線がクロスする場合に、ワイヤを用いるこ
とにより立体的に配線することが可能になり、したがっ
て省スペース化を図ることができる半導体装置を提供す
ることができる。
ィルム上に形成されたリードによって配線することがで
きるとともに、リードでは配線することができない場合
、たとえば配線がクロスする場合に、ワイヤを用いるこ
とにより立体的に配線することが可能になり、したがっ
て省スペース化を図ることができる半導体装置を提供す
ることができる。
【図1】本発明の第1実施例である半導体装置の概略平
面図である。
面図である。
【図2】その半導体装置のICチップを樹脂で封止した
ときのA−A矢視概略断面図である。
ときのA−A矢視概略断面図である。
【図3】本発明の第2実施例である半導体装置の概略平
面図である。
面図である。
【図4】本発明の第3実施例である半導体装置の概略平
面図である。
面図である。
12,12a,12b ICチップ14
フィルム 16 リード 16a 引出用リード 16b 引回用リード 18 ボンディングワイヤ 22 電極 24 パッド 26 封止樹脂
フィルム 16 リード 16a 引出用リード 16b 引回用リード 18 ボンディングワイヤ 22 電極 24 パッド 26 封止樹脂
Claims (2)
- 【請求項1】 1個又は複数個の半導体素子を、フィ
ルム上にリードが形成されたフィルムキャリアを用いて
1つのパッケージ内に収納した半導体装置において、前
記パッケージ内での配線を、前記リード及び導電性のワ
イヤを用いて行うことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 前記ワイヤは表面が絶縁体で被覆され
たものである請求項1記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3059425A JPH04273451A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 半導体装置 |
| US07/839,558 US5362984A (en) | 1991-02-28 | 1992-02-24 | Semiconductor device with jumping wire |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3059425A JPH04273451A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273451A true JPH04273451A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=13112899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3059425A Pending JPH04273451A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5362984A (ja) |
| JP (1) | JPH04273451A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6369411B2 (en) * | 1999-05-11 | 2002-04-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device for controlling high-power electricity with improved heat dissipation |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3185540B2 (ja) * | 1994-06-10 | 2001-07-11 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路 |
| US5625235A (en) * | 1995-06-15 | 1997-04-29 | National Semiconductor Corporation | Multichip integrated circuit module with crossed bonding wires |
| US6849480B1 (en) | 1999-05-07 | 2005-02-01 | Seagate Technology Llc | Surface mount IC stacking method and device |
| JP3360723B2 (ja) * | 1999-06-08 | 2002-12-24 | 日本電気株式会社 | 半導体素子のチップサイズパッケージ |
| DE10014620A1 (de) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Andreas Plettner | Verfahren zur Herstellung eines Trägerbandes mit einer Vielzahl von elektrischen Einheiten, jeweils aufweisend einen Chip und Kontaktelemente |
| JP3737673B2 (ja) * | 2000-05-23 | 2006-01-18 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
| US6441501B1 (en) * | 2000-09-30 | 2002-08-27 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Wire-bonded semiconductor device with improved wire arrangement scheme for minimizing abnormal wire sweep |
| US6882034B2 (en) * | 2001-08-29 | 2005-04-19 | Micron Technology, Inc. | Routing element for use in multi-chip modules, multi-chip modules including the routing element, and methods |
| JP3886793B2 (ja) * | 2001-12-03 | 2007-02-28 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
| US7629675B2 (en) * | 2006-05-03 | 2009-12-08 | Marvell International Technology Ltd. | System and method for routing signals between side-by-side die in lead frame type system in a package (SIP) devices |
| US8547709B2 (en) * | 2010-02-12 | 2013-10-01 | Cyntec Co. Ltd. | Electronic system with a composite substrate |
| US8951847B2 (en) | 2012-01-18 | 2015-02-10 | Intersil Americas LLC | Package leadframe for dual side assembly |
| US20150075849A1 (en) * | 2013-09-17 | 2015-03-19 | Jia Lin Yap | Semiconductor device and lead frame with interposer |
| WO2016060978A1 (en) * | 2014-10-13 | 2016-04-21 | Fci Asia Pte. Ltd | Data transmission system with minimized crosstalk |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2247580A1 (de) * | 1972-09-28 | 1974-04-04 | Licentia Gmbh | Halbleiteranordnung aus einem metallischen kontaktierungsstreifen |
| JP2582013B2 (ja) * | 1991-02-08 | 1997-02-19 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| FR2521350B1 (fr) * | 1982-02-05 | 1986-01-24 | Hitachi Ltd | Boitier porteur de puce semi-conductrice |
| JPS5954252A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-29 | Nec Corp | フイルムキヤリアテ−プ |
| KR910001419B1 (ko) * | 1987-03-31 | 1991-03-05 | 가부시키가이샤 도시바 | 수지봉합형 집적회로장치 |
| JPH0658921B2 (ja) * | 1989-03-22 | 1994-08-03 | 新日本製鐵株式会社 | ボンディングワイヤおよびそれを用いた半導体装置 |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP3059425A patent/JPH04273451A/ja active Pending
-
1992
- 1992-02-24 US US07/839,558 patent/US5362984A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6369411B2 (en) * | 1999-05-11 | 2002-04-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device for controlling high-power electricity with improved heat dissipation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5362984A (en) | 1994-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930010086B1 (ko) | 반도체 집적회로장치 | |
| US5373188A (en) | Packaged semiconductor device including multiple semiconductor chips and cross-over lead | |
| US4949224A (en) | Structure for mounting a semiconductor device | |
| US5942795A (en) | Leaded substrate carrier for integrated circuit device and leaded substrate carrier device assembly | |
| EP0498446B1 (en) | Multichip packaged semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JP2568748B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US5362984A (en) | Semiconductor device with jumping wire | |
| JP2001177050A (ja) | 半導体装置 | |
| US5704593A (en) | Film carrier tape for semiconductor package and semiconductor device employing the same | |
| US5559305A (en) | Semiconductor package having adjacently arranged semiconductor chips | |
| US6669738B2 (en) | Low profile semiconductor package | |
| JP3656861B2 (ja) | 半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の製造方法 | |
| WO1996004682A1 (en) | Electronic circuit package | |
| JPS60138948A (ja) | 半導体装置用パツケ−ジ | |
| JP2652222B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP2990120B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2556204B2 (ja) | フィルムキャリア半導体装置の実装方法 | |
| JP2505359Y2 (ja) | 半導体搭載用基板 | |
| JPH05283471A (ja) | 半導体装置及びその半導体装置の構成材の一部をなす基材 | |
| JP2001319943A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02213148A (ja) | テープキャリア | |
| KR100195511B1 (ko) | 리드 프레임을 이용한 볼 그리드 어레이 패키지 | |
| KR100219473B1 (ko) | 탭리드를 이용한 반도체 장치 및 그 실장방법 | |
| JP3324571B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03296236A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990301 |