JPH04274383A - 半導体取付け基板用複合金属積層体 - Google Patents
半導体取付け基板用複合金属積層体Info
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- JPH04274383A JPH04274383A JP3059677A JP5967791A JPH04274383A JP H04274383 A JPH04274383 A JP H04274383A JP 3059677 A JP3059677 A JP 3059677A JP 5967791 A JP5967791 A JP 5967791A JP H04274383 A JPH04274383 A JP H04274383A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 22
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 5
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、各種の半導体デバイ
スを作成する際に半導体等を載置、接続するための半導
体取付け基板に係り、銅／インバー合金／銅クラッド材
の表面にアルミニウム層を設けた複合金属積層体となし
、密着強度にすぐれた絶縁層の形成を容易にした半導体
取付け基板用複合金属積層体に関する。
スを作成する際に半導体等を載置、接続するための半導
体取付け基板に係り、銅／インバー合金／銅クラッド材
の表面にアルミニウム層を設けた複合金属積層体となし
、密着強度にすぐれた絶縁層の形成を容易にした半導体
取付け基板用複合金属積層体に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種の半導体デバイスを作成する際に半
導体等を載置、接続するための半導体取付けに用いられ
る金属基板材料として、現在最も幅広く使用されている
ものにアルミニウム材がある。アルミニウム基板材は、
１．密着強度の優れた絶縁層の形成が容易である。２．
熱伝導性にすぐれている。３．加工成形性がよい。４．
軽量であること。などの利点を有しているが、熱膨張が
大きいという欠点がある。
導体等を載置、接続するための半導体取付けに用いられ
る金属基板材料として、現在最も幅広く使用されている
ものにアルミニウム材がある。アルミニウム基板材は、
１．密着強度の優れた絶縁層の形成が容易である。２．
熱伝導性にすぐれている。３．加工成形性がよい。４．
軽量であること。などの利点を有しているが、熱膨張が
大きいという欠点がある。
【０００３】半導体パッケージ等との熱膨張係数との整
合性を有し、熱伝導率が大きいという相反する要求を満
足する材料として、クラッド板やＣｕ−ＭｏあるいはＣ
ｕ−Ｗ合金等の放熱基板用複合材料が提案されている。
合性を有し、熱伝導率が大きいという相反する要求を満
足する材料として、クラッド板やＣｕ−ＭｏあるいはＣ
ｕ−Ｗ合金等の放熱基板用複合材料が提案されている。
【０００４】クラッド板としては、銅板とインバー合金
板を積層した材料が使用されている。銅は熱伝導性が良
好であるが熱膨張係数が大きいため、これを抑制するた
めにインバー合金を積層圧接することにより、板の長手
方向の熱膨張に関して半導体素子との整合性を得るもの
である。また、銅板の両面にインバー合金板を積層圧接
したサンドイッチ構造を取ることにより、温度上昇によ
るそりを防ぐ構造となっている。
板を積層した材料が使用されている。銅は熱伝導性が良
好であるが熱膨張係数が大きいため、これを抑制するた
めにインバー合金を積層圧接することにより、板の長手
方向の熱膨張に関して半導体素子との整合性を得るもの
である。また、銅板の両面にインバー合金板を積層圧接
したサンドイッチ構造を取ることにより、温度上昇によ
るそりを防ぐ構造となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】また、半導体取付け基
板用材料として、銅／インバー合金／銅クラッド材（特
公平２−１４７９４号）やＡｌ／インバー合金／Ａｌク
ラッド材（特公昭６３−２６１８６３号）なども提案さ
れている。前者の銅／インバー合金／銅クラッド材の場
合、熱膨張が小さくかつ比較的熱伝導性もよいが、密着
強度の優れた絶縁層の形成が困難であり、後者のＡｌ／
インバー合金／Ａｌクラッド材の場合、熱膨張を小さく
するため前者の場合よりも大きな比率でインバー合金を
積層しなければ成らず、必然的に熱伝導性が悪化する。
板用材料として、銅／インバー合金／銅クラッド材（特
公平２−１４７９４号）やＡｌ／インバー合金／Ａｌク
ラッド材（特公昭６３−２６１８６３号）なども提案さ
れている。前者の銅／インバー合金／銅クラッド材の場
合、熱膨張が小さくかつ比較的熱伝導性もよいが、密着
強度の優れた絶縁層の形成が困難であり、後者のＡｌ／
インバー合金／Ａｌクラッド材の場合、熱膨張を小さく
するため前者の場合よりも大きな比率でインバー合金を
積層しなければ成らず、必然的に熱伝導性が悪化する。
【０００６】この発明は、接着相手材の熱膨張係数との
整合性にすぐれ、かつ熱伝導性が良好で密着強度の優れ
た絶縁層の形成が容易な半導体取付け基板用材料の提供
を目的としている。
整合性にすぐれ、かつ熱伝導性が良好で密着強度の優れ
た絶縁層の形成が容易な半導体取付け基板用材料の提供
を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、インバー合
金を芯材に両主面に銅材が積層されたクラッド材の少な
くとも一方主面にアルミニウム層が積層されたことを特
徴とする半導体取付け基板用複合金属積層体である。こ
の発明において、インバー合金は、３０〜５０ｗｔ％Ｎ
ｉを含有するＮｉ−Ｆｅ系合金および２５〜３５ｗｔ％
Ｎｉと４〜２０ｗｔ％Ｃｏを含有するＮｉ−Ｃｏ−Ｆｅ
系合金などから、用途、目的に応じて適宜選定される。
金を芯材に両主面に銅材が積層されたクラッド材の少な
くとも一方主面にアルミニウム層が積層されたことを特
徴とする半導体取付け基板用複合金属積層体である。こ
の発明において、インバー合金は、３０〜５０ｗｔ％Ｎ
ｉを含有するＮｉ−Ｆｅ系合金および２５〜３５ｗｔ％
Ｎｉと４〜２０ｗｔ％Ｃｏを含有するＮｉ−Ｃｏ−Ｆｅ
系合金などから、用途、目的に応じて適宜選定される。
【０００８】
【作用】この発明による複合金属積層体は、従来の銅／
インバー合金／銅クラッド材の特徴を生かしつつ、密着
強度の優れた絶縁層を容易に形成するため、該クラッド
材の少なくとも一方主面にアルミニウム層を積層したこ
とを特徴とする。すなわち、この発明による複合金属積
層体は図１に示す如く、銅／インバー合金／銅クラッド
材１の両面にアルミニウム層２を積層するか、図２に示
す如く、銅／インバー合金／銅クラッド材１の片面にア
ルミニウム層２を積層したものである。
インバー合金／銅クラッド材の特徴を生かしつつ、密着
強度の優れた絶縁層を容易に形成するため、該クラッド
材の少なくとも一方主面にアルミニウム層を積層したこ
とを特徴とする。すなわち、この発明による複合金属積
層体は図１に示す如く、銅／インバー合金／銅クラッド
材１の両面にアルミニウム層２を積層するか、図２に示
す如く、銅／インバー合金／銅クラッド材１の片面にア
ルミニウム層２を積層したものである。
【０００９】この発明による複合金属積層体の製造方法
は、先に圧延圧接にて得た銅／インバー合金／銅クラッ
ド材に、アルミニウム材を冷間圧接法、温間圧接法など
の圧着法で積層するほか、蒸着、スパッタリングなどの
気相成長法にて積層することができ、さらにアルミニウ
ム板、銅板、インバー合金板を所要の積層順序に重ねて
同時に圧延圧接して複合金属積層体となすことができる
。
は、先に圧延圧接にて得た銅／インバー合金／銅クラッ
ド材に、アルミニウム材を冷間圧接法、温間圧接法など
の圧着法で積層するほか、蒸着、スパッタリングなどの
気相成長法にて積層することができ、さらにアルミニウ
ム板、銅板、インバー合金板を所要の積層順序に重ねて
同時に圧延圧接して複合金属積層体となすことができる
。
【００１０】銅／インバー合金／銅クラッド材における
インバー合金の体積比率は、その材質、用途、目的に応
じて適宜選定されるが、熱膨張を小さくする目的から２
０ｖｏｌ％以上が必要であり、また、熱伝導性をあまり
劣化させない目的から８０ｖｏｌ％以下が望ましい。
インバー合金の体積比率は、その材質、用途、目的に応
じて適宜選定されるが、熱膨張を小さくする目的から２
０ｖｏｌ％以上が必要であり、また、熱伝導性をあまり
劣化させない目的から８０ｖｏｌ％以下が望ましい。
【００１１】銅／インバー合金／銅クラッド材に積層す
るアルミニウム層の体積比率は、銅／インバー合金／銅
クラッド材の熱膨張、熱伝導性等の特性を損なうことが
ないように選定する必要があり、全板厚みの２０ｖｏｌ
％以下とすることが望ましい。また、アルミニウム層は
絶縁層形成時のアルマイト処理を安定して実施するため
に、１０μｍ以上の厚みが必要である。
るアルミニウム層の体積比率は、銅／インバー合金／銅
クラッド材の熱膨張、熱伝導性等の特性を損なうことが
ないように選定する必要があり、全板厚みの２０ｖｏｌ
％以下とすることが望ましい。また、アルミニウム層は
絶縁層形成時のアルマイト処理を安定して実施するため
に、１０μｍ以上の厚みが必要である。
【００１２】さらに、この発明による複合金属積層体に
おいて、アルミニウムと銅との界面は温度の上昇により
、脆い金属間化合物を生成するが、これを防止するため
に前記のアルミニウムと銅との界面に薄いＮｉ層等のバ
リヤー層を介在させるとよい。
おいて、アルミニウムと銅との界面は温度の上昇により
、脆い金属間化合物を生成するが、これを防止するため
に前記のアルミニウムと銅との界面に薄いＮｉ層等のバ
リヤー層を介在させるとよい。
【００１３】
【実施例】実施例１
板厚 ２．０ｍｍ、板幅２００ｍｍのコイル状の銅／
インバー合金／銅クラッド材（インバー合金組成が３６
％Ｎｉ−０．２％Ｍｎ−Ｆｅ系で、厚さ比率２０：６０
：２０）を巻戻しながら、板厚 ０．１ｍｍ、板幅２
００ｍｍのコイル状のアルミニウム板（ＪＩＳＡ１０５
０相当材）を前記クラッド材の上方及び下方より巻戻し
ながら、圧延率５４．５％で圧接し、その後、接合界面
の金属的接合力を高めるために、温度１５０℃、３時間
の熱処理を行い、続いて仕上げ冷間圧延を行い、板厚み
０．８ｍｍ、板幅２００ｍｍのコイル状のこの発明によ
る複合金属積層体を得た。すなわち、この発明によるア
ルミニウム／銅／インバー合金／銅／アルミニウムの複
合金属積層体は、アルミニウム層厚みがそれぞれ０．０
３０ｍｍ、銅層が０．１４７ｍｍ、インバー合金層が０
．４４６ｍｍである。得られた複合金属積層体の面方向
の平均熱膨張係数（３０〜２００℃、×１０−６／℃）
、面方向の熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）並びにアルマイト処
理による絶縁層の形成可否を表１に示す。
インバー合金／銅クラッド材（インバー合金組成が３６
％Ｎｉ−０．２％Ｍｎ−Ｆｅ系で、厚さ比率２０：６０
：２０）を巻戻しながら、板厚 ０．１ｍｍ、板幅２
００ｍｍのコイル状のアルミニウム板（ＪＩＳＡ１０５
０相当材）を前記クラッド材の上方及び下方より巻戻し
ながら、圧延率５４．５％で圧接し、その後、接合界面
の金属的接合力を高めるために、温度１５０℃、３時間
の熱処理を行い、続いて仕上げ冷間圧延を行い、板厚み
０．８ｍｍ、板幅２００ｍｍのコイル状のこの発明によ
る複合金属積層体を得た。すなわち、この発明によるア
ルミニウム／銅／インバー合金／銅／アルミニウムの複
合金属積層体は、アルミニウム層厚みがそれぞれ０．０
３０ｍｍ、銅層が０．１４７ｍｍ、インバー合金層が０
．４４６ｍｍである。得られた複合金属積層体の面方向
の平均熱膨張係数（３０〜２００℃、×１０−６／℃）
、面方向の熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）並びにアルマイト処
理による絶縁層の形成可否を表１に示す。
【００１４】比較のため、上記インバー合金と銅及びア
ルミニウム板を用いて、銅層とインバー合金層比率がこ
の発明の積層体と同等の銅／インバー合金／銅クラッド
材（比較例１）と、アルミニウム／インバー合金／アル
ミニウムクラッド材（比較例２）を作成し、同様に特性
を調べて表１に示す。
ルミニウム板を用いて、銅層とインバー合金層比率がこ
の発明の積層体と同等の銅／インバー合金／銅クラッド
材（比較例１）と、アルミニウム／インバー合金／アル
ミニウムクラッド材（比較例２）を作成し、同様に特性
を調べて表１に示す。
【００１５】実施例２
板厚 ２．０ｍｍ、板幅６０ｍｍのコイル状の銅／イ
ンバー合金／銅クラッド材（インバー合金組成が３６％
Ｎｉ−０．２％Ｍｎ−Ｆｅ系で、厚さ比率２０：６０：
２０）を巻戻しながら、板厚 ０．０５ｍｍ、板幅６
０ｍｍのコイル状のアルミニウム板（ＪＩＳＡ１０５０
相当材）を前記クラッド材の上方及び下方より巻戻しな
がら、圧延率５１．２％で圧接し、続いて仕上げ冷間圧
延を行い、板厚み０．８ｍｍ、板幅２００ｍｍのコイル
状のこの発明による複合金属積層体を得た。すなわち、
この発明によるアルミニウム／銅／インバー合金／銅の
複合金属積層体は、アルミニウム層厚みが０．０１５ｍ
ｍ、銅層が０．１５７ｍｍ、インバー合金層が０．４７
１ｍｍであった。実施例１と同様に特性を調べて表１に
示す。
ンバー合金／銅クラッド材（インバー合金組成が３６％
Ｎｉ−０．２％Ｍｎ−Ｆｅ系で、厚さ比率２０：６０：
２０）を巻戻しながら、板厚 ０．０５ｍｍ、板幅６
０ｍｍのコイル状のアルミニウム板（ＪＩＳＡ１０５０
相当材）を前記クラッド材の上方及び下方より巻戻しな
がら、圧延率５１．２％で圧接し、続いて仕上げ冷間圧
延を行い、板厚み０．８ｍｍ、板幅２００ｍｍのコイル
状のこの発明による複合金属積層体を得た。すなわち、
この発明によるアルミニウム／銅／インバー合金／銅の
複合金属積層体は、アルミニウム層厚みが０．０１５ｍ
ｍ、銅層が０．１５７ｍｍ、インバー合金層が０．４７
１ｍｍであった。実施例１と同様に特性を調べて表１に
示す。
【００１６】実施例３
板厚 ０．８ｍｍ、板幅１００ｍｍ、長さ１００ｍｍ
の板状の銅／インバー合金／銅クラッド材（インバー合
金組成が３６％Ｎｉ−０．２％Ｍｎ−Ｆｅ系で、厚さ比
率２０：６０：２０）の一方主面に、真空度１０−７Ｔ
ｏｒｒ、基板温度２００〜２５０℃の条件でアルミニウ
ム（ＪＩＳＡ１０５０相当）を１５μｍ厚み蒸着し、板
厚 ０．８１５ｍｍ、板幅１００ｍｍ、長さ１００ｍ
ｍの板状のこの発明による複合金属積層体を得た。実施
例１と同様に特性を調べて表１に示す。
の板状の銅／インバー合金／銅クラッド材（インバー合
金組成が３６％Ｎｉ−０．２％Ｍｎ−Ｆｅ系で、厚さ比
率２０：６０：２０）の一方主面に、真空度１０−７Ｔ
ｏｒｒ、基板温度２００〜２５０℃の条件でアルミニウ
ム（ＪＩＳＡ１０５０相当）を１５μｍ厚み蒸着し、板
厚 ０．８１５ｍｍ、板幅１００ｍｍ、長さ１００ｍ
ｍの板状のこの発明による複合金属積層体を得た。実施
例１と同様に特性を調べて表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【発明の効果】この発明による複合金属積層体は、銅／
インバー合金／銅クラッド材の表面にアルミニウム層を
設けた複合金属積層体となし、銅／インバー合金／銅ク
ラッド材の特徴を生かしかつ密着強度にすぐれた絶縁層
の形成を容易にし、半導体取付け基板の用途に最適であ
る。
インバー合金／銅クラッド材の表面にアルミニウム層を
設けた複合金属積層体となし、銅／インバー合金／銅ク
ラッド材の特徴を生かしかつ密着強度にすぐれた絶縁層
の形成を容易にし、半導体取付け基板の用途に最適であ
る。
【図１】この発明による複合金属積層体の構成を示す縦
断説明図である。
断説明図である。
【図２】この発明による他の複合金属積層体の構成を示
す縦断説明図である。
す縦断説明図である。
１ 銅／インバー合金／銅クラッド材２ アルミニ
ウム層
ウム層
Claims (2)
- 【請求項１】 インバー合金を芯材に両主面に銅材が
積層されたクラッド材の少なくとも一方主面にアルミニ
ウム層が積層されたことを特徴とする半導体取付け基板
用複合金属積層体。 - 【請求項２】 インバー合金芯材の占める体積比率が
２０〜８０Ｖｏｌ％であり、表面のアルミニウム層厚み
が１０μｍ以上でかつ体積比率が２０Ｖｏｌ％以下であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体取付け基板用
複合金属積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5967791A JP2960563B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 半導体取付け基板用複合金属積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5967791A JP2960563B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 半導体取付け基板用複合金属積層体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04274383A true JPH04274383A (ja) | 1992-09-30 |
| JP2960563B2 JP2960563B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=13120066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5967791A Expired - Lifetime JP2960563B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 半導体取付け基板用複合金属積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2960563B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006021385A1 (en) * | 2004-08-21 | 2006-03-02 | Universite Catholique De Louvain | Machinable metallic composites |
| JP2008042084A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2015130501A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-16 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 印刷回路基板及びこれを含む発光装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5668870A (en) * | 1979-10-29 | 1981-06-09 | Recognition Equipment Inc | Illuminator |
| JPS6081645A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-09 | Tokyo Electric Co Ltd | 光学読取装置 |
| JPH01308527A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-13 | Sukara Kk | 拡大撮像装置における照明用導光装置 |
| JPH02207401A (ja) * | 1989-02-04 | 1990-08-17 | Sukara Kk | 拡大撮像装置における照明装置 |
| JPH03135276A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Sukara Kk | 撮像装置の撮像ヘッド |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP5967791A patent/JP2960563B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5668870A (en) * | 1979-10-29 | 1981-06-09 | Recognition Equipment Inc | Illuminator |
| JPS6081645A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-09 | Tokyo Electric Co Ltd | 光学読取装置 |
| JPH01308527A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-13 | Sukara Kk | 拡大撮像装置における照明用導光装置 |
| JPH02207401A (ja) * | 1989-02-04 | 1990-08-17 | Sukara Kk | 拡大撮像装置における照明装置 |
| JPH03135276A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Sukara Kk | 撮像装置の撮像ヘッド |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006021385A1 (en) * | 2004-08-21 | 2006-03-02 | Universite Catholique De Louvain | Machinable metallic composites |
| JP2008042084A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
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| JP2960563B2 (ja) | 1999-10-06 |
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