JPH04275443A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH04275443A JPH04275443A JP3737091A JP3737091A JPH04275443A JP H04275443 A JPH04275443 A JP H04275443A JP 3737091 A JP3737091 A JP 3737091A JP 3737091 A JP3737091 A JP 3737091A JP H04275443 A JPH04275443 A JP H04275443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- integrated circuit
- leads
- lead
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特にTAB(Tape Automated B
onding)に適用して有効な技術に関するものであ
る。
関し、特にTAB(Tape Automated B
onding)に適用して有効な技術に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】論理LSIの多機能化、高速化の進行に
伴って、半導体チップの外部端子(入出力端子、電源端
子)の数が著しく増加し、チップのボンディングパッド
にワイヤを接続して外部回路との接続を行う従来のワイ
ヤボンディング方式に限界が見えていることから、薄い
絶縁フィルム上にCu箔を加工したリードを形成し、こ
のリードを介してチップを基板に実装するTAB(フィ
ルムキャリヤ)が注目されている。
伴って、半導体チップの外部端子(入出力端子、電源端
子)の数が著しく増加し、チップのボンディングパッド
にワイヤを接続して外部回路との接続を行う従来のワイ
ヤボンディング方式に限界が見えていることから、薄い
絶縁フィルム上にCu箔を加工したリードを形成し、こ
のリードを介してチップを基板に実装するTAB(フィ
ルムキャリヤ)が注目されている。
【0003】上記TABの現状と動向については、例え
ば株式会社プレスジャーナル、平成元年5月20日発行
の「月刊セミコンダクターワールド6月号」P107〜
P112において論じられている。
ば株式会社プレスジャーナル、平成元年5月20日発行
の「月刊セミコンダクターワールド6月号」P107〜
P112において論じられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】近年、TABにおいて
も多ピン化が急速に進行し、従来100ピン程度であっ
たものが200ピン程度まで増加してきたことから、パ
ッド間隔は160μmピッチから100μmピッチへと
、またインナーリード幅も80μmから40μmへとそ
れぞれ縮小されている。
も多ピン化が急速に進行し、従来100ピン程度であっ
たものが200ピン程度まで増加してきたことから、パ
ッド間隔は160μmピッチから100μmピッチへと
、またインナーリード幅も80μmから40μmへとそ
れぞれ縮小されている。
【0005】ところが、インナーリード幅が40μm程
度まで縮小すると、その機械的強度が低下するため、温
度サイクル試験を行った際、チップと絶縁フィルムとの
熱膨張係数差によって生じる応力によって、特にこの応
力が集中し易いチップコーナー部のインナーリードが断
線するという問題が発生する。
度まで縮小すると、その機械的強度が低下するため、温
度サイクル試験を行った際、チップと絶縁フィルムとの
熱膨張係数差によって生じる応力によって、特にこの応
力が集中し易いチップコーナー部のインナーリードが断
線するという問題が発生する。
【0006】本発明は、上記した問題点に着目してなさ
れたものであり、その目的は、TABのインナーリード
の強度を向上させる技術を提供することにある。
れたものであり、その目的は、TABのインナーリード
の強度を向上させる技術を提供することにある。
【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のTABは、二方
向に延在する幅広のインナーリードをチップのコーナー
部に配置し、このインナーリードとチップコーナー部に
形成したバンプとを接続したものである。
向に延在する幅広のインナーリードをチップのコーナー
部に配置し、このインナーリードとチップコーナー部に
形成したバンプとを接続したものである。
【0009】
【作用】チップコーナー部のインナーリードを二方向に
延在し、かつ幅広にすることにより、その機械的強度が
向上するので、チップと絶縁フィルムとの熱膨張係数差
によって生じる応力が特に集中し易いチップコーナー部
でのインナーリードの断線を確実に防止することができ
る。また、上記インナーリードの存在により、チップコ
ーナー部以外のインナーリードに加わる応力も軽減され
るので、チップコーナー部以外のインナーリードの断線
発生率も低減する。
延在し、かつ幅広にすることにより、その機械的強度が
向上するので、チップと絶縁フィルムとの熱膨張係数差
によって生じる応力が特に集中し易いチップコーナー部
でのインナーリードの断線を確実に防止することができ
る。また、上記インナーリードの存在により、チップコ
ーナー部以外のインナーリードに加わる応力も軽減され
るので、チップコーナー部以外のインナーリードの断線
発生率も低減する。
【0010】
【実施例】図3は、本実施例のTAB1の平面図である
。ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などの耐熱性合成
樹脂からなる絶縁フィルム2の一面には、この絶縁フィ
ルム2に接着したCu箔をエッチングにより加工した多
数のリード3が形成されている。このリード3の表面に
は、例えばSnメッキ、Auメッキ、またはPb/Sn
合金からなる半田メッキが被着されている。
。ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などの耐熱性合成
樹脂からなる絶縁フィルム2の一面には、この絶縁フィ
ルム2に接着したCu箔をエッチングにより加工した多
数のリード3が形成されている。このリード3の表面に
は、例えばSnメッキ、Auメッキ、またはPb/Sn
合金からなる半田メッキが被着されている。
【0011】上記リード3の先端(インナーリード)は
、絶縁フィルム2の中央部に開孔したデバイスホール4
内の半導体チップ5を囲むように配置されており、リー
ド3とチップ5とは、チップ5の主面の周辺部に設けら
れた、図3では図示しないAuなどのバンプ6を介して
電気的に接続されている。
、絶縁フィルム2の中央部に開孔したデバイスホール4
内の半導体チップ5を囲むように配置されており、リー
ド3とチップ5とは、チップ5の主面の周辺部に設けら
れた、図3では図示しないAuなどのバンプ6を介して
電気的に接続されている。
【0012】図1は、上記TAB1のチップコーナー部
の拡大平面図、図2は、図1のII−II線における断
面図である。
の拡大平面図、図2は、図1のII−II線における断
面図である。
【0013】図1に示すように、本実施例のTAB1は
、チップ5のコーナー部に配置されたリード3aのイン
ナーリードを、他のリード3のインナーリードに比べて
幅広に加工し、かつ二方向に延在させている。
、チップ5のコーナー部に配置されたリード3aのイン
ナーリードを、他のリード3のインナーリードに比べて
幅広に加工し、かつ二方向に延在させている。
【0014】上記リード3aは、チップ5に電源(電源
電圧または基準電圧)を供給する電源用リードであり、
その他のリード3は、入出力信号用のリードである。上
記電源用リード3aは、チップ5のコーナー部に形成さ
れたバンプ6と電気的に接続されており、その他のリー
ド3は、チップ5の各辺に沿って形成されたバンプ6と
電気的に接続されている。
電圧または基準電圧)を供給する電源用リードであり、
その他のリード3は、入出力信号用のリードである。上
記電源用リード3aは、チップ5のコーナー部に形成さ
れたバンプ6と電気的に接続されており、その他のリー
ド3は、チップ5の各辺に沿って形成されたバンプ6と
電気的に接続されている。
【0015】リード3,3aのインナーリードとチップ
5のバンプ6とを電気的に接続するには、あらかじめバ
ンプ6を形成したチップ5をインナーリードボンディン
グ装置のステージ上に搭載し、画像認識処理によって各
リード3,3aのインナーリードを対応するバンプ6の
上に精確に位置決めした後、ステージの上方から500
℃程度に加熱したボンディングツールを各リード3,3
a上に押圧してリード3,3aとバンプ6とを一括ボン
ディング(ギャングボンディング)する。
5のバンプ6とを電気的に接続するには、あらかじめバ
ンプ6を形成したチップ5をインナーリードボンディン
グ装置のステージ上に搭載し、画像認識処理によって各
リード3,3aのインナーリードを対応するバンプ6の
上に精確に位置決めした後、ステージの上方から500
℃程度に加熱したボンディングツールを各リード3,3
a上に押圧してリード3,3aとバンプ6とを一括ボン
ディング(ギャングボンディング)する。
【0016】上記のように構成された本実施例のTAB
1によれば、以下の作用、効果を得ることができる。
1によれば、以下の作用、効果を得ることができる。
【0017】(1). チップコーナー部のインナー
リードを二方向に延在し、かつ幅広にすることにより、
その機械的強度が向上するので、チップ5と絶縁フィル
ム2との熱膨張係数差によって生じる応力が特に集中し
易いチップコーナー部でのインナーリードの断線を確実
に防止することができる。また、上記インナーリードの
存在により、チップコーナー部以外のインナーリードに
加わる応力も軽減されるので、チップコーナー部以外の
インナーリードの断線発生率も低減する。
リードを二方向に延在し、かつ幅広にすることにより、
その機械的強度が向上するので、チップ5と絶縁フィル
ム2との熱膨張係数差によって生じる応力が特に集中し
易いチップコーナー部でのインナーリードの断線を確実
に防止することができる。また、上記インナーリードの
存在により、チップコーナー部以外のインナーリードに
加わる応力も軽減されるので、チップコーナー部以外の
インナーリードの断線発生率も低減する。
【0018】(2). チップコーナー部のインナー
リードを二方向に延在することにより、チップコーナー
部近傍の絶縁フィルム2の変形(反り)が抑制されるの
で、インナーリードボンディング時の画像認識処理によ
るインナーリードとバンプとの位置決めを精確に行うこ
とができる。
リードを二方向に延在することにより、チップコーナー
部近傍の絶縁フィルム2の変形(反り)が抑制されるの
で、インナーリードボンディング時の画像認識処理によ
るインナーリードとバンプとの位置決めを精確に行うこ
とができる。
【0019】(3). 上記(1)〜(2) により
、TAB1の製造歩留り、信頼性を向上させることがで
きる。 (4). チップコーナー部のリード3aを電源用リ
ードとし、そのインナーリードを幅広にしたことにより
、リード3aの配線抵抗が低下し、ノイズの低減その他
の電気特性の向上を図ることができる。
、TAB1の製造歩留り、信頼性を向上させることがで
きる。 (4). チップコーナー部のリード3aを電源用リ
ードとし、そのインナーリードを幅広にしたことにより
、リード3aの配線抵抗が低下し、ノイズの低減その他
の電気特性の向上を図ることができる。
【0020】図4は、本発明の他の実施例であるTAB
1のチップコーナー部を示す拡大平面図である。
1のチップコーナー部を示す拡大平面図である。
【0021】本図に示すTAB1は、チップ5のコーナ
ー部に、このコーナー部を覆うような大面積の導電パタ
ーン7を配置し、この導電パターン7とチップ5のコー
ナー部に形成したバンプ6とを接続した構成になってい
る。
ー部に、このコーナー部を覆うような大面積の導電パタ
ーン7を配置し、この導電パターン7とチップ5のコー
ナー部に形成したバンプ6とを接続した構成になってい
る。
【0022】上記導電パターン7は、リードとしての機
能を有しないダミーのパターンであり、他のリード3の
ようにアウターリードを有してはいない。従って、この
導電パターン7に接続されたバンプ6も電極としての機
能を有しないダミーのバンプである。
能を有しないダミーのパターンであり、他のリード3の
ようにアウターリードを有してはいない。従って、この
導電パターン7に接続されたバンプ6も電極としての機
能を有しないダミーのバンプである。
【0023】この導電パターン7は、リード3と同一の
材料(例えばCu)からなり、リード3と同一の製造工
程で作成される。また、導電パターン7とバンプ6との
接続も、インナーリードボンディング工程で他のリード
3と一括して行われる。
材料(例えばCu)からなり、リード3と同一の製造工
程で作成される。また、導電パターン7とバンプ6との
接続も、インナーリードボンディング工程で他のリード
3と一括して行われる。
【0024】上記のように構成されたTAB1によれば
、チップコーナー部に導電パターン7を設けたことによ
り、リード3に加わる応力が軽減されるので、リード3
の断線発生率を低減することができる。また、チップコ
ーナー部近傍の絶縁フィルム2の変形(反り)が抑制さ
れるので、インナーリードボンディング時の画像認識処
理によるインナーリードとバンプとの位置決めを精確に
行うことができる。
、チップコーナー部に導電パターン7を設けたことによ
り、リード3に加わる応力が軽減されるので、リード3
の断線発生率を低減することができる。また、チップコ
ーナー部近傍の絶縁フィルム2の変形(反り)が抑制さ
れるので、インナーリードボンディング時の画像認識処
理によるインナーリードとバンプとの位置決めを精確に
行うことができる。
【0025】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0026】例えば、前記実施例の導電パターンにアウ
ターリードを設け、電源用リードとして利用することも
可能である。
ターリードを設け、電源用リードとして利用することも
可能である。
【0027】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【0028】チップのコーナー部に二方向に延在する幅
広のインナーリードを配置し、このインナーリードとチ
ップコーナー部のバンプとを接続した本発明のTABに
よれば、上記インナーリードの機械的強度が向上するの
で、チップコーナー部でのインナーリードの断線を確実
に防止することができる。また、上記インナーリードの
存在により、チップコーナー部以外のインナーリードに
加わる応力も軽減されるので、チップコーナー部以外の
インナーリードの断線発生率も低減する。
広のインナーリードを配置し、このインナーリードとチ
ップコーナー部のバンプとを接続した本発明のTABに
よれば、上記インナーリードの機械的強度が向上するの
で、チップコーナー部でのインナーリードの断線を確実
に防止することができる。また、上記インナーリードの
存在により、チップコーナー部以外のインナーリードに
加わる応力も軽減されるので、チップコーナー部以外の
インナーリードの断線発生率も低減する。
【図1】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
要部拡大平面図である。
要部拡大平面図である。
【図2】図1のII−II線における断面図である。
【図3】この半導体集積回路装置の全体平面図である。
【図4】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の要部拡大平面図である。
の要部拡大平面図である。
1 TAB
2 絶縁フィルム
3 リード
3a リード
4 デバイスホール
5 半導体チップ
6 バンプ
7 導電パターン
Claims (4)
- 【請求項1】 絶縁フィルムに形成されたリードと半
導体チップに形成されたバンプとを電気的に接続したT
ABを有する半導体集積回路装置であって、前記半導体
チップのコーナー部に、二方向に延在する幅広のインナ
ーリードを配置し、前記インナーリードと前記半導体チ
ップのコーナー部に形成したバンプとを接続したことを
特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項2】 前記インナーリードは、電源供給用の
リードであることを特徴とする請求項1記載の半導体集
積回路装置。 - 【請求項3】 絶縁フィルムに形成されたリードと半
導体チップに形成されたバンプとを電気的に接続したT
ABを有する半導体集積回路装置であって、前記半導体
チップのコーナー部に、前記コーナー部を覆う導電パタ
ーンを配置し、前記導電パターンと前記半導体チップの
コーナー部に形成したバンプとを接続したことを特徴と
する半導体集積回路装置。 - 【請求項4】 前記導電パターンは、リードとしての
機能を有しないダミーのパターンであることを特徴とす
る請求項3記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3737091A JPH04275443A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3737091A JPH04275443A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04275443A true JPH04275443A (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=12495637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3737091A Withdrawn JPH04275443A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04275443A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0716446A3 (en) * | 1994-12-09 | 1997-06-18 | Nec Corp | Carrier tape for semiconductors |
| JP2009253120A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-04 JP JP3737091A patent/JPH04275443A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0716446A3 (en) * | 1994-12-09 | 1997-06-18 | Nec Corp | Carrier tape for semiconductors |
| JP2009253120A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |