JPH0427612B2 - - Google Patents
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- JPH0427612B2 JPH0427612B2 JP60235923A JP23592385A JPH0427612B2 JP H0427612 B2 JPH0427612 B2 JP H0427612B2 JP 60235923 A JP60235923 A JP 60235923A JP 23592385 A JP23592385 A JP 23592385A JP H0427612 B2 JPH0427612 B2 JP H0427612B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording medium
- metal
- recording layer
- recording
- Prior art date
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、エネルギービームを照射したときに
記録層の物性定数が変化する記録媒体の改良に関
する。
記録層の物性定数が変化する記録媒体の改良に関
する。
従来、強力な輻射エネルギー、例えば、レーザ
ー光、キセノンランプ、水銀ランプ、アーク灯等
を照射して、記録層の透過率、屈折率、反射率、
帯磁率、誘電率等の物性定数を変化させて記録す
る記録媒体は、極めて高解像力、高コントラスト
の画像を形成し得ること、室内光に感光せず暗室
操作が不要であること、あとからの情報の付加が
可能であること、計算機の出力や伝送されてくる
時系列信号等の電気信号の記録に適していること
等の利点を有し、例えば、光学分光透過率、反射
率の変化を利用するマイクロフイルムや、誘電率
の変化を容量変化として検出するタイプのビデオ
デイスク用記録媒体等に応用されている。
ー光、キセノンランプ、水銀ランプ、アーク灯等
を照射して、記録層の透過率、屈折率、反射率、
帯磁率、誘電率等の物性定数を変化させて記録す
る記録媒体は、極めて高解像力、高コントラスト
の画像を形成し得ること、室内光に感光せず暗室
操作が不要であること、あとからの情報の付加が
可能であること、計算機の出力や伝送されてくる
時系列信号等の電気信号の記録に適していること
等の利点を有し、例えば、光学分光透過率、反射
率の変化を利用するマイクロフイルムや、誘電率
の変化を容量変化として検出するタイプのビデオ
デイスク用記録媒体等に応用されている。
しかしながらこの記録媒体を用いる場合には、
記録媒体の感度が大きな要因となる。つまり従来
の記録媒体は第１図に示すように支持体１上に記
録層２を設けた構成で、この記録媒体にレーザー
光などのエネルギービーム３を照射すると、記録
層２は照射エネルギーを吸収して溶融、変形、蒸
発し、記録層２の光透過率などの物性定数を変化
させて記録していた。ここで用いられていた記録
層構成物質は金属など熱伝導率の高い物質なの
で、照射部に発生した熱が隣接部に伝導してしま
い、照射されたエネルギービームが有効に利用さ
れないので、その分、高出力のレーザーやフラツ
シユランプ等が必要であつた。
記録媒体の感度が大きな要因となる。つまり従来
の記録媒体は第１図に示すように支持体１上に記
録層２を設けた構成で、この記録媒体にレーザー
光などのエネルギービーム３を照射すると、記録
層２は照射エネルギーを吸収して溶融、変形、蒸
発し、記録層２の光透過率などの物性定数を変化
させて記録していた。ここで用いられていた記録
層構成物質は金属など熱伝導率の高い物質なの
で、照射部に発生した熱が隣接部に伝導してしま
い、照射されたエネルギービームが有効に利用さ
れないので、その分、高出力のレーザーやフラツ
シユランプ等が必要であつた。
しかし、いずれも高出力になると不安定、不安
全、使用中の水冷の必要性、装置価格の高騰等、
実用上の問題が大きかつた。
全、使用中の水冷の必要性、装置価格の高騰等、
実用上の問題が大きかつた。
本発明は、従来のものに比して弱い出力のエネ
ルギービームでも十分な記録ができる記録媒体を
提供することを目的とし、その特徴とするところ
は、エネルギービームの少なくとも一部を吸収し
て物性定数が変化する記録層を基板上に有する記
録媒体において、光吸収率の高い物質として、金
属又は半金属と、金属又は半金属がエネルギービ
ームを吸収して生ずる熱伝導を断熱する作用をな
す低い熱伝導率の物質として、金属又は半金属の
溶融変形温度より低い温度で溶融変形する有機高
分子物質とを混在させてなる記録層および該記録
層と基板との間に断熱層を設けたことにある。
ルギービームでも十分な記録ができる記録媒体を
提供することを目的とし、その特徴とするところ
は、エネルギービームの少なくとも一部を吸収し
て物性定数が変化する記録層を基板上に有する記
録媒体において、光吸収率の高い物質として、金
属又は半金属と、金属又は半金属がエネルギービ
ームを吸収して生ずる熱伝導を断熱する作用をな
す低い熱伝導率の物質として、金属又は半金属の
溶融変形温度より低い温度で溶融変形する有機高
分子物質とを混在させてなる記録層および該記録
層と基板との間に断熱層を設けたことにある。
以下、本発明を図面を参照しながら説明する。
第２図は、本発明に係る記録媒体の記録層の構
成を示す断面模式図である。図中１は基板であ
る。該基板１としては金属等の板またはフイルム
状のもの、酸化物ガラス、有機樹脂フイルム好ま
しくはポリエステルフイルム、酸化セルロースフ
イルム等が適用できる。２は記録層である。該記
録層は、照射エネルギーを吸収すると分光透過
率、反射率、磁化率、誘電率等の物性定数が変わ
る様に、半金属又は金属を照射エネルギー吸収物
質２ａとして、蒸着やスパツタリングにより単層
若しくは積層構成される。
成を示す断面模式図である。図中１は基板であ
る。該基板１としては金属等の板またはフイルム
状のもの、酸化物ガラス、有機樹脂フイルム好ま
しくはポリエステルフイルム、酸化セルロースフ
イルム等が適用できる。２は記録層である。該記
録層は、照射エネルギーを吸収すると分光透過
率、反射率、磁化率、誘電率等の物性定数が変わ
る様に、半金属又は金属を照射エネルギー吸収物
質２ａとして、蒸着やスパツタリングにより単層
若しくは積層構成される。
金属および半金属としてはBi，Ａ，Cu，
Ta，Mo，Cr，Ir，Pd，Ag，Au，Pt，Zn，Cd，
Co，Pb，Mg，In，Ge，Rh，Sn，Se，Si及びこ
れらの合金がある。金属は一般に熱伝導率が高
く、例えばアルミは2.4J／cm・ｓ・ｋでポリエチ
レンの熱伝導率（３×10-3Ｊ／cm・ｓ・ｋ）より
1000倍程度高い。そこで本発明では低熱伝導率の
物質２ｂとして前記照射エネルギー吸収物質の熱
伝導率よりも1/2以下、好ましくは1/10以下の熱
伝導率を持つところのポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレ
ンテレフタレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニ
ール、ポリ塩化ビニリデン、テフロン、ポリビニ
ルアルコール、ポリアクリルアマイド、不飽和ポ
リエステル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、
ポリウレタン樹脂、フエノール樹脂、ユリア樹
脂、メラミン樹脂、アルキード樹脂等のプラスチ
ツク又は塗料を前記照射エネルギー吸収物質に混
在させたものである。
Ta，Mo，Cr，Ir，Pd，Ag，Au，Pt，Zn，Cd，
Co，Pb，Mg，In，Ge，Rh，Sn，Se，Si及びこ
れらの合金がある。金属は一般に熱伝導率が高
く、例えばアルミは2.4J／cm・ｓ・ｋでポリエチ
レンの熱伝導率（３×10-3Ｊ／cm・ｓ・ｋ）より
1000倍程度高い。そこで本発明では低熱伝導率の
物質２ｂとして前記照射エネルギー吸収物質の熱
伝導率よりも1/2以下、好ましくは1/10以下の熱
伝導率を持つところのポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレ
ンテレフタレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニ
ール、ポリ塩化ビニリデン、テフロン、ポリビニ
ルアルコール、ポリアクリルアマイド、不飽和ポ
リエステル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、
ポリウレタン樹脂、フエノール樹脂、ユリア樹
脂、メラミン樹脂、アルキード樹脂等のプラスチ
ツク又は塗料を前記照射エネルギー吸収物質に混
在させたものである。
この混在の割合としては、低熱伝導率の物質が
少なすぎると断熱効果は少くなり、記録層の反射
率も高くなり、逆に低熱伝導率の物質が多すぎた
場合にはその低熱伝導率の物質に奪われる熱量も
無視できないほど多くなつて記録層の感度が低下
する。従つて両者の体積混在比は照射エネルギー
吸収物質１に対して低熱伝導率物質を0.03〜40好
ましくは0.05〜５の割合で混在させるのが良い。
少なすぎると断熱効果は少くなり、記録層の反射
率も高くなり、逆に低熱伝導率の物質が多すぎた
場合にはその低熱伝導率の物質に奪われる熱量も
無視できないほど多くなつて記録層の感度が低下
する。従つて両者の体積混在比は照射エネルギー
吸収物質１に対して低熱伝導率物質を0.03〜40好
ましくは0.05〜５の割合で混在させるのが良い。
このように両者を混在させることにより、例え
ば照射エネルギー吸収物質としての金属粒子の間
に、熱伝導率のより小さいプラスチツク、塗料等
が混入しているので、記録層２の熱伝導率はそれ
だけ小さくなり、熱伝導によつて失われるムダな
エネルギーはより少く、感度の向上がはかれるも
のである。
ば照射エネルギー吸収物質としての金属粒子の間
に、熱伝導率のより小さいプラスチツク、塗料等
が混入しているので、記録層２の熱伝導率はそれ
だけ小さくなり、熱伝導によつて失われるムダな
エネルギーはより少く、感度の向上がはかれるも
のである。
この記録層の製法としては、例えば、真空蒸着
法、電子ビーム蒸着法、スパツタ蒸着法、高周波
スパツタ法、プラズマ蒸着法、イオンプレーテイ
ング等を利用して、照射エネルギー吸収物質と低
熱伝導率物質とを同時に飛ばして混在するように
記録層を作成するのが良い。記録層中の金属粒子
の大きさが、数100オングストローム以下になる
と、低熱伝導率物質としてのプラスチツクの反射
率若しくは透過率が高い場合にも、記録層全体の
反射率が低下し、照射光３をより多く吸収する。
この反射率低下のメカニズムの一つとしては、照
射光３が、金属粒子の間を多数回繰返し反射され
ているうちに少しづつ吸収され、結局は、大部分
が吸収されるものと理解される。プラスチツクが
着色していれば、もちろん、更に記録層全体の反
射率が低くなる。この様な反射率が低下し吸収エ
ネルギーが増大する点からも、第２図示の記録層
は感度向上が達成されるものである。数百オング
ストローム以下の金属粒子とプラスチツク等低熱
伝導物質を一様に混在させるためには、両材料を
真空中で蒸気化し、同一基板上に付着させる事に
依つて実現できる。
法、電子ビーム蒸着法、スパツタ蒸着法、高周波
スパツタ法、プラズマ蒸着法、イオンプレーテイ
ング等を利用して、照射エネルギー吸収物質と低
熱伝導率物質とを同時に飛ばして混在するように
記録層を作成するのが良い。記録層中の金属粒子
の大きさが、数100オングストローム以下になる
と、低熱伝導率物質としてのプラスチツクの反射
率若しくは透過率が高い場合にも、記録層全体の
反射率が低下し、照射光３をより多く吸収する。
この反射率低下のメカニズムの一つとしては、照
射光３が、金属粒子の間を多数回繰返し反射され
ているうちに少しづつ吸収され、結局は、大部分
が吸収されるものと理解される。プラスチツクが
着色していれば、もちろん、更に記録層全体の反
射率が低くなる。この様な反射率が低下し吸収エ
ネルギーが増大する点からも、第２図示の記録層
は感度向上が達成されるものである。数百オング
ストローム以下の金属粒子とプラスチツク等低熱
伝導物質を一様に混在させるためには、両材料を
真空中で蒸気化し、同一基板上に付着させる事に
依つて実現できる。
このように構成された記録媒体に対してレーザ
ー光などのエネルギービーム３を照射したとき
に、照射部の記録層に発生した熱が隣接部へ熱伝
導によつて逃げることが少くなり、該記録層構成
物質が効率的に溶融、変形、蒸発し、分光透過
率、反射率、誘電率、磁化率等の変化によつて記
録がなされる。さらにこのときに記録層の感度を
高める要因として次の点もあげられる。すなわ
ち、一般的に、プラスチツクの溶融変形温度は、
金属の溶融温度より低い。例えば、低密度ポリエ
チレンの融点は約110度であり、アルミの融点は、
660度である。従がつて記録層２にエネルギービ
ーム３を照射した場合には、プラスチツク２ｂが
金属粒子２ａの溶融変形温度より低い温度で溶融
変形し始め、この結果、金属粒子を含む記録層全
体がこのプラスチツクの溶融変形温度で溶融変形
し始める。
ー光などのエネルギービーム３を照射したとき
に、照射部の記録層に発生した熱が隣接部へ熱伝
導によつて逃げることが少くなり、該記録層構成
物質が効率的に溶融、変形、蒸発し、分光透過
率、反射率、誘電率、磁化率等の変化によつて記
録がなされる。さらにこのときに記録層の感度を
高める要因として次の点もあげられる。すなわ
ち、一般的に、プラスチツクの溶融変形温度は、
金属の溶融温度より低い。例えば、低密度ポリエ
チレンの融点は約110度であり、アルミの融点は、
660度である。従がつて記録層２にエネルギービ
ーム３を照射した場合には、プラスチツク２ｂが
金属粒子２ａの溶融変形温度より低い温度で溶融
変形し始め、この結果、金属粒子を含む記録層全
体がこのプラスチツクの溶融変形温度で溶融変形
し始める。
次に本発明に係る記録媒体の構成について図面
により説明する。第３図は断熱層４を有する例の
断面模式図である。つまり基板１としてガラス板
を使用した場合、ガラスの熱伝導率が、プラスチ
ツクフイルムより大きいので、上述の、吸収エネ
ルギーの基板１への熱伝導損をもつと小さくする
目的で、基板１と記録層２とが接する領域に、大
部分が前記プラスチツク材料等の低熱伝導率物質
で構成された断熱層４を配したものである。
により説明する。第３図は断熱層４を有する例の
断面模式図である。つまり基板１としてガラス板
を使用した場合、ガラスの熱伝導率が、プラスチ
ツクフイルムより大きいので、上述の、吸収エネ
ルギーの基板１への熱伝導損をもつと小さくする
目的で、基板１と記録層２とが接する領域に、大
部分が前記プラスチツク材料等の低熱伝導率物質
で構成された断熱層４を配したものである。
第４図は、さらに保護層５を設けて表面強度を
強くした例の断面模式図である。保護層５として
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレン
テレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、塩化ビニール、ポリスチレン等のプラスチツ
ク若しくは、無機記録材料、例えばSiO，SiO2，
MgF2，CaF2，Ta2O3，TiO，TiO2，Ａ2O3，
ZrO2，WO3，M0O3，InO2，SnO2，GeO2，等
を、上部に厚く構成させればよい。この様な構成
にすると、記録層２は、完全に包み込まれるの
で、その機械的強度及び耐酸・アルカリ性、耐薬
品性、耐溶剤性、耐湿性等の記録媒体としての安
定性はよい増大する。例えば４として、断熱性の
優れたポリエチレン、ポリエステル、ポリスチレ
ン、ポリプロピレン、ポリメチルメタアクリレー
ト等で構成し、５としては、機械的強度の大きな
SiO，SiO2，TiO，TiO2，Ａ2O3，Ta2O3，
GeO2等で構成させる。このようにすれば、高感
度で表面強度の強い、耐湿・酸・アルカリ・溶剤
性に優れた安定な記録媒体を製造することができ
る。
強くした例の断面模式図である。保護層５として
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレン
テレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、塩化ビニール、ポリスチレン等のプラスチツ
ク若しくは、無機記録材料、例えばSiO，SiO2，
MgF2，CaF2，Ta2O3，TiO，TiO2，Ａ2O3，
ZrO2，WO3，M0O3，InO2，SnO2，GeO2，等
を、上部に厚く構成させればよい。この様な構成
にすると、記録層２は、完全に包み込まれるの
で、その機械的強度及び耐酸・アルカリ性、耐薬
品性、耐溶剤性、耐湿性等の記録媒体としての安
定性はよい増大する。例えば４として、断熱性の
優れたポリエチレン、ポリエステル、ポリスチレ
ン、ポリプロピレン、ポリメチルメタアクリレー
ト等で構成し、５としては、機械的強度の大きな
SiO，SiO2，TiO，TiO2，Ａ2O3，Ta2O3，
GeO2等で構成させる。このようにすれば、高感
度で表面強度の強い、耐湿・酸・アルカリ・溶剤
性に優れた安定な記録媒体を製造することができ
る。
層構成としては、さらに、照射されるエネルギ
ービームの反射防止膜として、カルコゲンや誘電
体物質を配しても良い。また、記録層の下に反射
層を配し、記録層に吸収されなかつたエネルギー
ビームを反射して再び記録層に入射させて記録媒
体の感度を高めても良い。
ービームの反射防止膜として、カルコゲンや誘電
体物質を配しても良い。また、記録層の下に反射
層を配し、記録層に吸収されなかつたエネルギー
ビームを反射して再び記録層に入射させて記録媒
体の感度を高めても良い。
以上が述べた層構成において、各層の基板１に
対する接着強度、記録層自身、記録媒体全体の機
械的強度を増す方法について述べる。従来の記録
媒体は金属層２と基板１のガラスやプラスチツク
フイルムとが直接、接着しているのみであるが、
一般的に、金属と、ガラスまたは、金属とプラス
チツクとの接着強度は、あまり強くない。これに
対し、本発明に係る記録媒体で例えば、基板１
が、プラスチツクフイルムの場合、低熱伝導物質
２ｂとして、基板１と同種若しくは、類似のプラ
スチツクを採用すれば、このプラスチツク材料２
ｂの金属材料２ａに対する比率の増大するにつれ
て、基板１との接着強度が強くなる。さらに、基
板１及び低熱伝導率物質材料２ｂがプラスチツク
である場合、それらの溶融点以上に加熱処理する
ことによつて、記録層２と基板１との境界領域も
互いに溶融接着・焼結し、記録層２と基板１とは
より強固に接着する。また、低熱伝導率物質材料
２ｂが加熱硬化する材料である場合、例えば、熱
硬化性である。不飽和ポリエステル樹脂、シリコ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フエ
ノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキ
ツド樹脂等である場合には、記録層自体及びその
表面強度も増大する。この強度増加法は他の層に
ついても同じことが言える。その加熱方法として
は、作成された記録媒体を熱ローラーに通した
り、赤外線を適度に照射したり、あるいは蒸着中
に基板加熱をしたりする方法により、記録層面の
光学的均一性が失なわれないように行う。
対する接着強度、記録層自身、記録媒体全体の機
械的強度を増す方法について述べる。従来の記録
媒体は金属層２と基板１のガラスやプラスチツク
フイルムとが直接、接着しているのみであるが、
一般的に、金属と、ガラスまたは、金属とプラス
チツクとの接着強度は、あまり強くない。これに
対し、本発明に係る記録媒体で例えば、基板１
が、プラスチツクフイルムの場合、低熱伝導物質
２ｂとして、基板１と同種若しくは、類似のプラ
スチツクを採用すれば、このプラスチツク材料２
ｂの金属材料２ａに対する比率の増大するにつれ
て、基板１との接着強度が強くなる。さらに、基
板１及び低熱伝導率物質材料２ｂがプラスチツク
である場合、それらの溶融点以上に加熱処理する
ことによつて、記録層２と基板１との境界領域も
互いに溶融接着・焼結し、記録層２と基板１とは
より強固に接着する。また、低熱伝導率物質材料
２ｂが加熱硬化する材料である場合、例えば、熱
硬化性である。不飽和ポリエステル樹脂、シリコ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フエ
ノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキ
ツド樹脂等である場合には、記録層自体及びその
表面強度も増大する。この強度増加法は他の層に
ついても同じことが言える。その加熱方法として
は、作成された記録媒体を熱ローラーに通した
り、赤外線を適度に照射したり、あるいは蒸着中
に基板加熱をしたりする方法により、記録層面の
光学的均一性が失なわれないように行う。
以上のようにして作製された本発明に係る記録
媒体は、感度が高く、且つ、記録層と基板との接
着強度、記録層の機械的強度を増加させた記録媒
体である。
媒体は、感度が高く、且つ、記録層と基板との接
着強度、記録層の機械的強度を増加させた記録媒
体である。
次に実施例を示す。
（実施例 １）
この実施例の記録媒体は、第３図に示した様に
基板、記録層、断熱層とから構成される。ガラス
基板１の上に、まずポリブチレンテレフタレート
（熱伝導率；約0.023J／cm・ｓ・ｋ）を厚さ約
0.02ミクロン蒸着し、次に、アルミ（熱伝導率；
約2.4J／cm・ｓ・ｋ）対ポリブチレンテレフタレ
ートの体積混在比が１：１になる様にして、光学
濃度が１になるまで、真空蒸着にて同時に蒸着し
た。この記録媒体に、出力約140mwのアルゴン
イオンレーザー光を0.5マイクロ秒照射した所、
直径約1.1ミクロンの穴があいた。
基板、記録層、断熱層とから構成される。ガラス
基板１の上に、まずポリブチレンテレフタレート
（熱伝導率；約0.023J／cm・ｓ・ｋ）を厚さ約
0.02ミクロン蒸着し、次に、アルミ（熱伝導率；
約2.4J／cm・ｓ・ｋ）対ポリブチレンテレフタレ
ートの体積混在比が１：１になる様にして、光学
濃度が１になるまで、真空蒸着にて同時に蒸着し
た。この記録媒体に、出力約140mwのアルゴン
イオンレーザー光を0.5マイクロ秒照射した所、
直径約1.1ミクロンの穴があいた。
記録層がアルミのみの場合、上記と同じ条件即
ち140mwのアルゴンイオンレーザー光0.5マイク
ロ秒照射しても穴があかなかつた。
ち140mwのアルゴンイオンレーザー光0.5マイク
ロ秒照射しても穴があかなかつた。
（実施例 ２）
この実施例の記録媒体は、第４図に示した様に
基板、記録層、断熱層、保護層とが構成される。
基板の厚さ100ミクロンのポリエチレンテレフタ
レートフイルム１の上に、まず、ポリブチレンテ
レフタレートを厚さ約0.02ミクロン蒸着し、次
に、ビスマス対ポリブチレンテレフタレートの体
積混在比が１：08になる様にして、光学濃度が１
になるまで真空蒸着にて、同時に蒸着し、更に、
その上に、ポリブチレンテレフタレートを厚さ、
約0.1ミクロン蒸着した。この記録媒体を130℃の
熱ローラーに通して各層をいつそう強固に融着さ
せた。
基板、記録層、断熱層、保護層とが構成される。
基板の厚さ100ミクロンのポリエチレンテレフタ
レートフイルム１の上に、まず、ポリブチレンテ
レフタレートを厚さ約0.02ミクロン蒸着し、次
に、ビスマス対ポリブチレンテレフタレートの体
積混在比が１：08になる様にして、光学濃度が１
になるまで真空蒸着にて、同時に蒸着し、更に、
その上に、ポリブチレンテレフタレートを厚さ、
約0.1ミクロン蒸着した。この記録媒体を130℃の
熱ローラーに通して各層をいつそう強固に融着さ
せた。
この記録媒体に、出力140mwのアルゴンイオ
ンレーザー光を0.5マイクロ秒照射した所、直径
約1.2ミクロンの穴があいた。記録層がビスマス
のみの場合には、保護層５が加わつた分だけ感度
が低下し、同一記録条件においてかすかな痕跡が
形成されただけであつた。
ンレーザー光を0.5マイクロ秒照射した所、直径
約1.2ミクロンの穴があいた。記録層がビスマス
のみの場合には、保護層５が加わつた分だけ感度
が低下し、同一記録条件においてかすかな痕跡が
形成されただけであつた。
（実施例 ３）
この実施例もまた、第４図示の構成をとる。厚
さ100ミクロンのポリエチレンテレフタレートフ
イルム１の上に、まず、ポリエチレン（熱伝導
率；約0.003J／cm・ｓ・ｋ）を厚さ約0.02ミクロ
ン蒸着し、次に、ビスマス対ポリエチレンの体積
混在比が１：１になる様にして、光学濃度が１に
なるまで、同時に蒸着し、更に、その上に、SiO
を厚さ約0.1ミクロン蒸着した。この記録媒体に、
出力150mwのアルゴンイオンレーザー光を0.5マ
イクロ秒照射した所、直径約1.2ミクロンの穴が
あいた。
さ100ミクロンのポリエチレンテレフタレートフ
イルム１の上に、まず、ポリエチレン（熱伝導
率；約0.003J／cm・ｓ・ｋ）を厚さ約0.02ミクロ
ン蒸着し、次に、ビスマス対ポリエチレンの体積
混在比が１：１になる様にして、光学濃度が１に
なるまで、同時に蒸着し、更に、その上に、SiO
を厚さ約0.1ミクロン蒸着した。この記録媒体に、
出力150mwのアルゴンイオンレーザー光を0.5マ
イクロ秒照射した所、直径約1.2ミクロンの穴が
あいた。
記録層がビスマスのみの場合には、上記同一記
録条件でわずかな痕跡が形成されただけであつ
た。
録条件でわずかな痕跡が形成されただけであつ
た。
第１図は、従来の記録媒体の構成を示す断面模
式図。第２図は本発明に係る記録媒体の記録層の
断面模式図。第３図および第４図は、本発明に係
る記録媒体の構成例を示す断面図。 １……基板、２……記録層、２ａ……照射エネ
ルギー吸収物質、２ｂ……低熱伝導率物質、３…
…エネルギービーム、４……断熱層、５……保護
層。
式図。第２図は本発明に係る記録媒体の記録層の
断面模式図。第３図および第４図は、本発明に係
る記録媒体の構成例を示す断面図。 １……基板、２……記録層、２ａ……照射エネ
ルギー吸収物質、２ｂ……低熱伝導率物質、３…
…エネルギービーム、４……断熱層、５……保護
層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エネルギービームの少なくとも一部を吸収し
て物性定数が変化する記録層を基板上に有する記
録媒体において、光吸収率の高い物質として、金
属又は半金属と、金属又は半金属がエネルギービ
ームを吸収して生ずる熱伝導を断熱する作用をな
す低い熱伝導率の物質として、金属又は半金属の
溶融変形温度より低い温度で溶融変形する有機高
分子物質とを混在させてなる記録層および該記録
層と基板との間に断熱層を有することを特徴とす
る記録媒体。 ２ 断熱層が、金属又は半金属の溶融変形温度よ
り低い温度で溶融変形する有機高分子物質層であ
る特許請求の範囲第１項記載の記録媒体。 ３ 記録層は、金属又は半金属と有機高分子物質
を同時に蒸着させることによつて混在させた層で
ある特許請求の範囲第１項記載の記録媒体。 ４ 記録層中に混在する有機高分子物質は、金属
又は半金属の持つ熱伝導率の1/2以下の熱伝導率
を持つ特許請求の範囲第１項記載の記録媒体。 ５ 記録層が、金属又は半金属１体積に対して、
0.03〜40体積の割合で有機高分子物質とを混在さ
せた層である特許請求の範囲第１項記載の記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235923A JPS61142542A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235923A JPS61142542A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12205277A Division JPS5454606A (en) | 1977-10-11 | 1977-10-11 | Recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61142542A JPS61142542A (ja) | 1986-06-30 |
| JPH0427612B2 true JPH0427612B2 (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=16993241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60235923A Granted JPS61142542A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61142542A (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3827805A (en) * | 1973-05-24 | 1974-08-06 | Corning Glass Works | System for controlling centrifugal forces to produce cellular monolayers |
| JPS547457B2 (ja) * | 1973-08-29 | 1979-04-06 | ||
| JPS5815319B2 (ja) * | 1975-08-11 | 1983-03-24 | 富士写真フイルム株式会社 | キロクザイリヨウ |
| JPS51135649A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Canon Inc | Recording member |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP60235923A patent/JPS61142542A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61142542A (ja) | 1986-06-30 |
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