JPH04277655A - 半導体装置用金属容器 - Google Patents
半導体装置用金属容器Info
- Publication number
- JPH04277655A JPH04277655A JP3971391A JP3971391A JPH04277655A JP H04277655 A JPH04277655 A JP H04277655A JP 3971391 A JP3971391 A JP 3971391A JP 3971391 A JP3971391 A JP 3971391A JP H04277655 A JPH04277655 A JP H04277655A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode lead
- glass
- metal
- semiconductor device
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用金属容器に
関し、特に超高周波デバイス等に好適な金属キャン型の
半導体装置用金属容器に関する。
関し、特に超高周波デバイス等に好適な金属キャン型の
半導体装置用金属容器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置用金属容器は、図２（
Ａ）に示すように、半導体素子７を搭載するヘッダ部６
は、ガラス封着金属８と電気信号等の入出力用の電極リ
ード９がガラス封着部３によって気密封止されている構
造であった。また、パワートランジスタ等発熱が大きく
、したがって、放熱を必要とする場合は、図２（Ｂ）に
示すように、放熱用の金属製のヒートシンク４をガラス
封着金属８に接合した構造のものが良く知られていた。
Ａ）に示すように、半導体素子７を搭載するヘッダ部６
は、ガラス封着金属８と電気信号等の入出力用の電極リ
ード９がガラス封着部３によって気密封止されている構
造であった。また、パワートランジスタ等発熱が大きく
、したがって、放熱を必要とする場合は、図２（Ｂ）に
示すように、放熱用の金属製のヒートシンク４をガラス
封着金属８に接合した構造のものが良く知られていた。
【０００３】一般に電極リードを絶縁し、金属容器に封
着する場合は、生産性と費用の面からガラスが多用され
ている。この場合ガラス封着金属８の材料としては、鉄
ニッケル合金または鉄ニッケルコバルト合金の二種類が
代表的である。さらに、電極リード９が貫通する貫通孔
は、半導体素子搭載面と同一平面に開口部がある。電極
リード９は、ガラス封着金属８と同様に鉄ニッケル合金
または鉄ニッケルコバルト合金製であり、端部を含めて
一様の径のものが用いられていた。
着する場合は、生産性と費用の面からガラスが多用され
ている。この場合ガラス封着金属８の材料としては、鉄
ニッケル合金または鉄ニッケルコバルト合金の二種類が
代表的である。さらに、電極リード９が貫通する貫通孔
は、半導体素子搭載面と同一平面に開口部がある。電極
リード９は、ガラス封着金属８と同様に鉄ニッケル合金
または鉄ニッケルコバルト合金製であり、端部を含めて
一様の径のものが用いられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置用金属容器は、発熱量の大きいパワートランジスタ
等の半導体素子を搭載する場合の熱ストレスや、キャッ
プシールするときの抵抗溶接あるいはレーザ溶接時の熱
ストレスにより、ガラス封着部へのストレスがかかり、
封着ガラスのクラックあるいはガラスと金属との界面よ
りのはがれ等が発生し気密不良となる事故がしばしば発
生するというという欠点を有している。
装置用金属容器は、発熱量の大きいパワートランジスタ
等の半導体素子を搭載する場合の熱ストレスや、キャッ
プシールするときの抵抗溶接あるいはレーザ溶接時の熱
ストレスにより、ガラス封着部へのストレスがかかり、
封着ガラスのクラックあるいはガラスと金属との界面よ
りのはがれ等が発生し気密不良となる事故がしばしば発
生するというという欠点を有している。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用金
属容器は、電極リードの貫通孔を有する基板の一主面に
半導体素子を搭載し、前記基板の前記一主面における前
記貫通孔の開口部が前記半導体素子の搭載面より突出す
るよう突出部を備えるとともに、前記電極リードの前記
搭載面側の端部の径がが前記電極リードの径と異なるよ
う形成されているものである。
属容器は、電極リードの貫通孔を有する基板の一主面に
半導体素子を搭載し、前記基板の前記一主面における前
記貫通孔の開口部が前記半導体素子の搭載面より突出す
るよう突出部を備えるとともに、前記電極リードの前記
搭載面側の端部の径がが前記電極リードの径と異なるよ
う形成されているものである。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００７】図１は本発明の半導体装置用金属容器の一
実施例を示す図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）はＡ−
Ａ断面図である。
実施例を示す図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）はＡ−
Ａ断面図である。
【０００８】本実施例の半導体装置用金属容器は、図１
に示すように、半導体素子７を搭載するヘッダ部６は、
半導体素子搭載用のヒートシンク４を接合したガラス封
着金属１と、貫通孔５を貫通する電気信号等の入出力用
の電極リード２とがガラス封着部３によって気密封止さ
れている構造である。このヘッダ部６に図示されていな
い金属製のキャン型キャップを封着して半導体装置が完
成する。
に示すように、半導体素子７を搭載するヘッダ部６は、
半導体素子搭載用のヒートシンク４を接合したガラス封
着金属１と、貫通孔５を貫通する電気信号等の入出力用
の電極リード２とがガラス封着部３によって気密封止さ
れている構造である。このヘッダ部６に図示されていな
い金属製のキャン型キャップを封着して半導体装置が完
成する。
【０００９】ガラス封着金属１は、貫通孔５の開口部が
半導体素子の搭載部より上面にある電極リード２の端部
２１とほぼ同一平面となるよう突出した段丘部１１を有
している。また、電極リード２の端部２１の径は、封着
時に溶融した封着ガラスがはいあがらないように、電極
リードの他の部分の径より大きく貫通孔５の径より若干
小さい径となっている。このように、半導体搭載面に段
丘部１１を設けて、貫通孔５のガラス封着部３の厚さを
大きくすることにより、ガラスとガラス封着金属１との
接触面積を拡大でき、したがって、気密性を向上するこ
とができる。
半導体素子の搭載部より上面にある電極リード２の端部
２１とほぼ同一平面となるよう突出した段丘部１１を有
している。また、電極リード２の端部２１の径は、封着
時に溶融した封着ガラスがはいあがらないように、電極
リードの他の部分の径より大きく貫通孔５の径より若干
小さい径となっている。このように、半導体搭載面に段
丘部１１を設けて、貫通孔５のガラス封着部３の厚さを
大きくすることにより、ガラスとガラス封着金属１との
接触面積を拡大でき、したがって、気密性を向上するこ
とができる。
【００１０】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明は上記実施例に限られることなく種々の変形が可能で
ある。
明は上記実施例に限られることなく種々の変形が可能で
ある。
【００１１】たとえば、段丘部の代りに、電極リードの
端部を覆う円筒状の突起を設けても、本発明の主旨を逸
脱しない限り適用できることは勿論である。
端部を覆う円筒状の突起を設けても、本発明の主旨を逸
脱しない限り適用できることは勿論である。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置用金属容器は、貫通孔の開口部が半導体素子の搭載部
より上面にある電極リードの端部とほぼ同一平面となる
よう突出部を備え、また、電極リードの端部の径が電極
リードの他の部分の径と異なる径であることにより、ガ
ラスとガラス封着金属との接触面積を拡大できるので気
密性を向上できるという効果を有している。
置用金属容器は、貫通孔の開口部が半導体素子の搭載部
より上面にある電極リードの端部とほぼ同一平面となる
よう突出部を備え、また、電極リードの端部の径が電極
リードの他の部分の径と異なる径であることにより、ガ
ラスとガラス封着金属との接触面積を拡大できるので気
密性を向上できるという効果を有している。
【図１】本発明の半導体装置用金属容器の一実施例を示
す図である。
す図である。
【図２】従来の半導体装置用金属容器の一例を示す斜視
図である。
図である。
１，８ ガラス封着金属
２，９ 電極リード
３ ガラス封着部
４ ヒートシンク
５ 貫通孔
６ ヘッダ部
７ 半導体素子
１１ 段丘部
２１ 端部
Claims (1)
- 【請求項１】 電極リードの貫通孔を有する基板の一
主面に半導体素子を搭載し、前記基板の前記一主面にお
ける前記貫通孔の開口部が前記半導体素子の搭載面より
突出するよう突出部を備えるとともに、前記電極リード
の前記搭載面側の端部の径がが前記電極リードの径と異
なるよう形成されていることを特徴とする半導体装置用
金属容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3971391A JPH04277655A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 半導体装置用金属容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3971391A JPH04277655A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 半導体装置用金属容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04277655A true JPH04277655A (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=12560632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3971391A Pending JPH04277655A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 半導体装置用金属容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04277655A (ja) |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP3971391A patent/JPH04277655A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981215 |