JPH04280410A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04280410A JPH04280410A JP3276495A JP27649591A JPH04280410A JP H04280410 A JPH04280410 A JP H04280410A JP 3276495 A JP3276495 A JP 3276495A JP 27649591 A JP27649591 A JP 27649591A JP H04280410 A JPH04280410 A JP H04280410A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体の製造
方法に関し、より詳しくはＣｏ ／Ｐｄ またはＣｏ
／Ｐｔ 層を有する多層薄膜構造の光磁気記録媒体に関
する。
方法に関し、より詳しくはＣｏ ／Ｐｄ またはＣｏ
／Ｐｔ 層を有する多層薄膜構造の光磁気記録媒体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光磁気の記録技術は、垂直磁性
を有する薄膜の磁化方向を上向きまたは下向きにして２
進法のディジタル情報を貯蔵するものである。情報の記
録は、図１のように外部から所望する方向に略３００Ｏ
ｅ 程度の磁場を加えた状態で、レーザー光を照射して
媒体が磁性を失するキュリー（Ｃｕｒｉｅ）温度以上に
加熱した後、レーザー光を止めることにより、レーザー
が走射された領域の磁化方向が外部磁場のような方向に
なって情報が記録される。
を有する薄膜の磁化方向を上向きまたは下向きにして２
進法のディジタル情報を貯蔵するものである。情報の記
録は、図１のように外部から所望する方向に略３００Ｏ
ｅ 程度の磁場を加えた状態で、レーザー光を照射して
媒体が磁性を失するキュリー（Ｃｕｒｉｅ）温度以上に
加熱した後、レーザー光を止めることにより、レーザー
が走射された領域の磁化方向が外部磁場のような方向に
なって情報が記録される。
【０００３】記録された情報の判読は、図２のように、
ポーラカー（ＰｏｌａｒＫｅｒｒ）の効果を用いて行わ
れる。これは偏光された光が垂直方向に磁化された材質
上を走査すると、反射光の偏光方向が入射光の偏光方向
から回転する現象である。回転角の大きさは磁化の大き
さに大きく依存し、回転方向は磁化された方向によって
時計方向または反時計の方向に回転する。したがって、
磁化方向が上向きと下向きとで異なる反射される反射光
の差を検出して情報を判読する。
ポーラカー（ＰｏｌａｒＫｅｒｒ）の効果を用いて行わ
れる。これは偏光された光が垂直方向に磁化された材質
上を走査すると、反射光の偏光方向が入射光の偏光方向
から回転する現象である。回転角の大きさは磁化の大き
さに大きく依存し、回転方向は磁化された方向によって
時計方向または反時計の方向に回転する。したがって、
磁化方向が上向きと下向きとで異なる反射される反射光
の差を検出して情報を判読する。
【０００４】一方、記録された情報の消去は、図３のよ
うに、記録したときと反対方向の外部磁場を加えること
により行うことができる。上記のように記録−消去−再
記録が、磁化方向のみを変化で無限定に繰り返し行うこ
とができる。
うに、記録したときと反対方向の外部磁場を加えること
により行うことができる。上記のように記録−消去−再
記録が、磁化方向のみを変化で無限定に繰り返し行うこ
とができる。
【０００５】現在、汎用されている光磁気記録媒体とし
ては、稀土類−遷移金属の合金薄膜が用いられており、
稀土類元素としてはＴｂ ，Ｇｄ ，６Ｎｄ ，Ｄｙ
等が用いられており、遷移金属としてはＦｅ とＣｏ
が用いられている。これらの中、性能がもっと憂れた記
録材料としては、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ である。稀土類−
遷移金属の合金記録膜を製造する方法としては、主にス
パッタリング、真空蒸着が用いられており、スパッタリ
ングの場合、合金ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を用いる
か、稀土類−遷移類の各々をターゲットとしたコ−スパ
ッタリング（Ｃｏ−ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法を利用
している。上記の稀土類−遷移類合金記録膜は、稀土類
が酸素の親和力が大きいので、酸化が発生しやすい。し
たがってこれを防ぎ、判読の時の回転角を大きくするた
めに、誘電体保護膜を記録層の両面に形成する。この膜
の材料としてはＳｉ３Ｎ４，ＡｌＮ等の窒化物系が主に
使用される。
ては、稀土類−遷移金属の合金薄膜が用いられており、
稀土類元素としてはＴｂ ，Ｇｄ ，６Ｎｄ ，Ｄｙ
等が用いられており、遷移金属としてはＦｅ とＣｏ
が用いられている。これらの中、性能がもっと憂れた記
録材料としては、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ である。稀土類−
遷移金属の合金記録膜を製造する方法としては、主にス
パッタリング、真空蒸着が用いられており、スパッタリ
ングの場合、合金ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を用いる
か、稀土類−遷移類の各々をターゲットとしたコ−スパ
ッタリング（Ｃｏ−ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法を利用
している。上記の稀土類−遷移類合金記録膜は、稀土類
が酸素の親和力が大きいので、酸化が発生しやすい。し
たがってこれを防ぎ、判読の時の回転角を大きくするた
めに、誘電体保護膜を記録層の両面に形成する。この膜
の材料としてはＳｉ３Ｎ４，ＡｌＮ等の窒化物系が主に
使用される。
【０００６】しかしながら、上記の従来の技術において
は、稀土類−遷移金属の合金記録膜は、稀土類元素の酸
素親和力が大きいので、酸化され易い問題があり、これ
を防ぐために誘電体を保護層として用いるが、完全な保
護の役割ができないのが実情である。また、この記録媒
体の特性は、製造過程に影響され易く、歩留りは１０％
程度という問題がある。
は、稀土類−遷移金属の合金記録膜は、稀土類元素の酸
素親和力が大きいので、酸化され易い問題があり、これ
を防ぐために誘電体を保護層として用いるが、完全な保
護の役割ができないのが実情である。また、この記録媒
体の特性は、製造過程に影響され易く、歩留りは１０％
程度という問題がある。
【０００７】上記のような問題点を解消するため光磁気
記録媒体をＣｏ／Ｐｄの多層膜の構造とする技術が、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｓｉ
ｃｓ，６７巻ｐａｇｅ ３１７（１９９０）の“Ｍａ
ｇｅｔｉｃ−ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ
ｏｆ Ｃｏ／Ｐｄ Ｓｕｐｅｒｌａｔｉｎｇ
ｔｈｉｎ ｈｉｌｍ”に発表された。この技術にお
いては、光磁気の記録媒体を、Ｃｏ／Ｐｄの多層膜の構
造とし、そのＣｏ サブ層の厚さを１Å，Ｐｄ サブ層
の厚さを６〜１５Åとして、光磁気記録膜の総厚さを１
１０〜２７０Åとなるまで繰り返し積層している。この
ような多層膜を得るための製造工程は、ステンレス鋼板
で仕切って複数の区割室を有する回転テーブルを真空室
内におき、その回転テーブルの上部に基板を配置し、Ｃ
ｏとＰｄ とがそれぞれ挿入された坩堝を複数交互に回
転テーブルの下に配置した装置を用いている。このよう
な装置においては、熱蒸着法（ｔｈｅｒｍａｌｅｖａｐ
ｏｒａｔｉｏｎ）によって坩堝内のＣｏ とＰｄ をそ
れぞれ基板に蒸着させた後、回転テーブルを区割室の分
だけ回転させて２次蒸着を行う。 この２次蒸着ではＣｏ 表面にはＰｄ 、Ｐｄ 表面に
はＣｏが蒸着される。このような蒸着を反復してＣｏ
／Ｐｄ 層のような多層薄膜を形成する。
記録媒体をＣｏ／Ｐｄの多層膜の構造とする技術が、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｓｉ
ｃｓ，６７巻ｐａｇｅ ３１７（１９９０）の“Ｍａ
ｇｅｔｉｃ−ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ
ｏｆ Ｃｏ／Ｐｄ Ｓｕｐｅｒｌａｔｉｎｇ
ｔｈｉｎ ｈｉｌｍ”に発表された。この技術にお
いては、光磁気の記録媒体を、Ｃｏ／Ｐｄの多層膜の構
造とし、そのＣｏ サブ層の厚さを１Å，Ｐｄ サブ層
の厚さを６〜１５Åとして、光磁気記録膜の総厚さを１
１０〜２７０Åとなるまで繰り返し積層している。この
ような多層膜を得るための製造工程は、ステンレス鋼板
で仕切って複数の区割室を有する回転テーブルを真空室
内におき、その回転テーブルの上部に基板を配置し、Ｃ
ｏとＰｄ とがそれぞれ挿入された坩堝を複数交互に回
転テーブルの下に配置した装置を用いている。このよう
な装置においては、熱蒸着法（ｔｈｅｒｍａｌｅｖａｐ
ｏｒａｔｉｏｎ）によって坩堝内のＣｏ とＰｄ をそ
れぞれ基板に蒸着させた後、回転テーブルを区割室の分
だけ回転させて２次蒸着を行う。 この２次蒸着ではＣｏ 表面にはＰｄ 、Ｐｄ 表面に
はＣｏが蒸着される。このような蒸着を反復してＣｏ
／Ｐｄ 層のような多層薄膜を形成する。
【０００８】しかしながら、上記の製造方法においては
、ステンレス鋼板で仕切った区割室の数が限定され、連
続的な多重生産が難しく、熱蒸着法によるため、Ｐｔ
のような高融点の物質を蒸着するには適合せず、均一の
蒸着物を得ることにも問題があった。
、ステンレス鋼板で仕切った区割室の数が限定され、連
続的な多重生産が難しく、熱蒸着法によるため、Ｐｔ
のような高融点の物質を蒸着するには適合せず、均一の
蒸着物を得ることにも問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した従来
技術の問題を解決した新規な方法を提供することである
。
技術の問題を解決した新規な方法を提供することである
。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｃｏ とＰｄ
またはＣｏとＰｔ とが連続的に配列され、これらの
各元素の間に、分離板が設けられたターゲットの上に基
板を水平方向に移動させてＣｏ とＰｄ、 またはＣｏ
とＰｔ とをスパッタリング方法によって基板に連続
蒸着する光磁気記録媒体の製造方法である。
またはＣｏとＰｔ とが連続的に配列され、これらの
各元素の間に、分離板が設けられたターゲットの上に基
板を水平方向に移動させてＣｏ とＰｄ、 またはＣｏ
とＰｔ とをスパッタリング方法によって基板に連続
蒸着する光磁気記録媒体の製造方法である。
【００１１】本発明は、Ｃｏ とＰｄ またはＣｏ と
Ｐｔ とが順次配列され、これらの配列された元素の領
域の間に分離板が設けられたターゲットを用い、このタ
ーゲットの上に、基板を水平方向に直線または往復動さ
せてＣｏ とＰｄ またはＣｏ とＰｔ とがスパッタ
リング方法によって基板に連続蒸着できるようにしたこ
とを特徴とするものである。
Ｐｔ とが順次配列され、これらの配列された元素の領
域の間に分離板が設けられたターゲットを用い、このタ
ーゲットの上に、基板を水平方向に直線または往復動さ
せてＣｏ とＰｄ またはＣｏ とＰｔ とがスパッタ
リング方法によって基板に連続蒸着できるようにしたこ
とを特徴とするものである。
【００１２】
【実施例】図４は、基板にＣｏ／Ｐｄ またはＣｏ／Ｐ
ｔ を積層するためのターゲットの構造を示すものであ
る。図のように、真空室内にＣｏ（１）とＰｄ（２）ま
たはＰｔ を順次の複数配列してターゲットとし、この
ターゲットの上に配列されたＣｏ （１）とＰｄ（２）
またはＰｔ間には分離板（３）を設ける。分離板（３）
の上面に基板（４）が往復動できるように設ける。この
ような装置において、ターゲットに電圧を印加すると、
アルゴンガスが負に帯電されたターゲットに向かって加
速され、ターゲットに衝突すると、蒸着物が飛出して基
板（４）に附着する。この時、基板（４）を右側に連続
的に移動するとＣｏ （１）がまず附着する。分離板（
３）を通過して次の区域であるＰｄ（２） 区域に達す
るとＣｏ の表面にさらにＰｄ が附着される。
ｔ を積層するためのターゲットの構造を示すものであ
る。図のように、真空室内にＣｏ（１）とＰｄ（２）ま
たはＰｔ を順次の複数配列してターゲットとし、この
ターゲットの上に配列されたＣｏ （１）とＰｄ（２）
またはＰｔ間には分離板（３）を設ける。分離板（３）
の上面に基板（４）が往復動できるように設ける。この
ような装置において、ターゲットに電圧を印加すると、
アルゴンガスが負に帯電されたターゲットに向かって加
速され、ターゲットに衝突すると、蒸着物が飛出して基
板（４）に附着する。この時、基板（４）を右側に連続
的に移動するとＣｏ （１）がまず附着する。分離板（
３）を通過して次の区域であるＰｄ（２） 区域に達す
るとＣｏ の表面にさらにＰｄ が附着される。
【００１３】このような作業が反復修行されてＣｏ／Ｐ
ｄ またはＣｏ／Ｐｔ のような多層膜が得る。すなわ
ち、多層膜は基板がＣｏ とＰｄ 領域を連続的に通過
してＣｏ ／Ｐｄ／Ｃｏ／Ｐｄ のような多層膜が得
る。ここで、分離板（３）はＣｏ 附着の時、Ｐｄ が
共に附着しないようにしたものである。
ｄ またはＣｏ／Ｐｔ のような多層膜が得る。すなわ
ち、多層膜は基板がＣｏ とＰｄ 領域を連続的に通過
してＣｏ ／Ｐｄ／Ｃｏ／Ｐｄ のような多層膜が得
る。ここで、分離板（３）はＣｏ 附着の時、Ｐｄ が
共に附着しないようにしたものである。
【００１４】本発明においてはＣｏ（１）とＰｄ（２）
またはＰｔ の配列は、要求されるサブ層の層数によっ
て配列できる。基板（４）を左右へ移動させて被覆すれ
ば、Ｃｏ（１）とＰｄ（２） との配列は、あんまり長
くしないものでも可能である。基板の運動速度（Ｖ）と
ターゲットに印加するパワーとによってスパッタリング
率が決定すれば、分離板（３）間のＣｏ（１）またはＰ
ｄ（２）の区域の幅（ｄ）は、ｄ＝Ｖ／Ｒに比例する。 すなわち、この関係式によって幅（ｄ）を決定すること
ができる。 Ｖ＝１ｃｍ ／ｓ，Ｒ＝１Å／ｓ とすれば、ｄ＝Ｖ／
Ｒ＝１ｃｍ ／Åである。 したがって、要求されるＣｏ の厚さが１Åであると、
Ｄ＝１ｃｍになる。
またはＰｔ の配列は、要求されるサブ層の層数によっ
て配列できる。基板（４）を左右へ移動させて被覆すれ
ば、Ｃｏ（１）とＰｄ（２） との配列は、あんまり長
くしないものでも可能である。基板の運動速度（Ｖ）と
ターゲットに印加するパワーとによってスパッタリング
率が決定すれば、分離板（３）間のＣｏ（１）またはＰ
ｄ（２）の区域の幅（ｄ）は、ｄ＝Ｖ／Ｒに比例する。 すなわち、この関係式によって幅（ｄ）を決定すること
ができる。 Ｖ＝１ｃｍ ／ｓ，Ｒ＝１Å／ｓ とすれば、ｄ＝Ｖ／
Ｒ＝１ｃｍ ／Åである。 したがって、要求されるＣｏ の厚さが１Åであると、
Ｄ＝１ｃｍになる。
【００１５】以上のように、本発明は、Ｃｏ（１）とＰ
ｄ（２）またはＰｔ 元素を一つのターゲットに連続配
列し、分離板を設け、これによって基板の移動により順
次的にＣｏ とＰｄ またはＰｔ 層が被覆される多層
薄膜製造が可能となるので製造時間が短縮でき、工程が
簡単である。
ｄ（２）またはＰｔ 元素を一つのターゲットに連続配
列し、分離板を設け、これによって基板の移動により順
次的にＣｏ とＰｄ またはＰｔ 層が被覆される多層
薄膜製造が可能となるので製造時間が短縮でき、工程が
簡単である。
【図１】情報の記録を示す説明図
【図２】情報の判読を示す説明図
【図３】情報の消去を示す説明図
【図４】基板にＣｏ／Ｐｄ またはＣｏ／Ｐｔ を積層
するためのターゲットの構造を示したものである。
するためのターゲットの構造を示したものである。
１ Ｃｏ
２ Ｐｄ
３ 分離板
４ 基板
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｃｏ とＰｄ またはＣｏ とＰｔ
とが順次配列されているターゲットに、電圧を印加し前
記ターゲットに水平方向に基板を一定の速度で移動させ
てＣｏ とＰｄ またはＣｏ とＰｔ とがスパッタリ
ング方法によって基板に連続蒸着できるようにする段階
からなる光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 前記段階は、アルゴンガスが存在する
容器の内で修行されることを特徴とする前記第１項記載
の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 前記ターゲットには、Ｃｏ とＰｄ
またはＣｏ とＰｔ とが配列された領域を区分し２つ
の元素が共に附着されるのを防止するための分離板を形
成することを特徴とする前記第１項記載の光磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項４】 前記段階は、要求されるサブ層の数が
形成されるまで、基板の往復または直線運動によって継
続修行されることを特徴とする前記第１項記載の光磁気
記録媒体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR15676/1990 | 1990-09-29 | ||
| KR1019900015676A KR920006924A (ko) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 광자기 기록매체의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280410A true JPH04280410A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=19304256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3276495A Pending JPH04280410A (ja) | 1990-09-29 | 1991-09-30 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0479109B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04280410A (ja) |
| KR (1) | KR920006924A (ja) |
| DE (1) | DE69122198T2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0628727A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-04 | Pioneer Electron Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01162256A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0256752A (ja) * | 1987-08-26 | 1990-02-26 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH02105348A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
| DE3866314D1 (de) * | 1987-08-26 | 1992-01-02 | Sony Corp | Magnetooptischer aufzeichnungstraeger. |
| WO1991014263A1 (en) * | 1990-03-15 | 1991-09-19 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Platinum or palladium/cobalt multilayer on a zinc oxide or indium oxide layer for magneto-optical recording |
-
1990
- 1990-09-29 KR KR1019900015676A patent/KR920006924A/ko not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-09-25 DE DE69122198T patent/DE69122198T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-25 EP EP91116338A patent/EP0479109B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-30 JP JP3276495A patent/JPH04280410A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256752A (ja) * | 1987-08-26 | 1990-02-26 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01162256A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH02105348A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69122198D1 (de) | 1996-10-24 |
| EP0479109B1 (en) | 1996-09-18 |
| KR920006924A (ko) | 1992-04-28 |
| EP0479109A1 (en) | 1992-04-08 |
| DE69122198T2 (de) | 1997-01-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970218 |