JPH04280628A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH04280628A JPH04280628A JP4373991A JP4373991A JPH04280628A JP H04280628 A JPH04280628 A JP H04280628A JP 4373991 A JP4373991 A JP 4373991A JP 4373991 A JP4373991 A JP 4373991A JP H04280628 A JPH04280628 A JP H04280628A
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- JP
- Japan
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- gas
- chamber
- meshes
- wafer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣの製造におけるエ
ッチング工程に用いられるドライエッチング装置に関す
るものである。
ッチング工程に用いられるドライエッチング装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置としては、実願昭６
１−８６５４６に開示されるものがあった。
１−８６５４６に開示されるものがあった。
【０００３】従来の装置の要部構成図を図２に示す。
【０００４】ドライエッチングは反応ガスを処理室内に
導入して所定の圧力に設定した後に上部電極と下部電極
の間にＲＦを印加して反応ガスをプラズマ化させ、下部
電極上に設置した試料をエッチングするものである。
導入して所定の圧力に設定した後に上部電極と下部電極
の間にＲＦを印加して反応ガスをプラズマ化させ、下部
電極上に設置した試料をエッチングするものである。
【０００５】電極が図２に示されるように上下共に平板
で両者が平行に設置されたものを平行平板型ドライエッ
チング装置といい一般的に使用されている。
で両者が平行に設置されたものを平行平板型ドライエッ
チング装置といい一般的に使用されている。
【０００６】以下、図２に示された装置を例にとりその
動作について説明する。
動作について説明する。
【０００７】処理室１の内部には、下部電極３と上部電
極２が対向して設置してある。
極２が対向して設置してある。
【０００８】上部電極２の内部には、その中央部と周辺
部に反応ガス溜め槽４，４ａが設けられている。
部に反応ガス溜め槽４，４ａが設けられている。
【０００９】反応ガスはガス導入管６，６ａからそれぞ
れの反応ガス溜め槽４，４ａの下部に多数設けられた反
応ガス導入孔５，５ａから処理室内に放出される。
れの反応ガス溜め槽４，４ａの下部に多数設けられた反
応ガス導入孔５，５ａから処理室内に放出される。
【００１０】放出された反応ガスは下部電極３上に設置
された試料（図示せず）をエッチングすることでその一
部を消費された後に下部電極３の周辺に設けられた排気
口８から排出される。
された試料（図示せず）をエッチングすることでその一
部を消費された後に下部電極３の周辺に設けられた排気
口８から排出される。
【００１１】ガス導入管６，６ａに流す反応ガスの比率
を変えることで、エッチングの均一性の向上がある程度
得られる。
を変えることで、エッチングの均一性の向上がある程度
得られる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた装置では、ウェハーの大口径化に伴い、エッチング
の均一性を得にくいという問題が生じていた。
べた装置では、ウェハーの大口径化に伴い、エッチング
の均一性を得にくいという問題が生じていた。
【００１３】エッチングが不均一になる原因として以下
の点が挙げられる。
の点が挙げられる。
【００１４】■ ウェハーの中央部は新鮮な反応ガス
が供給されるのに対し、ウェハー周辺部では、既に中央
部でその一部が消費された反応ガスと新らたに周辺部で
供給された反応ガスの混合物が供給される。そのために
ウェハーの中央部と周辺部で反応ガスの濃度に差が生じ
、エッチングが不均一になる。
が供給されるのに対し、ウェハー周辺部では、既に中央
部でその一部が消費された反応ガスと新らたに周辺部で
供給された反応ガスの混合物が供給される。そのために
ウェハーの中央部と周辺部で反応ガスの濃度に差が生じ
、エッチングが不均一になる。
【００１５】■ ウェハーの中央部と周辺部でコンダ
クダンスと供給されるガス流量の関係から圧力差が生じ
、エッチングが不均一になる。
クダンスと供給されるガス流量の関係から圧力差が生じ
、エッチングが不均一になる。
【００１６】本発明は、以上述べたように従来装置で問
題になるウェハーの中央部と周辺部での反応ガスの濃度
の差によるエッチングの不均一およびウェハー中央部と
周辺部でコンダクタンスと供給されるガス流量の関係か
ら生じる圧力差によるエッチングの不均一を解消できる
ドライエッチング装置を提供することを目的とする。
題になるウェハーの中央部と周辺部での反応ガスの濃度
の差によるエッチングの不均一およびウェハー中央部と
周辺部でコンダクタンスと供給されるガス流量の関係か
ら生じる圧力差によるエッチングの不均一を解消できる
ドライエッチング装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ装置は、ガス導入と排気をエッチング対象のウェハー
の面内で均等になるように反応室のウェハー設置部に対
向して設けられたガス導入口と排気口を含むメッシュを
有するようにしたものである。
グ装置は、ガス導入と排気をエッチング対象のウェハー
の面内で均等になるように反応室のウェハー設置部に対
向して設けられたガス導入口と排気口を含むメッシュを
有するようにしたものである。
【００１８】
【作用】本発明のドライエッチング装置は、ガス導入管
より所定の流量の反応ガスを導入し、コンダクタンス可
変バルブを適度の開度に調整し反応室内を所定の圧力に
設定する。圧力が所定の設定値で安定した時点で高周波
印加電極に高周波電力を印加する。被処理物をエッチン
グしたことによる排ガスはメッシュを通して一様に反応
室内より排気される。
より所定の流量の反応ガスを導入し、コンダクタンス可
変バルブを適度の開度に調整し反応室内を所定の圧力に
設定する。圧力が所定の設定値で安定した時点で高周波
印加電極に高周波電力を印加する。被処理物をエッチン
グしたことによる排ガスはメッシュを通して一様に反応
室内より排気される。
【００１９】
【実施例】図１に本発明を適用した反応性イオンエッチ
ング装置を示す。まず、本装置の構成と各構成部位の説
明を行う。
ング装置を示す。まず、本装置の構成と各構成部位の説
明を行う。
【００２０】円筒形のチェンバー１１は、接地されたメ
ッシュ１２により区切られている。メッシュ１２は、ア
ルミニウム製の厚さ０．５ｍｍの薄板に３ｍｍφの開口
を全面に均等に設け、開口率を５０％程度にしたものを
使用している。メッシュ１２は、上部電極・ガス排気口
・ガス導入口の役割を持っている。
ッシュ１２により区切られている。メッシュ１２は、ア
ルミニウム製の厚さ０．５ｍｍの薄板に３ｍｍφの開口
を全面に均等に設け、開口率を５０％程度にしたものを
使用している。メッシュ１２は、上部電極・ガス排気口
・ガス導入口の役割を持っている。
【００２１】このメッシュ１２の上にはガス導入管１３
が設けられている。ガス導入管１３は、メッシュの全面
に均等にその端面が設けられるように蛸足状に分岐され
ている。ガス導入管１３の分岐以降は、外径１／８イン
チのステンレス製配管を、分岐以前は３／８インチのス
テンレス製配管を使用している。ガス導入管１３の端面
はメッシュ１２の開口に接しており、メッシュ１２を通
して反応ガスを反応室１４に導入する。
が設けられている。ガス導入管１３は、メッシュの全面
に均等にその端面が設けられるように蛸足状に分岐され
ている。ガス導入管１３の分岐以降は、外径１／８イン
チのステンレス製配管を、分岐以前は３／８インチのス
テンレス製配管を使用している。ガス導入管１３の端面
はメッシュ１２の開口に接しており、メッシュ１２を通
して反応ガスを反応室１４に導入する。
【００２２】ガス導入管に上には排気分散板１５が設け
られている。排気分散板１５は厚さ１ｍｍのアルミニウ
ム板に１０ｍｍφの開口を全面に設け開口率４０％程度
にしたものを用いている。開口の分布は中央部より周辺
部が密になるように配置してあり、メッシュ１２の全面
において均一な排気が行われるように、コンダクタンス
を調整している。
られている。排気分散板１５は厚さ１ｍｍのアルミニウ
ム板に１０ｍｍφの開口を全面に設け開口率４０％程度
にしたものを用いている。開口の分布は中央部より周辺
部が密になるように配置してあり、メッシュ１２の全面
において均一な排気が行われるように、コンダクタンス
を調整している。
【００２３】チェンバー１１の上面にはターボポンプ１
６とコンダクタンス可変バルブ１７が設けられている。 反応室１４内のガスはメッシュ１２・排気分散板１５の
開口部とコンダクタンス可変バルブ１７を通ってターボ
ポンプ１６により排気される。
６とコンダクタンス可変バルブ１７が設けられている。 反応室１４内のガスはメッシュ１２・排気分散板１５の
開口部とコンダクタンス可変バルブ１７を通ってターボ
ポンプ１６により排気される。
【００２４】次に本装置の動作について説明を行う。
【００２５】高周波印加電極１８の上に半導体ウェハー
から成る被処理物を設置する。
から成る被処理物を設置する。
【００２６】コンダクタンス可変バルブ１７を全開にし
た状態で、ターボポンプ１６によりチェンバー１１を高
真空に排気する。
た状態で、ターボポンプ１６によりチェンバー１１を高
真空に排気する。
【００２７】ガス導入管１３より所定の流量の反応ガス
を導入し、コンダクタンス可変バルブ１７を適度の開度
に調整することで反応室１４内を所定の圧力に設定する
。
を導入し、コンダクタンス可変バルブ１７を適度の開度
に調整することで反応室１４内を所定の圧力に設定する
。
【００２８】圧力が所定の設定値で安定した時点で高周
波印加電極１８に高周波電力を印加する。
波印加電極１８に高周波電力を印加する。
【００２９】被処理物をエッチングしたことによる排ガ
スはメッシュ１２を通して一様に反応室１４内より排気
され、新鮮な反応ガスは、メッシュ１２を通して一様に
反応室２４内に導入されるので、反応室１４内のガス組
成と圧力は一定になり、被処理物の面内で一様なエッチ
ング速度が得られる。
スはメッシュ１２を通して一様に反応室１４内より排気
され、新鮮な反応ガスは、メッシュ１２を通して一様に
反応室２４内に導入されるので、反応室１４内のガス組
成と圧力は一定になり、被処理物の面内で一様なエッチ
ング速度が得られる。
【００３０】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、反
応室のウェハー設置部の対向面にガス導入口と排気口を
含むメッシュを設け、ウェハー設置部に対し一様に反応
ガスの導入と排ガスの排気を行うことにより、以下の効
果が得られる。
応室のウェハー設置部の対向面にガス導入口と排気口を
含むメッシュを設け、ウェハー設置部に対し一様に反応
ガスの導入と排ガスの排気を行うことにより、以下の効
果が得られる。
【００３１】■ チェンバー内のガス組成と圧力が一
様になるので一様なエッチング速度が得られる。
様になるので一様なエッチング速度が得られる。
【００３２】■ 排気口の面積を大きくとれるので排
気効率が向上する。
気効率が向上する。
【図１】本発明を適用した反応性イオンエッチング装置
の要部断面図。
の要部断面図。
【図２】従来のドライエッチング装置の要部断面図。
１１ チェンバー
１２ メッシュ
１３ ガス導入管
１４ 反応室
１５ 排気分散板
１６ ターボポンプ
１７ コンダクタンス可変バルブ１８ 高
周波印加電極 １９ ロータリーポンプ
周波印加電極 １９ ロータリーポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 反応室内に設けられたウェハー設置部
と、前記ウェハー設置部に対向して設けられたガス導入
口と排気口を含むメッシュを有することを特徴とするド
ライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4373991A JPH04280628A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4373991A JPH04280628A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280628A true JPH04280628A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=12672147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4373991A Pending JPH04280628A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04280628A (ja) |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP4373991A patent/JPH04280628A/ja active Pending
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