JPH04282539A - 反射・帯電防止膜の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は陰極線管、液晶表示装置
その他のディスプレイ装置のガラス表面に設ける反射・
帯電防止膜の形成に係り、特に、製造工程その他の取扱
いにおいて、汚れが付き難く、かつ、十分な実用強度を
有する反射・帯電防止膜の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の反射防止膜の形成方法と
しては真空蒸着等で多層干渉膜を積層する方法、化学エ
ッチングにより無反射膜を形成する方法などが、また、
帯電防止膜の形成方法としては真空蒸着、ＣＶＤ法など
によってＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３などからなる透明導電膜
を形成する方法などが知られているが、これらの方法を
例えば陰極線管パネル外表面の反射防止、帯電防止に適
用しようとする場合には製造コストが高くなるという問
題があった。また、完成した陰極線管にこれらの方法を
直接適用することは困難である。

【０００３】これらの問題点に対して、本発明者等は、
先に、ＳｉＯ２の超微粒子を添加したＳｉ（ＯＲ）４（
Ｒはアルキル基）のアルコール溶液をガラス体表面に塗
布、焼成して、該ガラス体の表面上にＳｉＯ２超微粒子
とこれを接着するＳｉＯ２バインダとからなる反射防止
膜を形成する方法を提案した（特開昭６３‐１９３１０
１号）。また、上記組成の塗布液にそれ自体が導電性を
有するＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３の超微粒子を含有させるこ
とによって、帯電防止効果を付与した反射防止膜につい
ても提案した（特開平０１‐１５４４４４号）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記本発明者等提案の
方法は、ガラス体表面の他に、従来技術では困難であっ
た陰極線管パネルの外表面に反射・帯電防止膜を直接形
成できるという優れた効果を有する方法であるが、該反
射・帯電防止膜の表面を手で触れたりすると指紋などの
汚れが付きやすく、また、この汚れが容易に除去できる
ものではないために、反射防止特性を損なうことがあっ
た。また、ここで得られる反射・帯電防止膜の構成粒子
同士の接着強度および該膜とガラス体表面との間の接着
強度が小さいために、硬いもので摩擦するようなことが
起った場合に、構成粒子の一部が削り取られたりあるい
はガラス体表面から一部剥離してしまうことがあった。 例えば、消しゴム（ライオン事務器製、タイプ５０‐５
０）で擦った場合にもこのような現象が発生していた。

【０００５】本発明の目的は、上記従来技術の有してい
た課題を解決して、製造工程その他の取扱いにおいて、
汚れが付き難く、かつ、十分な実用強度を有する反射・
帯電防止膜の形成方法を提供することにある。

【０００６】

【発明を解決するための手段】上記目的は、ＳｉＯ２超
微粒子とＳｎＯ２超微粒子とを添加したＳｉ（ＯＲ）４
のアルコール溶液をディップ法あるいはスピン法により
ガラス体表面上に塗布して反射・帯電防止膜を形成した
後、該膜上にさらにＳｉ（ＯＲ）４のアルコール溶液を
ディップ法により塗布、焼成してＳｉＯ２膜層を形成す
ることによって達成することができる。

【０００７】

【作用】上記したようにガラス体表面上に形成した、Ｓ
ｉＯ２超微粒子とＳｎＯ２超微粒子およびこれらを接着
固定するためのＳｉＯ２バインダからなる反射・帯電防
止膜上にさらにＳｉＯ２層を形成すると、後者のＳｉＯ
２層が前者の反射・帯電防止膜の保護層の役目を果し、
これによって、反射・帯電防止膜の耐汚染性、耐摩耗性
に関する実用強度を確保することができる。

【０００８】上記本発明の方法によって形成した反射・
帯電防止膜と従来技術の方法による反射・帯電防止膜と
の比較について、図によってさらに詳細に説明すれば次
の通りである。

【０００９】まず、図２は従来技術の方法によって形成
した反射・帯電防止膜４の構成状態を示す断面図で、こ
の場合、ＳｉＯ２超微粒子１は反射防止効果を、ＳｎＯ
２超微粒子２は導電性を、また、ＳｉＯ２バインダ３は
ＳｉＯ２超微粒子１とＳｎＯ２超微粒子２およびガラス
体表面５との接着固定の役割を果す。ここで、ＳｉＯ２
超微粒子１として平均粒径１２０ｎｍの粒子を用いた場
合、凹凸の深さは約６０〜１２０ｎｍで、極めて微細な
凹凸となる。また、このような場合、ＳｉＯ２超微粒子
１とＳｎＯ２超微粒子２とガラス体表面５とは殆ど点で
接着している。このような状態の表面を手で触れたり、
消しゴム等の硬い物で擦ったりすると、汚れが付いたり
、消しゴムかすが凹凸の間に埋まったりするため汚れが
取れ難くなったり、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２超微粒子がガラ
ス体表面５から剥離したり、または、ＳｉＯ２超微粒子
が摩耗したりするために、反射防止効果が損なわれるこ
とがある。

【００１０】これに対して、図１は本発明の方法により
形成した反射・帯電防止膜の概略構成を示した図で、こ
の場合には、従来技術の場合と同様構成の反射・帯電防
止膜の上にさらにＳｉＯ２層６（厚さ約５〜２０ｎｍ）
が反射防止特性を劣化させることなく設けられているた
めに、ＳｉＯ２超微粒子、ＳｎＯ２超微粒子同士および
ガラス体表面とが十分に接着固定することができるため
、耐汚染性、耐摩耗性に関して十分な実用強度を確保す
ることができる。

【００１１】ＳｉＯ２層の形成はスピン塗布法あるいは
スプレー塗布法によって行うこともできるが、反射防止
特性を損なうことがあるため不適である。また、真空蒸
着法で形成することも可能であるが、完成した陰極線管
などの大きなものに適用するためには大がかりな設備を
必要とするため、製造コストの点から方法としては不適
である。これらのことから、ＳｉＯ２層６の形成にはデ
ィップ法が最適である。

【００１２】なお、ガラス体の表面にＳｉＯ２超微粒子
膜を形成することによって反射防止効果が得られるのは
、空気の屈折率を１．０、ＳｉＯ２超微粒子の屈折率を
１．４８としたとき、ＳｉＯ２超微粒子の凹凸形状部分
において屈折率がＳｉＯ２の体積分律に従って連続的に
変化することによる反射低減効果によるものである。ま
た、導電性はＳｎＯ２超微粒子自体の電子伝導性による
ものである。

【００１３】

【実施例】以下、本発明方法の内容について比較例との
比較によって具体的に説明する。

【００１４】まず反射・帯電防止膜を形成すべきガラス
体の表面を研摩材及びアルカリ洗浄剤等を用いて清浄化
した後、表１に示した反射・帯電防止膜塗布液およびＳ
ｉＯ２層形成塗布液を該ガラス体表面上に塗布し、１５
０℃３０分間の焼成を行った。すなわち、実施例１、２
及び比較例１、２においては、反射・帯電防止膜塗布液
をガラス体引上げ速度０．５ｍｍ／秒でディップ塗布、
実施例３においては回転数２００ｒｐｍでスピン塗布を
行った。続いて、実施例１、３についてはＳｉＯ２層形
成塗布液をガラス体引上げ速度０．５ｍｍ／秒で、実施
例２についてはガラス体引上げ速度０．８ｍｍ／秒でデ
ィップ塗布、比較例１については回転数２００ｒｐｍで
スピン塗布を行った。最後に上記各試料を１５０℃３０
分間焼成した物を試料として、反射特性、耐摩耗性及び
汚染除去性を調べた。結果を表１膜特性の欄に示した。

【００１５】表１の結果から、比較例１の試料は初期の
反射特性が悪く、比較例２の試料は耐摩耗性が小さくま
た汚れ除去性も悪いのに対して、本発明実施例１、２、
３の試料は何れも初期の反射特性が良く、耐摩耗強度も
強く、汚れ除去性も極めて容易であることが判る。なお
、上記汚れ除去性の検査は、反射・帯電防止膜を指で触
って指紋を付けた後メタノールで拭きとり、そのときの
指紋の除去し易さの比較によって行った。また、本発明
実施例試料の反射・帯電防止膜の表面抵抗の初期値は何
れも１×１０９Ω／□であり、十分高い導電性を示すも
のであった。

【００１６】

【表１】

【００１７】

【発明の効果】以上述べてきたように、反射・帯電防止
膜の形成方法を本発明の形成方法とすることによって、
従来技術の有していた課題を解決して、製造工程その他
の取扱いにおいて汚れが付き難く、かつ、十分な実用強
度を有する反射・帯電防止膜の形成方法を提供すること
ができた。この方法によって、上記の優れた特性を有す
る反射・帯電防止膜を簡単な工程で、低コストで得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の方法で形成した反射・帯電防止
膜の断面構造を示す模式図。

【図２】図２は従来技術の方法で形成した反射・帯電防
止膜の断面構造を示す模式図。

【符号の説明】

１…ＳｉＯ２超微粒子、２…ＳｎＯ２超微粒子、３…Ｓ
ｉＯ２バインダ、４…反射・帯電防止膜、５…ガラス体
、６…ＳｉＯ２層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ＳｉＯ２微粒子とＳｎＯ２微粒子とを添加
   したＳｉ（ＯＲ）４（Ｒはアルキル基）のアルコール溶
   液をディップ法あるいはスピン法によりガラス体表面上
   に塗布して反射・帯電防止膜を形成した後、該膜上にさ
   らにＳｉ（ＯＲ）４のアルコール溶液をディップ法によ
   り塗布、焼成してＳｉＯ２膜層を形成したことを特徴と
   する反射・帯電防止膜の形成方法。