JPH04282893A - 薄膜多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜多層基板の製造方法
に係り、特にパターンの微細化、多層化が要求された薄
膜多層基板の製造方法に関する。

【０００２】近年、コンピュータシステムの高速化に伴
い、使用されるプリント基板には、パターンの微細化、
基板サイズの大型化、基板の多層化が要求され、この要
求を満たす為に薄膜多層基板が提供されている。そして
この薄膜多層基板においても、パターンのより微細化、
多層化が推進されており、これに伴い微細化、多層化さ
れる層間の接続ＶＩＡ（以下、単にバイヤという）や、
基板上の導体配線等の信頼性の向上が望まれている。

【０００３】

【従来の技術】図８乃至図１０は従来の薄膜多層基板の
製造方法の一例をその工程ごとに示した図であり、図８
（Ａ）から順に進み、図９を経由して図１０（Ｄ）まで
において一連の製造工程を表している。

【０００４】先ず、図８（Ａ）に示すように基板の母材
１上に下層導体配線２を形成し、引き続き図８（Ｂ）に
示すようにその上面に絶縁層３を形成する。

【０００５】次に、後述するバイヤホール３ａを形成す
る時のマスクとなるメタルマスク用金属膜４を、図８（
Ｃ）に示すように、絶縁層３上にスパッタリングにより
形成する。そして図８（Ｄ）に示すように、更にその上
面に、バイヤホールのパターン５ａを有したレジストパ
ターン５を露光現像処理により形成する。

【０００６】次に、このレジストパターン５をマスクと
してメタルマスク用金属膜４をウェットエッチングし、
図８（Ｅ）に示すようにメタルマスク用金属膜４にバイ
ヤホールのパターン６ａを形成する。バイヤホールのパ
ターン６ａが形成されたメタルマスク用金属膜４はこの
時点でメタルマスク６となる。

【０００７】次に、このメタルマスク６をマスクとして
絶縁層３をドライエッチングし、図９（Ａ）に示すよう
に絶縁層３にバイヤホール３ａを形成する。そして、不
要となったメタルマスク６をウェットエッチングにより
除去して、絶縁層３へバイヤホール３ａを形成する一連
の工程が完了する（図９（Ｂ））。

【０００８】次に、バイヤ、及び上層導体配線の形成を
行う。先ず、図９（Ｃ）に示すように、下地金属膜７を
スパッタリングにより絶縁層３の上面全面、及びバイヤ
ホール３ａの内面上に形成する。

【０００９】次に、バイヤ、及び上層導体配線形成のた
めのレジストパターン８を形成する。これは、先ず図９
（Ｄ）に示すように上記下地金属膜７上にレジスト９を
塗布し、その上面にバイヤ、及び上層導体配線のパター
ン１０ａ，１０ｂを有したマスク１０を載置する。そし
てこの状態の基板を露光現像処理することにより、図９
（Ｅ）に示すように、バイヤ、及び上層導体配線のパタ
ーン８ａ，８ｂを有したレジストパターン８が形成され
る。

【００１０】次に、このレジストパターン８をマスクと
して下地金属膜７上に電解めっきを施し、図１０（Ａ）
に示すように、バイヤ１１、上層導体配線１２，１３を
形成する。そして不要となったレジストパターン８を除
去し（図１０（Ｂ））、引き続いて不要となった下地金
属膜７も除去する。

【００１１】以上の工程により、図１０（Ｃ）に示すよ
うに、絶縁層３の上面に上層導体配線１２，１３が形成
され、また、上層導体配線１２と下層導体配線２とが上
層導体配線１２と一体的に形成されたバイヤ１１により
電気的に層間接続される。

【００１２】また、図８（Ｂ）から図１０（Ｃ）に示す
上述した各工程を再び繰り返すことにより、図１０（Ｄ
）に示す如く、絶縁層１４、上層導体配線１５，１６、
及びバイヤ１７が上層導体配線１２，１３の更に上部に
形成され、母材１上に２層の薄膜基板が形成される。そ
して更にこのような層を多数層重ねて形成することによ
って薄膜多層基板が形成されていた。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】電解めっきによりバイ
ヤ１１、及び上層導体配線１２，１３を下地金属層７上
に形成する図１０（Ａ）に示す工程において、バイヤホ
ール３ａの内側面に沿って形成されるバイヤ１１は電解
めっきの成長が悪く、上面に露出した上層導体配線１２
に比べてめっきによる導体の付着量が少ない。これは同
図に示すようにバイヤホール３ａの入口部分の角部３ｂ
の部分で特に顕著となり、角部３ｂ上に付着する導体は
その周囲に比べて極端に薄くなってしまう。従って、バ
イヤ１１は種々のストレスによりこの薄い部分で断線す
る可能性が高く、薄膜多層基板における層間接続の信頼
性を低下させていた。

【００１４】また、図８（Ｂ）に示すように、絶縁層３
が下層導体配線２の上部に形成されてその表面が凹凸状
となるため、上層導体配線１２は図１０（Ｃ）に示すよ
うに凹凸状となり、また、もう一方の上層導体配線１３
との間に段差が発生してしまう。そしてこのような上層
導体配線の凹凸形状、及び複数の上層導体配線間におけ
る段差は、図１０（Ｄ）に示すように層数が増加すれば
するほど大きくなり、その結果、次に示す３つの課題が
発生する。

【００１５】■図９（Ｄ）に示すように、レジストパタ
ーン８形成時のマスク１０は平らな面を有する平板状で
あるため、絶縁層３の凹凸状の表面に沿って塗布されて
同様に凹凸状となったレジスト９の表面９ａと、このマ
スク１０との間に隙間１８が発生する。そしてこの状態
で露光すると、隙間１８間において光の回り込みや、光
の拡散等が発生し、図９（Ｅ）のパターン８ｂに見られ
るようにパターンの形状が歪み、その結果、上層導体配
線１３の精度が低下してしまう。

【００１６】■図１０（Ｃ）に示すように、上層導体配
線１２，１３と下層導体配線２との夫々の間隔寸法Ｔ１
　，Ｔ２　が異なる寸法となるため、導体配線間のイン
ピーダンス特性に影響を及ぼし、薄膜多層基板の電気的
特性上好ましくない。

【００１７】■図１０（Ｄ）に示すように複数層積層さ
れ、上層導体配線１５の如く凹凸形状が激しくなると、
傾斜の強い部分１５ａ等に応力が集中してこの部分での
断線の可能性が高くなり、層内導体配線の信頼性が低下
してしまう。

【００１８】そして上述した種々の課題により、薄膜多
層基板の微細化、多層化が妨げられていた。

【００１９】そこで本発明は上記課題に鑑みなされたも
ので、バイヤによる層間接続、及び層内導体配線の信頼
性を向上させ、パターンの微細化、多層化を図る薄膜多
層基板の製造方法を提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理構成
を示すフローチャートである。

【００２１】上記目的を達成するために本発明は、絶縁
層を挟んで上下部に配設された上層導体配線と下層導体
配線とが、バイヤにより層間接続された薄膜多層基板の
製造方法において、最初に、基板母材上に形成された前
記下層導体配線上に、前記バイヤのみを形成するバイヤ
形成工程（工程２２）を行い、その後に、前記上層導体
配線を前記絶縁層上に形成する上層導体配線形成工程（
工程２５）を行う構成である。

【００２２】具体的な製造方法としては、絶縁層を挟ん
で上下部に配設された上層導体配線と下層導体配線とが
、バイヤにより層間接続された薄膜多層基板の製造方法
において、基板母材上に前記下層導体配線を形成する下
層導体配線形成工程（工程２１）と、前記下層導体配線
上に前記絶縁層を形成する前に、前記バイヤを前記下層
導体配線上に形成するバイヤ形成工程（工程２２）と、
前記絶縁層を、前記下層導体配線及び前記バイヤの形状
の影響を受けることなく平坦とされる第１の表面を形成
し得る厚さ寸法で、前記基板母材上に形成する絶縁層形
成工程（工程２３）と、前記絶縁層を、該第１の表面か
ら前記バイヤの先端部が露出するまで均一にエッチング
し、前記バイヤの先端部か露出する高さにおいて、平坦
とされる前記絶縁層の第２の表面を形成する絶縁層エッ
チング工程（工程２４）と、該第２の表面に、前記バイ
ヤと接触させて前記上層導体配線を形成する上層導体配
線形成工程（工程２５）とを有し、図１に示すように、
工程２１から工程２５に向けて順に進める構成である。

【００２３】

【作用】バイヤと上層導体配線とを夫々別々に形成する
ことにより、バイヤ、及び上層導体配線は、夫々の最適
条件で個々に形成することができる。即ち、めっきによ
ってバイヤを形成していた従来の方法に比べて、バイヤ
を目的に合った形状、構成等に形成することができ、従
来のような強度的に弱い部分を有さないバイヤを形成す
ることができる。その結果、バイヤの断線は防止される
。

【００２４】また、具体的な製造方法においては、絶縁
層形成工程において下層導体配線上に形成された絶縁層
には平坦とされる第１の表面が形成されるため、絶縁層
エッチング工程により絶縁層が表面より均一にエッチン
グされると、絶縁層の表面が平坦に維持されたままエッ
チングが進行する。そしてエッチング終了状態では、平
坦な絶縁層の第２の表面上にバイヤの先端部が露出する
構成となる。従って、上層導体配線形成工程にて絶縁層
の第２の表面上に形成される上層導体配線は、バイヤの
先端部に接触し、しかも凹凸の無い平板状の形状となり
、また、他に形成された上層導体配線との間にも段差が
発生しない。

【００２５】

【実施例】図２は本発明になる薄膜多層基板の製造方法
の一実施例のフローチャート、図３は図２における下層
導体配線形成工程３１から第２のスパッタ工程３５まで
の各工程における状態を示す図、図４は図２における第
１のレジストパターン剥離工程３６からドライエッチン
グ工程３９までの各工程における状態を示す図、図５は
図２における第３のスパッタ工程４０から第２の電解銅
（Ｃｕ）めっき工程４３までの各工程における状態を示
す図、図６は図２における第２のレジストパターン剥離
工程４４、及び第２のイオンミリングエッチング工程４
５までの各工程における状態を示す図、図７は本実施例
の薄膜多層基板の製造方法により導体配線が複数層形成
された薄膜多層基板の一例の図である。

【００２６】図２に示す各工程について図３乃至図７を
併せ参照して説明する。

【００２７】先ず第１に下層導体配線形成工程３１を行
う。これは図３（Ａ）に示すように基板の母材５１の上
面５１ａ上に銅（Ｃｕ）による下層導体配線５２ａ，５
２ｂを形成する。

【００２８】次に第１のスパッタ工程３２を行う。これ
により、約１μｍの膜厚の金属膜５３が図３（Ｂ）に示
すように母材５１と下層導体配線５２ａ，５２ｂ上に一
様に形成される。この金属膜５３は下層導体配線５２ａ
，５２ｂ側に約０．２μｍの厚さでスパッタリングされ
たクロム（Ｃｒ）５３ｂと、その上方に約１μｍの厚さ
でスパッタリングされた銅（Ｃｕ）５３ａとにより２層
構造とされている。銅（Ｃｕ）５３ａは金属膜５３の主
要材料であり、クロム（Ｃｒ）５３ｂは、銅（Ｃｕ）５
３ａが下層導体配線５２ａ，５２ｂから剥離することを
防止する作用をしている。

【００２９】次に、この金属膜５３上にレジストパター
ンを形成する第１のレジストパターン形成工程３３を実
施する。これには通常のレジスト技術が用いられ、先ず
最初にレジストを１０μｍ程度の膜厚で金属膜５３上に
塗布し、この上面にパターンを有したマスク設置して露
光現像処理することにより、図３（Ｃ）に示すようにバ
イヤのパターン５４ａを有したレジストパターン５４を
形成する。

【００３０】そして次に第１の電解銅（Ｃｕ）めっき工
程３４を行う。ここでは、上記レジストパターン５４を
マスクとし、金属膜５３を電極として電解めっきを行う
。 これにより、バイヤのパターン５４ａ内に金属膜５３の
上面から順にめっきの成長が行われ、図３（Ｄ）に示す
ように、バイヤ５５となる導体がパターン５４ａ内に形
成される。

【００３１】次に第２のスパッタ工程３５を行う。これ
は、バイヤ５５が後で行われるドライエッチングによっ
て侵食されないように、例えば白金（Ｐｔ）等の耐ドラ
イエッチング性の金属をバイヤ５５の表面に形成する目
的で行われる。この工程により図３（Ｅ）に示すように
、白金（Ｐｔ）の金属膜５６がレジストパターン５４、
及びバイヤ５５の表面上に一様に形成される。

【００３２】次に第１のレジストパターン剥離工程３６
を行う。ここでは、図３（Ｅ）に示す状態の基板を剥離
液に通すことによって、バイヤ５５の形成が完了して不
要となったレジストパターン５４を剥離除去する。また
、上記の如く金属膜５６はバイヤ５５の表面のみに必要
とされるため、上記レジストパターン５４の剥離除去を
利用してレジストパターン５４上の金属膜５６を除去す
る（リフトオフ法）。レジストパターン５４、及び不要
部分の金属膜５６が除去された状態を図４（Ａ）に示す
。

【００３３】次に第１のイオンミリングエッチング工程
３７を行う。第１のスパッタ工程３２による金属膜５３
はバイヤ５５の形成のために形成されたものであり、こ
の時点においては不要である。従って図４（Ｂ）に示す
ようにアルゴン（Ａｒ）ガス５７を使用してイオンミリ
ングエッチングを行い、バイヤ５５の部分を除く金属膜
５３の除去を行う。ここで、バイヤ５５の上面には上記
の如く耐ドライエッチング性の金属膜５６が形成されて
いるため、このイオンミリングエッチングにおいても効
果があり、バイヤ５５の侵食が防止される。

【００３４】上記第１のスパッタ工程３２からこの第１
のイオンミリングエッチング工程３７までの一連の工程
が、バイヤ５５を下層導体配線５２ａ上に形成するバイ
ヤ形成工程を構成する。

【００３５】次にポリイミド塗布・熱硬化工程３８によ
り絶縁層の形成を行う。これは熱硬化性ポリイミド６１
を、図４（Ｃ）に示すように、母材５１の上記下層導体
配線５２ａ，５２ｂ等が形成された面全体に均一に塗布
し、これを窒素（Ｎ２　）ベーク炉（図示せず）内にて
熱硬化させて絶縁層６０を形成する。

【００３６】ここで塗布された熱硬化性ポリイミド６１
の膜厚について考える。母材５１上にはバイヤ５５、下
層導体配線５２ａ，５２ｂ等が形成されて凹凸状となっ
ている。このため、塗布された熱硬化性ポリイミド６１
の膜厚が薄いと、図４（Ｃ）中、一点鎖線で示されるよ
うに絶縁層６０′の表面６０ａ′は下部の形状の影響を
受けて凹凸状となり、従来における問題がここでも発生
してしまう。そこで、図４（Ｃ）中、実線で示すように
、同膜厚をバイヤ５５の先端の高さ寸法の２倍程度とし
て絶縁層６０を形成すると、絶縁層６０の表面６０ａは
バイヤ５５、下層導体配線５２ａ，５２ｂの形状の影響
を受けなくなり、凹凸形状のない平坦な表面となる。

【００３７】次にドライエッチング工程３９を行う。こ
れは、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉ
ｎｇ＝反応性イオンエッチング）装置にて、酸素ガス（
Ｏ２　）又は、（Ｏ２　＋ＣＦ４　）ガスを使い、有機
材である上記絶縁層６０をエッチングする。この時、図
４（Ｄ）に示すように絶縁層６０の平坦な表面６０ａに
反応性イオン５８の照射方向が正対するように基板を装
置内に設置して行う。このようにすると、エッチングに
よる絶縁層６０の侵食が当初の表面６０ａから均一に進
み、絶縁層６０がエッチングされて形成される新たな表
面は、当初の表面６０ａと平行であり、且つ平坦な面が
常に維持される。

【００３８】そして図４（Ｄ）に実線で示すように、エ
ッチングされてできた新たな表面６０ｂから、バイヤ５
５の先端部に設けられた金属膜５６が露出した時点でこ
のドライエッチング工程３９が完了する。このドライエ
ッチング時において、バイヤ５５は金属膜５６に保護さ
れて侵食が防止される。

【００３９】ここで、絶縁層６０は母材５１上に均一に
塗布されているため、当初の表面６０ａは母材５１の上
面５１ａと平行である。従って、上記の如くドライエッ
チング工程３９によりエッチングされた絶縁層６０の新
たな表面６０ｂは、母材５１の上面５１ａと平行、且つ
平坦な面となり、しかもバイヤ５５の一部を露出した構
成となっている。

【００４０】そして、図４（Ｄ）に示される状態の基板
を、１０−１Ｐａ程度の真空中にて　２００℃で１時間
の加熱処理を行う。この加熱処理により、絶縁層６０が
吸着した水分が除去されると共に、絶縁層６０上に付着
した有機物が分解、固着し、後に絶縁層６０上に形成さ
れる金属膜６２の部分的欠落が減少し、絶縁層６０と金
属膜６２との密着性が向上する。

【００４１】以上のように、ポリイミド塗布・熱硬化工
程３８と、ドライエッチング工程３９とにより、母材５
１の上面５１ａと平行、且つ平坦な面であり、しかもバ
イヤ５５の一部を露出した表面６０ｂを有する絶縁層６
０の形成が行われる。

【００４２】次に第３のスパッタ工程４０を行う。これ
は図５（Ａ）に示すように、上層導体配線を形成するた
めの下地となる金属膜６２をスパッタリングにより上記
表面６０ｂ、及びバイヤ５５上に平面状に形成する。こ
の金属膜６２も上記金属膜５３と同様に、約　０．２μ
ｍの厚さでスパッタリングされたクロム（Ｃｒ）６２ｂ
と、その上方に約１μｍの厚さでスパッタリングされた
銅（Ｃｕ）６２ａとにより２層構造とされ、クロム（Ｃ
ｒ）６２ｂは、銅（Ｃｕ）６２ａが絶縁層６０から剥離
することを防止する作用をしている。

【００４３】次に、この金属膜６２上にレジストパター
ンを形成するためにレジスト塗布・マスク装着工程４１
を行う。これは、図５（Ｂ）に示すようにレジスト６３
を１０μｍ程度の膜厚寸法で金属膜６２上に塗布し、そ
の上面に上層導体配線のパターン６４ａを有したマスク
６４を設置する。この後、レジスト６３を露光、そして
現像処理することにより、レジスト露光現像処理工程４
２を行う。この露光現像処理により図５（Ｃ）に示すよ
うにレジスト６３に上層導体配線のパターン６５ａが形
成される。

【００４４】上記の如くレジスト塗布・マスク装着工程
４１と、レジスト露光現像処理工程４２とにより第２の
レジストパターン形成工程が構成され、上層導体配線の
パターン６５ａを有したレジストパターン６５が金属膜
６２上に形成される。

【００４５】次に第２の電解銅（Ｃｕ）めっき工程４３
を行う。これは上記レジストパターン６５をマスクとし
、金属膜６２を電極として行われ、図５（Ｄ）に示すよ
うに、パターン６５ａ内の金属膜６２上に銅（Ｃｕ）め
っきが成長し、上層導体配線６６が形成される。

【００４６】次に第２のレジストパターン剥離工程４４
を行う。これは第１のレジストパターン剥離工程３６と
同様に基板を剥離液に通すことにより、化学的にレジス
トパターン６５を金属膜６２から剥離除去する。レジス
トパターン６５が除去された状態を図６（Ａ）に示す。

【００４７】次に、第２のイオンミリングエッチング工
程４５を行う。これは、図６（Ａ）に示す状態では、例
えば上層導体配線６６と他の上層導体配線６６Ａとが金
属膜６２により電気的に接続されているため、不要部分
の金属膜６２を除去することを目的としている。第１の
イオンミリングエッチング工程３７にて使用した装置に
基板を再度設置し、イオンミリングエッチングすること
により、図６（Ｂ）に示す如く上層導体配線６６，６６
Ａ以外の部分の金属膜６２を除去する。

【００４８】上記第３のスパッタ工程４０から第２のイ
オンミリングエッチング工程４５までの一連の工程が、
上層導体配線６６をバイヤ５５に接続させて絶縁層６０
上に形成する上層導体配線形成工程を構成する。

【００４９】このように、最初の下層導体配線形成工程
３１から上記第２のイオンミリングエッチング工程４５
までの一連の工程により、図６（Ｂ）に示すように、基
板の母材５１上の下層導体配線５２ａ，５２ｂ上に絶縁
層６０を挟んで上層導体配線６６が形成され、しかも下
層導体配線５２ａと上層導体配線６６とがバイヤ５５に
より電気的に接続された２層の薄膜多層基板が形成され
る。そして、この一連の工程を再度繰り返すことにより
、例えば図７に示すような３層の薄膜多層基板７０を形
成することができ、更に、これを多数回繰り返すことに
よって、多層の薄膜多層基板が形成される。

【００５０】このように本実施例の薄膜多層基板の製造
方法によれば、バイヤ５５と上層導体配線６６とが夫々
別工程によって形成されるため、バイヤ５５の形状、構
成等を上層導体配線６６の形成に関係無く選定すること
ができる。即ち、バイヤ５５を本実施例のように強度的
に強固な円柱形状とすることができ、これによってバイ
ヤ５５の断線の可能性は従来に比べて格段に低下する。

【００５１】また、上述したように、ポリイミド塗布・
熱硬化工程３８と、ドライエッチング工程３９により絶
縁層６０の表面６０ｂが、母材５１の上面５１ａと平行
、且つ平坦な面となるため、従来における上層導体配線
の凹凸形状、及び段差による問題点が解決され、以下に
示す効果を有する。

【００５２】■図５（Ｂ）に示す如く、絶縁層６０の表
面６０ｂに沿って形成されるレジスト６３の表面６３ａ
も平坦な面となるため、平板状のマスク６４との間に隙
間は形成されず、露光現像によるパターン転写の精度が
従来に比べて向上する。その結果、精度の良い上層導体
配線を形成することができる。

【００５３】■図７に示す如く、２層目の上層導体配線
６６，６７、及び３層目の上層導体配線６８，６９は、
母材５１の上面５１ａに平行、且つ平坦な面６０ｂ、及
び面７１ａ上に形成されるため、層間における各導体配
線間の間隔寸法が均一となる。その結果、従来のように
不均一な同間隔寸法が薄膜多層基板のインピーダンス特
性に影響を及ぼすことが無くなり、薄膜多層基板の電気
的特性が従来に比べて良好となる。

【００５４】■図７に示す上層導体配線６６〜６９に示
す如く、上層導体配線は多数層重ねて形成されても常に
平板状に形成されるため、応力集中による上層導体配線
断線の可能性が低下する。

【００５５】このように本実施例の薄膜多層基板の製造
方法によって、バイヤ５５による層間接続の信頼性の向
上、及び上層導体配線６６〜６９の精度向上に起因する
性能、信頼性の向上が期待でき、これにより、薄膜多層
基板の微細化、多層化を更に進めることが可能となる。 また、本実施例の製造方法は多数の工程を有し複雑であ
るが、第３のスパッタ工程４０から第２のイオンミリン
グエッチング工程４５までの上層導体配線形成工程は、
第１のスパッタ工程３２から第１のイオンミリングエッ
チング工程３７までのバイヤ形成工程を再び繰り返して
行っているにすぎない。このため、本実施例の薄膜多層
基板の製造方法は、作業工程、製造設備ともに従来の製
造方法と事実上変わらないものである。

【００５６】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、金属膜５３，５６，６２の形成はスパッタリ
ングではなく、無電解めっきや蒸着等による方法によっ
て形成してもよい。また、金属構成は、金属膜５３，６
２に関しては、表面が銅（Ｃｕ）であるならば、本実施
例以外の金属構成であってもよく、金属膜５６に関して
は、金（Ａｕ）等の不活性金属であってもよい。また、
絶縁層６０の材料は本実施例の熱硬化性ポリイミドに限
らず、エポキシ、及びふっ素系の合成樹脂等であっても
よい。

【００５７】

【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
バイヤと上層導体配線とを別工程によって形成すること
により、バイヤを上層導体配線の形成に関係無く最適な
形状、及び構成で形成することができ、従来の如く強度
的に弱い部分を排除することができる。その結果、バイ
ヤの断線の可能性を従来に比べて格段に低下することが
できる。

【００５８】また、請求項２の発明によれば、絶縁層の
表面が、基板母材と平行、且つ平坦な面となるため、従
来における上層導体配線の凹凸形状、及び段差による問
題点が解決され、■上層導体配線の精度の向上、■薄膜
多層基板の電気的特性の向上、■上層導体配線断線の可
能性の低下、等の効果が期待できる。

【００５９】以上の効果により、バイヤによる層間接続
の信頼性の向上と、上層導体配線の性能、信頼性の向上
が期待でき、薄膜多層基板の微細化、多層化を更に進め
ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理構成を示すフローチャートである
。

【図２】本発明になる薄膜多層基板の製造方法の一実施
例のフローチャートである。

【図３】図２における下層導体配線形成工程から第２の
スパッタ工程までの各工程における状態を示す図である
。

【図４】図２における第１のレジストパターン剥離工程
からドライエッチング工程までの各工程における状態を
示す図である。

【図５】図２における第３のスパッタ工程から第２の電
解銅（Ｃｕ）めっき工程までの各工程における状態を示
す図である。

【図６】図２における第２のレジストパターン剥離工程
、及び第２のイオンミリングエッチング工程における状
態を示す図である。

【図７】本実施例の薄膜多層基板の製造方法により導体
配線が複数層形成された薄膜多層基板の一例の図である
。

【図８】従来の薄膜多層基板の製造方法の一例をその工
程ごとに示した図である。

【図９】従来の薄膜多層基板の製造方法の一例をその工
程ごとに示した図である。

【図１０】従来の薄膜多層基板の製造方法の一例をその
工程ごとに示した図である。

【符号の説明】

２１〜２５，３１〜４５　　工程 ５１　　母材 ５２ａ，５２ｂ　　下層導体配線 ５３，５６，６２　　金属膜 ５４，６５　　レジストパターン ５５　　バイヤ ５８　　反応性イオン ６０　　絶縁層 ６０ａ，６０ｂ　　表面 ６４　　マスク ６６〜６９　　上層導体配線 ７０　　薄膜多層基板

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　絶縁層（６０）を挟んで上下部に配設
   された上層導体配線（６６）と下層導体配線（５２ａ）
   とが、バイヤ（５５）により層間接続された薄膜多層基
   板の製造方法において、最初に、基板母材（５１）上に
   形成された前記下層導体配線（５２ａ）上に、前記バイ
   ヤ（５５）のみを形成するバイヤ形成工程（２２）を行
   い、その後に、前記上層導体配線（６６）を前記絶縁層
   （６０）上に形成する上層導体配線形成工程（２５）を
   行うことを特徴とする薄膜多層基板の製造方法。
2. 【請求項２】　　絶縁層（６０）を挟んで上下部に配設
   された上層導体配線（６６）と下層導体配線（５２ａ）
   とが、バイヤ（５５）により層間接続された薄膜多層基
   板の製造方法において、基板母材（５１）上に前記下層
   導体配線（５２ａ）を形成する下層導体配線形成工程（
   ２１）と、前記下層導体配線（５２ａ）上に前記絶縁層
   （６０）を形成する前に、前記バイヤ（５５）を前記下
   層導体配線（５２ａ）上に形成するバイヤ形成工程（２
   ２）と、前記絶縁層（６０）を、前記下層導体配線（５
   ２ａ）及び前記バイヤ（５５）の形状の影響を受けるこ
   となく平坦とされる第１の表面（６０ａ）を形成し得る
   厚さ寸法で、前記基板母材（５１）上に形成する絶縁層
   形成工程（２３）と、前記絶縁層（６０）を、該第１の
   表面（６０ａ）から前記バイヤ（５５）の先端部が露出
   するまで均一にエッチングし、前記バイヤ（５５）の先
   端部か露出する高さにおいて、平坦とされる前記絶縁層
   の第２の表面（６０ｂ）を形成する絶縁層エッチング工
   程（２４）と、該第２の表面（６０ｂ）に、前記バイヤ
   （５５）と接触させて前記上層導体配線（６６）を形成
   する上層導体配線形成工程（２５）とを有することを特
   徴とする薄膜多層基板の製造方法。
3. 【請求項３】　　前記バイヤ形成工程（２２）は、前記
   バイヤ（５５）に対応したパターン（５４ａ）を有した
   レジストパターン（５４）を、前記下層導体配線（５２
   ａ）上に形成するレジストパターン形成工程（３３）と
   、前記レジストパターン（５４）をマスクとして、前記
   バイヤ（５５）をめっきにより形成するめっき工程（３
   ４）と、前記レジストパターン（５４）を除去するレジ
   ストパターン剥離工程（３６）とよりなることを特徴と
   する請求項１又は２記載の薄膜多層基板の製造方法。