JPH04290524A - Ｎｆ３ 排ガス処理方法および装置 - Google Patents
Ｎｆ３ 排ガス処理方法および装置Info
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- JPH04290524A JPH04290524A JP3054709A JP5470991A JPH04290524A JP H04290524 A JPH04290524 A JP H04290524A JP 3054709 A JP3054709 A JP 3054709A JP 5470991 A JP5470991 A JP 5470991A JP H04290524 A JPH04290524 A JP H04290524A
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Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体や液晶の製造な
どに伴い発生するＮＦ３ 排ガスを浄化して無害化する
方法およびその装置に関するものである。
どに伴い発生するＮＦ３ 排ガスを浄化して無害化する
方法およびその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＮＦ３ は半導体や液晶のＣＶＤ装置の
クリーニングに使用されているが、５０％程度は未反応
のまま排出される。
クリーニングに使用されているが、５０％程度は未反応
のまま排出される。
【０００３】ＮＦ３ の除去法としては、加熱したシリ
コン粒子と接触させて、ＮＦ３ をＳｉＦ４ に変換後
、ＳｉＦ４ を固定アルカリ剤で吸着する方法、加熱し
た炭素塊状物と接触させてＣＦ４に変換する方法などの
方法がある。
コン粒子と接触させて、ＮＦ３ をＳｉＦ４ に変換後
、ＳｉＦ４ を固定アルカリ剤で吸着する方法、加熱し
た炭素塊状物と接触させてＣＦ４に変換する方法などの
方法がある。
【０００４】これらの方法はいずれもＮＦ３ 処理だけ
に効果があるものであるが、次のような欠点がある。シ
リコン粒子と接触させる方法は、排ガスの酸素が含有さ
れるとＮＯＸ が生成する。炭素塊と接触させる方法は
フロン系のＣＦ４ が排出され、また、酸素が含有され
ると炭素塊が酸素と反応して消耗する。
に効果があるものであるが、次のような欠点がある。シ
リコン粒子と接触させる方法は、排ガスの酸素が含有さ
れるとＮＯＸ が生成する。炭素塊と接触させる方法は
フロン系のＣＦ４ が排出され、また、酸素が含有され
ると炭素塊が酸素と反応して消耗する。
【０００５】また、いずれの方法もクリーニング排ガス
中の他の有害成分（ＳｉＦ４ 、ＮＯＸ ）を処理する
には他の処理が必要で、ランニングコストが高くなる。
中の他の有害成分（ＳｉＦ４ 、ＮＯＸ ）を処理する
には他の処理が必要で、ランニングコストが高くなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＳｉＨ４ やＴＥＯＳ
などを用いるＣＶＤ排ガス処理に効果がある加熱酸化分
解装置でＮＦ３ を用いるクリーニング排ガスも処理す
ることにより設備費を低減することができる。ＮＦ３
を加熱酸化分解すると、８００℃以上で分解してＦ２
とＮＯＸ になり、Ｆ２ およびクリーニング排ガス中
のＳｉＦ４ は水洗で除去されるが、ＮＯＸ は水洗で
の除去率が低く、排出されてしまう。ＮＯＸ が生成す
ることおよび洗浄水が酸性になり腐食が発生することが
問題である。
などを用いるＣＶＤ排ガス処理に効果がある加熱酸化分
解装置でＮＦ３ を用いるクリーニング排ガスも処理す
ることにより設備費を低減することができる。ＮＦ３
を加熱酸化分解すると、８００℃以上で分解してＦ２
とＮＯＸ になり、Ｆ２ およびクリーニング排ガス中
のＳｉＦ４ は水洗で除去されるが、ＮＯＸ は水洗で
の除去率が低く、排出されてしまう。ＮＯＸ が生成す
ることおよび洗浄水が酸性になり腐食が発生することが
問題である。
【０００７】本発明の目的は、ランニングコストが低廉
で、ＮＯＸ の除去と装置腐食を効果的に防止できるＮ
Ｆ３ 排ガス処理方法およびその装置を提供することに
ある。
で、ＮＯＸ の除去と装置腐食を効果的に防止できるＮ
Ｆ３ 排ガス処理方法およびその装置を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記■および
■記載の方法および装置であり、これにより上記課題を
解決できる。 ■ 少なくともＮＦ３ を含む排ガスを加熱酸化分解
すると共に少なくともＮＦ３ の酸化分解生成物および
／またはその誘導体とＮＨ３とを反応させることを特徴
とするＮＦ３ 排ガス処理方法。 ■ 少なくともＮＦ３ を含む排ガスを加熱酸化分解
すると共に少なくともＮＦ３ の加熱酸化分解生成物お
よび／またはその誘導体とＮＨ３ とを反応させる反応
部を有する加熱酸化分解装置から構成されることを特徴
とするＮＦ３ 排ガス処理装置。
■記載の方法および装置であり、これにより上記課題を
解決できる。 ■ 少なくともＮＦ３ を含む排ガスを加熱酸化分解
すると共に少なくともＮＦ３ の酸化分解生成物および
／またはその誘導体とＮＨ３とを反応させることを特徴
とするＮＦ３ 排ガス処理方法。 ■ 少なくともＮＦ３ を含む排ガスを加熱酸化分解
すると共に少なくともＮＦ３ の加熱酸化分解生成物お
よび／またはその誘導体とＮＨ３ とを反応させる反応
部を有する加熱酸化分解装置から構成されることを特徴
とするＮＦ３ 排ガス処理装置。
【０００９】本発明において、ＮＦ３ を含む排ガス、
即ちＮＦ３排ガス（以下、単に排ガスと言う）とは、Ｎ
Ｆ３ を含むガスならいかなるガスでもよいが、例えば
、半導体製造における少なくともＮＦ３ を含むクリー
ニングガスを使用する装置における排ガスを意味し、プ
ロセスガスの排ガスに加え、装置内を該クリーニングガ
スにてクリーニング処理した結果生じた種々のＮＦ３
と装置内部に存在するクリーニングすべき物質との反応
生成物をも包含する意味である。従って、本発明におい
てＮＦ３ を除害処理するとは、ＮＦ３ 誘導体の除害
処理をも包含する意味で使用するものとする。
即ちＮＦ３排ガス（以下、単に排ガスと言う）とは、Ｎ
Ｆ３ を含むガスならいかなるガスでもよいが、例えば
、半導体製造における少なくともＮＦ３ を含むクリー
ニングガスを使用する装置における排ガスを意味し、プ
ロセスガスの排ガスに加え、装置内を該クリーニングガ
スにてクリーニング処理した結果生じた種々のＮＦ３
と装置内部に存在するクリーニングすべき物質との反応
生成物をも包含する意味である。従って、本発明におい
てＮＦ３ を除害処理するとは、ＮＦ３ 誘導体の除害
処理をも包含する意味で使用するものとする。
【００１０】本発明は、排ガスを加熱酸化分解すること
により、プロセスガス由来の排ガスに含まれる有機部分
を主として水とＣＯ２ にし、無機部分をＳｉＯ２ 等
の金属酸化物微粒子とし、これを所望により水洗等によ
り除去すると共にＮＦ３ 等をＮＯＸ 、ＨＦ等として
これとＮＨ３ とを反応させてＮＦ３ を除害し清浄な
ガスを得るものである。
により、プロセスガス由来の排ガスに含まれる有機部分
を主として水とＣＯ２ にし、無機部分をＳｉＯ２ 等
の金属酸化物微粒子とし、これを所望により水洗等によ
り除去すると共にＮＦ３ 等をＮＯＸ 、ＨＦ等として
これとＮＨ３ とを反応させてＮＦ３ を除害し清浄な
ガスを得るものである。
【００１１】本発明においてＮＨ３ は、ＮＦ３ の加
熱酸化分解物質あるいはその誘導体と反応するが、それ
以外に加熱酸化分解処理において生成もしくは排ガスか
ら残留する他の任意のＮＨ３ との反応性を有する物質
、例えば、クリーニング排ガス中に存在するＳｉＦ４
のＨ２ Ｏとの反応生成物等と反応できる。
熱酸化分解物質あるいはその誘導体と反応するが、それ
以外に加熱酸化分解処理において生成もしくは排ガスか
ら残留する他の任意のＮＨ３ との反応性を有する物質
、例えば、クリーニング排ガス中に存在するＳｉＦ４
のＨ２ Ｏとの反応生成物等と反応できる。
【００１２】また、ＮＨ３ ガスが過剰に使用されても
、ＮＨ３ は水洗等で除去されるために問題ない。安価
なＮＨ３ ガスを使用するだけで無害化できるので、防
食を施し、かつ後段でＮＯＸ を処理する場合と比較し
て設備費が低減できると共に従来方式よりランニングコ
ストが低減できる。
、ＮＨ３ は水洗等で除去されるために問題ない。安価
なＮＨ３ ガスを使用するだけで無害化できるので、防
食を施し、かつ後段でＮＯＸ を処理する場合と比較し
て設備費が低減できると共に従来方式よりランニングコ
ストが低減できる。
【００１３】本発明における排ガスを排出する装置とし
て、典型的にはＣＶＤ装置が挙げられ、該排ガスは、Ｃ
ＶＤ処理時のプロセスガス由来のＣＶＤ排ガスおよび／
またはクリーニング時のクリーニング排ガスとから構成
される。
て、典型的にはＣＶＤ装置が挙げられ、該排ガスは、Ｃ
ＶＤ処理時のプロセスガス由来のＣＶＤ排ガスおよび／
またはクリーニング時のクリーニング排ガスとから構成
される。
【００１４】該ＣＶＤ排ガスを与えるプロセスガスを例
示すれば、無機原料としては、例えば、モノシラン、ジ
シラン、ジクロルシラン等、有機原料としては、例えば
、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＴＭＢ（トリメ
トキシボラン）等があり、これらは１種以上単独または
組み合わせて用いられる。これらの排ガスには、これら
の未反応物あるいはその誘導体、反応分解物、例えば、
Ｈ２ 、ＣＯ、Ｃ２ Ｈ５ ＯＨ等のアルコール、ＣＨ
３ ＣＨＯ等のアルデヒド、Ｃ２ Ｈ４ 等の炭化水素
等の加熱酸化分解性物質が含まれ、加熱酸化分解される
ことにより、主として、ＳｉＯ２ 等の金属酸化物、Ｈ
２ ＯとＣＯ２ になる。ここで言う加熱酸化分解とは
、分解不能のものの単なる酸化、例えば、水素、金属等
の単体の酸化等をも包含することは明らかである。
示すれば、無機原料としては、例えば、モノシラン、ジ
シラン、ジクロルシラン等、有機原料としては、例えば
、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＴＭＢ（トリメ
トキシボラン）等があり、これらは１種以上単独または
組み合わせて用いられる。これらの排ガスには、これら
の未反応物あるいはその誘導体、反応分解物、例えば、
Ｈ２ 、ＣＯ、Ｃ２ Ｈ５ ＯＨ等のアルコール、ＣＨ
３ ＣＨＯ等のアルデヒド、Ｃ２ Ｈ４ 等の炭化水素
等の加熱酸化分解性物質が含まれ、加熱酸化分解される
ことにより、主として、ＳｉＯ２ 等の金属酸化物、Ｈ
２ ＯとＣＯ２ になる。ここで言う加熱酸化分解とは
、分解不能のものの単なる酸化、例えば、水素、金属等
の単体の酸化等をも包含することは明らかである。
【００１５】該クリーニング排ガスは、少なくともＮＦ
３ とＣＶＤ装置内物質（未排気のＣＶＤ処理済物質等
）との反応物、例えば、ＳｉＦ４ 、ＮＦ３ 誘導体等
、およびクリーニングガスとクリーニングガスにより物
理的にクリーニングしたＣＶＤ内物質等からなる。
３ とＣＶＤ装置内物質（未排気のＣＶＤ処理済物質等
）との反応物、例えば、ＳｉＦ４ 、ＮＦ３ 誘導体等
、およびクリーニングガスとクリーニングガスにより物
理的にクリーニングしたＣＶＤ内物質等からなる。
【００１６】クリーニングガスとしては、他にＣＦ４
、Ｃ２ Ｆ６ 、ＳＦ６ 、ＣｌＦ３ などが挙げられ
る。本発明において、ＮＨ３ をＮＦ３ の加熱酸化分
解生成物および／またはその誘導体と反応させるための
手段は特に制限されず、任意の方法を採用でき、上記の
ＮＯＸ あるいはＨＦなどとＮＨ３ との反応が完遂さ
れればよい。具体的には、排ガスの加熱酸化分解前に事
前に排ガスにＮＨ３ を添加混合し、これを反応部に放
出して後加熱酸化反応に供しても、排ガスの加熱酸化分
解反応と同時もしくは後にＮＨ３ を添加しても、ある
いはこれらの併用でもよい。
、Ｃ２ Ｆ６ 、ＳＦ６ 、ＣｌＦ３ などが挙げられ
る。本発明において、ＮＨ３ をＮＦ３ の加熱酸化分
解生成物および／またはその誘導体と反応させるための
手段は特に制限されず、任意の方法を採用でき、上記の
ＮＯＸ あるいはＨＦなどとＮＨ３ との反応が完遂さ
れればよい。具体的には、排ガスの加熱酸化分解前に事
前に排ガスにＮＨ３ を添加混合し、これを反応部に放
出して後加熱酸化反応に供しても、排ガスの加熱酸化分
解反応と同時もしくは後にＮＨ３ を添加しても、ある
いはこれらの併用でもよい。
【００１７】この場合のＮＨ３ の添加形態は、ＮＨ３
ガスのみでも他の物質例えば、空気等との混合気体等
でもよい。また、ＮＨ３ の使用量は、ＮＦ３ の酸化
分解生成物および／またはその誘導体量に比例するが、
通常、排ガス含有ＮＦ３ の４倍モル以上が好ましい。
ガスのみでも他の物質例えば、空気等との混合気体等
でもよい。また、ＮＨ３ の使用量は、ＮＦ３ の酸化
分解生成物および／またはその誘導体量に比例するが、
通常、排ガス含有ＮＦ３ の４倍モル以上が好ましい。
【００１８】本発明における排ガス成分の加熱酸化分解
処理の反応条件、排ガスの導入条件等は、上記ＮＨ３
との反応を満足することが必要であるが、特に制限され
るものでなく、少なくとも酸素の共存下に排ガスに含有
される加熱酸化分解性物質が加熱酸化分解されればよい
。 従って、排ガスを反応部に導入する時、同時に酸素が反
応部に存在することが必要である。この酸素の存在方法
は任意であるが、該酸素は通常排ガスと共に酸素含有ガ
ス、例えば、空気等として導入することが好ましい。ま
た、加熱酸化分解の条件を調整するために任意のガスを
混在させることができる。例えば、窒素等の不活性ガス
を混在させ、該窒素ガスが排ガスを包みかつ酸素がこれ
らを包むような３層状態で加熱酸化分解装置の反応部に
導入されることが好ましく、加熱酸化分解装置にこれら
のガス導入部として同心状に管を３層構造にしたものを
配備することが好ましい。この場合、ＮＨ３ ガス導入
部に添加する場合、通常排ガスに添加されるが、他の、
窒素、あるいは空気などに添加してもよい。
処理の反応条件、排ガスの導入条件等は、上記ＮＨ３
との反応を満足することが必要であるが、特に制限され
るものでなく、少なくとも酸素の共存下に排ガスに含有
される加熱酸化分解性物質が加熱酸化分解されればよい
。 従って、排ガスを反応部に導入する時、同時に酸素が反
応部に存在することが必要である。この酸素の存在方法
は任意であるが、該酸素は通常排ガスと共に酸素含有ガ
ス、例えば、空気等として導入することが好ましい。ま
た、加熱酸化分解の条件を調整するために任意のガスを
混在させることができる。例えば、窒素等の不活性ガス
を混在させ、該窒素ガスが排ガスを包みかつ酸素がこれ
らを包むような３層状態で加熱酸化分解装置の反応部に
導入されることが好ましく、加熱酸化分解装置にこれら
のガス導入部として同心状に管を３層構造にしたものを
配備することが好ましい。この場合、ＮＨ３ ガス導入
部に添加する場合、通常排ガスに添加されるが、他の、
窒素、あるいは空気などに添加してもよい。
【００１９】また、加熱酸化分解処理における加熱手段
も任意であるが、好ましくは、電気的に温度制御可能な
ヒータ加熱方式が望ましく、通常反応部の壁内に設ける
ことができる。また、反応温度は、８００〜１０００℃
の範囲が好ましい。
も任意であるが、好ましくは、電気的に温度制御可能な
ヒータ加熱方式が望ましく、通常反応部の壁内に設ける
ことができる。また、反応温度は、８００〜１０００℃
の範囲が好ましい。
【００２０】本発明において、加熱酸化分解および／ま
たはＮＨ３ との反応処理された排ガス（以下、処理ガ
スという）はその組成に応じて環境に放出するか、更に
他の任意の処理を加えることができる。
たはＮＨ３ との反応処理された排ガス（以下、処理ガ
スという）はその組成に応じて環境に放出するか、更に
他の任意の処理を加えることができる。
【００２１】特に、本発明においては処理ガスを水と接
触させること、即ち、水洗処理に供することが好ましく
、これにより、該分解処理により生成したＳｉＯ２ 等
の金属酸化物微粒子の巻き込みによる除去、ＳｉＦ４
、Ｆ２ 等の水溶性化合物等の可溶化による反応生成物
とＮＨ３ との中和反応による除去、処理ガスの冷却等
を行うことができる。この水洗処理の方法は任意である
が、噴霧状に処理ガスと接触させることが好ましい。
触させること、即ち、水洗処理に供することが好ましく
、これにより、該分解処理により生成したＳｉＯ２ 等
の金属酸化物微粒子の巻き込みによる除去、ＳｉＦ４
、Ｆ２ 等の水溶性化合物等の可溶化による反応生成物
とＮＨ３ との中和反応による除去、処理ガスの冷却等
を行うことができる。この水洗処理の方法は任意である
が、噴霧状に処理ガスと接触させることが好ましい。
【００２２】該処理ガスの水洗処理手段は、本発明の加
熱酸化分解装置以外にも設置できるが、本発明における
加熱酸化分解装置に一体的に具備されていることが好ま
しく、該反応部は、上述の排ガスの加熱酸化分解のため
の気体反応部とこの後段に配備されるＮＨ３ との中和
反応ができる水洗部とから構成することが極めて好まし
い。
熱酸化分解装置以外にも設置できるが、本発明における
加熱酸化分解装置に一体的に具備されていることが好ま
しく、該反応部は、上述の排ガスの加熱酸化分解のため
の気体反応部とこの後段に配備されるＮＨ３ との中和
反応ができる水洗部とから構成することが極めて好まし
い。
【００２３】この水洗処理された処理ガスは、環境に放
出もしくは更に所望により他の任意の処理、例えば、公
知の吸着処理等を施すことができ、任意の排気手段、例
えば、排気管等を用いることができる。また、水洗排水
は排水管等の排水手段により系外に排出されるが、この
排水に更に処理を加えることができる。これら排出手段
は加熱酸化分解装置に一体的に設けることができる。
出もしくは更に所望により他の任意の処理、例えば、公
知の吸着処理等を施すことができ、任意の排気手段、例
えば、排気管等を用いることができる。また、水洗排水
は排水管等の排水手段により系外に排出されるが、この
排水に更に処理を加えることができる。これら排出手段
は加熱酸化分解装置に一体的に設けることができる。
【００２４】本発明における加熱酸化分解方式は高温下
で排ガスを酸化分解すると共にＮＨ３ と反応させるた
めに短時間で処理ができるためにＣＶＤ排ガスが大量で
あってもＮＦ３ を含めて除害効率が高く、また、加熱
のための電気、空気、ＮＨ３ 、窒素、冷却用水（洗浄
水を兼ねる）等があれば効率よく処理できるので乾式吸
着法よりランニングコストが低廉である。
で排ガスを酸化分解すると共にＮＨ３ と反応させるた
めに短時間で処理ができるためにＣＶＤ排ガスが大量で
あってもＮＦ３ を含めて除害効率が高く、また、加熱
のための電気、空気、ＮＨ３ 、窒素、冷却用水（洗浄
水を兼ねる）等があれば効率よく処理できるので乾式吸
着法よりランニングコストが低廉である。
【００２５】本発明の排ガス処理装置は、上記処理工程
が一連のものとして連続的かつ自動的に行われるように
かつ所望処理条件を適宜選定できるように制御装置を具
備することができる。この制御装置は、通常種々の検出
装置、例えば、温度、圧力、水位等のセンサーと連絡さ
れ、常に安全でしかも最適処理が行えるように構成され
る。
が一連のものとして連続的かつ自動的に行われるように
かつ所望処理条件を適宜選定できるように制御装置を具
備することができる。この制御装置は、通常種々の検出
装置、例えば、温度、圧力、水位等のセンサーと連絡さ
れ、常に安全でしかも最適処理が行えるように構成され
る。
【００２６】
【作用】加熱酸化分解装置にＮＦ３ が流入すると、酸
化分解反応によりＮＯＸ とＦ２ が生成する。
化分解反応によりＮＯＸ とＦ２ が生成する。
【００２７】
ＮＦ３ ＋ Ｏ２ →
ＮＯＸ ＋ １．５Ｆ２
（１）ＮＯＸ はＮＨ３ と反応してＮ２ 、Ｈ２ Ｏ
となり、無害化される。 ＮＯ ＋ ＮＨ３ ＋ ０．２５Ｏ２
→ Ｎ２ ＋ １．５Ｈ２ Ｏ（２） ６Ｎ
Ｏ２ ＋８ＮＨ３
→７Ｎ２ ＋ １２Ｈ２ Ｏ （３）また、Ｎ
Ｆ３ の加熱酸化分解成分のＦ２ はＮＨ３ がないと
Ｈ２ Ｏに溶解してその誘導体ＨＦを生成して酸性にな
るが、ＮＨ３ があると中和される。
ＮＯＸ ＋ １．５Ｆ２
（１）ＮＯＸ はＮＨ３ と反応してＮ２ 、Ｈ２ Ｏ
となり、無害化される。 ＮＯ ＋ ＮＨ３ ＋ ０．２５Ｏ２
→ Ｎ２ ＋ １．５Ｈ２ Ｏ（２） ６Ｎ
Ｏ２ ＋８ＮＨ３
→７Ｎ２ ＋ １２Ｈ２ Ｏ （３）また、Ｎ
Ｆ３ の加熱酸化分解成分のＦ２ はＮＨ３ がないと
Ｈ２ Ｏに溶解してその誘導体ＨＦを生成して酸性にな
るが、ＮＨ３ があると中和される。
【００２８】
Ｆ２ ＋ Ｈ２ Ｏ →
２ＨＦ ＋ ０．５Ｏ２ （
４） ＨＦ ＋ ＮＨ３ →
ＮＨ４ Ｆ
（５）クリーニング排ガスに含まれるＳｉＦ
４ も水に溶解して酸性を示すが、ＮＨ３ で中和され
る。
２ＨＦ ＋ ０．５Ｏ２ （
４） ＨＦ ＋ ＮＨ３ →
ＮＨ４ Ｆ
（５）クリーニング排ガスに含まれるＳｉＦ
４ も水に溶解して酸性を示すが、ＮＨ３ で中和され
る。
【００２９】
３ＳｉＦ４ ＋４Ｈ２ Ｏ →ＳｉＯ２ ・２Ｈ
２ Ｏ＋２Ｈ２ ＳｉＦ６ （６） ２ＮＨ３
＋ Ｈ２ ＳｉＦ６ → （ＮＨ４ ）２
ＳｉＦ６ （７）従って、モル比で
ＮＦ３ の４倍以上およびＳｉＦ４ の４／３倍のＮＨ
３ がないと洗浄水は酸性になる。
２ Ｏ＋２Ｈ２ ＳｉＦ６ （６） ２ＮＨ３
＋ Ｈ２ ＳｉＦ６ → （ＮＨ４ ）２
ＳｉＦ６ （７）従って、モル比で
ＮＦ３ の４倍以上およびＳｉＦ４ の４／３倍のＮＨ
３ がないと洗浄水は酸性になる。
【００３０】また、（１）、（２）、（３）の反応は９
００℃以上で非常に速いが、１０００℃以上になるとＮ
Ｈ３ の一部が酸化されてしまうため、９００℃以上１
０００℃以下で処理するのが効果的である。
００℃以上で非常に速いが、１０００℃以上になるとＮ
Ｈ３ の一部が酸化されてしまうため、９００℃以上１
０００℃以下で処理するのが効果的である。
【００３１】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を説明するが、
本発明はこれに限定されない。本発明の具体的な排ガス
処理装置は、図１に示したように、排ガスを処理する加
熱酸化分解装置１からなる。加熱酸化分解装置１は、排
ガス導入部２、反応部３、排出部４から概略構成される
。
本発明はこれに限定されない。本発明の具体的な排ガス
処理装置は、図１に示したように、排ガスを処理する加
熱酸化分解装置１からなる。加熱酸化分解装置１は、排
ガス導入部２、反応部３、排出部４から概略構成される
。
【００３２】排ガス導入部２は、排ガス流入管５、窒素
流入管６および空気流入管７を同心状に構成した３層構
造であり、ＮＨ３ 流入管８が排ガス流入管５に連絡さ
れている。
流入管６および空気流入管７を同心状に構成した３層構
造であり、ＮＨ３ 流入管８が排ガス流入管５に連絡さ
れている。
【００３３】反応部３は、気相反応部９と水洗部１０か
ら構成され、気相反応部９は、ガス導入部から放出され
るこれら混合ガス中の排ガスを加熱酸化分解するための
熱源であるセラミックヒータ１１を外壁に有すると共に
熱電対１２、１３を配備し、気相反応部９の後段に水洗
部１０が配備され、冷却水１４が供給される。
ら構成され、気相反応部９は、ガス導入部から放出され
るこれら混合ガス中の排ガスを加熱酸化分解するための
熱源であるセラミックヒータ１１を外壁に有すると共に
熱電対１２、１３を配備し、気相反応部９の後段に水洗
部１０が配備され、冷却水１４が供給される。
【００３４】排出部４は、水洗排水を排出する排水管１
５、処理ガスを排気する排気管１６とから構成される。 尚、１７は流入ガス採取管、１８は流出ガス採取管であ
る。上記装置のよる本発明の排ガス処理を以下説明する
。
５、処理ガスを排気する排気管１６とから構成される。 尚、１７は流入ガス採取管、１８は流出ガス採取管であ
る。上記装置のよる本発明の排ガス処理を以下説明する
。
【００３５】排ガス流入管５内のＮＦ３ を含有する排
ガスはＮＨ３ 流入管からＮＨ３ ガスを添加されて、
窒素流入管６からの窒素、空気流入管７からの空気と共
に気相反応部９に放出され、排ガス中の加熱酸化分解性
物質は加熱酸化分解され、特にＮＦ３ からのＮＯＸ
はＮＨ３ と反応し、窒素と水に無害化され、残部のＳ
ｉＯ２ 等の微粒子、ＮＨ３ 、Ｆ２ 、ＳｉＦ４ 等
は、反応部３後段の水洗部１０からの冷却水により、固
体にあっては巻き込みによる物理的除去、水反応性気体
にあっては溶解、ＮＨ３ と反応、中和され、排水管１
５より排出される。また、無害化された処理ガスは排気
管１６から排出される。
ガスはＮＨ３ 流入管からＮＨ３ ガスを添加されて、
窒素流入管６からの窒素、空気流入管７からの空気と共
に気相反応部９に放出され、排ガス中の加熱酸化分解性
物質は加熱酸化分解され、特にＮＦ３ からのＮＯＸ
はＮＨ３ と反応し、窒素と水に無害化され、残部のＳ
ｉＯ２ 等の微粒子、ＮＨ３ 、Ｆ２ 、ＳｉＦ４ 等
は、反応部３後段の水洗部１０からの冷却水により、固
体にあっては巻き込みによる物理的除去、水反応性気体
にあっては溶解、ＮＨ３ と反応、中和され、排水管１
５より排出される。また、無害化された処理ガスは排気
管１６から排出される。
【００３６】実施例１
図１に示した加熱酸化分解装置を使用して処理試験を行
った。Ｎ２ ガスで希釈してＮＦ３ 濃度を５，０００
ｐｐｍにしたガスを排ガス流入管に２０Ｌ（リットル）
／分で流し、ＮＨ３ を段階的に添加して処理した結果
を表１に示す。また、加熱酸化分解装置に流した空気、
Ｎ２ 、冷却水はそれぞれ１０Ｌ／分、１０Ｌ／分、４
Ｌ／分で、気相反応部の温度は９５０℃とした。洗浄排
水はＮＨ３ が２０，０００ｐｐｍ以上では弱アルカリ
性となった。
った。Ｎ２ ガスで希釈してＮＦ３ 濃度を５，０００
ｐｐｍにしたガスを排ガス流入管に２０Ｌ（リットル）
／分で流し、ＮＨ３ を段階的に添加して処理した結果
を表１に示す。また、加熱酸化分解装置に流した空気、
Ｎ２ 、冷却水はそれぞれ１０Ｌ／分、１０Ｌ／分、４
Ｌ／分で、気相反応部の温度は９５０℃とした。洗浄排
水はＮＨ３ が２０，０００ｐｐｍ以上では弱アルカリ
性となった。
【００３７】
【表１】
【００３８】実施例２
ＣＶＤのプロセスガスがＴＥＯＳ、クリーニングガスが
ＮＦ３ の枚葉式ＣＶＤ装置の排ガス処理結果を表２に
示す。
ＮＦ３ の枚葉式ＣＶＤ装置の排ガス処理結果を表２に
示す。
【００３９】排ガス流量は２０Ｌ／分で、ＮＨ３ を２
０，０００ｐｐｍになるようにした。他の処理条件は実
施例１と同様にした。洗浄水のｐＨは７．０〜１０．５
の範囲であった。
０，０００ｐｐｍになるようにした。他の処理条件は実
施例１と同様にした。洗浄水のｐＨは７．０〜１０．５
の範囲であった。
【００４０】
【表２】
【００４１】
【発明の効果】枚葉式のＣＶＤ装置の場合は、ＣＶＤ排
ガスと、クリーニング排ガスとが、完全に分離されずに
排出されずに排出される傾向があるが、本発明では、両
排ガスを同一の装置で処理するので、常に良好な処理が
できる。
ガスと、クリーニング排ガスとが、完全に分離されずに
排出されずに排出される傾向があるが、本発明では、両
排ガスを同一の装置で処理するので、常に良好な処理が
できる。
【００４２】枚葉式では排ガス中のＮＦ３ 濃度は、大
幅に変動し、本発明の方法では最高濃度に対応したＮＨ
３ を常に添加する必要があり、ＮＨ３ が過剰になる
が、過剰なＮＨ３ は水洗で吸収、除去されて加熱酸化
分解装置の排ガスにはふくまれなくなる。また、洗浄液
は弱アルカリ性になるが、腐食の問題はなくなる。
幅に変動し、本発明の方法では最高濃度に対応したＮＨ
３ を常に添加する必要があり、ＮＨ３ が過剰になる
が、過剰なＮＨ３ は水洗で吸収、除去されて加熱酸化
分解装置の排ガスにはふくまれなくなる。また、洗浄液
は弱アルカリ性になるが、腐食の問題はなくなる。
【図１】本発明の具体的実施例の排ガス処理装置を説明
するための図である。
するための図である。
１ 加熱酸化分解装置
２ ガス導入部
３ 反応部
４ 排出部
５ 排ガス流入管
６ 窒素流入管
７ 空気流入管
８ ＮＨ３ 流入管
９ 気相反応部
１０ 水洗部
１１ セラミックヒータ
１２ 熱電対
１３ 熱電対
１４ 冷却水
１５ 排出管
１６ 排気管
１７ 流入ガス採取管
１８ 流出ガス採取管
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくともＮＦ３ を含む排ガスを加
熱酸化分解すると共に少なくともＮＦ３ の酸化分解生
成物および／またはその誘導体とＮＨ３ とを反応させ
ることを特徴とするＮＦ３ 排ガス処理方法。 - 【請求項２】 少なくともＮＦ３ を含む排ガスを加
熱酸化分解すると共にＮＦ３ の加熱酸化分解生成物お
よび／またはその誘導体とＮＨ３ とを反応させる反応
部を有する加熱酸化分解装置から構成されることを特徴
とするＮＦ３ 排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054709A JPH0710335B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Ｎｆ３ 排ガス処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054709A JPH0710335B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Ｎｆ３ 排ガス処理方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290524A true JPH04290524A (ja) | 1992-10-15 |
| JPH0710335B2 JPH0710335B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=12978333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3054709A Expired - Lifetime JPH0710335B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Ｎｆ３ 排ガス処理方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0710335B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002336649A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-26 | Nec Kyushu Ltd | 除害装置 |
| CN115233187A (zh) * | 2022-07-22 | 2022-10-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气体处理装置和半导体工艺设备 |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP3054709A patent/JPH0710335B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002336649A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-26 | Nec Kyushu Ltd | 除害装置 |
| CN115233187A (zh) * | 2022-07-22 | 2022-10-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气体处理装置和半导体工艺设备 |
| CN115233187B (zh) * | 2022-07-22 | 2023-09-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气体处理装置和半导体工艺设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0710335B2 (ja) | 1995-02-08 |
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