JPH04290966A - 低電源電圧検出回路 - Google Patents
低電源電圧検出回路Info
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- JPH04290966A JPH04290966A JP3055306A JP5530691A JPH04290966A JP H04290966 A JPH04290966 A JP H04290966A JP 3055306 A JP3055306 A JP 3055306A JP 5530691 A JP5530691 A JP 5530691A JP H04290966 A JPH04290966 A JP H04290966A
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- Japan
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
- G01R19/16566—Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533
- G01R19/16576—Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533 comparing DC or AC voltage with one threshold
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低電源電圧検出回路に関
し、特にＭＯＳ構造の集積回路で実現する低電源電圧検
出回路に関する。
し、特にＭＯＳ構造の集積回路で実現する低電源電圧検
出回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の低電源電圧検出回路の例を図４に
示す。ツェナーダイオードＤ１と抵抗Ｒ０６で構成され
る基準電圧源の出力２と抵抗Ｒ０１とＲ０２とで分割し
て得られる検出電圧３とを比較する電圧比較器７を有し
ている。この従来の回路の動作について、図４の各部の
出力電圧を示している図５を参照して説明する。基準電
圧出力２には、電源電圧４が、ツェナーダイオードＤ１
のツェナー電圧以上ではツェナー電圧を出力し、電源電
圧４がツェナー電圧以下では電源電圧を出力する。検出
電圧３は、電源電圧４を抵抗Ｒ０１，Ｒ０２により分圧
した電圧を出力する。電圧比較器７は、基準電圧出力２
と、検出電圧３とを比較して基準電圧出力２が検出電圧
３より低くなると、高レベルを出力する。
示す。ツェナーダイオードＤ１と抵抗Ｒ０６で構成され
る基準電圧源の出力２と抵抗Ｒ０１とＲ０２とで分割し
て得られる検出電圧３とを比較する電圧比較器７を有し
ている。この従来の回路の動作について、図４の各部の
出力電圧を示している図５を参照して説明する。基準電
圧出力２には、電源電圧４が、ツェナーダイオードＤ１
のツェナー電圧以上ではツェナー電圧を出力し、電源電
圧４がツェナー電圧以下では電源電圧を出力する。検出
電圧３は、電源電圧４を抵抗Ｒ０１，Ｒ０２により分圧
した電圧を出力する。電圧比較器７は、基準電圧出力２
と、検出電圧３とを比較して基準電圧出力２が検出電圧
３より低くなると、高レベルを出力する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の低電源電圧
検出回路は、電圧比較器７にコンパレータを使用してい
るが、電源電圧４が低く、トランジスタの動作が不確定
な場合には出力が保障できず、図５に示すように、出力
電圧１のレベルが反映して誤動作するという問題があっ
た。
検出回路は、電圧比較器７にコンパレータを使用してい
るが、電源電圧４が低く、トランジスタの動作が不確定
な場合には出力が保障できず、図５に示すように、出力
電圧１のレベルが反映して誤動作するという問題があっ
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、低電源
電圧検出回路は、基準電圧を出力する基準電圧源と、電
源電圧を分圧して検出電圧を出力する電源電圧検出手段
と、これら基準電圧と、検出電圧とを比較してその結果
を出力する電圧比較器と、トランジスタが動作不能とな
るような低電源電圧時に前記低電圧検出回路内の１つ以
上のノードの電位を電源または接地電位に固定する１つ
以上の電位固定抵抗を有している。
電圧検出回路は、基準電圧を出力する基準電圧源と、電
源電圧を分圧して検出電圧を出力する電源電圧検出手段
と、これら基準電圧と、検出電圧とを比較してその結果
を出力する電圧比較器と、トランジスタが動作不能とな
るような低電源電圧時に前記低電圧検出回路内の１つ以
上のノードの電位を電源または接地電位に固定する１つ
以上の電位固定抵抗を有している。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００６】図１は本発明の一実施例であり、ＣＭＯＳ
構造での一例である。基準電圧源６は、ＭＯＳＩＣでは
、ツェナーダイオードの作成が困難な為、ＭＯＳプロセ
スで作成したＰＮＰ構造を使用したバンドギャップ型の
基準電圧源を使用する。検出電圧源は、抵抗器Ｒ０１及
びＲ０２により構成され、その検出電圧３（ＶＫ ）は
、電源電圧４をＶＤＤとすると、以下のようになる。
構造での一例である。基準電圧源６は、ＭＯＳＩＣでは
、ツェナーダイオードの作成が困難な為、ＭＯＳプロセ
スで作成したＰＮＰ構造を使用したバンドギャップ型の
基準電圧源を使用する。検出電圧源は、抵抗器Ｒ０１及
びＲ０２により構成され、その検出電圧３（ＶＫ ）は
、電源電圧４をＶＤＤとすると、以下のようになる。
【０００７】
ＶＫ ＝ＶＤＤ×Ｒ０２÷（Ｒ０１＋Ｒ０２）
……（１）トランジスタＭ０１〜
Ｍ１２は、基準電圧２と、検出電圧３とを比較してその
結果を出力する電圧比較器を構成している。この電圧比
較器は、検出電圧３が、基準電圧２より高い時に高レベ
ルを出力し、低い時に低レベルを出力する。電位固定抵
抗Ｒ０４，Ｒ０５は、図１に示すように、各基準電圧出
力点（２）と出力端子（１）とに電源４もしくは、接地
５との間で挿入されており、使用ＭＯＳトランジスタが
動作できない低電源電圧時に、基準電圧出力点（２）を
電源４および出力端子（１）を接地電位に固定する働き
を持つ。
……（１）トランジスタＭ０１〜
Ｍ１２は、基準電圧２と、検出電圧３とを比較してその
結果を出力する電圧比較器を構成している。この電圧比
較器は、検出電圧３が、基準電圧２より高い時に高レベ
ルを出力し、低い時に低レベルを出力する。電位固定抵
抗Ｒ０４，Ｒ０５は、図１に示すように、各基準電圧出
力点（２）と出力端子（１）とに電源４もしくは、接地
５との間で挿入されており、使用ＭＯＳトランジスタが
動作できない低電源電圧時に、基準電圧出力点（２）を
電源４および出力端子（１）を接地電位に固定する働き
を持つ。
【０００８】図２は図１の回路における各部の出力波形
である。ここで、基準電圧出力点（２）の出力電圧は１
．５Ｖに設定し、低電源電圧と判定する判定電圧を４．
０Ｖとした。このときの抵抗Ｒ０１とＲ０２との抵抗比
は（１）式を用いて次のように求める。つまり、ＶＤＤ
＝４．０Ｖのときに、ＶＫ ＝１．５Ｖとなればよいか
ら、 １．５＝４．０×Ｒ０２÷（Ｒ０１＋Ｒ０２）より、Ｒ
０１＝（５／３） Ｒ０２ となる。
である。ここで、基準電圧出力点（２）の出力電圧は１
．５Ｖに設定し、低電源電圧と判定する判定電圧を４．
０Ｖとした。このときの抵抗Ｒ０１とＲ０２との抵抗比
は（１）式を用いて次のように求める。つまり、ＶＤＤ
＝４．０Ｖのときに、ＶＫ ＝１．５Ｖとなればよいか
ら、 １．５＝４．０×Ｒ０２÷（Ｒ０１＋Ｒ０２）より、Ｒ
０１＝（５／３） Ｒ０２ となる。
【０００９】基準電圧出力点（２）の出力は、基準電圧
が１．６Ｖ以下では、電位固定抵抗Ｒ０５により、電源
電圧にクランプされている。検出電圧３は、抵抗Ｒ０１
，Ｒ０２により電源電圧を分圧したものとなっている。
が１．６Ｖ以下では、電位固定抵抗Ｒ０５により、電源
電圧にクランプされている。検出電圧３は、抵抗Ｒ０１
，Ｒ０２により電源電圧を分圧したものとなっている。
【００１０】上記、基準電圧２と、検出電圧３を比較し
た出力電圧１は電源電圧が、４．０Ｖ以下では、低レベ
ル、４．０Ｖ以上では高レベルを出力している。
た出力電圧１は電源電圧が、４．０Ｖ以下では、低レベ
ル、４．０Ｖ以上では高レベルを出力している。
【００１１】電源電圧が約２．０Ｖ以下のトランジスタ
が動作しない領域において出力が低レベルで安定である
のは電位固定抵抗器Ｒ０４の効果である。
が動作しない領域において出力が低レベルで安定である
のは電位固定抵抗器Ｒ０４の効果である。
【００１２】図３は本発明の他の実施例である。ここで
は出力トランジスタＭ０９，Ｍ１０の出力端子に、電位
固定抵抗Ｒ０３が電源（４）との間に追加されている。
は出力トランジスタＭ０９，Ｍ１０の出力端子に、電位
固定抵抗Ｒ０３が電源（４）との間に追加されている。
【００１３】この電位固定抵抗Ｒ０３により、低電源電
圧の判定電圧以上での消費電力は図１の一実施例よりも
増加するが、低電源電圧時の動作は図１の一実施例より
も安定する。つまり図１の一実施例では出力トランジス
タＭ０９，Ｍ１０の構成するインバータの動作低限界電
圧をＶ９、トランジスタＭ１１，Ｍ１２の構成するイン
バータの動作低限界電圧をＶ１１としたとき、Ｖ９＞Ｖ
１１の場合出力が不安定の場合が生ずる。しかし、本実
施例では上記の場合でも出力トランジスタＭ０９，Ｍ１
０の構成するインバータの出力を高レベルに固定できる
為、出力電圧は低レベルとなり、問題はない。
圧の判定電圧以上での消費電力は図１の一実施例よりも
増加するが、低電源電圧時の動作は図１の一実施例より
も安定する。つまり図１の一実施例では出力トランジス
タＭ０９，Ｍ１０の構成するインバータの動作低限界電
圧をＶ９、トランジスタＭ１１，Ｍ１２の構成するイン
バータの動作低限界電圧をＶ１１としたとき、Ｖ９＞Ｖ
１１の場合出力が不安定の場合が生ずる。しかし、本実
施例では上記の場合でも出力トランジスタＭ０９，Ｍ１
０の構成するインバータの出力を高レベルに固定できる
為、出力電圧は低レベルとなり、問題はない。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は基準電圧
出力及び電圧比較器の内部，出力に電位固定抵抗を用い
ることによってトランジスタが動作不可能な低電源電圧
時（約２．０Ｖ以下）において本回路の出力電圧を低レ
ベルに安定させることができるという効果を有する。
出力及び電圧比較器の内部，出力に電位固定抵抗を用い
ることによってトランジスタが動作不可能な低電源電圧
時（約２．０Ｖ以下）において本回路の出力電圧を低レ
ベルに安定させることができるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す回路図
【図２】図１の
回路における各部の出力波形を示す波形図
回路における各部の出力波形を示す波形図
【図３】本発明の他の実施例を示す回路図
【図４】従来
の低電源電圧検出回路を示す回路図
の低電源電圧検出回路を示す回路図
【図５】従来の低電
源電圧検出回路における各部の出力波形を示す波形図
源電圧検出回路における各部の出力波形を示す波形図
Ｍ０１〜Ｍ１２ ＭＯＳトランジスタＲ０１，Ｒ
０２，Ｒ０６ 抵抗器Ｒ０３，Ｒ０４，Ｒ０５
電位固定用抵抗１ 出力電圧 ２ 基準電圧 ３ 検出電圧 ４ 電源電圧 ５ 接地 ６ 基準電圧源 ７ 電圧比較器
０２，Ｒ０６ 抵抗器Ｒ０３，Ｒ０４，Ｒ０５
電位固定用抵抗１ 出力電圧 ２ 基準電圧 ３ 検出電圧 ４ 電源電圧 ５ 接地 ６ 基準電圧源 ７ 電圧比較器
Claims (1)
- 【請求項１】 基準電圧を出力する基準電圧源と、電
源電圧を分圧して出力する電源電圧検出手段と、前記基
準電圧と前記検出電圧とを比較してその結果を出力する
電圧比較器と、前記電源電圧が所定電圧より低い時に前
記電圧比較器の出力を固定し得る回路点と電源の一方と
の間に接続された電位固定抵抗とを有していることを特
徴とする低電源電圧検出回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3055306A JPH04290966A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 低電源電圧検出回路 |
| US07/850,431 US5268595A (en) | 1991-03-20 | 1992-03-12 | Voltage detector for producing output signal without transient error level |
| CA002063522A CA2063522C (en) | 1991-03-20 | 1992-03-19 | Voltage detector for producing output signal without transient error level |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3055306A JPH04290966A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 低電源電圧検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290966A true JPH04290966A (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=12994887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3055306A Pending JPH04290966A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 低電源電圧検出回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5268595A (ja) |
| JP (1) | JPH04290966A (ja) |
| CA (1) | CA2063522C (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5570060A (en) * | 1995-03-28 | 1996-10-29 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Circuit for limiting the current in a power transistor |
| KR100234701B1 (ko) * | 1996-12-05 | 1999-12-15 | 김영환 | 외부전압에 둔감한 백바이어스전압 레벨 감지기 |
| US6081436A (en) * | 1998-08-12 | 2000-06-27 | Lucent Technologies, Inc. | Multi-output power supply voltage sensing |
| US7030682B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-04-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Voltage detection circuit and internal voltage generating circuit comprising it |
| JP4245904B2 (ja) * | 2002-11-14 | 2009-04-02 | セイコーインスツル株式会社 | 電圧検出回路 |
| DE10339047B4 (de) * | 2003-08-25 | 2006-10-26 | Infineon Technologies Ag | Treiber-Einrichtung, insbesondere für ein Halbleiter-Bauelement, sowie Verfahren zum Betreiben einer Treiber-Einrichtung |
| CN109217262B (zh) * | 2018-10-22 | 2021-10-26 | 国家电网公司东北分部 | 一种大功率开关放大器中mos管驱动欠压保护电路 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3474258A (en) * | 1967-03-03 | 1969-10-21 | Weston Instruments Inc | Solid state relays |
| US3581218A (en) * | 1968-08-26 | 1971-05-25 | Bill J Ransdell | Smoothly acting signal comparator |
| GB1492564A (en) * | 1973-12-04 | 1977-11-23 | Siemens Ag | Voltage comparator circuits |
| US4634902A (en) * | 1982-11-17 | 1987-01-06 | Clarion Co., Ltd. | Circuit arrangement capable of adjusting a threshold level of a differential transistor circuit |
| US5119016A (en) * | 1991-03-29 | 1992-06-02 | At&T Bell Laboratories | Clamp limiter circuit with precise clamping level control |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3055306A patent/JPH04290966A/ja active Pending
-
1992
- 1992-03-12 US US07/850,431 patent/US5268595A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-19 CA CA002063522A patent/CA2063522C/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2063522C (en) | 1998-01-27 |
| US5268595A (en) | 1993-12-07 |
| CA2063522A1 (en) | 1992-09-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020806 |