JPH04292803A - 異方導電性フィルム - Google Patents
異方導電性フィルムInfo
- Publication number
- JPH04292803A JPH04292803A JP3056312A JP5631291A JPH04292803A JP H04292803 A JPH04292803 A JP H04292803A JP 3056312 A JP3056312 A JP 3056312A JP 5631291 A JP5631291 A JP 5631291A JP H04292803 A JPH04292803 A JP H04292803A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive particles
- insulating film
- conductive
- resin
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/321—Structures or relative sizes of die-attach connectors
- H10W72/325—Die-attach connectors having a filler embedded in a matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/351—Materials of die-attach connectors
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、端子間の電気絶縁性の
信頼性を向上した異方導電性フィルムに関する。
信頼性を向上した異方導電性フィルムに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、異方導電性フィルムは、樹脂内に
導電粒子を均一分散させたり、樹脂内に導電粒子を接続
ピッチに合わせて局在化させたり、シリコーンゴムに導
電繊維を埋め込むものが適用されてきた。隣接電極間の
短絡を防ぐために、導電粒子又は複数の導電粒子からな
る個体の最大長さを電極間間隔より小さくするなどの管
理が必要であった。また、特開平1−52303号公報
に記載されているように、導電物質として、繊維上の強
磁性体を用い、磁場中で膜厚方向に配行させることによ
り、細かいピッチでも電極間の短絡を起こさないように
している。
導電粒子を均一分散させたり、樹脂内に導電粒子を接続
ピッチに合わせて局在化させたり、シリコーンゴムに導
電繊維を埋め込むものが適用されてきた。隣接電極間の
短絡を防ぐために、導電粒子又は複数の導電粒子からな
る個体の最大長さを電極間間隔より小さくするなどの管
理が必要であった。また、特開平1−52303号公報
に記載されているように、導電物質として、繊維上の強
磁性体を用い、磁場中で膜厚方向に配行させることによ
り、細かいピッチでも電極間の短絡を起こさないように
している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】近年、液晶ディスプレ
イの実用化に伴い、電極間接続に異方導電性接着剤、ま
たは、フィルムが多く用いられるようになってきた。そ
して、高密度の電極を経済的に接続できるため、パーソ
ナルコンピュータやテレビ等の実装分野で今後ますます
重要性が増してきている。そして、このような電子機器
の発達に伴って、今後、接続端子数が増大し、接続電極
のピッチが小さくなる傾向にある。従来の一般に用いら
れてきた異方導電性フィルムの接続最小ピッチは、約2
00μm程度であった。しかし、電極のピッチが小さく
なるにつれ、隣接電極間の間隔が小さくなるため、隣接
間電極で導電粒子同士が接触し短絡する可能性が増大し
、隣接電極間距離が制限されるとともに、隣接電極間の
電気的絶縁性の信頼性が問題となって来ている。従来の
異方導電性フィルムでは、導電粒子及び複数の導電粒子
からなる個体の分散管理が必要であった。このため、分
散制御に高度な技術が必要であり、また、導電粒子及び
複数の導電粒子からなる個体の大きさから、隣接電極間
隔などに自ずと制限があった。導電粒子を局在化させる
ため、特開平1−52303 号公報に示すように磁場
を利用して導電物質を配行させるには、磁場を形成する
ための装置が新たに必要となる。接続工程では、従来の
加圧や加熱のみで隣接間の電極の電気絶縁性が確保され
ることが好ましい。また、特開平1−33808 号公
報に示されるように、導電粒子径の分布を極めて狭い範
囲に制御することは、導電粒子の作製および選別上、高
度な技術を要する。導電粒子径の分布が広い範囲の場合
でも、接続電極間の電気的導通を確保できることが好ま
しい。本発明の目的は、電気接続端子間の接続に関し、
接続電極間の電気的導通を確保し、且つ、隣接電極間の
電気絶縁性を確保出来る異方導電性フィルムを提供する
ことにある。
イの実用化に伴い、電極間接続に異方導電性接着剤、ま
たは、フィルムが多く用いられるようになってきた。そ
して、高密度の電極を経済的に接続できるため、パーソ
ナルコンピュータやテレビ等の実装分野で今後ますます
重要性が増してきている。そして、このような電子機器
の発達に伴って、今後、接続端子数が増大し、接続電極
のピッチが小さくなる傾向にある。従来の一般に用いら
れてきた異方導電性フィルムの接続最小ピッチは、約2
00μm程度であった。しかし、電極のピッチが小さく
なるにつれ、隣接電極間の間隔が小さくなるため、隣接
間電極で導電粒子同士が接触し短絡する可能性が増大し
、隣接電極間距離が制限されるとともに、隣接電極間の
電気的絶縁性の信頼性が問題となって来ている。従来の
異方導電性フィルムでは、導電粒子及び複数の導電粒子
からなる個体の分散管理が必要であった。このため、分
散制御に高度な技術が必要であり、また、導電粒子及び
複数の導電粒子からなる個体の大きさから、隣接電極間
隔などに自ずと制限があった。導電粒子を局在化させる
ため、特開平1−52303 号公報に示すように磁場
を利用して導電物質を配行させるには、磁場を形成する
ための装置が新たに必要となる。接続工程では、従来の
加圧や加熱のみで隣接間の電極の電気絶縁性が確保され
ることが好ましい。また、特開平1−33808 号公
報に示されるように、導電粒子径の分布を極めて狭い範
囲に制御することは、導電粒子の作製および選別上、高
度な技術を要する。導電粒子径の分布が広い範囲の場合
でも、接続電極間の電気的導通を確保できることが好ま
しい。本発明の目的は、電気接続端子間の接続に関し、
接続電極間の電気的導通を確保し、且つ、隣接電極間の
電気絶縁性を確保出来る異方導電性フィルムを提供する
ことにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
には、本発明は導電粒子からなる個体同士の電気絶縁性
が確保されることによって隣接電極間の電気絶縁性が確
保され、且つ、接続電極間では導電性が確保される必要
がある。本発明は、異方導電性フィルムに用いる複数の
導電粒子からなる個体に、加圧などの接続工程で取り除
かれる絶縁性膜を形成されたものを用いる点に特徴があ
る。絶縁性膜は前記個体を内包したカプセル状のもので
も、個体を絶縁性樹脂でコ−ティングした状態であって
もよい。この絶縁性膜により、個体同士が接触しても、
電気絶縁性が確保される。また、前記個体を被っている
絶縁性膜は、加圧などの機械的接続工程を経ることで、
接続電極間の個体を形成している導電粒子が動き、移動
することによって、導電粒子からなる個体を被っている
絶縁性膜を破壊し、導電粒子の表面が露出することによ
って、接続電極間の電気導通が確保される。また、加熱
,通電などによって、個体の絶縁性膜を軟化し、塑性流
動し、電極面に接している導電粒子表面を露呈させるこ
とによって、接続端子間の電気導通が確保される。
には、本発明は導電粒子からなる個体同士の電気絶縁性
が確保されることによって隣接電極間の電気絶縁性が確
保され、且つ、接続電極間では導電性が確保される必要
がある。本発明は、異方導電性フィルムに用いる複数の
導電粒子からなる個体に、加圧などの接続工程で取り除
かれる絶縁性膜を形成されたものを用いる点に特徴があ
る。絶縁性膜は前記個体を内包したカプセル状のもので
も、個体を絶縁性樹脂でコ−ティングした状態であって
もよい。この絶縁性膜により、個体同士が接触しても、
電気絶縁性が確保される。また、前記個体を被っている
絶縁性膜は、加圧などの機械的接続工程を経ることで、
接続電極間の個体を形成している導電粒子が動き、移動
することによって、導電粒子からなる個体を被っている
絶縁性膜を破壊し、導電粒子の表面が露出することによ
って、接続電極間の電気導通が確保される。また、加熱
,通電などによって、個体の絶縁性膜を軟化し、塑性流
動し、電極面に接している導電粒子表面を露呈させるこ
とによって、接続端子間の電気導通が確保される。
【0005】
【作用】異方導電性フィルムに用いる導電粒子からなる
個体に、加圧などの接続工程で取り除かれる絶縁性膜を
形成されたものを用いることにより、個体同士が単に接
触しても、電気絶縁性が確保されることにより、隣接電
極間隔が小さくすることが可能となり、且つ、個体を被
っている絶縁性膜は、加圧などの機械的接続工程を経る
ことで、接続電極間の個体を形成している導電粒子が動
き、移動することによって、導電粒子からなる個体を被
っている絶縁性膜を破壊し、導電粒子の表面が露出する
ことによって、接続電極間の電気導通が確保される。ま
た、加熱,通電などによって、個体の絶縁性膜を軟化し
、塑性流動し、電極面に接している導電粒子表面を露呈
させることによって、接続端子間の電気導通が確保され
る。
個体に、加圧などの接続工程で取り除かれる絶縁性膜を
形成されたものを用いることにより、個体同士が単に接
触しても、電気絶縁性が確保されることにより、隣接電
極間隔が小さくすることが可能となり、且つ、個体を被
っている絶縁性膜は、加圧などの機械的接続工程を経る
ことで、接続電極間の個体を形成している導電粒子が動
き、移動することによって、導電粒子からなる個体を被
っている絶縁性膜を破壊し、導電粒子の表面が露出する
ことによって、接続電極間の電気導通が確保される。ま
た、加熱,通電などによって、個体の絶縁性膜を軟化し
、塑性流動し、電極面に接している導電粒子表面を露呈
させることによって、接続端子間の電気導通が確保され
る。
【0006】
【実施例】以下、本発明を実施例に従って説明する。
【0007】〈実施例1〉図1は本発明の異方導電性フ
ィルムを用いた一実施例を示す断面図である。半導体素
子1は、異方導電性フィルム2を介して絶縁性ベース基
板3に固着されている。半導体素子1の電極4は、異方
導電性フィルム2内の複数の導電粒子5からなる個体6
を介して絶縁性ベース基板3の電極11と電気導通が確
保されている。導電粒子5には、ニッケル金属材料を用
いている。導電粒子5は、ニッケル材料以外でも、銅,
アルミニウム,銀などの電気を通す材料であれば良い。 本実施例では、平均粒径5μmの導電粒子を用いた。隣
接電極間隔は30μmである。複数の導電粒子5からな
る個体6は、熱可塑性エポキシ樹脂からなる絶縁性膜7
がコーティングされている。異方導電性フィルムの主体
となる樹脂8は熱硬化性ポリイミド樹脂からなっている
。絶縁性膜7を形成している樹脂は、熱可塑性エポキシ
樹脂以外でも、シリコン,ポリスチロール,ポリプロピ
レン,ポリ塩化ビニル,ポリエチレン,ポリアミド,ポ
リウレタン,ポリエステルなど異方導電性フィルムの主
体となる樹脂8より軟化温度が低い樹脂であれば良い。
ィルムを用いた一実施例を示す断面図である。半導体素
子1は、異方導電性フィルム2を介して絶縁性ベース基
板3に固着されている。半導体素子1の電極4は、異方
導電性フィルム2内の複数の導電粒子5からなる個体6
を介して絶縁性ベース基板3の電極11と電気導通が確
保されている。導電粒子5には、ニッケル金属材料を用
いている。導電粒子5は、ニッケル材料以外でも、銅,
アルミニウム,銀などの電気を通す材料であれば良い。 本実施例では、平均粒径5μmの導電粒子を用いた。隣
接電極間隔は30μmである。複数の導電粒子5からな
る個体6は、熱可塑性エポキシ樹脂からなる絶縁性膜7
がコーティングされている。異方導電性フィルムの主体
となる樹脂8は熱硬化性ポリイミド樹脂からなっている
。絶縁性膜7を形成している樹脂は、熱可塑性エポキシ
樹脂以外でも、シリコン,ポリスチロール,ポリプロピ
レン,ポリ塩化ビニル,ポリエチレン,ポリアミド,ポ
リウレタン,ポリエステルなど異方導電性フィルムの主
体となる樹脂8より軟化温度が低い樹脂であれば良い。
【0008】図2に接続工程を示す。図2の(a)に示
すように、異方導電性フィルムは加熱加圧による接続工
程を経る前は、個体6の周囲は、絶縁性膜7で完全に被
われている。このため、個体同士が接触しても電気導通
はおこらない。個体6は、複数の導電粒子からなってい
る。そして、個体6は隣接電極の間隔より狭く分散して
いる。個体6の大きさは、接続後の半導体素子1の電極
4と電気絶縁性基板3の電極8との距離より、長くても
短くても良い。異方導電性フィルムを半導体素子1と絶
縁性ベース基板3の間に配置し、加熱加圧する。本発明
に用いられる異方導電性フィルムは、シート状でも、ペ
ースト状でも電極面表面を被覆できる形態であればよい
。図2の(b)に加熱加圧後の接続状態の断面図を示す
。加熱方式は、加圧時の治具をつたわる熱伝導加熱,赤
外線加熱,高周波加熱,超音波加熱,レーザ加熱などが
可能である。160℃,30秒の加圧加熱により、半導
体素子1の電極4と絶縁性ベース基板の電極11の間に
存在する個体6同士は移動して互いに接し、個体6を被
っていた絶縁性膜7は、軟化し塑性流動して、接してい
る導電粒子間及び電極と導電粒子間より取り除かれ、電
気導通を得ることができた。異方導電性フィルムの厚さ
は、隣接電極間に存在している個体に過度の圧力が加わ
らないように決められる。これにより、隣接電極間に存
在する個体は、加熱加圧接続後も、接続工程前の形態を
保ち存在している。個体は、絶縁性膜で被われているた
め、隣接電極間で接しても、隣接電極間の電気絶縁性は
保たれていた。
すように、異方導電性フィルムは加熱加圧による接続工
程を経る前は、個体6の周囲は、絶縁性膜7で完全に被
われている。このため、個体同士が接触しても電気導通
はおこらない。個体6は、複数の導電粒子からなってい
る。そして、個体6は隣接電極の間隔より狭く分散して
いる。個体6の大きさは、接続後の半導体素子1の電極
4と電気絶縁性基板3の電極8との距離より、長くても
短くても良い。異方導電性フィルムを半導体素子1と絶
縁性ベース基板3の間に配置し、加熱加圧する。本発明
に用いられる異方導電性フィルムは、シート状でも、ペ
ースト状でも電極面表面を被覆できる形態であればよい
。図2の(b)に加熱加圧後の接続状態の断面図を示す
。加熱方式は、加圧時の治具をつたわる熱伝導加熱,赤
外線加熱,高周波加熱,超音波加熱,レーザ加熱などが
可能である。160℃,30秒の加圧加熱により、半導
体素子1の電極4と絶縁性ベース基板の電極11の間に
存在する個体6同士は移動して互いに接し、個体6を被
っていた絶縁性膜7は、軟化し塑性流動して、接してい
る導電粒子間及び電極と導電粒子間より取り除かれ、電
気導通を得ることができた。異方導電性フィルムの厚さ
は、隣接電極間に存在している個体に過度の圧力が加わ
らないように決められる。これにより、隣接電極間に存
在する個体は、加熱加圧接続後も、接続工程前の形態を
保ち存在している。個体は、絶縁性膜で被われているた
め、隣接電極間で接しても、隣接電極間の電気絶縁性は
保たれていた。
【0009】〈実施例2〉図3は本発明の第二の実施例
を示す断面図である。図3の(a)に示す異方導電性フ
ィルム2は、絶縁性樹脂からなるカプセル9を複数個含
んでいる。カプセル9内には、導電粒子として、はんだ
金属粒子5が含まれている。はんだ材料は、ビスマスを
18%含有した低融点はんだを用いた。はんだ材料の融
点は約165℃である。カプセル9は、はんだ材料より
、軟化点の高いポリイミド樹脂を用いた。異方導電性フ
ィルム2の主体となす樹脂には、カプセル9に用いたポ
リイミド樹脂よりも軟化点の低い熱可塑性エポキシ樹脂
を用いた。接合工程のおける加熱加圧条件は、導電粒子
の融点,カプセルの絶縁膜及び異方導電性フィルムの主
体となす樹脂の軟化点に関する温度特性を考慮して決定
される。図3の(b),(c)に本発明の異方導電性フ
ィルムを用いた接続工程を示す。図3の(b)は、異方
導電性フィルムを接続電極間に配置後、加圧した状態の
断面図を示している。半導体素子1の電極4と絶縁性ベ
ース基板3の電極11の間に挾まれたカプセル9は、圧
力により、カプセルの外壁を形成している絶縁性膜に亀
裂が入り破壊される。隣接電極間に存在しているカプセ
ルは半導体素子1と絶縁性ベース基板3の間の距離は、
半導体素子1の電極4と絶縁性ベース基板3の電極11
の間より、電極部の高さの分だけ広く、また、カプセル
の周囲は、弾性係数の低い熱可塑性樹脂であるため、カ
プセルに受ける圧力が小さく、カプセルには亀裂が入ら
ない。 図3(c)は、図3(b)の加圧後、加熱した状態を示
す断面図である。加熱温度は、はんだの融点である16
5℃より高く、カプセルの外壁を形成しているポリイミ
ド樹脂の軟化点250℃よりも低い180℃で接合した
。接続電極間のはんだ粒子は互いに結合し、一つの大き
な粒子を形成し、接続電極間の電気導通が可能になった
。隣接電極間に存在しているカプセルは、カプセル周囲
は熱伝導率の低い樹脂で囲まれているため、内包してい
るはんだ粒子は溶融しにくく、また、溶融しても、カプ
セルの外壁を形成するポリイミド樹脂の軟化温度より低
い加熱条件のため、カプセル外壁の溶解,流動等は起こ
らず、外壁外との絶縁性を保っている。カプセル内に、
電気導通を目的とした導電粒子の他に、電極面の酸化膜
を除去し、はんだ接合を補助するフラックスを混入する
と一層はんだ固着性が高まる。また、負荷により発色す
る物質をカプセル内に入れておくと、接合工程の監視や
接合状態の検査に役立つ。また、ベンゾイルパーオキサ
イドやジクミルパーオキサイドなど、負荷により熱を発
生する物質をカプセル内に入れておくと、接合時に外部
から加える熱を低下させることが可能である。
を示す断面図である。図3の(a)に示す異方導電性フ
ィルム2は、絶縁性樹脂からなるカプセル9を複数個含
んでいる。カプセル9内には、導電粒子として、はんだ
金属粒子5が含まれている。はんだ材料は、ビスマスを
18%含有した低融点はんだを用いた。はんだ材料の融
点は約165℃である。カプセル9は、はんだ材料より
、軟化点の高いポリイミド樹脂を用いた。異方導電性フ
ィルム2の主体となす樹脂には、カプセル9に用いたポ
リイミド樹脂よりも軟化点の低い熱可塑性エポキシ樹脂
を用いた。接合工程のおける加熱加圧条件は、導電粒子
の融点,カプセルの絶縁膜及び異方導電性フィルムの主
体となす樹脂の軟化点に関する温度特性を考慮して決定
される。図3の(b),(c)に本発明の異方導電性フ
ィルムを用いた接続工程を示す。図3の(b)は、異方
導電性フィルムを接続電極間に配置後、加圧した状態の
断面図を示している。半導体素子1の電極4と絶縁性ベ
ース基板3の電極11の間に挾まれたカプセル9は、圧
力により、カプセルの外壁を形成している絶縁性膜に亀
裂が入り破壊される。隣接電極間に存在しているカプセ
ルは半導体素子1と絶縁性ベース基板3の間の距離は、
半導体素子1の電極4と絶縁性ベース基板3の電極11
の間より、電極部の高さの分だけ広く、また、カプセル
の周囲は、弾性係数の低い熱可塑性樹脂であるため、カ
プセルに受ける圧力が小さく、カプセルには亀裂が入ら
ない。 図3(c)は、図3(b)の加圧後、加熱した状態を示
す断面図である。加熱温度は、はんだの融点である16
5℃より高く、カプセルの外壁を形成しているポリイミ
ド樹脂の軟化点250℃よりも低い180℃で接合した
。接続電極間のはんだ粒子は互いに結合し、一つの大き
な粒子を形成し、接続電極間の電気導通が可能になった
。隣接電極間に存在しているカプセルは、カプセル周囲
は熱伝導率の低い樹脂で囲まれているため、内包してい
るはんだ粒子は溶融しにくく、また、溶融しても、カプ
セルの外壁を形成するポリイミド樹脂の軟化温度より低
い加熱条件のため、カプセル外壁の溶解,流動等は起こ
らず、外壁外との絶縁性を保っている。カプセル内に、
電気導通を目的とした導電粒子の他に、電極面の酸化膜
を除去し、はんだ接合を補助するフラックスを混入する
と一層はんだ固着性が高まる。また、負荷により発色す
る物質をカプセル内に入れておくと、接合工程の監視や
接合状態の検査に役立つ。また、ベンゾイルパーオキサ
イドやジクミルパーオキサイドなど、負荷により熱を発
生する物質をカプセル内に入れておくと、接合時に外部
から加える熱を低下させることが可能である。
【0010】〈実施例3〉図4(a)(b)は本発明の
第三の実施例を示す断面図である。図4(a)の異方導
電性フィルム2の中には、絶縁性膜7をもつ導電粒子5
からなる個体6が接するぐらいの高密度で配合されてい
る。絶縁性基板3上の電極11と半導体素子1上の電極
4の表面には、絶縁性膜7を溶かす溶剤12が塗布され
ている。絶縁性膜7はエポキシ樹脂でできている。溶剤
12はエチレングリコール系の溶剤であり、エポキシ樹
脂を膨潤して溶かす働きがある。異方導電性フィルムの
主体となす樹脂8は、光硬化性樹脂である。図4(b)
は、本発明の接合状態を示している。加熱は行わず、光
を照射させて、光硬化性樹脂の収縮力で電極間のコンタ
クトを保っている。接続電極間の導電粒子5を覆ってい
る絶縁性膜7は、電極表面に塗布されていた溶剤12に
より膨潤溶解し、導電粒子5の表面を露呈し、電極表面
と電気的導通を得ている。隣接電極間にある絶縁性膜を
もつ導電粒子は、溶剤12と接しないため、絶縁性膜は
溶けず、導電粒子間の電気絶縁性は確保されている。
第三の実施例を示す断面図である。図4(a)の異方導
電性フィルム2の中には、絶縁性膜7をもつ導電粒子5
からなる個体6が接するぐらいの高密度で配合されてい
る。絶縁性基板3上の電極11と半導体素子1上の電極
4の表面には、絶縁性膜7を溶かす溶剤12が塗布され
ている。絶縁性膜7はエポキシ樹脂でできている。溶剤
12はエチレングリコール系の溶剤であり、エポキシ樹
脂を膨潤して溶かす働きがある。異方導電性フィルムの
主体となす樹脂8は、光硬化性樹脂である。図4(b)
は、本発明の接合状態を示している。加熱は行わず、光
を照射させて、光硬化性樹脂の収縮力で電極間のコンタ
クトを保っている。接続電極間の導電粒子5を覆ってい
る絶縁性膜7は、電極表面に塗布されていた溶剤12に
より膨潤溶解し、導電粒子5の表面を露呈し、電極表面
と電気的導通を得ている。隣接電極間にある絶縁性膜を
もつ導電粒子は、溶剤12と接しないため、絶縁性膜は
溶けず、導電粒子間の電気絶縁性は確保されている。
【0011】
【発明の効果】本発明によれば、導電粒子又は導電粒子
からなる個体の大きさで制限されていた隣接電極間の距
離をさらに小さくすることができる。よって、より高密
度の実装が可能となる。
からなる個体の大きさで制限されていた隣接電極間の距
離をさらに小さくすることができる。よって、より高密
度の実装が可能となる。
【図1】本発明の異方導電性フィルムを用いた一実施例
の断面図。
の断面図。
【図2】図1の実施例の接続工程を示す説明図。
【図3】本発明の第二の実施例を示す断面図。
【図4】本発明の第三の実施例を示す断面図。
1…半導体素子、2…異方導電性フィルム、3…絶縁性
ベース基板、4…半導体素子上の電極、5…導電粒子、
6…個体、7…絶縁性膜、8…異方導電性フィルムの主
体となす樹脂、11…絶縁性ベース基板状の電極。
ベース基板、4…半導体素子上の電極、5…導電粒子、
6…個体、7…絶縁性膜、8…異方導電性フィルムの主
体となす樹脂、11…絶縁性ベース基板状の電極。
Claims (7)
- 【請求項1】電気的接続をとるために配置され対向する
電極間に用いられる接続材料において、前記接続材料の
主体となる樹脂中に、前記接続材料の主体となる樹脂成
分とは異なる成分からなる絶縁性膜を外壁とする個体が
分散配合され、前記個体内には、導電粒子を内包してい
ることを特徴とする異方導電性フィルム。 - 【請求項2】電気的接続をとるために配置され対向する
電極間に用いられる接続材料において、前記接続材料の
主体となる樹脂中に、前記接続材料の主体となる樹脂と
は異なる軟化温度を有する絶縁性膜を外壁とする個体が
分散配合され、前記個体内には、導電粒子を内包してい
ることを特徴とする異方導電性フィルム。 - 【請求項3】請求項1または2において、前記個体に内
包されている最大導電粒子の大きさが、接続電極間距離
よりも小さい異方導電性フィルム。 - 【請求項4】請求項1または2において、前記絶縁性膜
がカプセル形状をしている異方導電性フィルム。 - 【請求項5】請求項1または2において、前記絶縁性膜
の中に複数の導電粒子が内包されている個体の内に、前
記導電粒子のほかに負荷を受けて発色する感圧粒子が含
まれている異方導電性フィルム。 - 【請求項6】請求項1または2において、前記絶縁性膜
の中に複数の導電粒子が内包されている個体の内に、前
記導電粒子のほかに加熱時の接合を補助するフラックス
が含まれている異方導電性フィルム。 - 【請求項7】請求項1または2において、前記絶縁性膜
の中に複数の導電粒子が内包されている個体の内に、導
電粒子のほかに自ら熱を発生する物質が含まれている異
方導電性フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3056312A JPH04292803A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 異方導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3056312A JPH04292803A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 異方導電性フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04292803A true JPH04292803A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=13023637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3056312A Pending JPH04292803A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 異方導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04292803A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034436A1 (en) * | 1997-12-24 | 1999-07-08 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR100361640B1 (ko) * | 1999-08-30 | 2002-11-18 | 한국과학기술원 | 도포된 이방성 전도 접착제를 이용한 웨이퍼형 플립 칩 패키지 제조방법 |
| KR100392498B1 (ko) * | 1999-08-30 | 2003-07-22 | 한국과학기술원 | 무전해도금법을 이용한 전도성 폴리머 플립칩 접속용 범프 형성방법 |
| KR100426914B1 (ko) * | 1997-07-15 | 2004-04-13 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
| WO2004064143A1 (en) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Lg Cable Ltd. | Method of microelectrode connection and connected structure of use threof |
| KR100510387B1 (ko) * | 1998-07-01 | 2005-08-30 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법, 회로 기판 및 전자 기기 |
| US6940180B1 (en) | 1996-09-05 | 2005-09-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device connecting structure, liquid crystal display unit based on the same connecting structure, and electronic apparatus using the same display unit |
| JP2007035979A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 導電粒子の連結構造体 |
| JP2012142138A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体 |
| WO2012121070A1 (ja) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | カメラモジュール及びカメラモジュールの検査方法 |
| JP2013045565A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Dexerials Corp | 異方性導電フィルム、異方性導電フィルムの製造方法、接続方法、及び接合体 |
| WO2014156930A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | デクセリアルズ株式会社 | 回路部材の接続方法、及び接合体 |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3056312A patent/JPH04292803A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6940180B1 (en) | 1996-09-05 | 2005-09-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device connecting structure, liquid crystal display unit based on the same connecting structure, and electronic apparatus using the same display unit |
| US7084517B2 (en) | 1996-09-05 | 2006-08-01 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device connecting structure, liquid crystal display unit based on the same connecting structure, and electronic apparatus using the same display unit |
| KR100511121B1 (ko) * | 1996-09-05 | 2005-11-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체소자의접속구조및방법,그구조를이용한액정표시장치및그것을이용한전자기기 |
| KR100426914B1 (ko) * | 1997-07-15 | 2004-04-13 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
| US7390732B1 (en) | 1997-07-15 | 2008-06-24 | Hitachi, Ltd. | Method for producing a semiconductor device with pyramidal bump electrodes bonded onto pad electrodes arranged on a semiconductor chip |
| WO1999034436A1 (en) * | 1997-12-24 | 1999-07-08 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR100365349B1 (ko) * | 1997-12-24 | 2002-12-18 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| US6303998B1 (en) | 1997-12-24 | 2001-10-16 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device having a chip mounted on a rectangular substrate |
| KR100510387B1 (ko) * | 1998-07-01 | 2005-08-30 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법, 회로 기판 및 전자 기기 |
| KR100392498B1 (ko) * | 1999-08-30 | 2003-07-22 | 한국과학기술원 | 무전해도금법을 이용한 전도성 폴리머 플립칩 접속용 범프 형성방법 |
| KR100361640B1 (ko) * | 1999-08-30 | 2002-11-18 | 한국과학기술원 | 도포된 이방성 전도 접착제를 이용한 웨이퍼형 플립 칩 패키지 제조방법 |
| CN100356536C (zh) * | 2003-01-08 | 2007-12-19 | Lg电线株式会社 | 微电极连接方法及基于其的连接结构 |
| WO2004064143A1 (en) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Lg Cable Ltd. | Method of microelectrode connection and connected structure of use threof |
| JP2007035979A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 導電粒子の連結構造体 |
| JP2012142138A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体 |
| WO2012121070A1 (ja) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | カメラモジュール及びカメラモジュールの検査方法 |
| JP2013045565A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Dexerials Corp | 異方性導電フィルム、異方性導電フィルムの製造方法、接続方法、及び接合体 |
| CN103748744A (zh) * | 2011-08-23 | 2014-04-23 | 迪睿合电子材料有限公司 | 各向异性导电膜、各向异性导电膜的制造方法、连接方法及接合体 |
| US9924599B2 (en) | 2011-08-23 | 2018-03-20 | Dexerials Corporation | Anisotropic conductive film, anisotropic conductive film production method, connecting method, and bonded structure |
| WO2014156930A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | デクセリアルズ株式会社 | 回路部材の接続方法、及び接合体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2769491B2 (ja) | 電気的装置 | |
| JP3769688B2 (ja) | 端子間の接続方法及び半導体装置の実装方法 | |
| US6951684B2 (en) | Electrical interconnect using locally conductive adhesive | |
| JPH04332404A (ja) | 異方性導電材料及びこれを用いた集積回路素子の接続方法 | |
| US6101708A (en) | Method for electrically connecting terminals to each other | |
| JPS63164180A (ja) | 異方性接着剤 | |
| JPH03131089A (ja) | 回路基板の接続方法 | |
| JPH04292803A (ja) | 異方導電性フィルム | |
| KR100724720B1 (ko) | 도전성 접착제와 이 도전성 접착제를 이용한 단자간의 접속 방법 | |
| JPS6386322A (ja) | 導電異方性接着剤シ−ト | |
| JP2003297516A (ja) | フレキシブル基板の接続方法 | |
| JP3596572B2 (ja) | 基板の接続方法 | |
| JPH0361315B2 (ja) | ||
| JP2006024551A (ja) | 異方導電フィルムの製造方法 | |
| JP2001266975A (ja) | 熱融着型異方導電性エラスチックコネクター及びその製造方法 | |
| JPH06152112A (ja) | 回路の接続方法 | |
| JPH0636613A (ja) | 電子部品用接合材料およびそれを用いた電子機器 | |
| JP2004363167A (ja) | 配線板の相互接続方法 | |
| JPH0955279A (ja) | 電極の接続方法および該方法で得た電極の接続構造 | |
| JPH03289070A (ja) | 電極端子の相互接続方法 | |
| JPH06224252A (ja) | テープ配線基板の構造及びテープ配線基板の接続構造 | |
| JPH04223348A (ja) | 異方導電接続構造 | |
| JPH04317347A (ja) | 集積回路素子の接続方法 | |
| JPH0410304A (ja) | 異方性導電材料及び半導体集積回路素子の接続方法 | |
| JPH07771B2 (ja) | 導電性接着剤の製造方法 |