JPH0429588Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0429588Y2 JPH0429588Y2 JP1987189965U JP18996587U JPH0429588Y2 JP H0429588 Y2 JPH0429588 Y2 JP H0429588Y2 JP 1987189965 U JP1987189965 U JP 1987189965U JP 18996587 U JP18996587 U JP 18996587U JP H0429588 Y2 JPH0429588 Y2 JP H0429588Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- firing
- plate
- straightening
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、焼成によつてソリ等の変形が生じる
ような基板を矯正するため集積回路を搭載するセ
ラミツク基板を再焼成してその基板の反りを高温
加熱矯正する際に使用されるセラミツク焼成用敷
板の矯正用治具に関するものである。
ような基板を矯正するため集積回路を搭載するセ
ラミツク基板を再焼成してその基板の反りを高温
加熱矯正する際に使用されるセラミツク焼成用敷
板の矯正用治具に関するものである。
一般に、アルミナ、またはチタン酸バリウム粉
末等によつて構成される絶縁性のセラミツク基板
に集積回路チツプを搭載封着する場合、セラミツ
ク基板には集積回路チツプ内の電極と接続する導
電性のMo,Wペーストでメタライズパターンが
施されるのが普通である。このように、メタライ
ズパターンを施されたセラミツク基板は敷板上に
搭載され、1200〜1600℃程度の範囲の温度で焼成
される。第2図aは、このときの焼成炉、同図b
は、敷板使用例を示す図で基板焼成の際、メタラ
イズパターンの敷板への溶着防止の為に、実公昭
56−19408号公報で示されるような表面に粗面加
工が施されたモリブデン敷板41が使用されてい
る。この敷板としては、モリブデン板が使用さ
れ、このモリブデン板は、例えば、砥粒を吹きつ
ける方法、ローレツトをかける方法、あるいはフ
ライスをかけル方法等によつて、JIS B 0601で
いう最大高さ(Rmax)が20μm以上で、粗面加
工された導電ペースト接触面を有している。この
敷板41は、メタライズパターンの溶着防止につ
いては、極めて良好であつた。
末等によつて構成される絶縁性のセラミツク基板
に集積回路チツプを搭載封着する場合、セラミツ
ク基板には集積回路チツプ内の電極と接続する導
電性のMo,Wペーストでメタライズパターンが
施されるのが普通である。このように、メタライ
ズパターンを施されたセラミツク基板は敷板上に
搭載され、1200〜1600℃程度の範囲の温度で焼成
される。第2図aは、このときの焼成炉、同図b
は、敷板使用例を示す図で基板焼成の際、メタラ
イズパターンの敷板への溶着防止の為に、実公昭
56−19408号公報で示されるような表面に粗面加
工が施されたモリブデン敷板41が使用されてい
る。この敷板としては、モリブデン板が使用さ
れ、このモリブデン板は、例えば、砥粒を吹きつ
ける方法、ローレツトをかける方法、あるいはフ
ライスをかけル方法等によつて、JIS B 0601で
いう最大高さ(Rmax)が20μm以上で、粗面加
工された導電ペースト接触面を有している。この
敷板41は、メタライズパターンの溶着防止につ
いては、極めて良好であつた。
しかしながら、製造されるセラミツク基板20
は、焼成中にセラミツク基板固有の各部分の密
度、収縮率の相異による等のセラミツク基板面の
反りが生じる。
は、焼成中にセラミツク基板固有の各部分の密
度、収縮率の相異による等のセラミツク基板面の
反りが生じる。
また、上述の敷板41は、セラミツク基板20
等の高温焼成の繰り返しにより、自重により、
徐々に反りが発生し、これに準じて敷板41に搭
載されたセラミツク基板20の反りを頻繁に生じ
させる。このような種々の原因によるセラミツク
基板20の反りは、別の製造工程においてこの基
板20に集積回路チツプを搭載し、そののち集積
回路マウントの接合することを不能にするという
不具合を生じ、この反りの許容規格は、1インチ
の長さに対して10〜50μmの高さ以下でなければ
ならないものとされている。
等の高温焼成の繰り返しにより、自重により、
徐々に反りが発生し、これに準じて敷板41に搭
載されたセラミツク基板20の反りを頻繁に生じ
させる。このような種々の原因によるセラミツク
基板20の反りは、別の製造工程においてこの基
板20に集積回路チツプを搭載し、そののち集積
回路マウントの接合することを不能にするという
不具合を生じ、この反りの許容規格は、1インチ
の長さに対して10〜50μmの高さ以下でなければ
ならないものとされている。
このように反りの生じたセラミツク基板は、規
格外品として処理されるため、製造コストの上昇
を招くという欠点が生じる。
格外品として処理されるため、製造コストの上昇
を招くという欠点が生じる。
本考案は上記欠点を鑑みてなされており、焼成
により反りの生じたセラミツク基板を、メタライ
ズパターンを損傷せずに再焼成し矯正するに適し
たセラミツク基板矯正用治具を提供することを目
的とする。
により反りの生じたセラミツク基板を、メタライ
ズパターンを損傷せずに再焼成し矯正するに適し
たセラミツク基板矯正用治具を提供することを目
的とする。
本考案によれば、焼成によつて変形が生じる基
板を矯正する矯正用治具において、前記基板を支
持する支持板と、この支持板と組合せて使用さ
れ、この支持板上の基板を押圧するためのウエイ
ト板とを有し、この支持板とウエイト板は粗面加
工されており、且つMo及びMo合金のグループ
から選択された材料からなることを特徴とするセ
ラミツク基板矯正用治具が得られる。
板を矯正する矯正用治具において、前記基板を支
持する支持板と、この支持板と組合せて使用さ
れ、この支持板上の基板を押圧するためのウエイ
ト板とを有し、この支持板とウエイト板は粗面加
工されており、且つMo及びMo合金のグループ
から選択された材料からなることを特徴とするセ
ラミツク基板矯正用治具が得られる。
本考案に係る基板矯正用治具の作用について述
べる。
べる。
焼成により反りの生じた基板、例えば、セラミ
ツクは支持板の粗面加工された面上に搭載され、
この基板上に、ウエイト板が粗面加工された面を
基板に接触するように重ね合わされる。高温の焼
成炉中で、この矯正用治具を用いた場合、基板が
軟化すると共に、ウエイト板の重さによつて基板
の反りが矯正される。この板体の基板との接触面
は、(Rmaxが3μm以上で20μmを越えない)適度
の粗さに仕上げられているため、基板に対して局
部的な熱供給量の差や局部的な荷重の集中による
キズやクラツクを生じない。
ツクは支持板の粗面加工された面上に搭載され、
この基板上に、ウエイト板が粗面加工された面を
基板に接触するように重ね合わされる。高温の焼
成炉中で、この矯正用治具を用いた場合、基板が
軟化すると共に、ウエイト板の重さによつて基板
の反りが矯正される。この板体の基板との接触面
は、(Rmaxが3μm以上で20μmを越えない)適度
の粗さに仕上げられているため、基板に対して局
部的な熱供給量の差や局部的な荷重の集中による
キズやクラツクを生じない。
本考案の実施例を図面を参照しながら説明す
る。第1図は、本考案の基板矯正治具の一例を示
している。
る。第1図は、本考案の基板矯正治具の一例を示
している。
この例においては、支持板10の上に反りの生
じた基板20、ここでは、セラミツク基板が搭載
され、さらにその上にウエイト板30が積み重ね
られている。この結果、基板20はウエイト板3
0によつて押圧された状態になつている。この基
板は、その両面にメタライズパターン部21及び
22を有し、このメタライズパターン21,22
で支持板10及びウエイト板30の表面11及び
31は接している。
じた基板20、ここでは、セラミツク基板が搭載
され、さらにその上にウエイト板30が積み重ね
られている。この結果、基板20はウエイト板3
0によつて押圧された状態になつている。この基
板は、その両面にメタライズパターン部21及び
22を有し、このメタライズパターン21,22
で支持板10及びウエイト板30の表面11及び
31は接している。
この支持板10及びウエイト板30の図示され
た表面11及び31は、部分拡大図のように粗面
加工が施されており、その粗面加工は表面へ100
メツシユのホワイトアランダム砥粒を液体ホーミ
ングで吹きつけることにより行われた。この粗面
加工以外の粗面加工法としては、例えば、乾式サ
ンドブラストなど砥粒を吹きつける方法、ローレ
ツトをかける方法、あるいはフライスをかける方
法等でもよい。
た表面11及び31は、部分拡大図のように粗面
加工が施されており、その粗面加工は表面へ100
メツシユのホワイトアランダム砥粒を液体ホーミ
ングで吹きつけることにより行われた。この粗面
加工以外の粗面加工法としては、例えば、乾式サ
ンドブラストなど砥粒を吹きつける方法、ローレ
ツトをかける方法、あるいはフライスをかける方
法等でもよい。
実験によれば、この治具10,30に挾設され
たセラミツク基板20の反りは、約1600℃で焼成
した結果、その反りが全て矯正された。このとき
の治具10,30の表面の粗さは、JIS B 0610
による最大の高さ(Rmax)が5μm以上で20μm
を越えない範囲である。比較の為にこの範囲より
大すなわち、Rmaxが20μmより大なる粗面加工
が施された治具を用いて、上記の反りを有するセ
ラミツク基板の焼成を行つた場合、基板の軟化に
加えてメタライズパターン21及び22への傷が
生じた。また、さらに比較のためにRmaxが3μm
より小の粗面加工が施された治具を用いた場合、
メタライズパターン21及び22の各板体表面へ
の溶着が生じた。以上のことから、基板矯正用治
具に施される粗面加工はRmaxが3μm以上で20μ
mを越えない範囲で行うことが望ましい。また、
最も望ましくは、Rmaxが5〜15μm、粗面加工
を施した面を有する基板矯正用治具であることが
確認された。また、上述の例は、セラミツク基板
の矯正の為に施されたものであるが、セラミツク
基板に限ることなく、焼成によつて変形が生じる
基板、例えば、磁性体等にも適用できうる。
たセラミツク基板20の反りは、約1600℃で焼成
した結果、その反りが全て矯正された。このとき
の治具10,30の表面の粗さは、JIS B 0610
による最大の高さ(Rmax)が5μm以上で20μm
を越えない範囲である。比較の為にこの範囲より
大すなわち、Rmaxが20μmより大なる粗面加工
が施された治具を用いて、上記の反りを有するセ
ラミツク基板の焼成を行つた場合、基板の軟化に
加えてメタライズパターン21及び22への傷が
生じた。また、さらに比較のためにRmaxが3μm
より小の粗面加工が施された治具を用いた場合、
メタライズパターン21及び22の各板体表面へ
の溶着が生じた。以上のことから、基板矯正用治
具に施される粗面加工はRmaxが3μm以上で20μ
mを越えない範囲で行うことが望ましい。また、
最も望ましくは、Rmaxが5〜15μm、粗面加工
を施した面を有する基板矯正用治具であることが
確認された。また、上述の例は、セラミツク基板
の矯正の為に施されたものであるが、セラミツク
基板に限ることなく、焼成によつて変形が生じる
基板、例えば、磁性体等にも適用できうる。
以上述べたとおり、本考案においては、焼成に
より反りの生じたセラミツク基板を、1対の粗面
加工が施された板体からなる治具に挾設して再焼
成することによつて、このセラミツク基板の表面
に形成されたメタライズパターンの溶着、破損、
ひび割れ等の損傷なしに、セラミツク基板の反り
を矯正できる。
より反りの生じたセラミツク基板を、1対の粗面
加工が施された板体からなる治具に挾設して再焼
成することによつて、このセラミツク基板の表面
に形成されたメタライズパターンの溶着、破損、
ひび割れ等の損傷なしに、セラミツク基板の反り
を矯正できる。
第1図は、本考案の実施例に係る基板矯正用治
具部分拡大断面図、第2図aは、従来のセラミツ
ク用の焼成炉を示す一部切欠断面図、第2図b
は、従来のセラミツク用敷板の使用例を示す図で
ある。
具部分拡大断面図、第2図aは、従来のセラミツ
ク用の焼成炉を示す一部切欠断面図、第2図b
は、従来のセラミツク用敷板の使用例を示す図で
ある。
Claims (1)
- 焼成によつて変形が生じるような基板を矯正す
る矯正用治具において、前記基板を支持する支持
板と、該支持板と組合せて使用され、前記基板を
押圧するためのウエイト板とを有し前記支持板及
び前記ウエイト板は最大の高さ(Rmax)が3μm
以上で20μmを越えない範囲で粗面加工されてお
り、且つMo及びMo合金のグループから選択さ
れた材料からなることを特徴とする基板矯正用治
具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987189965U JPH0429588Y2 (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987189965U JPH0429588Y2 (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193763U JPH0193763U (ja) | 1989-06-20 |
| JPH0429588Y2 true JPH0429588Y2 (ja) | 1992-07-17 |
Family
ID=31480971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987189965U Expired JPH0429588Y2 (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0429588Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018148163A (ja) * | 2017-03-09 | 2018-09-20 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体製造装置用部品の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016998U (ja) * | 1984-06-13 | 1985-02-05 | 株式会社東芝 | セラミツク焼成用治具 |
| JPS62119155A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-05-30 | 鳴海製陶株式会社 | 低温焼成セラミツクス基板の焼成方法 |
-
1987
- 1987-12-16 JP JP1987189965U patent/JPH0429588Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0193763U (ja) | 1989-06-20 |
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