JPS5815225A - 半導体装置基板 - Google Patents

半導体装置基板

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Publication number
JPS5815225A
JPS5815225A JP56114205A JP11420581A JPS5815225A JP S5815225 A JPS5815225 A JP S5815225A JP 56114205 A JP56114205 A JP 56114205A JP 11420581 A JP11420581 A JP 11420581A JP S5815225 A JPS5815225 A JP S5815225A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
device substrate
substrate
semiconductor
yield
Prior art date
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Pending
Application number
JP56114205A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Kawaguchi
浩 川口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS5815225A publication Critical patent/JPS5815225A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/117Shapes of semiconductor bodies

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置基板に関する。
従来の半導体用基板は、表面は鏡面ミラーであり、裏面
はラッピング処理が行なわれた基板を使用している。
従来の基板は、半導体集積回路作成の為のパターニング
、熱処理工程において、基板は反り1曲りを生じ、集積
回路の歩留低下等の原因となっている。又、これは高集
積回路素子の形成には重大な支障となる。
本発明はかかる欠点を除失したものでその目的は、高歩
留の集積回路を提供しようとするものである。
第1図において、本発明における半導体基板の断面図実
施例を示す。半導体基板1の表面2&ま鏡面であり、表
面3は凹凸に加工を行う、凹凸のカロ工に関しては、半
導体集積回路作成にお番するフォトエツチング等により
形成する。
この凹凸を形成す乞事により、半導体集積回路作成時の
パターニング、熱処理、酸イし、拡散工程における裏面
のストレスの緩和が行なわれ、基板は反り9曲りが緩和
される事により歩留の向上刃(得られる。
本発明はかかる歩留の向上等に特にすぐれた効果を有す
るものであり、超高密度素子等にも充分適用が可能であ
る。
【図面の簡単な説明】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)基板の裏面もしくは表面に凹凸を形成する事を特徴
    とする半導体装置基板。 2)基板の裏面及び表面に凹凸を形成する事を特徴とす
    る半導体装置基板。
JP56114205A 1981-07-21 1981-07-21 半導体装置基板 Pending JPS5815225A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59163751A (ja) * 1983-03-07 1984-09-14 Yuasa Battery Co Ltd 蓄電池
JPS62171112A (ja) * 1986-01-23 1987-07-28 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体基体の製造方法
JPH01148466A (ja) * 1987-12-02 1989-06-09 Hitachi Electron Eng Co Ltd タブ端子の溶接装置
JPH02144946A (ja) * 1988-11-26 1990-06-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

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JPS62171112A (ja) * 1986-01-23 1987-07-28 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体基体の製造方法
JPH01148466A (ja) * 1987-12-02 1989-06-09 Hitachi Electron Eng Co Ltd タブ端子の溶接装置
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