JPS5815225A - 半導体装置基板 - Google Patents
半導体装置基板Info
- Publication number
- JPS5815225A JPS5815225A JP56114205A JP11420581A JPS5815225A JP S5815225 A JPS5815225 A JP S5815225A JP 56114205 A JP56114205 A JP 56114205A JP 11420581 A JP11420581 A JP 11420581A JP S5815225 A JPS5815225 A JP S5815225A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- device substrate
- substrate
- semiconductor
- yield
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置基板に関する。
従来の半導体用基板は、表面は鏡面ミラーであり、裏面
はラッピング処理が行なわれた基板を使用している。
はラッピング処理が行なわれた基板を使用している。
従来の基板は、半導体集積回路作成の為のパターニング
、熱処理工程において、基板は反り1曲りを生じ、集積
回路の歩留低下等の原因となっている。又、これは高集
積回路素子の形成には重大な支障となる。
、熱処理工程において、基板は反り1曲りを生じ、集積
回路の歩留低下等の原因となっている。又、これは高集
積回路素子の形成には重大な支障となる。
本発明はかかる欠点を除失したものでその目的は、高歩
留の集積回路を提供しようとするものである。
留の集積回路を提供しようとするものである。
第1図において、本発明における半導体基板の断面図実
施例を示す。半導体基板1の表面2&ま鏡面であり、表
面3は凹凸に加工を行う、凹凸のカロ工に関しては、半
導体集積回路作成にお番するフォトエツチング等により
形成する。
施例を示す。半導体基板1の表面2&ま鏡面であり、表
面3は凹凸に加工を行う、凹凸のカロ工に関しては、半
導体集積回路作成にお番するフォトエツチング等により
形成する。
この凹凸を形成す乞事により、半導体集積回路作成時の
パターニング、熱処理、酸イし、拡散工程における裏面
のストレスの緩和が行なわれ、基板は反り9曲りが緩和
される事により歩留の向上刃(得られる。
パターニング、熱処理、酸イし、拡散工程における裏面
のストレスの緩和が行なわれ、基板は反り9曲りが緩和
される事により歩留の向上刃(得られる。
本発明はかかる歩留の向上等に特にすぐれた効果を有す
るものであり、超高密度素子等にも充分適用が可能であ
る。
るものであり、超高密度素子等にも充分適用が可能であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基板の裏面もしくは表面に凹凸を形成する事を特徴
とする半導体装置基板。 2)基板の裏面及び表面に凹凸を形成する事を特徴とす
る半導体装置基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56114205A JPS5815225A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 半導体装置基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56114205A JPS5815225A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 半導体装置基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5815225A true JPS5815225A (ja) | 1983-01-28 |
Family
ID=14631835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56114205A Pending JPS5815225A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 半導体装置基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815225A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59163751A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-14 | Yuasa Battery Co Ltd | 蓄電池 |
| JPS62171112A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体基体の製造方法 |
| JPH01148466A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-09 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | タブ端子の溶接装置 |
| JPH02144946A (ja) * | 1988-11-26 | 1990-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1981
- 1981-07-21 JP JP56114205A patent/JPS5815225A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59163751A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-14 | Yuasa Battery Co Ltd | 蓄電池 |
| JPS62171112A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体基体の製造方法 |
| JPH01148466A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-09 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | タブ端子の溶接装置 |
| JPH02144946A (ja) * | 1988-11-26 | 1990-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS644668B2 (ja) | ||
| JPS5815225A (ja) | 半導体装置基板 | |
| JPS5852332B2 (ja) | 不純物拡散方法 | |
| JPS59227117A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01226166A (ja) | 半導体装置基板の製造方法 | |
| JPH01241117A (ja) | アライメント・マーク | |
| JPS5928996B2 (ja) | 電子部品の取付方法 | |
| JPS62264689A (ja) | 回路付金属−セラミツクス接合体の製造方法 | |
| JPH01241118A (ja) | アライメント・マーク | |
| JP2740675B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63140556A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH012337A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS5824020B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02246117A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH02143572A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS582069A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6066467A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01258448A (ja) | 半導体ペレット | |
| JPH0485810A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60257192A (ja) | 混成集積回路用基板 | |
| JPS6321862A (ja) | Icセラミツクパツケ−ジ用リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPS5895863A (ja) | 積層構造を用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPS60167354A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5922373B2 (ja) | 半導体ウエハの処理法 | |
| JPH0444233A (ja) | 半導体装置 |